JP2009086681A - フォトマスクブランク及び位相シフトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】所望の透過率を有するとともにゼロ付近の位相シフト量を有し、比較的薄い膜厚の光半透過膜、この光半透過膜を利用した新規な位相シフトマスク及びその位相シフトマスクを製造できるフォトマスクブランク、並びに上記光半透過膜の設計方法を提供する。
【解決手段】透光性基材上に形成された、所望の波長λの光の一部を透過する光半透過膜であって、以下の機能を有する位相差低減層を少なくとも一層有する。すなわち、前記位相差低減層は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、層を通過した光の位相（以下、層透過光と呼ぶ）から層がない場合の光（以下、層参照光と呼ぶ）の位相を減じた値Δθ（以下、位相差Δθ（単位：度）と呼ぶ）が、層透過光と層参照光の光学的距離の差から算出される値Δθ_０＝（３６０／λ）×（ｎ−１）×ｄ（以下、位相差Δθ_０（単位：度）と呼ぶ）よりも小さくなる層である。
【選択図】図１０

Description

本発明は、位相差がゼロ付近の光半透過膜、該光半透過膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスク、並びに上記光半透過膜の設計方法に関する。

露光光を部分的に透過し、かつ位相シフト量が制御された光半透過膜としては、例えば、ハーフトーン型位相シフトマスクにおける光半透過膜がある。
位相シフトマスクとは、ＬＳＩ製造工程の１つであるリソグラフィ工程において、フォトマスクを用いたリソグラフィ超解像技術の１つに用いられるフォトマスクであり、該フォトマスクを透過する光の一部について、その位相を１８０°変化させる事で、干渉効果(以下、位相シフト効果)によりパターンコントラストの向上を図るものである。ハーフトーン型位相シフトマスクは、位相シフトマスクの一種であり、ある寸法の開口部を通過する露光光は回折によりその寸法より広がりを持った強度分布となるが、この広がった部分の光強度を、隣接する光半透過部を通過し、位相が１８０°シフトした光(干渉光)との干渉効果で打ち消すことで、両者の境界部分のコントラストを高めている。

このハーフトーン型位相シフトマスクは、製造プロセスが比較的容易なことから、現在ＫｒＦ, ＡｒＦリソグラフィにおける位相シフトマスクの主流を占めている。一般的なハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相シフト膜の膜材料にはＭｏ−Ｓｉ−Ｎの単層薄膜が用いられ、透過率は５〜１５％、膜厚は６０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
また、特許文献１には、ＬＳＩの微細化に対応したパターンを転写するための新たな位相シフトマスクが提案されている。この位相シフトマスクにおいては、露光光に対して１５％以下の透過率を持つと共に、透光部との間で（−３０＋３６０×ｍ）度以上（３０＋３６０×ｍ）度以下（但しｍは整数）の位相差を有する遮光膜（光半透過膜）を有し、該遮光膜に設けられた開口部に（１５０＋３６０×ｍ）度以上（２１０＋３６０×ｍ）度以下（但しｍは整数）の位相差を生じる位相シフターを配置した位相シフトマスクが開示されている。
特開２００３−２１８９１号公報

従来の位相シフトマスクにおいて、位相シフト膜を透過する光の位相θと、開口部を通過する光の位相θ’との位相差Δθ_０は、２つの光が通ってきた光学的距離の差ΔLに比
例する。例えば、上述の現在主流の単層ハーフトーン型位相シフトマスクの場合、マスクが置かれている雰囲気の屈折率を１、位相シフト領域を構成する単層膜材料の屈折率および物理膜厚をそれぞれｎ,ｄとした場合に、
Δθ_０＝(３６０／λ)×ΔＬ＝ (２π/λ)(ｎｄ−ｄ) [ｒａｄ] ・・・(式１)
として求められる。したがってΔθ=π、すなわち
ｄ＝λ／(２(ｎ−１)) ・・・(式２)
となるように、露光波長λに応じてｎ，ｄを設定するのが、従来単層ハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相シフト膜の設計指針である。また、位相シフト領域が複数の材料層が積層されるような場合には、それぞれの材料の屈折率を順にｎ１,ｎ２,・・・ｎｊとすれば
Δθ_０＝(２π／λ)((ｎ１＋ｎ２＋・・・＋ｎｊ) ｄ−ｄ) [ｒａｄ] ・・・(式３)
となる。式１，３は、位相シフト領域を光が進行することによって位相差が生じていることを意味する。

しかしながら、特許文献１に提案されている位相シフトマスクに用いられる光半透過膜を上述と同様の設計思想で設計すると、（−３０＋３６０×ｍ）度以上（３０＋３６０×ｍ）度以下（但しｍは整数）の位相差において、ｍ＝０とする場合には膜厚ｄを薄くする必要があり、透過率が上昇してしまい、特に位相差ゼロを得ようとすると、膜厚ｄを限りなくゼロに近づけることが必要となる。また、ｍ＝１とする場合には、膜厚が例えば１００ｎｍ以上となって非常に厚いものとなってしまい、透過率が低くなる上、位相シフトマスクのマスクパターン形成のために行われるエッチングの寸法精度の問題も生じてしまう。従って、特許文献１のような、ゼロ付近の位相シフト量を有する光半透過膜を設計するためには、新たな設計思想が必要とされていた。

本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、ゼロ付近の位相シフト量を有し、かつ所望の透過率を有する、比較的薄い膜厚の光半透過膜を得ること、及びこの光半透過膜の設計方法を得ることを目的とする。
さらに、本発明は、ゼロ付近の位相シフト量を有し、かつ所望の透過率を有する、比較的薄い膜厚の光半透過膜を備えることにより、例えば特許文献１に記載されたような新規な位相シフトマスクを製造することができるフォトマスクブランクを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、ゼロ付近の位相シフト量を有し、かつ所望の透過率を有する、比較的薄い膜厚の光半透過膜を備えたフォトマスクブランクを用いることにより、例えば特許文献１に記載されたような新規な位相シフトマスクを実際に提供することを目的とする。

