KR950704723A - 포토마스크 블랭크(Photomask Blanks) - Google Patents

포토마스크 블랭크(Photomask Blanks) Download PDF

Info

Publication number
KR950704723A
KR950704723A KR1019950701941A KR19950701941A KR950704723A KR 950704723 A KR950704723 A KR 950704723A KR 1019950701941 A KR1019950701941 A KR 1019950701941A KR 19950701941 A KR19950701941 A KR 19950701941A KR 950704723 A KR950704723 A KR 950704723A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask blank
translucent
film
variant
buried
Prior art date
Application number
KR1019950701941A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100305450B1 (ko
Inventor
하키 우푸크 알패이
로저 하퀘일 프렌치
프랭클린 로드 칼크
Original Assignee
미리암 디. 메코너헤이
이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미리암 디. 메코너헤이, 이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 filed Critical 미리암 디. 메코너헤이
Publication of KR950704723A publication Critical patent/KR950704723A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100305450B1 publication Critical patent/KR100305450B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 기본적으로 금속 성분 및 유전 성분의 조합으로 이루어지고, 투광율이 0.001이상인 광학적으로 불균일한 감쇠형 필름을 함유하는 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크에 관한 것이다. 필름의 한쪽면은 금속 함량이 다른쪽보다 높고, 소광계수의 변화 프로필은 필름 두께에 따라 점차적으로 변화한다.
소광계수의 변화 프로필 및 필름 두께는 선택된 파장에서 약 180° (또는 그의 홀수배)의 위상차를 제공하도록 선택된다.

Description

포토마스크 블랭크(Photomask Blank)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 대표적인 금속 물질의 나노미터 단위의 파장(λ)에 따른 굴절 지수(n) 및 소광계수(k)의 그래프, 제2도는 대표적인 유전 물질의 나노미터 단위의 파장(λ)에 따른 굴절 지수(n) 및 소광계수(k)의 그래프, 제3도는 253nm파장용 등급 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬단위의 기판 표면으로부터의 거리(D)에 따른 굴절 지수(n)의 계단형 프로필의 그래프, 제4도는 253nm에서 사용하기 위한 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 파장(λ)에 따른 광투과율(T)의 그래프, 제5도는 253nm에서 사용하기 위한 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크의 옹스트롬 단위의 파장(λ)에 따른 투광 위상차(S)의 그래프.

Claims (8)

  1. 기본적으로 금속 성분 및 유전 성분의 조합으로 이루어지는 투광율 0.001이상의 광학적으로 불균일한 감쇠형 필름을 함유하고, 필름의 한쪽 면은 금속 성분 함량이 다른쪽 면보다 높고, 소광계수의 변화 프로필은 필름 두께에 따라 점차적으로 변화하며, 상기 변화 프로필 및 필름 두께는 선택된 파장에서 약 180° 또는 그의 홀수배의 위상차를 제공하도록 선택된 것임을 특징으로 하는, 선택된 파장을 위한 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 위상차가 약 180° 인 투광성 매립형 상변이체-포토맘스크 블랭크.
  3. 제2항에 있어서, 반사도가 0 내지 0.5범위인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서, 금속 성분이 필름의 85 용적% 내지 5용적%이고, 유전 성분이 필름의 15용적% 내지 95용적%인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 선택된 파장이 110nm 내지 1000nm인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  6. 제5항에 있어서, 금속 성분 및 유전 성분이 M-O-C-N- 물질, M-Cl-O-C-N 물질,M-Cl-F-O-C-N 물질 또는 M-F-O-C-N 물질(여기서, M은 Cr, Fe, Mo, Zn, Co, Nb, Ta, W, Ti, Al, Mg 및 Si 로 이루어진 군에서 선택된 것임)인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  7. 제6항에 있어서, M이 Cr인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
  8. 제7항에 있어서, 금속 성분 및 유전 성분이 Cr-O-C-N 물질인 투광성 매립형 상변이체-포토마스크 블랭크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950701941A 1992-11-16 1993-11-12 포토마스크블랭크 KR100305450B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97678292A 1992-11-16 1992-11-16
US07/976782 1992-11-16
PCT/US1993/010709 WO1994011786A1 (en) 1992-11-16 1993-11-12 Photomask blanks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950704723A true KR950704723A (ko) 1995-11-20
KR100305450B1 KR100305450B1 (ko) 2001-11-22

Family

ID=25524457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950701941A KR100305450B1 (ko) 1992-11-16 1993-11-12 포토마스크블랭크

