KR20080111119A - 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 투광성 기판 위에 형성된 광반투과막을 가지는 포토마스크 블랭크에 있어서,상기 광반투과막은,위상차 Δθ1, 굴절율 n1, 및 소쇠계수 k1가 Δθ1≤0, k1≥n1의 관계를 만족하는 위상차 저감층을 구비하고,여기서, Δθ1은 위상차 저감층을 투과한 광의 위상으로부터 위상차 저감층이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값이며,상기 광반투과막 전체의 위상차가 -30°~ +30°의 범위인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상차 저감층의 소쇠계수 k1가 k1≥1.5인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막의 투과율은 15%이하인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막의 막두께는 1∼50㎚의 범위인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상차 저감층은 Ta, Hf, Si, Cr, Ag, Au, Cu, Al, 또는 Mo 중의 어느 하나가 일종 이상 포함된 재료로 이루어지는 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막은, 위상차 Δθ2, 굴절율 n2, 및 소쇠계수 k2가 Δθ2>0, k2<n2의 관계를 만족하는, 상기 위상차 저감층과는 다른 다른 층을 구비하고,여기서, Δθ2는 상기 다른 층을 투과한 광의 위상으로부터 상기 다른 층이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값인 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 광반투과막은, 위상차 Δθ2, 굴절율 n2, 및 소쇠계수 k2가 Δθ2>0, k2<n2의 관계를 만족하는 다른 층을 구비하고,여기서, Δθ2는 다른 층을 투과한 광의 위상으로부터 다른 층이 없는 경우의 광의 위상을 감산한 값이고,상기 위상차 저감층은 MoSi을 포함하는 재료로 이루어지며,상기 다른 층은 MoSiN, MoSiO, MoSiON, SiN, SiO, SiON으로 이루어지는 포토마스크 블랭크.
- 제5항 또는 제7항에 있어서,상기 위상차 저감층의 Mo 함유량은 30% 미만인 포토마스크 블랭크.
- 제5항 또는 제7항에 있어서,상기 위상차 저감층은 Mo과 Si의 비율이 0:100 ∼ 30:70의 타겟을 사용하여 형성되는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 광반투과막 위에 형성된 차광막을 더 구비하는 포토마스크 블랭크.
- 제10항에 있어서,상기 광반투과막이 금속 및 Si를 포함한 재료로 이루어지고,상기 차광막이 Cr를 포함한 재료로 이루어진 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 광반투과막은 상기 투광성 기판에 접하여 형성되는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서,상기 투광성 기판과 상기 광반투과막의 사이, 또는 상기 광반투과막 위에 형성된 위상 쉬프트 막을 더 구비하는 포토마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한항에 따른 포토마스크 블랭크를 사용하여 제조되는 포토마스크.
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