KR100305450B1 - 포토마스크블랭크 - Google Patents

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KR100305450B1
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프랭클린 로드 칼크
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존 엠.린
듀폰 포토마스크, 인크.
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Abstract

본 발명은 기본적으로 금속 성분 및 유전 성분의 조합으로 이루어지고, 투광율이 0.001 이상인 광학적으로 불균일한 감쇠형 필름을 함유하는 투광성 매립형 상 변이체-포토마스크 블랭크에 관한 것이다. 필름의 한쪽 면은 금속 함량이 다른쪽 면보다 높고, 소광계수의 변화 프로필은 필름 두께에 따라 점차적으로 변화한다. 소광계수의 변화 프로필 및 필름 두께는 선택된 파장에서 약 180°(또는 그의 홀수 배)의 위상차를 제공하도록 선택된다.

Description

[발명의 명칭]
포토마스크 블랭크
[발명의 분야]
본 발명은 포토마스크 블랭크(Photomask Blank)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 규정된 파장의 입사광에서 위상 변이를 제공하는 포토마스크 블랭크에 관한 것이다.
[발명의 배경]
통상의 포토마스크 블랭크는 보통 용융 실리카 플레이트와 같은 기판과 그 위에 있는 불투명 크롬 필름으로 이루어진다. 포토마스크는 이 블랭크의 필름에 원하는 패턴의 노출 영역을 형성시킴으로써 제조한다. 사용시, 포토마스크의 노출 부위를 통해 감광성 기판의 표면, 예를 들면 광중합체로 피복된 반도체 웨이퍼 상에 빛을 투사한다. 현재, 포토마스크는 가시광선 또는 자외선으로 조사한다. 광학적 상형성법의 근본적인 한계는 조사 광선의 파장 차수의 라인 폭이 회절로 제한된다는 점이다. 다시 말해, 파장이 목적하는 광화상 치수와 동일한 차수인 광선은 회절할 것이므로 투사된 화상은 목적하는 화상보다 넓어질 것이다.
가시광선이나 자외선의 파장보다 폭이 좁은 패턴을 생산할 수 있도록 업계에서는 X-선과 같이 짧은 파장원으로 바꾸는 것을 고려해 왔다. 미합중국 특허 제4,890,309호는 X-선 리소그래피에 특히 유용한 감쇠형(불투명에 반대되는 의미로서)의 포토마스크를 기재하고 있는데, 여기서 감쇠 필름의 재료 및 두께는 입사 전자기 선의 일부를 통과(즉, 투과)시키면서 이 방사선을 마스크의 노출 면을 통과하는 방사선에 대해 방사선에 비해 위상 변이시키도록 선택된다. 선택되는 재료는 텅스텐, 금, 은 또는 이들 재료의 합금의 균일 필름, 또는 고원자번호 및 저원자번호 물질(예, 텅스텐 및 탄소)의 교대층이다.
X-선 리쏘그래피의 비용 및 복잡함을 피하기 위한 노력으로, 자외선 및 가시광선 영역용으로 각종 위상 변이 포토마스크가 개발되어 왔다(예를 들어, 문헌[B. J. Lin, SOLID STATE TECHNOLOGY, 페이지 43 - 47, 1992년 1월] 참조). 이 중에는 기판 에칭 또는 부가적인 위상 변이층을 사용해야 하는 림(rim) 위상 변이 포토 마스크가 있다. 림 위상 변이 포토마스크는 근본적으로 임의의 마스크 패턴에 사용할 수 있으나, 노출 시간을 실용적 수준으로 감소시키기 위해서는 큰 포지티브 마스크 바이어스가 필요하며, 강한 근접 효과 때문에 하나의 공통 노출을 사용하여 임의의 마스크 패턴의 모든 최소배선폭 및 형태를 그려내기 어렵다. 림 위상 변이 포토 마스크보다 개선된 것으로 당업계에 감쇠형 위상 변이 포토마스크(APSPM)가 알려져 있다. APSPM은 종래의 패턴형성 필름의 불투명한 크롬 부분 대신에 흡광성의 부분 투광 위상 변이체를 사용한다. 흡광성 위상 변이체의 투광률을 약 0.20 미만으로 조정하여 고스트 라인(ghost line)의 발생을 방지한다. 그러나, 모든 위상 변이체가 바람직한 양만큼 위상 변이시키고 흡광할 수는 없다. 따라서, 어떤 경우에는 흡광 및 위상 변이 특성이 상이한 재료들로 이루어지는 다층 구조가 요구될 수 있다. 시판되는 APSPM은 기판-필름 경계면의 Cr-N 화합물로부터 필름-공기 경계면의 Cr-O 화합물까지 조성이 점차 변하는 크롬 옥시카보니트라이드 조성물 필름을 사용하는데, 이것은 반사방지 코팅 역할도 한다. 상기 APSPM이 어느 정도의 위상 변이를 제공하지만, 목적하는 180°의 위상 변이를 달성하기 위해서는 기판, 즉 상기 경우 용융 실리카의 반응성 이온 에칭과 같은 추가 공정이 필요하다.