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5459002A (ko)
EP (1) EP0670054B1 (ko)
JP (1) JP3732853B2 (ko)
KR (1) KR100305450B1 (ko)
CN (1) CN1099613C (ko)
DE (1) DE69329579T2 (ko)
SG (1) SG75788A1 (ko)
TW (1) TW505829B (ko)
WO (1) WO1994011786A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100295385B1 (ko) * 1993-04-09 2001-09-17 기타지마 요시토시 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법
US5415953A (en) * 1994-02-14 1995-05-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photomask blanks comprising transmissive embedded phase shifter
JP2878143B2 (ja) * 1994-02-22 1999-04-05 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
KR0147493B1 (ko) * 1995-10-25 1998-08-01 김주용 하프톤 위상반전마스크 제조방법
US5672243A (en) * 1995-11-28 1997-09-30 Mosel Vitelic, Inc. Antireflection coating for highly reflective photolithographic layers comprising chromium oxide or chromium suboxide
US5897977A (en) * 1996-05-20 1999-04-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Attenuating embedded phase shift photomask blanks
US5897976A (en) * 1996-05-20 1999-04-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Attenuating embedded phase shift photomask blanks
TW354392B (en) * 1996-07-03 1999-03-11 Du Pont Photomask blanks
US6174631B1 (en) 1997-02-10 2001-01-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Attenuating phase shift photomasks
TW371327B (en) * 1998-05-01 1999-10-01 United Microelectronics Corp Phase-shifting mask (PSM) and method for making the same
TW480367B (en) * 2000-02-16 2002-03-21 Shinetsu Chemical Co Photomask blank, photomask and method of manufacture
US6379014B1 (en) * 2000-04-27 2002-04-30 N & K Technology, Inc. Graded anti-reflective coatings for photolithography
US6653027B2 (en) * 2001-02-26 2003-11-25 International Business Machines Corporation Attenuated embedded phase shift photomask blanks
JP3988041B2 (ja) 2002-10-08 2007-10-10 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法
TWI480676B (zh) * 2004-03-31 2015-04-11 Shinetsu Chemical Co 半色調相移空白光罩，半色調相移光罩，以及圖案轉移方法
DE102004041853B8 (de) * 2004-04-27 2008-07-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Ventil zur dampfdichten Entkoppelung zweier miteinander verbundener Prozesseinheiten
JP4883278B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
CN103178349A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 深圳光启高等理工研究院 微结构加工方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57121226A (en) * 1981-01-21 1982-07-28 Hitachi Ltd Photo mask
JPS61272746A (ja) * 1985-05-28 1986-12-03 Asahi Glass Co Ltd フオトマスクブランクおよびフオトマスク
US4890309A (en) * 1987-02-25 1989-12-26 Massachusetts Institute Of Technology Lithography mask with a π-phase shifting attenuator
JP2765016B2 (ja) * 1989-03-15 1998-06-11 凸版印刷株式会社 フオトマスクブランクおよびフオトマスク
JPH04125643A (ja) * 1990-09-18 1992-04-27 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクおよびフォトマスクブランク
US5230971A (en) * 1991-08-08 1993-07-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photomask blank and process for making a photomask blank using gradual compositional transition between strata
US5187726A (en) * 1991-09-30 1993-02-16 Wisconsin Alumni Research Foundation High resolution X-ray lithography using phase shift masks

Also Published As

Publication number Publication date
KR100305450B1 (ko) 2001-11-22
DE69329579T2 (de) 2001-05-31
EP0670054A1 (en) 1995-09-06
JP3732853B2 (ja) 2006-01-11
CN1091210A (zh) 1994-08-24
SG75788A1 (en) 2000-10-24
EP0670054B1 (en) 2000-10-18
DE69329579D1 (de) 2000-11-23
TW505829B (en) 2002-10-11
US5459002A (en) 1995-10-17
WO1994011786A1 (en) 1994-05-26
CN1099613C (zh) 2003-01-22
JPH08503557A (ja) 1996-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950704723A (ko) 포토마스크 블랭크(Photomask Blanks)
KR970701379A (ko) 포토마스크 블랭크(Photomask Blanks)
KR101004395B1 (ko) 포토마스크 블랭크 및 포토마스크
WO2002018132A3 (en) Heat reflecting film with low visible refectance
KR100213151B1 (ko) 감쇠하는 상 이동 마스크의 제조를 위한 박막의 물질
EP0900411B1 (en) Attenuating embedded phase shift photomask blanks
KR960024571A (ko) 블랙 행렬스크린을 형성하기 위한 크롬공백과 액정 디스플레이용 색필터
EP0872767A3 (en) Halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask blank
EP2267491A3 (fr) Substrat transparent comportant un revêtement antireflet
EP1191360A3 (en) Reflection type diffraction grating
KR940005745A (ko) 유리 피복물
EP1300374A4 (en) PHOTOCATALYTIC ELEMENT
KR101801101B1 (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크
KR960024559A (ko) 활성 매트릭스 액정 디스플레이 및 반사방지 블랙 매트릭스의 제조방법
EP1266923A4 (en) POLYESTER FILM AS A CARRIER OF A DRY FILM RESISTANCE
KR910010618A (ko) 광학 간섭 필름 및 그 필름을 구비한 램프
KR900008609A (ko) 칼라 전기 램프
KR930006654A (ko) 광 디스크
KR970051787A (ko) 방전램프
BR0002594A (pt) Composição para revestimento de superfìcies transparentes
KR970049088A (ko) 하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
KR870001125A (ko) 다층의 장식용 피복
JP4017747B2 (ja) Ｂｍ膜製造方法
KR20220091120A (ko) 플랫 패널 디스플레이용 블랭크마스크 및 포토마스크
KR20180022620A (ko) 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090721

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee