KR100213151B1 - 감쇠하는 상 이동 마스크의 제조를 위한 박막의 물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판상에 증착되는 층을 형성하여 선택적으로 에칭함으로써 투과성이 있는 감쇠하는 형태의 상 이동 마스크 제작 과정에 관한 것이다. 하나의 층은 상 이동 및 필요한 경우 감쇠를 제공하며, 감쇠하는 상 이동 마스크를 생성할 수 있도록 용이하게 패턴 및 처리된다.

Description

감쇠 상 이동 마스크 제조를 위한 박막 물질
제1도는 감쇠 상 이동 층(attenuating phase shift layers)의 대상 영역을 그래프로 나타낸 도면.
제2도는 본 발명에 따라 층을 피착하기(deposit) 위한 장치의 개략 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 패턴화된 리소그래픽 상 이동 마스크(pattemed 1ithographic phase shift mask) 의 개략 단면도.
제4도는 서로 다른 질소 압력에서 피착된 100nm 두께의 막에 대해, Si-N막의 투과율(transmittance)을 파장의 함수로서 도시한 도면.
제5도는 248nm에서, 서로 다른 두께의 Si-N막의 투과율을 질소 압력의 함수로서 나타낸 그래프.
제6도는 서로 다른 두께에 대해 35% 질소하에서 피착된 SiC-N막의 투과율을 파장의 함수로서 나타내는 그래프.
제7도는 248nm에서, 피착되는 동안 서로 다른 두께에서 SiC-N막의 투과율을 질소 압력의 함수로서 나타내는 그래프.
제8도는 서로 다른 두께에서 MoSi2-O2막의 투과율을 파장 함수로서 나타내는 그래프.
제9도는 248nm에서 MoSi2-O2및 Mo1.19Si2-O2막의 투과율을 막 두께의 함수로서 나타내는 그래프.
제10도는 SiO2및 MoO3막의 투과율을 파장의 함수로서 나타내는 그래프.
제11도는 SiO2및 CoO막의 투과율을 파장의 함수로서 나타내는 그래프.
제12도는 Si3N4및 Mo2N막의 투과율을 파장의 함수로서 나타내는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 스퍼터링 챔버 16 : 에칭 스톱 층
12 : 판 또는 에칭 스톱 층 18 : 상 이동 층
14 : 수냉식 구조물 20 : 스퍼터링 타겟
본 발명은 상 이동 리소그래픽 마스크(phase shift lithographic nnsk)에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 마스크 및 감쇠 층들(attenuating layers)을 가진 마스크를 제조하기 위한 공정에 관한 것이다.
통상의 크롬(chrome) 마스크 기술로 달성될 수 있는 것 이상으로 리소그래픽 장비의. 해상도(resolution), 콘트라스트(contrast), 및 촛점 깊이(depth of focus)를 향상시키는 방법으로서 상 이동 마스크에 상당한 관심이 모아지고 있다. 상 이동 마스크에는 간섭 효과(interference effect)를 얻을 수 있도록 석영 기판(quartz substrate plate)이 에칭되거나 코팅된다. 에칭 또는 코팅의 두께는 인접한 영역간에 정확히 1/2 파장의 광 경로차(optical path difference)가 확립되도록 설정되고 그 결과 두 영역의 경계면에서 상쇄 간섭(des甘uctive interference)이 일어난다. 예를들면, 교차하는 상(alternating phase), 테두리(rims) 및 다른 구조에 대해 상기 효과를 정량화하여 이용하려는 연구가 많이 되어 왔다. 이제까지, 상 이동 마스크를 풀스케일(full scale)의 미세 회로 설계에 이용할 수 엾었던 이유는 회로 설계자를 위해 자동적으로 마스크 레이아웃을 할 수 있게 해주는 설계 장비를 만들어 내는 것이 어렵기 때문이었다. 이러한 이유로 소위 감쇠 상 이동 마스크(attenuating phase shift mask)의 사용에 관심이 집중되고 있다.
감쇠 상 이동 마스크에는 1/2 파장의 상 이동과 함께, 크롬 층 대신 약간 투명한 층이 사용된다. 이 마스크는 크롬 마스크처럼 패턴화(patteming) 단계를 한번만 거치고,180도의 상 이동 효과로 인해 모든 에지에서 콘트라스트가 향상된다는 특성을 갖는다. 현재 이러한 마스크는 소기의 상 이동을 발생시키기 위해 통상 석영 에칭과 약간 투명한, 예를 들어 박막의 크롬 층과의 결합에 의해 제조된다. 이 방법은 층 및 에칭 공정에 고수준의 제어를 필요로 한다.
