JPH09171960A - ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法 - Google Patents
ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法Info
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- JPH09171960A JPH09171960A JP28418196A JP28418196A JPH09171960A JP H09171960 A JPH09171960 A JP H09171960A JP 28418196 A JP28418196 A JP 28418196A JP 28418196 A JP28418196 A JP 28418196A JP H09171960 A JPH09171960 A JP H09171960A
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- halftone phase
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- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クローム膜の均一度維持および無欠陥特性を
有するクローム膜の厚さを得ることを可能とする新規な
ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 ＤＵＶ用ハーフトーン位相反転マスク製
造方法において、紫外線に対して４〜１０％の光透過特
性を有する１０００〜１５００Å厚のフッ素含有クロー
ム膜を蒸着することを特徴とする。
有するクローム膜の厚さを得ることを可能とする新規な
ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 ＤＵＶ用ハーフトーン位相反転マスク製
造方法において、紫外線に対して４〜１０％の光透過特
性を有する１０００〜１５００Å厚のフッ素含有クロー
ム膜を蒸着することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハーフトーン位相
反転マスクおよびその製造方法に関するもので、特にＤ
ＵＶ用ハーフトーン(Halftone)位相反転マスク製造時に
必要な位相反転物質を最適化する方法に関する。
反転マスクおよびその製造方法に関するもので、特にＤ
ＵＶ用ハーフトーン(Halftone)位相反転マスク製造時に
必要な位相反転物質を最適化する方法に関する。
【０００２】なお、本明細書の記述は本件出願の優先権
の基礎たる韓国特許出願第１９９５−３７１９０号（１
９９５年１０月２５日出願）の明細書の記載に基づくも
のであって、当該韓国特許出願の番号を参照することに
よって当該韓国特許出願の明細書の記載内容が本明細書
の一部分を構成するものとする。
の基礎たる韓国特許出願第１９９５−３７１９０号（１
９９５年１０月２５日出願）の明細書の記載に基づくも
のであって、当該韓国特許出願の番号を参照することに
よって当該韓国特許出願の明細書の記載内容が本明細書
の一部分を構成するものとする。
【０００３】
【従来の技術】一般的に、最小線幅を０．２５μｍ以下
とする必要がある２５６メガ・ディーラム（ＤＲＡＭ）
級以上の高集積ディバイスを製造する際に、微細パター
ン形成のために短波長を利用したＤＵＶ光学リソグラフ
ィー工程が用いられており、さらに該光学リソグラフィ
ー工程ではクローム（Ｃｒ）を遮光物質として用いるク
ロームマスクが主に用いられている。
とする必要がある２５６メガ・ディーラム（ＤＲＡＭ）
級以上の高集積ディバイスを製造する際に、微細パター
ン形成のために短波長を利用したＤＵＶ光学リソグラフ
ィー工程が用いられており、さらに該光学リソグラフィ
ー工程ではクローム（Ｃｒ）を遮光物質として用いるク
ロームマスクが主に用いられている。
【０００４】この際、解像能力を改善させるための手段
として透明レンズの高ＮＡ(Numerical Apeture、開口
数）化、露光波長の短波長比、有効光源の変化による変
形照明露光法およびマスクパターンの光干渉現象を利用
する位相反転マスクの適用が一般化されている。
として透明レンズの高ＮＡ(Numerical Apeture、開口
数）化、露光波長の短波長比、有効光源の変化による変
形照明露光法およびマスクパターンの光干渉現象を利用
する位相反転マスクの適用が一般化されている。
【０００５】従来のクロームマスクは、クロームターゲ
ット（物質）をアルゴン（Ａｒ）イオンによるスパッタ
リングを施して約１０００ないし１５００Å程度蒸着
し、これを遮光物質として用いる。この際、深紫外線
（ＤＵＶ，λ＝２４８ｎｍ）波長に対し約４ないし１０
％程度の光透過率を有するクローム膜を形成するために
は３００Å以下の厚さに制御しなければならない。
ット（物質）をアルゴン（Ａｒ）イオンによるスパッタ
リングを施して約１０００ないし１５００Å程度蒸着
し、これを遮光物質として用いる。この際、深紫外線
（ＤＵＶ，λ＝２４８ｎｍ）波長に対し約４ないし１０
％程度の光透過率を有するクローム膜を形成するために
は３００Å以下の厚さに制御しなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、露光時に遮光
