KR970022525A - 하프톤 위상반전마스크 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 크롬막의 균일도 유지 및 무결함 특성을 갖는 크롬막의 두께 획득이 가능한 하프톤 위상반전마스크 제조방법에 과한 것으로, DUV(Dip Ultra Violet)용 하프톤 위상반전 마스크 제조방법에 있어서, DUV파장에 대하여 4 내지 10%의 광투과특성을 갖는 1000 내지 1500Å 두께의 불소함유 크롬막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- DUV(Dip UltraViolet)용 하프톤 위상반전 마스크 제조방법에 있어서, DUV파장에 대하여 1000Å 내지 1500Å 두께에서 4% 내지 10%의 광투과특성을 갖도록 크롬(Cr)과 불소(F)가 소정 비율의 원자비로 구성된 불소 함유 크롬막을 위상반전물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소 함유 크롬막은 Cr:F이 1:2 원자비로 구성되는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불소 함유 크롬막은 레티클 상에 형성할시 크롬 타겟에 Ar개스와 불소(F)가 함유된 개스를 혼합 사용한 개스로 반응성 스퍼터링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조방법 .
- 제3항에 있어서; 상기 불소(F)가 함유된 개스는 CF4또는 SF6개스인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상반전 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010070403A (ko) * | 2000-01-05 | 2001-07-25 | 카나가와 치히로 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상시프트 마스크의 제조 방법 |
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