[발명의 요약]
본 발명은 금속성 성분 및 유전성 성분의 조합을 주로 하여 이루어지는 투광률 0.001 이상의 광학적으로 불균일한 감쇠형 필름을 포함하며, 필름의 한쪽 면은 금속 성 성분 함량이 다른쪽 면보다 높고, 소광 계수의 변화 프로필은 필름 두께 방향을 따라 점진적이고, 상기 변화 프로필 및 필름 두께는 선택된 파장에서 약 180°(또는 그의 홀수배)의 위상 변이를 제공하도록 선택된 것임을 특징으로 하는, 선택된 파장을 위한 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크(즉, EPS-PMB)를 제공한다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 대표적인 금속성 재료의 나노미터 단위의 파장(λ)에 따른 굴절률(n) 및 소광 계수(k)의 그래프.
제2도는 대표적인 유전성 재료의 나노미터 단위의 파장(λ)에 따른 굴절률(n) 및 소광 계수(k)의 그래프.
제3도는 253nm 파장용 차등 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 기판 표면으로부터의 거리(D)에 따른 굴절률(n)의 깊이 방향 프로필의 그래프.
제4도는 253nm에서 사용하기 위한 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 파장(λ)에 따른 광투과율(T)의 그래프.
제5도는 253nm에서 사용하기 위한 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 파장(λ)에 따른 투과 위상 변이(S)의 그래프.
제6도는 365nm의 파장에서 사용하기 위한 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 기판 표면으로부터의 거리(D)에 따른 굴절률(n)의 깊이 방향 프로필의 그래프.
제7도는 257nm의 파장에서 사용하기 위한 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 기판으로부터의 거리(D)에 따른 굴절률(n)의 깊이 방향 프로필의 그래프.
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 포토마스크 블랭크에 유리한 필름을 제공한다. 이 필름은 특정한 입사 파장에 대하여 약 180°(바람직하게는 180° ± 10°) 또는 그의 홀수배의 위상 변이를 제공하므로, 포토마스크를 제조하는데 특히 유용하다. 이 필름은 보통 기판 위에 퇴적시킨다. 기판은 사용되는 입사광의 파장에 대해 투과성인 기계적으로 안정한 임의의 물질일 수 있다. 석영 및 용융 실리카(유리)와 같은 기판이 입수 가능성 및 비용 면에서 바람직하다.