본 발명의 주요한 목적은 감쇠 층을 가진 상 이동 마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것이다,
본 발명의 다른 목적은 감쇠가 잘 제어되는 층을 가진 상 이동 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 소기의 상 이동 및 상 이동 감쇠가 동일한 층에서 발생되는 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명은 석영 기판상에 미리 피착된(predeposited) 층을 선택적으로 에칭함으로써 감쇠 유형(attenuating type)의 상 이동 마스크를 제조하는 것에 관한 것 이다. 이 층은 요구되는 상 이동 및 감쇠를 결합시킨 특성을 갖고, 용이하게 패턴화되고 처리되어 감쇠 상 이동 마스크를 만들어 낸다. 즉, 이 방법의 장점은 하나의 층으로 광의 감쇠 및 상 이동이 달성된다는 점이다.
중요한 물질 조건은 감쇠 층의 막 두께가 공기에 대하여 1/2 파장 이동을 발생시키는 광 경로 길이에 대응하도록 선택되어야 한다는 점이다. 즉,
여기서 n은 리소그래픽 장비의 노출 파장(exposure wavelength)이 λ일 때 막의 굴절률(refractive index)이다. 아울러 막은 고유 응력(inthnsic stress)이 매우 낮아야 하고 막은 에칭하지만 기판은 에칭하지 않는 공정에 의해 패턴화될 수 있어야 한다. 이와 같은 두께의 막의 광 투과율(optical transmission)은 통상 5 내지 15% 투과율의 선택된 값에 상응한다. 광 투과율 T는
로 표현될 수 있으며, 여기서 k는 흡수 계수(absorption coefficient)이고, R은
로 표현될 수 있는 반사율이다· 이들 3개의 식은 물질 파라미터인 굴절률, 흡수율 및 막 두께 (n, k 및 d)에 대해, 소기의 상 이동 마스크의 특성인 180도의 상 이동, 투과율 T 그리고 최대 허용 반사율 R의 관계를 나타낸다. 식(1) 내지 (3)으로부터,
의 관계가 성립되므로 결국 n 및 k는 독립적으로 선택되지는 않는다.
광학 특성에 따른 조건들이 제1도에 요약되어 있는데, 빗금친 영역은 투과율의 양단 값이 2 및 20%일 때 n 및 k의 값의 범위를 나타낸다. 굴절률의 값이 너무 높으면 막의 표면에서 10% 이상의 반사가 발생한다. 본 명세서에 제시된 방법은 n값이 변동(perturbation)을 최소화하면서 k의 값을 제어하는 방법에 관한 것이다.
소기의 광학 특성의 조합을 얻기 위해 여러 물질 시스템이 연구되었다. 이들 중 첫번째로 예를 들어 Si-N이 석영 기판에 대해 어느 정도(to some degree) 선택 에칭되었다. SiO2에 의한 두번째 시스템은 에칭 스톱층(etch stop layer)을 필요로 한다. 자외선 투과 물질을 선택하여, 비교적 강한 자외선 흡수성이 있는 것으로 알려진 유사한 질화물 또는 산화물의 적당한 양을 포함하도록 이를 피착하는 방법을 취했다. 막들은 질소 또는 산소를 포함하는 반응성 대기(reactive atmosphere) 중에서 알에프 스퍼터링(rf sputtering) 기술에 의해 피착되었다. 소정의 분량의 여분의 Si, Mo, Cr, Co, Ni 또는 Fe 등의 성분을 스퍼터링 타겟(sputtering target) 속에 주입시킴으로써, 대상 파장인 365nm 및 248nm에서 광 투과율이 제어된 질화물 또는 산화물의 막을 제조할 수 있다.