上述の課題を解決するための手段として第１の手段は、
透光性基材上に形成された、所望の波長λの光の一部を透過する光半透過膜において、前記光半透過膜は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、
層を通過した光の位相（以下、層透過光と呼ぶ）から層がない場合の光（以下、層参照光と呼ぶ）の位相を減じた値Δθ（以下、位相差Δθ（単位：度）と呼ぶ）が、層透過光と層参照光の光学的距離の差から算出される値Δθ_０＝（３６０／λ）×（ｎ−１）×ｄ（以下、位相差Δθ_０（単位：度）と呼ぶ）よりも小さくなる位相差低減層を少なくとも一層有することを特徴とする光半透過膜である。

第２の手段は、
前記位相差低減層は、当該位相差低減層を含む光半透過膜に光を透過した場合に、前記位相差低減層を一媒質とし、当該位相差低減層に隣接する前記透光性基材、他の層又は雰囲気から他の媒質が選ばれ、これらの２媒質における媒質中の連続的な位相変化に対し、前記位相差低減層と当該位相差低減層に隣接する前記他の媒質との界面において不連続な位相変化が生じることにより、位相差Δθが位相差Δθ_０よりも小さくなることを特徴とする第１の手段にかかる光半透過膜である。

第３の手段は、
前記位相差Δθと前記位相差Δθ_０との差が、１０度以上であることを特徴とする第１又は第２の手段にかかる光半透過膜である。

第４の手段は、
前記位相差Δθが、負の値となることを特徴とする第１〜第３のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第５の手段は、
前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ≧ｎであることを特徴とする第１〜第４のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第６の手段は、
前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋがｋ≧１．５であることを特徴とする第５の手段にかかる光半透過膜である。

第７の手段は、
透明基材上に形成された、所望の露光光の一部を透過する光半透過膜において、
前記光半透過膜は、０＜ｄ＜λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、かつ位相差Δθが負となるような位相差低減層を少なくとも一層と、この位相差低減層とは異なる他の層を少なくとも一層含む多層構造を有することを特徴とする光半透過膜である。

第８の手段は、
透光性基材上に形成された、所望の露光光の一部を透過する光半透過膜において、
前記光半透過膜は、０＜ｄ＜λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、かつ位相差Δθが負となるような位相差低減層を少なくとも一層と、位相差Δθが正となるような層を少なくとも一層含む多層構造を有し、前記光半透過膜全体の位相差が、前記負の位相差と正の位相差が相殺された所望の位相差であることを特徴とする光半透過膜である。

第９の手段は、
前記位相差低減層は、当該位相差低減層を含む光半透過膜に前記露光光を透過した場合に、前記位相差低減層を一媒質とし、当該位相差低減層に隣接する前記透光性基材、他の層又は雰囲気から他の媒質が選ばれ、これらの２媒質における媒質中の連続的な位相変化に対し、前記位相差低減層と当該位相差低減層に隣接する前記他の媒質との界面において不連続な位相変化が生じることにより、位相差Δθが負となることを特徴とする第７又は第８の手段にかかる光半透過膜である。

第１０の手段は、
前記位相差が正となるような層として、反射防止層を含むことを特徴とする第７〜第９のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１１の手段は、
前記光の波長が１５０〜２５０ｎｍから選ばれる波長であり、光半透過膜の反射率が前記波長の光において３０％以下であることを特徴とする第１０の手段にかかる光半透過膜である。

第１２の手段は、
前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ≧ｎであることを特徴とする第７〜第１１のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１３の手段は、
前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋがｋ≧１．５であることを特徴とする第１２の手段にかかる光半透過膜である。

第１４の手段は、
前記正の位相差を有する層の材料の消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ＜ｎであることを特徴とする第７〜第１３のいずれかの手段にかるる光半透過膜である。

第１５の手段は、
前記光半透過膜全体の位相差Δθが−３０°〜＋３０°の範囲から選ばれた所望の位相差であることを特徴とする第１〜第１４のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１６の手段は、
前記光半透過膜の透過率が４０％以下であることを特徴とする第１〜第１５のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１７の手段は、
前記光半透過膜の透過率が１５％以下であることを特徴とする第１〜第１５のいずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１８の手段は、
前記光半透過膜の膜厚が1〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする第１〜第１７のい
ずれかの手段にかかる光半透過膜である。

第１９の手段は、
透光性基板上に、所望の露光光を部分的に透過する光半透過膜からなるマスクパターンを有するフォトマスクを製造するためのフォトマスクブランクにおいて、
前記光半透過膜に、第１〜第１８のいずれかの手段にかかる光半透過膜を用いたことを特徴とするフォトマスクブランクである。

第２０の手段は、
前記光半透過膜上に、遮光膜が形成されたことを特徴とする第１９の手段にかかるフォトマスクブランクである。

第２１の手段は、
前記光半透過膜がＳｉ、又はＭｏ及びＳｉを含む材料からなり、遮光膜がＣｒを含む材料からなることを特徴とする第２０の手段にかかるフォトマスクブランクである。

第２２の手段は、
第１９〜第２１のいずれかの手段にかかるフォトマスクブランクにおける光半透過膜を所望のパターンにエッチング加工して形成された光半透過部を有することを特徴とするフォトマスクである。

第２３の手段は、
透光性基材上に形成された、所望の波長λの光の一部を透過する光半透過膜の設計方法において、
前記光半透過膜が、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有する位相差低減層を含み、
当該光半透過膜に光を透過した場合に前記位相差低減層と、当該位相差低減層に隣接する前記透光性基材、他の層又は雰囲気から選ばれる媒質との界面において生ずる不連続な負の位相変化を考慮し、
前記位相差低減層の位相差が所望の位相差となるように当該位相差低減層の膜厚を調整して光半透過膜を設計することを特徴とする光半透過膜の設計方法である。

第２４の手段は、
前記位相差低減層の所望の位相差は、光半透過膜全体の位相差が−３０°〜＋３０°の範囲となるように設定することを特徴とする第２３の手段にかかる光半透過膜の設計方法である。

第２５の手段は、
前記位相差低減層は、消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ≧ｎである材料から選択したものであることを特徴とする第２３又は第２４の手段にかかる光半透過膜の設計方法である。

本発明によれば、前記光半透過膜は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、位相差Δθが、光学的距離の差から算出される位相差Δθ_０よりも小さくなる位相差低減層を少なくとも一層有することにより、ゼロ付近の位相シフト量を有し、かつ所望の透過率を有する、比較的薄い膜厚の光半透過膜を得ることができる。
さらに、本発明によれば、上記光半透過膜を備えたフォトマスクブランクとすることにより、例えば特許文献１に記載されたような新規な位相シフトマスクを製造することができるフォトマスクブランクを得ることができる。
さらに、本発明によれば、上記フォトマスクブランクを用いてフォトマスクを製造することにより、例えば特許文献１に記載されたような新規な位相シフトマスクを実際に得ることができる。

本実施形態にかかる光半透過膜は、透光性基材上に形成されたものであって、所望の波長λの光の一部を透過するとともに、通過する光の位相を所定量シフトさせる機能を有するもので、位相シフトマスクやその素材である位相シフトマスクブランクに利用されるものである。そして、この光半透過膜は、以下の機能を有する位相差低減層を有することを特徴とする。以下、この位相差低減層を中心に本発明にかかる光半透過膜を説明する。

まず、上記位相差低減層は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有する層を１層以上有する。また、この層を通過した光の位相（以下、層透過光と呼ぶ）から層がない場合の光（以下、層参照光と呼ぶ）の位相を減じた値Δθ（以下、位相差Δθ（単位：度）と呼ぶ）が、層透過光と層参照光の光学的距離の差から算出される値Δθ_０＝（３６０／λ）×（ｎ−１）×ｄ（以下、位相差Δθ_０（単位：度）と呼ぶ）、即ち前述の式1で算出される値よりも小さくなるようにしている。またその膜厚ｄを、従
来位相差が１８０°となる前述の式２で示した膜厚以下になるようにしている。当該膜厚領域において、（式1）でも算出される上記位相差Δθ_０よりも小さな位相差を得るため
に、本実施形態では、２つの媒質界面を光が透過する際に生じる不連続な位相変化を利用している。この不連続な位相変化は、２つの媒質のうち少なくとも一方が透過する光に対して透明でない場合におこる。

図１は、例として、２つの媒質を進行する光の位相変化を簡易的に示す図であり、図１（ａ）は、媒質１、媒質２共に透明である場合、図１（ｂ）は、媒質１が透明、媒質２が不透明である場合である。図１（ａ）に示されるように、媒質１、媒質２が共に透明である場合には、両媒質内及び媒質間の界面において連続的な位相変化となるが、図１（ｂ）のように媒質２が不透明の場合には、媒質間の界面において不連続な位相変化が生ずる。図１（ｂ）のように、不連続な位相変化により位相が遅れる場合を負の位相変化と称する。

以下、上述の不連続な位相変化が起こる原因について、詳しく説明する。
図２に示すように、２媒質界面を光が反射、透過する過程を考える。媒質１の屈折率をｎ₁、その消衰係数をｋ₁、媒質２の屈折率をｎ₂、その消衰係数をｋ₂としたとき、
媒質１の複素屈折率をＮ₁＝ｎ₁−ｉｋ₁ 、
媒質２の複素屈折率をＮ₂＝ｎ₂−ｉｋ₂ 、
反射光ｒの１−２界面における振幅をＡ_ｒ＞０, 位相をφ_ｒ 、
透過光ｔの１−２界面における振幅をＡ_ｔ＞０, 位相をφ_ｔ
で表現し、かつ媒質1から媒質２へと入射する光の１−２界面における振幅を１、位相を
０で規定すると、垂直入射の場合、Ｆｒｅｓｎｅｌの法則より、ｒ＝Ａ_ｒｅｘｐ(−ｉφ
_ｒ) ＝ Ａ_ｒ(ｃｏｓφ_ｒ−ｉｓｉｎφ_ｒ)＝(Ｎ１−Ｎ２)／(Ｎ１+Ｎ２) ・・・(式４)ｔ＝ Ａ_ｔｅｘｐ(−ｉφ_ｔ) ＝ Ａ_ｔ(ｃｏｓφ_ｔ−ｉｓｉｎφ_ｔ)＝２Ｎ１／(Ｎ１＋Ｎ２) ・・・(式５)
となる。媒質１, ２がいずれも透明媒質である場合、つまりｋ₁＝ｋ₂＝０のような場合は反射光ｒ, 透過光ｔは実数となる。従って式４,５より
ｓｉｎφ_ｒ＝ｓｉｎφ_ｔ＝０
Ａ_ｒｃｏｓφ_ｒ ＝(ｎ₁−ｎ₂)／(ｎ₁＋ｎ₂) → φ_ｒ＝-π, π(ｎ₁＜ｎ₂) ０(ｎ₁＞ｎ₂)Ａ_ｔｃｏｓφ_ｔ＝２ｎ₁/(ｎ₁＋ｎ₂)>０ → φ_ｔ＝０
となり、入射光と透過光の位相が同じになるので、媒質１−２界面を光が通過する際、界面での不連続な位相の変化はおこらない。ところが、媒質１,２のいずれかが吸収を持つ
ような媒質では反射光ｒ, 透過光ｔは複素数となる。したがってｓｉｎφ_ｔは０とはならず、媒質１−２界面を光が通過する際、界面で位相が不連続に変化することになる。

媒質1の屈折率ｎ₁、消衰係数ｋ₁をそれぞれｎ₁＝１, ｋ₁＝０(空気あるいは真空) とし、(式２)をもとに、媒質２の屈折率ｎ₂,消衰係数ｋ₂が変化したときに媒質１から媒質２
へ透過する光の位相変化φ_ｔを求め、等高線をプロットすると図３(ａ)のとおりとなる(
横軸が屈折率ｎ、縦軸が消衰係数ｋ)。また、同様の理論から、媒質２から媒質１へ光が
透過する際の位相変化φ_ｔ’は図３(ｂ)のようになる(横軸が屈折率ｎ、縦軸が消衰係数
ｋ)。