본 발명의 필름은 소광 계수가 필름 두께 방향을 따라 변화한다는 점에서 광학적으로는 불균일하다. 본 발명에 따른 광학적으로 불균일한 감쇠 필름은 대개 한쪽 면(보통 기판-필름 경계면)에 있는 광학적으로 금속성인 것으로부터 다른쪽 면(보통 필름-공기 경계면)에 있는 광학적으로 유전성인 것까지 연속적으로 변화하는 구조 형태이다. 금속성 성분(예를 들면, Cr-N 화합물)은 1.5 내지 6.5eV 범위의 에너지에 대해 광자 에너지가 증가하면서 일반적으로 그 수치가 감소하는, 0 내지 6(바람직하게는 0.5 내지 3.5) 범위내의 소광 계수를 특징으로 하는 반면, 유전성 성분(예를 들면, Cr-O 화합물)은 1.5 내지 6.5eV 범위에서 광자 에너지가 증가하면서 일반적으로 증가하는, 0 내지 2(바람직하게는 0 내지 1.5) 범위내의 소광 계수를 특징으로 한다. 금속성 성분의 굴절률은 일반적으로 1 내지 6이고, 바람직하게는 2 내지 5이며, 유전성 성분의 굴절률은 1 내지 3.5이고, 바람직하게는 1.2 내지 2.8이다. 불균일한 감쇠 필름의 금속성 및 유전성 성분은 전이 및 비전이 금속 플루오로-옥시-카보-니트라이드와 같은 재료 중에서 선택할 수 있다. 본 발명의 실시에 특히 적합한 물질은 금속 옥시-카보-니트라이드(즉, M-O-C-N), 금속 클로로-옥시-카보-니트라이드(즉, M-Cl-O-C-N), 금속 클로로-플루오로-옥시-카보-니트라이드(즉, M-Cl-F-O-C-N) 및 금속 플루오로-옥시-카보-니트라이드(즉, M-F-O-C-N)이고, 여기서 M은 Cr, Fe, Mo, Zn, Co, Nb, Ta, W, Ti, Al, Mg 및 Si로 이루어진 군에서 선택된다. Cr이 바람직한 M이고, 크롬 옥시-카보-니트라이드가 성능 및 입수 가능성을 기준으로 할 때 바람직한 물질이다.
필름의 소광 계수 프로필은 필름 두께 방향을 따라 서서히 변화하며, 요철없는 연속적 방식으로, 또는 단계적인 차등 방식으로 변화할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 주어진 필름의 금속성 및 유전성 성분의 용적 퍼센트는 필름 두께 방향에서 소광 계수의 값이 필름의 두 표면의 소광 계수의 평균과 동일한 지점에서 규정한다. 본 발명에 있어서는, 소광 계수 변화의 급격한 계면이 필름 두께 방향의 그 지점에 존재하지는 않더라도 필름의 소광 계수에 대한 상기 “광학적 중점” 위치를 금속성 성분과 유전성 성분간의 실효 계면으로 간주한다. 통상적으로, 굴절률과 같은 다른 광학적 성질 또한 필름 두께 방향을 따라 서서히 변화할 것이다(예를 들어 제3도 참조).
본 발명을 위해서는 광학적으로 불균일한 필름은 필름에 의해 제공된 위상 변이가 포토마스크에 의해 생성되는 라인 폭에 대해 목적한 효과를 갖기에 충분한 정도의 투과성을 가져야 한다. 포토마스크 블랭크에 사용되는 필름의 최대 두께인 dmax는 필름의 유전성 표면에 있는 유전성 성분의 굴절률 ntop과 사용된 광선의 파장인 λ를 사용하여로 추정할 수 있고, 여기서 m은 양의 홀수이다. 실제로, m은 통상적으로 1 또는 3이나, X-선 영역에서와 같이 이에 제한되는 것은 아니다. 365 나노미터의 파장 및 ntop= 1.5일 때, dmax는 365 나노미터이다. 이 식은 필수적으로 불투명할 필요가 없는(즉, 필름의 투광률이 0.001 이상으로 유지되는) 본 발명의 필름에 유효하다.
상기 최대 두께의 정의에 기초하여, 금속 및 유전성 성분의 용적은 두께에 있어서 거의 0으로부터 이들 불균일한 감쇠 필름이 충분한 투과성을 가져야 한다는 요건에 의해 규정되는 두께까지 다양할 수 있다. 통상적으로 금속성 성분은 5 나노미터 내지 150 나노미터 두께이고, 유전성 성분은 10 나노미터 내지 400 나노미터 두께이다.
본 발명의 중요한 특징 하나는 필름이 사용 광선의 목적 파장에서 매립형 위상 변이체에 요구되는 180°의 위상 변이를 갖고, 또한 필름이 목적하는 투광률을 가져야 하는 다중 요건에 따라 필름의 조성을 설계할 수 있다는 것이다. 또한 필름 설계에서는 특정 용도를 위한 바람직한 반사율도 고려해야 한다. 통상적으로, 바람직한 반사율은 0 내지 약 0.5 범위 이내이다.