제2도를 참조하면, 알에프 다이오드 스퍼터렁 시스템(rf diode sputtehng system)에 의해 막들이 피착되었다. 스퍼터링 챔버(10)에 가스 혼합물을 주입하기 전에 터보 분자 펌프(turbomolecular pump)에 의해 10-7Torr 이하로 배기시킬 수 있다. 판(12)과 같은 석영판이 기판으로 사용된다. 판(12)은 직경 8인치의 수냉식 구조물(water co이ed 8 inch diameter fixture,14)상에 장치된다. 필요하거나 요구되는 경우에는 이하 상술하는 바와 같이 그 위에 에칭 스톱층(16)을 종래의 방법에 의해 피착할 수 있다. 본 발명에 따르면, 감쇠 상 이동 층(18)은 판(12)에 직접 스퍼터되거나, 또는 에칭 스톱 층(12)이 사용되는 경우에는 에칭 스톱 층(16)상에 스퍼터된다. 피착하는 동안 종래 기술에 알려진 방식과 같이 스퍼터링 타겟(20)과 구조물(14)간에 200W의 입력 전력이 인가된다. 5mTorr의 전체 압력이 사용된다. 피착 후에, 층(18)의 두께는 텐코 알파-스템 프로파일로메터(Tencor Alpha-Step Profilometer) (도시되지 않음)에 의해 결정된다. 자동 회절계(automated diffractometer)를 이용한 X-레이 회절이 이들 및및 층 또는 막들의 구조를 조사하기 위해 사용된다. 광 투과율은 바리언(Varian) DMS-200 UV 시각 분광 광도계(visible spectrophotometer) (도시되지 않음)에 의해 측정되었다.
이어서, 제2도에 예시한 기술에 의해 생성된 상 이동 마스크 블랭크의 층(18)은 제3도에 표시한 바와 같이 소기의 리소그래픽 마스크를 생성하도록 패턴화된다. 실리콘 계 층(silicon based layer)을 사용하는데 있어서의 장점은 이것이 종래 기술에 잘 알려진 바와 같이 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 습식 에칭(wetetching) 등의 기술에 의해 행해질 수 있다는 점이다. 에칭 스톱 층(16)은 어떤 형태의 에칭이 사용되느냐에 따라 있을 수도 있고 없을 수도 있다. 에칭의 유형은(18)층을 형성하는 물질에 의존한다, 이하에 그 예들이 제시되어 있다.
실리콘 질화물 계 층(silicon nithde based layer)들은 비교적 느리게 기판을 에칭하는 에칭 공정에 의해 패턴화될 수 있기 때문에 감쇠 유형의 상 이동 마스크로서의 사용에 적합하다. Si-N 막들은 실리콘 타겟과, 아르곤 및 질소를 포함하는 스퍼터링 가스 혼합물을 사용하는 rf 스퍼터링에 의해 피착되었다. 스퍼터링하는 동안, 질소 비율은 0 내지 30% 범위에서 변한다. 높은 질소 레벨에서 실리콘 질화물의 투명한 막이 얻어졌다. 질소의 양이 감소됨에 따라 막은 실리콘이 주류를 이루게 되어 막이 광 흡수성을 갖게 된다. 이러한 흡수력의 크기는 스퍼터링 가스내의 질소 대 아르곤의 비에 의해 제어될 수 있다. 서로 다른 질소 압력에서 피착되고 두께가 100nm로 일정한 다수의 Si-N막의 투과율이 제4도에 도시되어 있다. 두께가 서로 다른 막에 대해서도 유사한 결과가 얻어졌다. 두께가 100nm인 막 및 두께가 서로 다른 막에 대한 제4도의 데이타로부터 248nm에서 Si-N막의 투과율이 제5도에 도시되어 있다. 흡수 상수 α 및 질소 퍼센테이지 P의 관계를 나타내는 실험식은 α = 0.06/(P-13.3)로 주어진다. 막에 대한 광 투과율 T는
로 표현될 수 있는데, 여기서 d는 nm단위의 막의 두께이고, R은 반사율이다.
n = 2.3이고 λ = 248nmㅇl면, 식(1)에 따라 상 이동에 대해 요구되는 두께는 95nm이다. 5 내지 10%의 광 투과율을 얻기 위해서는 식(5)로부터 15.9%의 질소가 필요하다. 180도의 상 이동 조건을 만족시키는 막에 대해 유용한 범위의 광 투과율을 얻을 수 있지만, 제5도에서 알 수 있듯이 질소량 비율에 대한 제어 조건은 상당히 엄격하다. 이 방법이 사용될 수는 있지만 감쇠 유형의 상 이동 마스크를 일상적으로 제조하는데는 바람직하지 않다.
아르곤 가스 속에서 SiC 타겟이 스퍼터될 때, 248nm에서 막들이 상당히 흡수력이 있었다. 스퍼터링 가스에 산소를 부가하였더니 스퍼터된 막의 투명도가 증가하였다. 그러나, 산소 압력의 제어가 매우 결정적이다. 산소 압력이 1% 변화하면 크기 정도만큼(by an order of nngnitude) 광 투과율이 변할 수 있다.
또한, 스퍼터링하는 동안 질소 가스를 부가하면 스퍼티된 막의 흡수력이 감소된다. 그러나, 질소 압력에 대한 투과율의 변화는 매우 점직적이므로 질소 압력의 제어는 결정적이지 않다. 제6도에는 질소 함량이 35%인 아르곤-질소 가스 혼합물 속에서 스퍼터링된, 두께가 서로 다른 SiC-N막의 투과율이 도시되어 있다.제6도 및 다른 질소 압력에서 얻어진 데이타로부터, 제7도에는 248nm에서의 SiC-N막의 투과율이 질소 압력의 함수로서 도시되어 있다· 소기의 상 이동에 대해 요구되는 약 100nm 두께의 막들에 대해, M2압력을 결정적으로(chtically) 제어하기 않고도 5 내지 15%의 투과율을 용이하게 얻을 수 있다. 따라서, 이 시스템은 단일 층의 감쇠 유형의 상 이동 마스크 물질로서 기대할 수 있는 것을 제공한다.
또, 감쇠 유형의 상 이동 마스크의 제조에 산화물계막(oxide base films)을 사용할 수 있는데 이 경우에는 에칭 스톱 층이 사용되어야 한다. A12O3및 HfO2를 포함하는 및 가지 물질들이 이러한 목적에 부합하는 것으로서 알려져 있다.
MoSi2-O2는 산소 및 아르곤 가스 혼합물 하에서 MoSi2타겟을 반응성 스퍼터링함으로써 얻어진다. 스퍼티링 동안, 산소량은 0 내지 40% 범위내에서 변하도록 된다. 스퍼터링 동안 산소량이 8% 이상이라면 거의 동일한 광 투과율을 갖는 막을 얻을 수 있다는 것을 알았다. 서로 다른 두께의 막들의 투과율이 제8도에 도시되어 있다. 스퍼터링 동안 산소량이 8% 이상인 경우, 피착된 MoSi2막에 대한 248nm에서의 투과율이 막 두께 d의 함수로서 제9도에 도시되어 있다. 소정의 질소가 부가되면 흡수력이 약간 증가될 뿐이다. 관계식 exp-αd를 이용하여 제9도로부터 계산된 흡수 계수 α는 대략 1.2×10-1이다. 상 이동 마스크를 만들기 위해 10% 광 투과율을 갖는 대략 180nm 두께의 막들이 HfO2에칭 스톱 층을 가진 5 및 6의 정방형 용융(fused) 석영 기판 위에 피착된다. 상 이동은 대략 180도로 측정 되 었고, 굴절률은 직접간섭계법(interfrometric measurement)을 사용하여 상 이동을 측정한 바 248nm에서 약 1.68인 것으로 측정되었다.
이들 막들을 마이크로프로브(microprobe)로 분석했을 때 이들이 2-SiO2및 MoO3에 대응하는 조성물을 갖고 있는 것으로 판명되었다· 이들 막들의 굴절률은 623.8nm에서 대략 1.6이다.
또, 두께가 서로 다른 Mo-O2막을 제조하기 위해 Mo 타겟이 산소-아르곤 가스 혼합물 속에서 반응성 스퍼터되었다. 이들 막들은 마이크로프로브로 분석한 결과 그 성분이 MoO3인 것으로 판명되었다. 따라서, 반응성 스퍼터링 공정 동안 타겟 내의 Si 및 Mo 성분이 완전하게 산화된 것으로 결론지었다. Mo의 조성이 타겟 내에서 빈화되면 스퍼터된 막들의 투과율이 변화될 수 있다.
두께가 서로 다른 SiO2막들 및 MoO3막들의 투과율이 측정되어 제10도에 도시되어 있다. SiO2의 투과율은 248nm에서 매우 높은 반면 (90% ㅇl상), MoO3의 투과율은 MoO3층의 두께에 따라 248nm에서 매우 낮다. 이 도면으로부터, 약 180nm의 두께를 가진 막에서, 248nm에서 광 투과율 6%만을 갖도록 하기 위해서는 타겟 물질이 Mol.l9Si2의 조성을 가져야 하는 것으로 추정되었다. 이러한 가정을 시험하기 위해, 이러한 조성을 가진 새로운 타겟을 얻어 막을 피착하였다. 그 결과가 제9도에 도시되어 있다. 대략 두께가 180nm인 막에서 248nm에서의 투과율은 예상한 바대로 6%로 감소되었다.
