JP2001092106A - 位相シフト型フォトマスク - Google Patents

位相シフト型フォトマスク

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 露光光が透過する基板上に第２光透過部
の位相シフターを形成してなる位相シフト型フォトマス
クにおいて、露光光が上記位相シフターの内部において
多重反射することを特徴とする位相シフト型フォトマス
ク。 【効果】 本発明によれば、シフター膜を薄くすること
ができ、また膜厚の変動に対して位相変動を小さくする
ことができると共に、膜に要求される光学的な制約を少
なくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ
等の高密度集積回路や磁気ヘッド等の微細加工に用いら
れる位相シフト型のフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ＬＳ
Ｉ、ＶＬＳＩ等の半導体集積回路素子の製造には、フォ
トマスクを使ったフォトリソグラフィー技術が用いられ
ている。これらは、石英ガラス等の透明な基板の上に遮
光膜として一般的にはクロム膜を形成すると共に、クロ
ム膜の表面には光の反射を防止するために酸化クロム膜
を形成したフォトマスクブランクスを用いて、このブラ
ンクスの遮光膜に所定パターンを形成したものをフォト
マスクとして用いている。
【０００３】半導体集積回路素子の集積度が上がるにつ
れて加工寸法が微細化し、露光時に光の回折効果によっ
て遮光部が狭まったり、近接パターン間での干渉効果の
ために遮光部パターン形状が歪んだり、微細な形状を加
工できなくなるという問題がある。そこで、これを解決
するために、入射光のコヒーレント性を利用した位相シ
フター膜を用いたフォトマスクが提案された（特開昭５
８−１７３７４４号、特公昭６２−５９２９６号、特開
平７−１１０５７２号公報）。位相シフターにはいくつ
かの方式があり、透過式マスクにおいては遮光部に若干
の光透過性をもたせ、遮光膜内を通過する光と遮光膜を
通過しない光との位相差をπとすることで遮光部の端部
での光の減衰の仕方を大きくしたハーフトーン型（特開
平４−１３６８５４号公報）、隣り合う一対の光透過部
の片側に位相シフターを形成するレベンソン型（特公昭
６２−５９２９６号公報）等が開示されている。
【０００４】また、反射式マスクの例として、特許第２
８８９０４７号公報のように反射層を２層以上設け、違
った高さからの反射による位相差を利用する方法も提案
されている。
【０００５】しかし、これら位相シフト型マスクは、膜
厚、膜質に厳しい均一性が要求され、位相差を厳密に制
御しなければいけないという製造上の難しさがある。例
えば、位相シフター膜の製造には、一般的には反応性ス
パッター法が用いられているが、位相シフターとして開
示されている（特開平７−１４０６３５号公報）Ｍｏ−
Ｓｉ−Ｏ−Ｎを反応性スパッターで成膜しようとする
と、面内の光学膜厚が不均一になりやすく、位相シフタ
ーとして要求される均一性を満たすのが難しいという問
題がある。
【０００６】また、膜の光学定数も限定されてしまい、
薄い膜厚で用いることのできる高屈折率の膜であっても
屈折率から膜厚は一義的に決まってしまい、透過率の観
点から吸収係数が決まり、位相シフターとして用いるこ
とができる膜が限定されてしまうという問題がある。
【０００７】更に、位相シフターを用いたフォトマスク
では、特開平６−３０８７１３号公報に記載があるよう
に、位相シフターが単層膜では、入射光の波長をλ、膜
の屈折率をｎとすると、膜厚ｄは次の式を満たす必要が
あることが知られ、位相シフター内で光は多重反射せず
に透過していることがわかる。（ｎ−１）ｄ＝λ／２
【０００８】このため、位相シフター膜は、屈折率が決
まると決まってしまい、薄くできず、生産性の向上がは
かれないだけでなく、マスクのそりの原因となったり、
膜が剥離しやすくなるという問題がある。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、位相シフター膜の膜厚を薄くすることができ、位相
差の変動を小さくすることができる位相シフト型フォト
マスクを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、位相シフター膜を多重反射させることにより、膜厚
の変動に対して位相変動を小さくすることができ、膜に
要求される光学的な制約を少なくし得ることを知見し、
本発明をなすに至った。
【００１１】従って、本発明は、下記の位相シフト型フ
ォトマスクを提供する。 請求項１：露光光が透過する基板上に第２光透過部の位
相シフターを形成してなる位相シフト型フォトマスクに
おいて、露光光が上記位相シフターの内部において多重
反射することを特徴とする位相シフト型フォトマスク。 請求項２：位相シフターが２層以上の膜からなる請求項
１記載のフォトマスク。 請求項３：位相シフターが少なくとも反射膜と透明膜と
を有する請求項２記載のフォトマスク。
【００１２】本発明のフォトマスクにかかる位相シフタ
ーは、光の多重反射を利用して位相差が１８０度のとこ
ろに停留点を設けるようにするもので、位相シフター内
で多重反射させる構造とすることで、以下のような効果
がある。 （１）位相差πとなる膜厚のところで、位相差の膜厚
（光学膜厚）依存性を小さくすることができ、更には膜
厚に殆どよらないようにすることができる。このため、