物質として用いているクロームをＤＵＶ波長に対し部分
的にＤＵＶ光を透過させるハーフトーン位相反転物質と
して用いる場合、クロームによるＤＵＶエネルギー吸収
係数が増加して使用不可能となり、クローム膜の均一度
維持および無欠陥特性を有する非常に薄いクローム膜の
厚さを得るのが極めて困難となる。そこで、従来からこ
のような問題点を解決することが求められていた。
物質として用いているクロームをＤＵＶ波長に対し部分
的にＤＵＶ光を透過させるハーフトーン位相反転物質と
して用いる場合、クロームによるＤＵＶエネルギー吸収
係数が増加して使用不可能となり、クローム膜の均一度
維持および無欠陥特性を有する非常に薄いクローム膜の
厚さを得るのが極めて困難となる。そこで、従来からこ
のような問題点を解決することが求められていた。
【０００７】したがって、本発明は上記問題点を解決
し、クローム膜の均一度維持および無欠陥特性を有する
クローム膜の厚さを得ることを可能とする新規なハーフ
トーン位相反転マスクおよびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
し、クローム膜の均一度維持および無欠陥特性を有する
クローム膜の厚さを得ることを可能とする新規なハーフ
トーン位相反転マスクおよびその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明にもとづくＤＶＵ用のハーフトーン位相反転
マスク製造方法は、短波長光線に対し所定の透過性を有
するハーフトーン位相反転マスク製造方法であって、透
明基板を設ける段階と、前記透明基板上に所定の原子組
成比を有するＦ含有Ｃｒ層を形成する段階とが設けられ
たことを特徴とする。
に、本発明にもとづくＤＶＵ用のハーフトーン位相反転
マスク製造方法は、短波長光線に対し所定の透過性を有
するハーフトーン位相反転マスク製造方法であって、透
明基板を設ける段階と、前記透明基板上に所定の原子組
成比を有するＦ含有Ｃｒ層を形成する段階とが設けられ
たことを特徴とする。
【０００９】好ましくは、前記Ｆ含有Ｃｒ層における前
記所定の原子組成比は、Ｃｒ：Ｆが１：２である。
記所定の原子組成比は、Ｃｒ：Ｆが１：２である。
【００１０】好ましくは、前記Ｆ含有Ｃｒ層はＣｒター
ゲットおよびＦ含有ガス雰囲気を用いるスパッタリング
工程により形成されるもので、さらに好ましくは、前記
Ｆ含有Ｃｒ層の厚さは、１０００〜１５００Åで、前記
紫外線に対し４〜１０％の光透過性を有し、また前記Ｆ
含有ガスはＣＦ4 またはＳＦ6 ガスであることが望まし
い。
ゲットおよびＦ含有ガス雰囲気を用いるスパッタリング
工程により形成されるもので、さらに好ましくは、前記
Ｆ含有Ｃｒ層の厚さは、１０００〜１５００Åで、前記
紫外線に対し４〜１０％の光透過性を有し、また前記Ｆ
含有ガスはＣＦ4 またはＳＦ6 ガスであることが望まし
い。
【００１１】つぎに、本発明にもとづくハーフトーン位
相反転マスクは、上記の製造方法によって製造されるこ
とを特徴とする。
相反転マスクは、上記の製造方法によって製造されるこ
とを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明にもとづくハーフトーン位
相反転マスクは、透明基板と、該透明基板上に形成され
たＦ含有Ｃｒ層とを備えたマスクからなり、前記Ｆ含有
Ｃｒ層は、前記マスクが紫外線に対して４％ないし１０
％の光透過性を有するよう形成されることを特徴とす
る。
相反転マスクは、透明基板と、該透明基板上に形成され
たＦ含有Ｃｒ層とを備えたマスクからなり、前記Ｆ含有
Ｃｒ層は、前記マスクが紫外線に対して４％ないし１０
％の光透過性を有するよう形成されることを特徴とす
る。
【００１３】好ましくは、このハーフトーン位相反転マ
スクの前記Ｆ含有Ｃｒ層の原子組成比は、Ｃｒ：Ｆが
１：２である。
スクの前記Ｆ含有Ｃｒ層の原子組成比は、Ｃｒ：Ｆが
１：２である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明にもとづくハーフト
ーン位相反転マスクおよびその製造方法を具体的に説明
する。
ーン位相反転マスクおよびその製造方法を具体的に説明
する。
【００１５】本発明のハーフトーン位相反転マスクに適
用されるクローム膜は、従来のものと同様に厚さが１０
００〜１５００Åである。しかし、本発明では、ＤＵＶ
波長（λ＝２４８ｎｍ）に対し約４〜１０％程度の光透
過特性を有し、かつ１．３〜１．６の屈折率を有するフ
ッ素含有クローム膜を遮光物質として用いる。このよう
な新規なハーフトーン位相反転マスクの製造方法の一例
は以下の通りである。
用されるクローム膜は、従来のものと同様に厚さが１０
００〜１５００Åである。しかし、本発明では、ＤＵＶ
波長（λ＝２４８ｎｍ）に対し約４〜１０％程度の光透
過特性を有し、かつ１．３〜１．６の屈折率を有するフ
ッ素含有クローム膜を遮光物質として用いる。このよう
な新規なハーフトーン位相反転マスクの製造方法の一例
は以下の通りである。
【００１６】クロームターゲットに対してＡｒ＋ＣＦ4
またはＡｒ＋ＳＦ6 ガスによる反応性スパッタリングを
施して、原子組成比がＣｒ：Ｆ＝１：２のフッ素含有ク
ローム膜をレチクル上に形成する。この際、電力は１．
５ｋｗ、Ａｒガス量は７０（ｓｃｃｍ）、ＣＦ4 および