Si-N막을 얻기 위해 질소 가스에서 반응성 스퍼터된 Si 타겟을 사용한 결과 감쇠를 제어하기 어려웠고, SiC-N막을 얻기 위해 Si-C 타겟을 사용하면 감쇠를 보다 잘 제어할 수 있다. Mo-Si 시스템은 보다 많은 융통성을 제공한다. 타겟 물질에서 Mo의 농도를 변화시킴에 의해 임의의 두께에서 광 투과율을 임의의 값으로 맞출 수 있고, 광 범위의 산소 압력이 사용될 수 있으므로 공정의 제어도 매우 용이하게 된다. Cr, W, Ti 등의 다른 금속이 또한 사용될 수 있음은 물론이다.
제10도에 도시한 Mo-Si 시스템에서 365nm에서 투과율이 높기 때문에, 248nm에 대한 마스크만 만들 수 있다. CoO, NiO, Fe2O3등과 같이 365nm에서 높은 흡수율을 갖는 많은 산화물이 있다. 제11도는 두께가 서로 다른 SiO2및 CoO막들의 투과율을 나타낸다.
CoO와 함께 스퍼터된 SiO2는 248nm 및 365nm의 감쇠된 상 이동 층을 만들기 위한 양흐한 후보라는 결론을 얻을 수 있다.
SiO2를 바탕으로 한 감쇠된 상 이동 층들은, SiO2에칭 공정이 석영 기판에 영항을 끼치기 때문에, 에지들을 패턴하는데 사용되는 RIE 에칭에 대비하여 에칭스톱 층을 필요로 할 수 있다. 따라서, 에칭 스톱 층이 필요하지 않도록 감쇠된 상이동 층들이 기본적으로 Si3N4를 포함하도록 하는 것이 유리할 수 있다. 이것은 질소-아르곤 가스 혼합물에서 Mo-Si와 같은 스퍼터링 타겟을 사용함으로써 용이하게 행해질 수 있다. 두께가 서로 다른 Si3N4및 Mo2N 막의 투과율이 제12도에 도시되어 있다. Mo2N 막들의 광 흡수력이 동일한 두께에서 MoO3막들보다 높기 때문에, Mo-Si 타겟에는 Mo가 더 적게 필요하다. 아울러, Cr, W, Ti, Hf, Zr, Co, Ni, Fe 등의 다른 금속도 감쇠된 상 이동막들을 만드는데 사용될 수 있다.
요약하면, 다수의 물질 시스템들이 감쇠 유형의 상 이동 층들의 제조에 사용될 가능성이 있는 것으로 알려졌다. 일반적으로, 질화물계 시스템들은 석영 기판에 대비하여 선택적으로 에칭될 가능성을 제공한다. Al2O3및 HfO2등의 투명한 에칭스톱 층을 사용함으로써 에칭의 선택성이 보다 높아질 수 있다. 이와 같은 경우에 광 감쇠 층은 SiO2또는 Co, Mo, Ni, Cr, Ti 동의 다른 물질과 함께 스퍼터되는 다른 적외선 투명 물질(ultraviolet transparent materi)을 포함할 수 있다. 대략적으로, 요구되는 흡수성 금속의 양은 대응하는 산화물의 흡수값의 측정으로부터 추정될 수 있음을 알았다.
본 발명이 양호한 실시예와 관련하여 특정하게 도시되고 기술되었지만, 본 기술 분야에 숙련된 자는 본 발명의 영역 및 정신을 벗어나지 않고 형태가 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이다.

Claims (17)

  1. 상 이동 마스크(phase shift mask)에 소정 파장의 에너지를 감쇠 시키는 상 이동 층을 헝성하는 방법에 있어서, 상기 소정 파장에서 투과성이 있는(transmissive) 기판을 제공하는 단계와, 실리콘 및 금속을 포함하는 피착 타겟(deposition target)을 제공하는 단계와, 피착 공정을 이용하여, 반응성 질소 성분을 포함하는 가스 분위기(gas environment)에서 상기 타겟으로부터 상기 층을 피착하는 단계 - 상기 층은 실리콘, 질소 및 상기 파장에서 에너지를 흡수하는 상기 금속을 포함하는 종(species including said metal which absorbs energy at said wavelength)을 포함함-를 포함하는 상 이동 층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속은 Mo, Cr, W, Ti, Co, Fe, Ni, Hf, Cu 및 Zr로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 상 이동 층 형성 방법.