제1도 및 제2도에 나타낸 것과 같은 특정한 쌍의 금속성 및 유전성 필름 성분에 대해서는, 금속성 성분이 필름의 한쪽 면(예를 들면, 기판에 인접한 면)에 있고, 유전성 성분이 필름의 다른쪽 면(예를 들면, 공기에 인접한 면)에 있으며, 전술한 바와 같은 금속성으로부터 유전성으로의 점차적인 전이 프로필로 일반화된 디자인이 구성될 수 있다. 추정된 필름 두께 및 선택된 광학 특성의 변화 프로필과 함께, 두 성분 각각에 대한 굴절률 및 소광 계수를 사용하여, 필름의 투광률, 반사율 및 위상 변이를 계산할 수 있다. 이러한 계산을 위해 널리 공지된 행렬 방법을 사용할 수 있다(참고로 인용한 문헌[O. S. 헤븐스(Heavens)의 “Optical Properties of Thin Solid Films”, 도버 출판사, 뉴욕주, 1965, 페이지 69 - 80] 참조). 컴퓨터를 사용하여 수치 계산을 할 수 있다. 주어진 프로필에 대해 제조가능한 범위 내에서 투광률, 반사율 및 위상 변이의 조합을 계산하고, 바람직한 해를 제공하는 조합이 어느 것인지 결정함으로써 필름 설계를 최적화한다. 행렬 방법을 기초로 한 컴퓨터 계산을 이용하여, 프로필을 다수의 균일 박층으로서 모델링하고, 모든 층의 특성 행렬을 곱하여 필름의 반사율, 투광률 및 위상 변이를 계산할 수 있다. 일차, 이차, 삼차, 지수 및 가우스 함수와 같은 미리 결정된 광학 특성 프로필을 사용할 수 있다. 실시할 때, 프로필은 필름을 제조하는데 사용되는 특정 장치에 의해 한정될 것이다. 또한 보통 필름 구조내의 영역 두께의 상한치 및 하한치도 장치에 의해 결정될 것이다.
통상적으로 감쇠 필름은 감쇠 필름의 총 용적을 기준으로 하여 실질적으로 99 용적% 내지 1 용적%(상기 정의한 바에 따름), 바람직하게는 85 용적% 내지 5 용적%의 금속성 성분, 및 1 용적% 내지 99 용적%, 바람직하게는 15 용적% 내지 95 용적%의 유전성 성분으로 이루어진다. 포토마스크 블랭크는 당업계에 널리 공지된 방법으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 포토마스크 블랭크는 일반적으로 1회 통과하는 연속 퇴적 공정에서 투명한 기판 위에 불균일 감쇠 단일층을 퇴적시킴으로써 제조할 수 있다. 통상의 기판을 그 자체로 사용하거나, 산화인듐 또는 산화주석과 같은 재료로 된 투명한 도전성 필름으로 피복시킬 수 있다.
감쇠 필름은 반응성 스퍼터 퇴적에 의해 기판 위에 퇴적시킬 수 있다. 반응성 스퍼터링은 진공 챔버 중에서 수행되는 피복 공정이다. 진공 챔버내에는 소정 압력의, 불활성 가스와 반응성 가스로 이루어진 가스 혼합물로 충전된 스퍼터 챔버가 있다. 스퍼터링할 물질로 이루어진 표적을 스퍼터 챔버내의 도전성 음극위에 위치시킨다. 음전위가 표적에 가해지면서, 표적의 표면으로부터 나온 플라즈마가 형성된다. 플라즈마는 불활성 및 반응성 가스 이온 및 화학종, 및 원자 단위의 표적으로 이루어진다. 원자 상태의 표적 단위는 플라즈마를 통과하여 피복될 기판으로 이동하고, 반응성 가스 화학종과 반응하여 각종 조성물을 형성한다. 조성물은 기판이 스퍼터 챔버를 통해 이동할 때 각 기판위에 박막 또는 박층으로 퇴적된다. 상기 공정에 적합한 불활성 가스로는 아르곤, 네온, 크립톤 및 크세논이 있다. 적합한 반응성 가스로는 질소, 산소, 메탄 및 이산화탄소가 있다. 스퍼터 챔버내의 압력은 보통 3.0 x 10-2내지 1.0 x 10-3토르(torr)의 범위이다. 표적은 통상 크롬 또는 크롬 기재 물질, 예를 들면 질화크롬, 탄화크롬 또는 산화크롬이다. 포토마스크 블랭크를 생산하기 위한 반응성 스퍼터 퇴적 공정에 대한 상세한 논의는 참고로 인용한 1991년 8월 8일자로 출원된 미합중국 특허 출원 제07/742,245호에 기재되어 있다.
불균일한 감쇠 필름을 갖는 본 발명의 포토마스크 블랭크는 유리하게는 다수의 표적(예를 들면, 크롬 기재 표적들)을 스퍼터 챔버를 통한 기판의 이동 방향에 일정 간격으로 배치하여 제공함으로써, 기판을 스퍼터 챔버를 통해 연속 이동시키는 반응성 스퍼터 퇴적 기술을 이용하여 제조할 수 있다. 스퍼터 챔버 내의 조건을 조절함으로써(예를 들면, 직류 및(또는) 고주파에 의해 전하를 각 표적에 동시에 가함으로써) 각 표적 위에 있는 플라즈마의 조성 및 표적들 사이의 플라즈마 중첩을 조정하여, 한 층(stratum)의 조성으로부터 다음 층의 조성으로 조성이 서서히 변화하여 불균일한 감쇠 층(layer)을 형성하는 상이한 조성의 층들 및(또는) 층간 전이 영역을 갖는 단일 감쇠 층을 이동하는 기판 상에 퇴적시킬 수 있다.
본 발명은 110nm 내지 1000nm 범위내의 파장과 함께 사용할 수 있는 투광성 EPS-PMB의 실시태양을 포함한다.
본 발명의 실시양태는 하기 비제한적인 실시예로부터 보다 명백해질 것이다.
[실시예 1]
두개의 크롬 표적을 시판되는 직류 평면 마그네트론 스퍼터링 장치 중에 위치시켰다. 각 표적의 폭은 약 15.24cm(6 인치)이고, 길이는 50.8cm(20 인치)이며, 높이는 0.635cm(0.25 인치)였다. 표적 연부 간의 거리는 약 12.7cm(5 인치)였다. 스퍼터 챔버를 아르곤, 질소, 산소, 이산화탄소 및 메탄으로 이루어진 가스로 충전시켰다. 표면을 닦은 유리 기판을 하기 표 1에 제시된 조건하의 스퍼터 챔버를 통해 이동시켰다.
[표 1]
상기 작업 조건 하에서는, 두개의 상이한 플라즈마 및 플라즈마 중첩 영역에 있는 상이한 화학종으로부터의 발광으로 인해 제1 표적상의 담청색으로부터 제2 표적 상의 밝은 핑크색까지 변화하는 색상 스펙트럼이 가공 챔버의 측면에 제공된 창문을 통해 육안으로 관찰되었고, 이로써 기판 이동 방향으로 플라즈마내에 조성 구배가 존재함을 확인하였다.
챔버로부터 수거한 기판은 철필 프로필 기록계(stylus profilometry)로 측정했을 때 필름 피복이 약 87 나노미터였다. 공기-필름 및 기판-필름 표면의 편광해석 스펙트럼 뿐 아니라 광반사율 및 투광률을 측정하였다. 상기 분광학적 측정치를 사용하여, 공기-필름 표면 및 기판-필름 표면에서의 굴절률 및 소광 계수와 같은 광학적 특성 및 이들 광학적 특성의 프로필을 상기 행렬 방법을 사용하여 모델링하였다. 기판-필름 표면에 있는 물질에 대해 계산한 광학적 특성을 제1도에 나타내었는데, 이는 전술한 바와 같이 금속성의 것이었으며, 필름-공기 표면에 있는 물질에 대해 계산한 광학적 특성을 제2도에 나타내었는데, 이는 전술한 바와 같이 유전성을 갖는 것이었다. 제1도 및 제2도와 측정된 광학 및 편광해석 데이터와 합치되는 굴절률의 예상 프로필 하나를 행렬 방법을 사용하여 결정하여, 제3도에 나타내었다. 다른 프로필도 합치될 수는 있겠지만, 측정된 광학 및 편광해석 데이타는 균일한 특성을 갖는 필름을 가정해서는 해석될 수 없었다.