図３（ａ）及び（ｂ）から分かるように、光の位相は２媒質界面での反射、透過によって不連続に変化する。具体的には、
・媒質１から媒質２へ光が透過する際、消衰係数ｋがｋ＞０の領域で負の位相変化となり、
・媒質２から媒質１へ光が透過する際、消衰係数ｋがｋ＞０の領域で正の位相変化となり、
・媒質１と媒質２の界面における位相の変化は屈折率ｎだけでなく、消衰係数ｋにも依存し、
・屈折率ｎが小さく、消衰係数ｋが大きい媒質の方が、媒質１から媒質２へ光が透過する際の界面での負の位相変化が負に大きくなる。
本実施形態においては、光半透過膜が単層の位相差低減層からなる場合、媒質１を透光性基材、媒質２を位相差低減層に該当させることができる。

従来のハーフトーン型位相シフトマスクでは、媒質２に相当する位相シフト領域を構成する材料はいずれも、露光波長における消衰係数ｋが屈折率ｎに比べて十分小さく０に近い値をとることから、媒質1に相当する透光性基材との界面での負の位相変化や、雰囲気(空気)との界面での正の位相変化は小さく、図１（ａ）に示すような連続的な位相変化と
見なすことができる。一方、消衰係数ｋが屈折率ｎに対してｎ≦ｋ程度まで大きく、吸収のある材料では、界面での不連続な位相変化と、従来の（式１,３）で示される位相差と
の両方を考慮する必要がある。

図４に示すように、透光性基板上の一部に複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉｋからなる位相差低減層を膜厚ｄで積層し、該基板の裏面(位相差低減層の無い面)側から垂直に波長λの光を入射させたときに、位相差低減層の層透過光ｔの位相θ_ｔと、層参照光ｔ'の位相θ_ｔ’を
算出する。雰囲気中の複素屈折率を１−０ｉ、透光性基材の複素屈折率をＮ_Ｓ＝ｎ_Ｓ−０i, とし、前述のＦｒｅｓｎｅｌの法則に加え、媒質中の光の多重反射を考慮すると、透
過光ｔ, ｔ'はｔ＝(ｔ_s×ｔ₁×ｅｘｐ（−ｉδ）) ／(１＋ｒ_s×ｒ₁×ｅｘｐ(−２iδ) ・・・(式６)
ｔ’＝ ２ｎ_s／(ｎ_s＋１) ｅｘｐ(−ｉδ’) ・・・(式７)
但し
ｔ_s＝２ｎ_s／(ｎ_s＋Ｎ) ｔ₁＝２Ｎ／(Ｎ＋１)
ｒ_s＝(ｎ_s-Ｎ)／(ｎ_s+Ｎ) ｒ₁＝(ｎ_s−１)／(ｎ_s＋１)
δ＝(２π／λ)Ｎｄ
δ’ ＝(２π／λ)ｄ
で表現される。ここで、位相θ_ｔ’はδ’に相当する。また、位相θ_ｔは式６をｔ＝Ａｅｘｐ(−ｉｘ)の形に変形することで、ｘ＝θ_ｔより求められる(Ａは実定数)。

図５は、図４におけるｎ_Ｓ、ｎ、λのそれぞれをｎ_Ｓ＝１．５６, ｎ＝２．０, λ＝１９３．４(ｎｍ)とし、ｋ＝０．６(点線)、 ｋ＝２．０(一点鎖線) 、ｋ＝２．５(破線)のときのそれぞれの位相差Δθ_ｔ＝（θ_ｔ−θ_ｔ’）を、膜厚ｄ［ｄ(Å)の関数としてプロットしたものである。また、図中には、従来の単層位相シフトマスクにおける位相差の算出式１から得られる位相差Δθ_０と膜厚ｄの関係も示した(実線)。

図５から分かるように、ｋ＝０．６ すなわち消衰係数ｋが屈折率ｎよりも小さい膜の
位相差と膜厚の関係は(式１)の関係と類似するが、ｋ＝２．０及びｋ＝２．５、すなわち吸収のある膜の場合は(式１)の関係から大きく乖離し、位相差が低減している。そしてｎ＜ｋ＝２．５のときにはΔθ＜０となる膜厚領域が生じている。これは、消衰係数ｋが屈折率ｎよりも大きい事によって、透光性基材と位相差低減層の界面で生じる負の位相変化の影響が生じたためである。

このように、本実施形態の光半透過膜における位相差低減層は、吸収のある膜、即ち消衰係数ｋが比較的大きな吸収のある材料からなるので、この位相差低減層に隣接する前記透光性基材、他の層、又は雰囲気から選ばれる媒質との界面において不連続な負の位相変化が生じ、基材と光半透過膜の界面において従来無視できるほど小さかった負の位相変化を大きくすることができる。その結果、位相差Δθを（式１）で算出したΔθ_０よりも小さくすることができ、有限の膜厚（実用的には、例えば１ｎｍ以上）を有しながら、０°近傍の位相差Δθ、例えば０±３０°となるような位相差Δθを有する位相差低減層を得ることができる。また、負の位相変化をより大きくすれば、（式２）で算出されるように位相差Δθ_０がΔθ＝１８０°となる膜厚よりも薄い膜厚領域において、位相差Δθが厳密に０°、又は負になるような光半透過膜(位相差低減層)を形成する事ができる。尚、本実施形態においては、負の値の位相差Δθとは、位相差を±１８０°の範囲で表記したときに負の値となる場合を指し、この場合は、例えば３６０度の位相差は０度と表記される。

本実施形態においては、位相差低減層の膜厚調整は、（式１）を元におこなうのではなく、例えば図５で示したような膜厚と位相差の関係を予め（式６,７）より導出し、所望
の位相差を与える膜厚になるよう設定する。特に、図５で示したｋ＝２．０やｋ＝２．５のように、膜厚ｄと位相差Δθを変化させた場合、ｄ＝０の時のΔθ＝０から、膜厚の増加と共にΔθ＜０、Δθ＝０、Δθ＞０へと順次変化する関係を有する材料の場合、位相差としては、位相差が負から正へ変化するときに通過するゼロ点を選択すれば、位相差が厳密にゼロの位相差低減層を得られる。但し、位相差低減層に要求される透過率と許容される位相差との兼ね合いで、位相差を０±３０°、０±１０°、０±５°等の範囲から調整可能な膜厚とすることにより、透過率を調整することができる。

尚、光半透過膜の透過率及び位相差は、光半透過膜の用途に応じた設計により適宜決定されるものである。即ち、用途に応じた透過率の要求値及び位相差の要求値を満足するような膜厚となるように、所望の消衰係数ｋ及び屈折率ｎを有する膜材料を選定する。また、光半透過膜の洗浄、熱処理等の処理に伴う透過率や位相差の変動を見越して、光半透過
膜成膜時に本来必要な透過率及び位相差と異なる透過率及び位相差となるように設計してもよい。さらに、光半透過膜の洗浄、熱処理等の処理に伴う透過率変化と反射率変化とのバランスを利用して、前記洗浄、熱処理等の処理を行っても透過率がさほど変化しないようにしたり、あるいは当該洗浄、熱処理等の処理による透過率の増減をコントロールすることも可能である。

尚、位相差Δθと位相差Δθ_０との差が、例えば１０度以上と大きくなる程、膜厚に対する位相差Δθの関係がブロードな曲線を描くようになり、膜厚によって変動する透過率の調整がしやすくなる。位相差低減層が単層の光半透過膜の場合は、位相差低減層の位相差及び透過率を調整することによって、光半透過膜の位相差及び透過率の調整を行うことができる。

光半透過膜は、位相差低減層が単層の場合のみならず、位相差低減層（同じ特性又は異なる特性）を２層以上の多層備えてもよく、又他の層と組み合わせた多層であってもよい。

光半透過膜を多層とした例として、位相差Δθが負となるような位相差低減層を少なくとも一層と、位相差Δθが正となるような層を少なくとも一層含む多層構造を有し、前記光半透過膜全体の位相差が、前記負の位相差と正の位相差が相殺されて所望の位相差を有する光半透過膜を挙げることができる。
例えば、位相差低減層のみでは露光光の反射率が高い場合に、位相差低減層の上に反射防止層を設けることができる。即ち、反射防止膜は通常、消衰係数が小さい材料でないとその機能を充分発揮することができないため、位相差が正となる。従って、位相差低減層における位相差を負とし、正の位相差を有する反射防止膜の位相差と相殺することにより、反射防止機能を備える上に、全体の光半透過膜の位相差をゼロ近傍に調整することが可能である。

本実施形態によれば、比較的薄い光半透過膜を得ることができる。そのために、位相差低減層は、１〜５０ｎｍの範囲、より好ましくは１〜３０ｎｍから選択された膜厚であることが好ましく、光半透過膜全体でも１〜５０ｎｍ、より好ましくは１〜３０ｎｍとすることが好ましい。このように、比較的薄い膜とすることによって、フォトマスクに用いる場合等のように光半透過膜のパターン加工が必要な場合に、微細なパターン寸法の加工が可能となる。

次に、本実施形態のフォトマスクブランク及びフォトマスクについて説明する。
本実施形態のフォトマスクブランクは、例えば、特許文献１に記載のフォトマスクを得るためのものである。
特許文献１に記載のフォトマスク１は、図６に示されるように、例えば、遮光部（光半透光部）２に設けられた開口部３に、位相シフターとして透光性基板４を掘り込むことにより１８０°の位相差を設け、上記遮光部２としては本実施形態の光半透過膜２２(図７)により、位相差が０±３０°、透過率が１５％以下に調整されたものを用いたものである。従って、本実施形態のフォトマスクブランク１０は、図７に示されるように、透光性基板４上に光半透過膜２２を備えた構造を有する。

このフォトマスクの製造方法としては、例えば図８に示す次の方法が挙げられる。
即ち、図７に示すフォトマスクブランク１０に、レジスト膜１１を形成し、該レジスト膜１１に、電子線又はレーザによる描画にてパターン描画を施す（図８（ａ））。次に、レジスト膜１１の現像、光半透過膜２２のエッチング、及び透光性基板４を１８０°の位相差となる深さの掘り込みエッチングを行う（図８（ｂ））。次に、レジスト膜１１を剥離する（図８（ｃ））。次いで、レジスト膜１２を全面に塗布し、電子線描画にてパター
ン描画を施す（図８（ｄ））。次に、レジスト膜１２の現像、光半透過膜２２のエッチングを行う（図８（ｅ））。最後にレジスト膜１２を剥離して、遮光部(光半透過部)２を備えたフォトマスク１を得ることができる（図８（ｆ））。
また、本実施形態のフォトマスク１は、遮光帯付のフォトマスクとすることもできる。尚、遮光帯とは、少なくともパターン領域周辺部に形成する例えばクロム系材料からなる遮光膜であり、フォトマスク使用時にパターン領域周辺部の透過光による転写パターン欠陥の発生を防止するために設けるものである。

図９に、上記遮光帯付フォトマスクの製造工程図の一例を示す。
まず、図７に示すフォトマスクブランク１０に、遮光帯用の遮光膜１３を形成し、その上に、レジスト膜１１を形成し、該レジスト膜１１に、電子線又はレーザによる描画にてパターン描画を施す（図９（ａ））。次に、レジスト膜１１の現像、遮光膜１３のエッチング、光半透過膜２２のエッチング、及び透光性基板４に１８０°の位相差となる深さの掘り込みエッチングを行う（図９（ｂ））。次に、レジスト膜１１を剥離する（図９（ｃ））。次いで、レジスト膜１２を全面に塗布し(図９(ｄ))、電子線描画にてパターン描画を施し、次に、レジスト膜１２の現像、遮光膜１３のエッチング、及び光半透過膜２２のエッチングを行う（図９（ｅ））。次に、レジスト膜１２を除去し（図９（ｆ））、再度レジスト膜１４を全面に塗布し（図９（ｇ））、遮光帯を形成する領域のみが残るようにレジストパターンを形成後（図９（ｈ））、転写領域Ｉ内のクロムをエッチングし（図９（ｉ））、残存したレジスト膜１４を剥離して、遮光帯３３付フォトマスク１５を得ることができる（図９（ｊ））。

尚、フォトマスク１におけるパターン配置や、製造工程は、上述の例に限るものではない。例えば、製造工程においては、上述の方法のように、透光性基板４の掘り込みエッチングを行った後に光半透過膜２２からなる遮光部２の形成を行うのではなく、光半透過膜２２からなる遮光部２を形成した後に、透光性基板４の掘り込みエッチングを行ってもよい。
また、開口部３に形成された位相シフターは、位相をシフトさせる膜であってもよい。その場合は、フォトマスクブランク１０としては、透光性基板４と光半透過膜２２との間又は光半透過膜２２の上に、位相シフター用膜を備えたものとなる。
さらに、光半透過膜２２は単層膜あるいは２層以上の膜から構成されてもよく、２層以上の場合はその中の少なくとも１層が、界面での負の位相変化を生じるような位相差低減層であれば良い。例えば、位相差低減層のみでは露光光の反射率が高い場合に、位相差低減層の上に反射防止層を設けることができる。即ち、反射防止膜は通常、消衰係数が小さい材料でないとその機能を充分発揮することができないため、位相差が正となる。従って、位相差低減層における位相差を負とし、正の位相差を有す反射防止膜の位相差と相殺することにより、反射防止機能を備える上に、全体の光半透過膜の位相差をゼロ近傍に調整することが可能である。反射防止膜は、フォトマスクブランクの表面反射率を低減したい場合には、位相差低減層の上（フォトマスクブランクの表面側）に設け、裏面反射率を低減したい場合には、位相差低減層の下（透光性基板と位相差低減層の間）に設け、表面裏面両方を低減したい場合には、位相差低減層の両側の面に設けることができる。反射率は、膜設計により、一層の場合又は多層の場合の位相差及び透過率を考慮した上で調整可能な範囲において、所望の面において、所望の波長における許容値以下の反射率が得られるように調整される。
さらにまた、上記光半透過膜２２は、成膜後の熱プロセス等による特性変動の防止や、洗浄等の薬液処理による光学特性の変動を防止するために、例えば１５０〜５００℃程、好ましくは２５０〜５００℃程度の熱処理、紫外線やレーザーによる照射処理等を施した膜であってもよい。

尚、本実施形態の光半透過膜２２をフォトマスクブランク１０として用いる場合、フォ
トマスク１が使用される露光装置の露光波長に対して光学特性（透過率、反射率、位相差）を合わせる必要がある。フォトマスク１の露光波長としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ光（波長１５７ｎｍ）を含む１５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲の露光波長を考慮することが好ましく、特に、次世代の露光波長であるＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ光（波長１５７ｎｍ）を含む１５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の露光波長を考慮することが望ましい。また、フォトマスクブランクの表面（膜面側）の反射率については、上記露光波長において、３０％以下に制御することが好ましい。また、フォトマスクブランクの裏面においても、３０％以下に制御することが好ましい。さらに、フォトマスク１やフォトマスクブランク１０の検査波長においても反射率は４０％以下程度に抑えることが好ましい。検査波長としては、例えば２５７ｎｍ、２６６ｎｍ、３６４ｎｍ、４８８ｎｍ、６３３ｎｍ等がある。
さらに、光半透過膜２２の洗浄液に対する耐性や、パターン加工性などについても考慮に入れなくてはならない事項である。

以下、実施例及び比較例として、フォトマスクブランク及びフォトマスクを例に挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、窒化クロムからなる単層の位相差低減層を備えた光半透過膜を形成して、図７に示す構造のフォトマスクブランクを得た。即ち、透光性基板上に、クロムターゲットを、アルゴンと窒素の雰囲気中でスパッタリングすることによって光半透過膜を形成した。
図１０の図表に、フォトマスクを用いる際の露光波長であるＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍにおける光半透過膜の透過率および位相差を示す。尚、透過率の測定は分光光度計を用いて行い、位相差の測定は位相差測定装置（レーザテック社製ＭＰＭ−１９３）を用いて行った。尚、本実施例においては、透過率を５〜１５％の範囲に収めるようにしている。
本実施例においては、比較的薄い膜厚で、位相差を０°付近に抑えつつ、５〜１５％の透過率範囲に収めることができた。

（実施例２）
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、タンタルハフニウムからなる単層の位相差低減層を備えた光半透過膜を形成して、図７に示すフォトマスクブランクを得た。即ち、透光性基板上に、タンタルハフニウム（Ｔａ：Ｈｆ＝８：２）ターゲットを、アルゴン雰囲気中でスパッタリングすることによって光半透過膜を形成した。
図１０の図表に、フォトマスクを用いる際の露光波長であるＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍにおける光半透過膜の透過率および位相差を、実施例１と同様の測定手段で測定した結果を示す。尚、本実施例においては、透過率を５〜１５％の範囲に収めるようにしている。
本実施例においては、比較的薄い膜厚で、位相差を０°付近に抑えつつ、５〜１５％の透過率範囲に収めることができた。

（実施例３）
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、シリコンからなる単層の位相差低減層を備えた光半透過膜を形成して、図７に示すフォトマスクブランクを得た。即ち、透光性基板上に、シリコンターゲットを、アルゴン雰囲気中でスパッタリングすることによって光半透過膜を形成した。
図１０の図表に、フォトマスクを用いる際の露光波長であるＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍにおける光半透過膜の透過率および位相差を、実施例１と同様の測定手段で
測定した結果を示す。尚、本実施例においては、透過率を５〜１５％の範囲に収めるようにしている。
本実施例においては、比較的薄い膜厚で、位相差を０°付近に抑えつつ、５〜１５％の透過率範囲に収めることができた。

（比較例１、２）
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、従来のハーフトーン位相シフトマスクにおいても、光半透過部に用いられるＭｏＳｉｎ膜の光半透過膜を形成した図７に示すフォトマスクブランクを得た。即ち、ＭｏとＳｉの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１:９原子比）
をアルゴンと窒素の雰囲気中でスパッタリングすることによって光半透過膜を形成した。
尚、ＭｏＳｉｎは、位相差が１８０°となる最小膜厚よりも薄い膜厚領域において位相差が０°以下となるような膜厚領域を有しない。従って、比較例１においては、膜厚が比較的薄い領域で位相差を極力小さくしたが、透過率が高すぎてしまった。また、比較例２では、位相差をゼロの有限の膜厚を調整したものであるが、光半透過部の膜厚が１００ｎｍ以上と非常に厚くなってしまい、微細なパターン加工に適さないものであった。

（実施例４〜６）
実施例１〜３のフォトマスクブランクを用いて、上記図８に示した工程によりフォトマスクを形成した。
尚、実施例１の光半透過膜Ｃｒ−ＮのエッチングはＣｌ_２＋Ｏ_２、実施例２のＴａＨｆのエッチングはＣｌ_２、実施例３のＳｉのエッチングはＣＦ_４をそれぞれエッチングガスとして用いたドライエッチングにて行った。また、透光性基板のエッチングは、ＣＦ_４＋Ｏ_２をエッチングガスとして用いたドライエッチングにて行った。尚、光半透過膜のエッチングに対して、透光性基板は充分耐性を有する。
実施例１〜３に対応した実施例４〜６の各フォトマスクにおいては、微小パターンに対して寸法誤差の小さい、良好なパターン形状が得られた。

（実施例７、８）
本実施例は、実施例２及び実施例３のフォトマスクブランクを用いて、遮光帯付のフォトマスクを製造する例である。
実施例２及び実施例３のフォトマスクブランクを用いて、図９に示した工程によりフォトマスクを形成した。尚、遮光帯用の遮光膜は、クロム系材料膜を用い、エッチングには、Ｃｌ_２＋Ｏ_２をエッチングガスとして用いたドライエッチングにて行った。実施例２及び実施例３のエッチングは、実施例５及び実施例６と同様に行った。これら光半透過膜のエッチングと遮光膜のエッチングはお互いにエッチング選択性が高いため、選択エッチングが可能であり、遮光膜をマスクに光半透過膜のエッチングを行うことによって、さらに寸法誤差の小さい良好なパターン形状を得ることができた。
尚、実施例１のフォトマスクブランクは、光半透過膜の材料として遮光帯用の遮光膜と同じクロム系材料を用いているため、選択エッチングを行うことは困難である。

（実施例９〜１１）
図１１に示すように、合成石英ガラスからなる透光性基板４上に、モリブデンとシリコンからなる位相差低減層１６と、モリブデン、シリコン、及び窒素からなる反射防止層１７を積層させて光半透過膜２２としたフォトマスクブランク１８を得た。即ち、透光性基板４上に、モリブデンとシリコンからなるターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９原子比）をアルゴン等の不活性ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって位相差低減層１６を形成し、次いでモリブデンとシリコン（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９原子比）をアルゴンと窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることによってＭｏＳｉＮ反射防止層１７を形成することにより、二層構造の光半透過膜２２を形成した。

図１２の図表に、各実施例９〜１１の膜特性を示す。尚、屈折率、消衰係数、透過率、反射率及び位相差は、フォトマスクを用いる際の露光波長であるＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍにおける値である。尚、透過率及び反射率の測定は、分光光度計を用いて行い、位相差の測定は位相差測定装置（レーザテック社製ＭＰＭ−１９３）を用いて行った。尚、本実施例においては、透過率を５〜１５％の範囲に収めるようにしている。
また、図１３は、本実施例９〜１１で用いた反射防止層の材料における膜厚と位相差の関係を示すものである。この図から、反射防止層を位相差低減層に積層させることで、光半透過膜の位相差をマイナス側へ調整可能であることが判る。
さらに、図１４は、本実施例９〜１１で用いたフォトマスクブランク表面の反射スペクトルを示す図である。

本実施例９〜１１においては、図１２に示すように、比較的薄い膜厚で、位相差を０°付近に抑えつつ、５〜１５％の透過率範囲に収めることができた。さらに、露光波長における反射率も３０％以下と比較的低い値となり、実施例１１においては、図１４に示すように、フォトマスクの検査波長である２６６ｎｍにおいて反射率を４０％以下に抑えることが可能であった。
また、本実施例９〜１１は、光半透過膜にＭｏＳｉ系の材料を使用していることから、実施例７、８と同様に遮光帯付フォトマスクを製造する際に、光半透過膜のエッチングと遮光膜のエッチングはお互いにエッチング選択性が高いため、選択エッチングが可能であり、遮光膜をマスクに光半透過膜のエッチングを行うことによって、寸法誤差の小さい良好なパターン形状を得ることができる。

尚、実施例９〜１１においては、スパッタリングターゲットにモリブデンとシリコンからなるターゲットを用いてＭｏＳｉＮ反射防止層を形成したが、シリコンターゲットを用いてＳｉＮ反射防止層としてもよい。さらに、成膜雰囲気中に酸素を加え、ＭｏＳｉ０、Ｓｉ０、ＭｏＳｉ０Ｎ、Ｓｉ０Ｎ等の反射防止層としてもよい。また、反射防止層及び／又は位相差低減層のモリブデンの含有量は３０％未満とするか、或いはスパッタリングターゲットとしてのモリブテンとシリコンの割合を０：１００〜３０：７０とすることが、アルカリ及び酸洗浄液に対する耐性を考慮する点で好ましい。