  3. 상 이동 마스크(phase shift nnsk)에 소정 파장의 에너지를 감쇠 시키는 상 이동 층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 소정 파장에서 투과성이 있는(transmissive) 기판을 제공하는 단계와, SiC를 포함하는 피착 타겟(deposition target)을 제공하는 단계와, 피착 공정을 이용하여, 반응성 질소 성분을 포함하는 가스 분위기(gas environment)에서 상기 타겟으로부터 상기 층을 피착하는 단계 - 상기 층은 SiC-N을 포함함-를 포함하는 상 이동 층 형성 방법.
  4. 상 이동 마스크에 소정 파장의 에너지를 감쇠시키는 상 이동 층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 파장에서 투과성이 있는 기판을 제공하는 단계와, 실리콘을 포함하는 피착 타겟을 제공하는 단계와, 피착 공정을 이용하여, 반응성 산소 성분을 포함하는 가스 분위기에서 상기 타겟으로부터 상기 층을 피착하는 단계 - 상기 층은 실리콘 및 산소를 포함함 -를 포함하는 상 이동 층 -형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 타겟은 금속도 포함하며, 상기 층은 상기 파장에서 에너지를 흡수하는 상기 금속을 포함하는 종을 포함하는 상 이동 층 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속은 Mo이며, 상기 층은 MoO3-2SiO2를 포함하는 상 이동 층 형성 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 타겟은 MoxSi2로 구성되는 상 이동 층 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 층은 XMoO3-2SiO2로 구성되는 상 이동 층 형성 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 금속은 Mo, Cr, W, Ti, Co, Fe, Ni, Hf, Zr 그리고 Cu 중 하나인 상 이동층 형성 방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 상 이동 층을 피착하기 전에 상기 기판상에 에칭 스톱 층(etch stop 1ayer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 상 이동 층 형성 방법.
  11. 상 이동 마스크에 있어서, 소정 파장에서 투과성이 있는 기판과, 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 피착된 상 이동 층을 포함하는 상 이동 마스크.
  12. 상 이동 마스크에 있어서, 소정 파장에서 투과성이 있는 기판과, 실리콘, 질소 및 상기 파장에서 흡수성이 있는 금속 이온을 포함하는 피착된 상 이동 층을 포함하는 상 이동 마스크.
  13. 상 이동 마스크에 있어서, 소정 파장에서 투과성이 있는 기판, 실리콘, 산소 및 상기 파장에서 흡수성이 있는 종을 포함하는 피착된 상 이동층을 포함하는 상 이동 마스크.
  14. 제15항에 있어서, 상기 종은 금속 이온을 포함하는 상 이동 마스크.
  15. 제13항에 있어서, 상기 종은 MoO3를 포함하는 상 이동 마스크.
  16. 소정 파장의 에너지와 함께 사용하는 리소그래픽 마스크(lithographic mask)에 있어서, 상기 파장의 에너지에 대해 투과성이 있는 기판과, 상기 파장의 에너지에 대한 감쇠 및 상 이동을 제공하는 상기 기판상의 층을 구비하며, 상기 층은 상기 파장의 에너지에 대해 실질적으로 투명한(essentially transparent), 실리콘을 포함하는 매트릭 스(mathx)과, 상기 매트릭스 내에 분포되어 있으며(disthbuted), 상기 파장에서 에너지를 흡수하는 제어된 량의 금속 이온을 포함하는 리소그래픽 마스크.
  17. 소정 파장의 에너지와 함께 사용하는 리소그래픽 마스크에 있어서, 상기 파장의 에너지에 대해 투과성이 있는 기판과, 상기 파장의 에너지에 대한 감쇠 및 상 이동을 제공하는 상기 기판상의 층을 구비하며, 상기 층은 상기 파장의 에너지에 대해 실질적으로 투명하고, 실리콘 디옥사이드(silicon dioxide)를 포함하는 매트릭스와, 상기 매트릭스 내에 분포되어 있는 제어된 량의 MoO3를 포함하는 리소그래픽 마스크.
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