膜厚、膜質がばらついても位相差の変動を小さくでき、
成膜が容易になる。 （２）入射光を透過する膜であれば利用することができ
る。従って、吸収係数が小さすぎる膜も利用できるよう
になり、光学的な性質以外の膜応力等で膜を選ぶことが
できるようになる。 （３）膜内で光が多重反射するため、膜厚を薄くするこ
とができる。
【００１３】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の位相シフトマスクは、図１に示したように、石
英、ＣａＦ2等の露光光が透過する基板１上に、シフタ
ー膜２をパターン形成してなるものであり、シフター膜
間が第１光透過部１ａ、シフター膜が第２光透過部２ａ
となるものであるが、本発明は、この第２光透過部２ａ
のシフター内で多重反射することを特徴とするものであ
る。
【００１４】ここで、多重反射構造とするためには、位
相シフターの透明膜は入射波長に対する膜の吸収係数が
小さい方がよい。位相シフターを単層膜で形成する時は
屈折率が大きい方がよい。より多重反射の効果を出すた
めに２層以上の膜から構成した方がよく、２層の膜の光
学定数が大きく異なると、効果はより大きくなる。更
に、多重反射の効果を出すために３層以上としてもよ
い。
【００１５】この場合、多層膜を用いるときは、少なく
とも反射膜と透明膜からなるようにするのがよく、例え
ば、透明膜を金属膜で挟み込む構造とすると効果は大き
くなる。
【００１６】図１はこれを示したもので、図１に示す位
相シフター２は、反射膜２１，２２間に透明膜２３を形
成したものである。
【００１７】この場合、透明膜は、ガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（ＧＧＧ）、リチウムタンタレート、
ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ等が好ましく、ま
た、反射膜としては、金、銅、クロム等の金属膜等が挙
げられる。
【００１８】膜厚については特に制約はなく、目的とす
る透過率、位相値、反射率を満たすように膜厚を選ぶ
が、薄い方が好ましく、３００ｎｍ以下、更には２００
ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】なお、位相シフトマスクの方式としては特
に制約はなく、ハーフトーン型、レベンソン型等に用い
られる。また、シフターの成膜方法としては特に制約は
なく、ＣＶＤ、スパッター法等でよい。
【００２０】本フォトマスクに用いる入射光の波長には
特に制限はなく、水銀灯のｇ線、ｉ線等にも用いること
ができるが、微細加工を行う上では短い方がよく、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザーの２４８ｎｍかそれ以下が望まし
く、更にはＡｒＦエキシマレーザーの１９３ｎｍかそれ
以下が望ましい。
【００２１】加工としては、半導体集積回路だけでな
く、ハードディスク用のヘッドの加工、マイクロマシン
の加工にも適用することが可能である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００２３】〔実施例１〕石英基板の上に反射膜として
クロム膜を２０ｎｍ形成した後に、透明膜として酸化珪
素を成膜し、続けてクロム膜を１５ｎｍ形成した時の位
相差を酸化珪素の膜厚を変えてＡｒＦの波長で計算した
ところ、図２に示すようになった。これより酸化珪素の
膜厚が９０ｎｍ近傍で位相差はπ（１８０度）となり、
この膜厚では膜厚が変動してもほとんど位相差が変化し
ないことがわかった。すべての膜厚の和は１４５ｎｍで
π（１８０度）となり、比較例の単層膜の時よりも４０
％も膜厚を薄くすることができる。
【００２４】〔実施例２〕石英基板の上にＧＧＧを３０
ｎｍ、反射膜としてクロム膜を１５ｎｍ形成した後に、
透明膜として酸化珪素を成膜し、続けてクロム膜を１５
ｎｍ形成した時の位相差を酸化珪素の膜厚を変えてＡｒ
Ｆの波長で計算したところ、図３に示すようになった。
これより酸化珪素の膜厚が９０ｎｍ近傍で位相差はπ
（１８０度）となり、この膜厚では膜厚が変動してもほ
とんど位相差が変化しないことがわかった。すべての膜
厚の和は１４５ｎｍでπ（１８０度）となり、比較例の
単層膜の時よりも４０％も膜厚を薄くすることができ
る。
【００２５】〔比較例〕酸化珪素のみで位相シフター膜
を形成した時の計算結果は図４のようになり、膜厚と共
に位相が変化することがわかる。位相差がπとなる膜厚
は２４０ｎｍとなる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、シフター膜を薄くする
ことができ、また膜厚の変動に対して位相変動を小さく
することができると共に、膜に要求される光学的な制約
を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例にかかる位相シフトマスクの
断面図である。
【図２】実施例１における酸化珪素膜厚と位相差の関係
を示すグラフである。
【図３】実施例２における酸化珪素膜厚と位相差の関係
を示すグラフである。
【図４】比較例における酸化珪素膜厚と位相差の関係を
示すグラフである。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 位相シフター １ａ 第１光透過部 ２ａ 第２光透過部 ２１，２２ 反射膜 ２３ 透明膜