제조된 포토마스크 블랭크의 투광률을 제4도에 나타내었는데, 여기서 필름의 투광률은 253nm의 파장에서 약 0.005이었다. 이 파장에서, 행렬 방법으로 결정된 투과광의 위상 변이는 제5도에 도시된 바와 같이 약 180°였다. 상기 필름의 반사율은 253nm에서 약 0.19인 것으로 측정되었다. 따라서, 이 포토마스크 블랭크는 253nm에서 사용하기 위한 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크로 여겨진다.
[실시예 2]
365nm에서 사용하기 위한 EPS-PMB를 디자인하였다. 각각 제1도 및 제2도에 도시된 금속 및 유전성 성분을 사용하여, 투광률이 0.027이고, 반사율이 약 0.16이며, 365nm에서의 위상 변이가 180°인 EPS-PMB에 적합한 프로필을 제6도에 나타내었다.
[실시예 3]
257nm에서 사용하기 위한 EPS-PMB를 디자인하였다. 각각 제1도 및 제2도에 도시한 금속 및 유전성 성분을 사용하여, 투광률이 0.01이고, 반사율이 약 0.175이며, 257nm에서의 위상 변이가 173°인 EPS-PMB에 적합한 프로필을 제7도에 나타내었다.
실시예 2 및 실시예 3은 상기 필름의 불균일성에 의한 고유의 장점 및 불균일한 감쇠형 필름의 금속성 및 유전성 성분의 다기능성을 나타낸다.
본 발명의 특정 실시태양이 실시예에 설명되어 있다. 상기한 본 발명의 설명 또는 수행 방법을 고려할 때 기타 실시태양이 당업자에게 명백해질 것이다. 신규한 발명 개념의 본 발명의 취지 및 범위로부터 벗어남이 없이 변형 및 변화가 수행될 수 있음을 이해해야 한다. 또한 본 발명이 상기 특정 조합 및 실시예에 국한되는 것이 아니라, 그의 변형된 형태도 하기 특허 청구의 범위의 범위내에 포함됨을 이해해야 한다.

Claims (8)

  1. 금속성 성분 및 유전성 성분의 조합을 주로 하여 이루어지는 투광률 0.001 이상의 광학적으로 불균일한 감쇠형 필름을 포함하며, 필름의 한쪽 면은 금속성 성분 함량이 다른쪽 면보다 높고, 소광 계수의 변화 프로필은 필름 두께 방향을 따라 점진적이고, 상기 변화 프로필 및 필름 두께는 선택된 파장에서 약 180° 또는 그의 홀수배의 위상 변이를 제공하도록 선택된 것임을 특징으로 하는, 선택된 파장을 위한 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 위상 변이가 약 180°인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  3. 제2항에 있어서, 반사율이 0 내지 0.5 범위인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서, 금속성 성분이 필름의 85 용적% 내지 5 용적%이고, 유전성 성분이 필름의 15 용적% 내지 95 용적%인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 선택된 파장이 110nm 내지 1000nm인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  6. 제5항에 있어서, 금속성 성분 및 유전성 성분이 M-O-C-N 물질, M-Cl-O-C-N 물질, M-Cl-F-O-C-N 물질 또는 M-F-O-C-N 물질(여기서, M은 Cr, Fe, Mo, Zn, Co, Nb, Ta, W, Ti, Al, Mg 및 Si로 이루어진 군에서 선택된 것임)인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  7. 제6항에 있어서 M이 Cr인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
  8. 제7항에 있어서, 금속성 성분 및 유전성 성분이 Cr-O-C-N 물질인 투광성 매립형 위상 변이체-포토마스크 블랭크.
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