（参考例１）
位相差低減層のみで反射防止膜を有しないフォトマスクブランクを作成した（図１２の図表参照）。その結果、位相差は±３０°、透過率は５〜１５％の範囲に納まったものの、反射率が非常に高い値となってしまった。

（比較例３）
位相差低減層として、屈折率ｎと消衰係数ｋがｎ＞ｋとなるような材料の膜を形成し、その上に反射防止層を形成した（図１２の図表参照）。その結果、透過率は５〜１５％の範囲に納まり、反射率も低減することができたが、位相差が非常に大きい膜となってしまった。

尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではない。
上記実施例においては、フォトマスクブランク及びフォトマスクの例を示したが、ゼロ付近の位相差を必要とする光半透過膜のあらゆる用途に用いることが可能である。

また、上記実施例においては、透過率を５〜１５％の範囲に納めるように設計したが、フォトマスク使用時の転写パターンの設計に応じて透過率の設計値も変更することができる。透過率の設計値としては、例えば４０％以下の範囲から選択された値とすることができる。

さらに、位相差低減層の材料は、上記材料に限らず、前記光半透過膜と前記透光性基材との界面及び／又は前記光半透過膜が露出する雰囲気との界面における露光光の透過及び／又は反射による負の位相変化が生じるような材料からなるものであればよい。具体的には、位相差低減層の材料は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ， Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ， Ｍｏ，等の材料を一種又は二種以上含むものとすることができる。
例えば、光半透過膜をフォトマスクブランクに用いる場合には、当該光半透過膜の材料は、紫外領域において位相差低減効果を有し、アルカリ洗浄液及び酸洗浄液に対する耐性を有し、パターン加工性が優れているものが好ましく、そのような観点から、金属とシリコンを含む材料（金属：Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ等）又はシリコンとすることが好ましい。さらに、光半透過膜の材料は、フォトマスクとした際に遮光帯となるクロム遮光膜とのエッチング選択比が大きい材料とすることがマスク製造の観点から好ましく、例えば透光性基板のエッチング加工時において、光半透過膜がエッチングされない材料を含むことにより、透光性基板部分の寸法精度を向上させることが可能となる。

また、例えば位相差低減層と反射防止層を含む多層構造の光半透過膜をパターン加工する場合は、それぞれの層が、同じエッチング媒質でエッチング加工できる材料とすることが、マスク製造工程の簡略化を考慮する上で望ましい。

２つの媒質を進行する光の位相変化を模式的に示す図である。 ２媒質界面の透過光及び反射光を示す図である。 ２媒質間を透過する光の位相変化を示す図である。 透光性基板と位相差低減層の界面の透過光及び反射光を示す図である。 位相差と膜厚の関係を示す図である。 本発明のフォトマスクの一実施形態を示す断面図である。 本発明のフォトマスクブランクの一実施形態を示す断面図である。 本発明のフォトマスクを製造する方法の一実施形態を示す製造工程図である。 本発明のフォトマスクを製造する方法の他の実施形態を示す製造工程図である。 本発明の実施例１〜３を示す図表である。 本発明の実施例９〜１１におけるフォトマスクブランクを示す断面図である。 本発明の実施例９〜１１を示す図表である。 本発明の実施例９〜１１におけるフォトマスクブランクの位相差と膜厚の関係を示す図である。 本発明の実施例９〜１１におけるフォトマスクブランクの反射スペクトルである。

符号の説明

１ フォトマスク
２ 遮光部
３ 開口部
４ 透光性基板
１０ フォトマスクブランク
１１、１２、１４ レジスト膜
１３ 遮光膜
１５ 遮光帯付フォトマスク
１６ 位相差低減層
１７ 反射防止層
１８ フォトマスクブランク
２２ 光半透過膜
３３ 遮光帯

Claims (15)

1. 位相シフトマスクを製造するためのフォトマスクブランクであって、透光性基板上に光半透過膜を備えたフォトマスクブランクにおいて、
   前記光半透過膜は、二以上の層を含む多層構造であり、
   前記層のうちの第１の層は、波長λの露光光に対して、０＜ｄ＜λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、かつ前記露光光が前記第１の層を通過したときの位相シフト量である位相差Δθが負である位相差低減層であり、
   前記第１の層とは異なる第２の層は、前記露光光が前記第２の層を通過したときの位相シフト量である位相差Δθが正である層であり、
   前記光半透過膜全体の位相差が、前記負の位相差と正の位相差とが相殺された所望の位相差であることを特徴とするフォトマスクブランク。
2. 前記位相差低減層は、該位相差低減層に隣接する前記透光性基板又は第２の層との界面において不連続な位相変化が生じることにより、該位相差低減層の位相差Δθが負になることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
3. 前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ≧ｎであることを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
4. 前記位相差低減層の材料の消衰係数ｋが、ｋ≧１．５であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクブランク。
5. 前記第２の層は、反射防止層であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
6. 前記第２の層の材料の消衰係数ｋ及び屈折率ｎが、ｋ＜ｎであることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
7. 前記位相差低減層及び第２の層は、Ｍｏ及びＳｉを含む材料からなることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
8. 前記露光光の波長λが１５０〜２５０ｎｍから選ばれる波長であり、この波長λに対する前記光半透過膜の反射率が３０％以下であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
9. 前記光半透過膜全体の位相差が−３０°〜＋３０°の範囲から選ばれた所望の位相差であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
10. 前記光半透過膜の透過率が４０％以下であることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
11. 前記光半透過膜の透過率が１５％以下であることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
12. 前記光半透過膜の膜厚が１〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
13. 前記光半透過膜上に、遮光膜が形成されたことを特徴とする請求項１〜１２の何れか一項に記載のフォトマスクブランク。
14. 前記光半透過膜がＳｉ、又はＭｏ及びＳｉを含む材料からなり、遮光膜がＣｒを含む材料からなることを特徴とする請求項１３に記載のフォトマスクブランク。
15. 請求項１〜１４の何れか一項に記載のフォトマスクブランクにおける光半透過膜を所望のパターンにエッチング加工して形成された光半透過部を有することを特徴とする位相シフトマスク。

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