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光光が透過する基板上に第２光透過部
    の位相シフターを形成してなる位相シフト型フォトマス
    クにおいて、露光光が上記位相シフターの内部において
    多重反射することを特徴とする位相シフト型フォトマス
    ク。
  2. 【請求項２】 位相シフターが２層以上の膜からなる請
    求項１記載のフォトマスク。
  3. 【請求項３】 位相シフターが少なくとも反射膜と透明
    膜とを有する請求項２記載のフォトマスク。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004157358A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法。
WO2005124454A1 (ja) * 2004-06-16 2005-12-29 Hoya Corporation 光半透過膜、フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びに光半透過膜の設計方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10307518B4 (de) 2002-02-22 2011-04-14 Hoya Corp. Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289590A (ja) * 1993-04-02 1994-10-18 Sharp Corp フォトマスク及び露光方法
JPH06342205A (ja) * 1993-04-09 1994-12-13 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法
JPH07134392A (ja) * 1993-05-25 1995-05-23 Toshiba Corp 露光用マスクとパターン形成方法
JPH11258772A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0090924B1 (en) 1982-04-05 1987-11-11 International Business Machines Corporation Method of increasing the image resolution of a transmitting mask and improved masks for performing the method
JP3105234B2 (ja) * 1990-09-28 2000-10-30 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP2889047B2 (ja) 1992-05-28 1999-05-10 三菱電機株式会社 反射型フォトマスクの製造方法，反射型フォトマスク及びそれを用いた半導体基板の露光方法
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
US5674647A (en) 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
KR100295385B1 (ko) 1993-04-09 2001-09-17 기타지마 요시토시 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법
JP3312702B2 (ja) 1993-04-09 2002-08-12 大日本印刷株式会社 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP3262303B2 (ja) 1993-08-17 2002-03-04 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
KR100311704B1 (ko) 1993-08-17 2001-12-15 기타오카 다카시 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및그블랭크스의제조방법
JPH0798493A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Toppan Printing Co Ltd 位相シフトマスク及びその製造方法
KR19990057884A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 김영환 위상 반전 마스크
US6159643A (en) * 1999-03-01 2000-12-12 Advanced Micro Devices, Inc. Extreme ultraviolet lithography reflective mask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289590A (ja) * 1993-04-02 1994-10-18 Sharp Corp フォトマスク及び露光方法
JPH06342205A (ja) * 1993-04-09 1994-12-13 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法
JPH07134392A (ja) * 1993-05-25 1995-05-23 Toshiba Corp 露光用マスクとパターン形成方法
JPH11258772A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004157358A (ja) * 2002-11-07 2004-06-03 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及びそのマスクを用いた半導体装置の製造方法。
WO2005124454A1 (ja) * 2004-06-16 2005-12-29 Hoya Corporation 光半透過膜、フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びに光半透過膜の設計方法
JP2009086681A (ja) * 2004-06-16 2009-04-23 Hoya Corp フォトマスクブランク及び位相シフトマスク
US7651823B2 (en) 2004-06-16 2010-01-26 Hoya Corporation Optically semitransmissive film, photomask blank and photomask, and method for designing optically semitransmissive film
KR100967995B1 (ko) 2004-06-16 2010-07-07 호야 가부시키가이샤 광반투과막, 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 광반투과막의 설계 방법
JP4507216B2 (ja) * 2004-06-16 2010-07-21 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク及び位相シフトマスク
US7955762B2 (en) 2004-06-16 2011-06-07 Hoya Corporation Optically semitransmissive film, photomask blank and photomask, and method for designing optically semitransmissive film
US8110323B2 (en) 2004-06-16 2012-02-07 Hoya Corporation Optically semitransmissive film, photomask blank and photomask, and method for designing optically semitransmissive film
US8486588B2 (en) 2004-06-16 2013-07-16 Hoya Corporation Optically semitransmissive film, photomask blank and photomask, and method for designing optically semitransmissive film
US8580466B1 (en) 2004-06-16 2013-11-12 Hoya Corporation Optically semitransmissive film, photomask blank and photomask, and method for designing optically semitransmissive film

Also Published As

Publication number Publication date
TW479153B (en) 2002-03-11
KR20010030448A (ko) 2001-04-16
KR100573857B1 (ko) 2006-04-25
US6451489B1 (en) 2002-09-17
JP4328922B2 (ja) 2009-09-09

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