ＳＦ6 のガス量は１５０〜２００（ｓｃｃｍ）とし、さ
らにフッ素含有クローム膜の蒸着速度は約８０Å／分と
する。また、形成されるクローム膜の厚さは、１０００
〜１５００Å膜厚となるように蒸着する際に、厚さの均
一性の誤差範囲が±１０％以内に保たれ、ＤＵＶに対す
る光透過率は膜厚によって４％〜１０％の範囲内に保た
れる。
またはＡｒ＋ＳＦ6 ガスによる反応性スパッタリングを
施して、原子組成比がＣｒ：Ｆ＝１：２のフッ素含有ク
ローム膜をレチクル上に形成する。この際、電力は１．
５ｋｗ、Ａｒガス量は７０（ｓｃｃｍ）、ＣＦ4 および
ＳＦ6 のガス量は１５０〜２００（ｓｃｃｍ）とし、さ
らにフッ素含有クローム膜の蒸着速度は約８０Å／分と
する。また、形成されるクローム膜の厚さは、１０００
〜１５００Å膜厚となるように蒸着する際に、厚さの均
一性の誤差範囲が±１０％以内に保たれ、ＤＵＶに対す
る光透過率は膜厚によって４％〜１０％の範囲内に保た
れる。
【００１７】上記の通り、本発明はＤＵＶ波長に対し部
分的に光透過特性を有する遮光物質、すなわち、位相反
転物質を開発してＤＵＶ用ハーフトーン位相反転マスク
の実用化を達成する。
分的に光透過特性を有する遮光物質、すなわち、位相反
転物質を開発してＤＵＶ用ハーフトーン位相反転マスク
の実用化を達成する。
【００１８】さらに、本発明の物質を用いて８０％透過
率を有するハーフトーン位相反転物質を用いてコンタク
トホールマスクを製作して０．５５ＮＡ、０．３０コヒ
ーレンス係数を有するＫｒＦエキシマーステッパー(Exc
imer stepper) を用いて露光してパターンを形成すると
き、従来のクロームマスクの場合、コンタクトホールの
解像限界は０．２８μｍ、焦点深度は０．６μｍ（０．
２８μｍコンタクトホール基準）であった。しかし、本
発明のマスクの場合、コンタクトホールの解像限界は
０．２２μｍ、焦点深度は１．２μｍ（０．２８μｍコ
ンタクトホール基準）の値が得られた。
率を有するハーフトーン位相反転物質を用いてコンタク
トホールマスクを製作して０．５５ＮＡ、０．３０コヒ
ーレンス係数を有するＫｒＦエキシマーステッパー(Exc
imer stepper) を用いて露光してパターンを形成すると
き、従来のクロームマスクの場合、コンタクトホールの
解像限界は０．２８μｍ、焦点深度は０．６μｍ（０．
２８μｍコンタクトホール基準）であった。しかし、本
発明のマスクの場合、コンタクトホールの解像限界は
０．２２μｍ、焦点深度は１．２μｍ（０．２８μｍコ
ンタクトホール基準）の値が得られた。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にもとづく
ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法によれ
ば、解像度を高めることが可能となり、さらに次世代デ
バイスの開発のためのＤＵＶプロセス・テクノロジーの
ライフタイムを延長させることが可能となる。
ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法によれ
ば、解像度を高めることが可能となり、さらに次世代デ
バイスの開発のためのＤＵＶプロセス・テクノロジーの
ライフタイムを延長させることが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン ウー ヨン 大韓民国 キュンキド イチョンクン ブ バリウム アミーリ サン 136−１ ヒ ュンダイ エレクトロニクス インダスト リーズ カムパニー リミテッド内
Claims (7)
- 【請求項１】 短波長光線に対し所定の透過性を有する
ハーフトーン位相反転マスク製造方法であって、 透明基板を設ける段階と、 前記透明基板上に所定の原子組成比を有するＦ含有Ｃｒ
層を形成する段階とが設けられたことを特徴とするハー
フトーン位相反転マスク製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、 前記Ｆ含有Ｃｒ層における前記所定の原子組成比は、Ｃ
ｒ：Ｆが１：２であることを特徴とするハーフトーン位
相反転マスク製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の方法であっ
て、 前記Ｆ含有Ｃｒ層はＣｒターゲットおよびＦ含有ガス雰
囲気を用いるスパッタリング工程により形成されること
を特徴とするハーフトーン位相反転マスク製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか一項に記載
の方法であって、 前記Ｆ含有Ｃｒ層の厚さは、１０００〜１５００Åで、
前記紫外線に対し４〜１０％の光透過性を有することを
特徴とするハーフトーン位相反転マスク製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか一項に記載
の方法であって、 前記Ｆ含有ガスはＣＦ4 またはＳＦ6 ガスであることを
特徴とするハーフトーン位相反転マスク製造方法。 - 【請求項６】 ハーフトーン位相反転マスクであって、 透明基板と、該透明基板上に形成されたＦ含有Ｃｒ層と
を備えたマスクからなり、さらに、 前記Ｆ含有Ｃｒ層は、前記マスクが紫外線に対して４％
ないし１０％の光透過性を有するよう形成されることを
特徴とするハーフトーン位相反転マスク。 - 【請求項７】 請求項６に記載のマスクであって、 前記Ｆ含有Ｃｒ層の原子組成比は、Ｃｒ：Ｆが１：２で
あることを特徴とするハーフトーン位相反転マスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950037190A KR0147493B1 (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 하프톤 위상반전마스크 제조방법 |
| KR1995-37190 | 1995-10-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171960A true JPH09171960A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=19431360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28418196A Pending JPH09171960A (ja) | 1995-10-25 | 1996-10-25 | ハーフトーン位相反転マスクおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09171960A (ja) |
| KR (1) | KR0147493B1 (ja) |
| CN (1) | CN1159073A (ja) |
| DE (1) | DE19644287A1 (ja) |
| GB (1) | GB2306699A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010070403A (ko) * | 2000-01-05 | 2001-07-25 | 카나가와 치히로 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상시프트 마스크의 제조 방법 |
| JP5658435B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-01-28 | リンテック株式会社 | マスクフィルム用部材、それを用いたマスクフィルムの製造方法及び感光性樹脂印刷版の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381426A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JP2765016B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1998-06-11 | 凸版印刷株式会社 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| TW505829B (en) * | 1992-11-16 | 2002-10-11 | Dupont Photomasks Inc | A transmissive embedded phase shifter-photomask blank |
| KR100311704B1 (ko) * | 1993-08-17 | 2001-12-15 | 기타오카 다카시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및그블랭크스의제조방법 |
| US5415953A (en) * | 1994-02-14 | 1995-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photomask blanks comprising transmissive embedded phase shifter |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950037190A patent/KR0147493B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-10-24 GB GB9622163A patent/GB2306699A/en not_active Withdrawn
- 1996-10-24 DE DE19644287A patent/DE19644287A1/de not_active Ceased
- 1996-10-25 JP JP28418196A patent/JPH09171960A/ja active Pending
- 1996-10-25 CN CN96121183A patent/CN1159073A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2306699A (en) | 1997-05-07 |
| KR0147493B1 (ko) | 1998-08-01 |
| CN1159073A (zh) | 1997-09-10 |
| GB9622163D0 (en) | 1996-12-18 |
| KR970022525A (ko) | 1997-05-30 |
| DE19644287A1 (de) | 1997-04-30 |
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