KR20110061564A - 투명 전극막의 개질 방법 - Google Patents

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도시야 구로다
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스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

기판과, 그 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법으로서, 상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 투명 전극막의 개질 방법.

Description

투명 전극막의 개질 방법{METHOD FOR MODIFYING A TRANSPARENT ELECTRODE FILM}
본 발명은, 발광 소자 등에 사용되는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막을 개질하여 그 저항률을 저하시키는 방법, 그리고 그 방법을 사용한 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네선스 소자 (유기 EL 소자) 등의 발광 소자에 있어서는, 일반적으로, 발광층으로부터의 광을 취출하기 위해서 광 취출구측의 전극으로서 투명 전극막이 사용되고 있다. 또, 발광층의 발광량을 향상시키기 위해서 투명 전극막의 저항률은 낮을수록 바람직하기 때문에, 보다 저항률이 낮은 투명 전극막을 형성하는 기술과 함께, 투명 전극막을 형성한 후에 그 저항률을 저하시키는 기술이 검토되고 있다. 이러한 투명 전극막의 저항률을 저하시키는 방법으로서, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2000－282225호 (특허문헌 1) 에는, 투명 전극 재료인 인듐·주석·옥사이드 (ITO) 로 이루어지는 ITO 막을 형성한 후, 가열로를 사용하여 180 ℃ 이상의 온도에서 어닐 처리를 실시함으로써, ITO 막의 저항률을 저하시키는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 종래의 방법에 있어서는, 어닐 처리에 필요로 하는 시간이 길고, 생산 효율의 점에서 반드시 충분한 방법은 아니었다. 또, 기판의 재질이 수지 등의 유기물인 경우에는, 어닐 처리시의 가열로의 열에 의해, 기판이 변형되거나 수지가 변질되어 열화되어 버린다는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 종래 기술이 갖는 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법에 있어서, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서, 투명 전극막의 저항률을 단시간에 효율적으로 저하시키는 것이 가능한 투명 전극막의 개질 방법, 그리고 그 방법을 사용한 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 투명 전극막의 개질 방법은, 기판과, 그 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법으로서, 상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
또, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법에 있어서는, 상기 투명 전극막이, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법 및 플라즈마 중합법으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법에 의해 기판 상에 형성된 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법은, 기판 상에, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법 및 플라즈마 중합법으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법에 의해 투명 전극막을 형성하는 공정과,
상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
또한, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법 및 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법에 있어서는, 상기 어닐 처리에 있어서의 광 조사량이 2 ∼ 50 J/㎠ 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법 및 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법에 있어서는, 상기 투명 전극막이, 인듐·주석·옥사이드 및 산화아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 투명 전극 재료로 이루어지는 것인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법에 의하면, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법에 있어서, 투명 전극막의 저항률을 효율적으로 저하시키는 것이 가능하고, 게다가 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하는 것이 가능해진다. 즉, 본 발명에 있어서는, 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사함으로써 투명 전극막을 가열한다는 어닐 처리를 투명 전극막에 실시하고 있고, 이러한 플래시 램프에 의한 어닐 처리에 있어서는, 플래시 광이 조사되는 표면 근방에 집중적으로 에너지를 공급할 수 있기 때문에, 투명 전극막에 집중적으로 에너지가 공급되고, 그 에너지에 의해 투명 전극막의 어닐 처리를 효율적으로 실시할 수 있다. 요컨대, 종래와 같은 가열로에 의한 어닐 처리와 비교하여 단시간에 효율적으로 투명 전극막에 에너지를 공급할 수 있고, 투명 전극막의 저항률을 효율적으로 저하시킬 수 있다. 또, 이러한 플래시 램프에 의한 어닐 처리에 있어서는, 플래시 광이 조사되는 표면 근방 이외의 기판에, 불필요한 에너지가 공급되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법에 있어서, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서, 투명 전극막의 저항률을 단시간에 효율적으로 저하시키는 것이 가능한 투명 전극막의 개질 방법, 그리고 그 방법을 사용한 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
도 1 은, 실시예에서 사용한 플래시 램프에 있어서의 파장과 발광 출력의 관계를 나타내는 발광 스펙트럼이다.
이하, 본 발명을 그 바람직한 실시형태에 입각하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 투명 전극막의 개질 방법은, 기판과, 그 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법으로서, 상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
또, 본 발명의 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법은, 기판 상에, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법 및 플라즈마 중합법으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법에 의해 투명 전극막을 형성하는 공정과,
상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 발명에 사용되는 기판은, 발광 소자 등에 있어서 투명 전극막을 형성하기 위한 지지 기판이 되는 것이다. 이러한 기판의 재질은, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판의 용도에 따라 적절히 선택되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판을 발광 소자 등에 사용하는 경우에는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 열 경화성 수지, 열 가소성 수지를 들 수 있다. 또, 본 발명에 있어서는, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제할 수 있는 점에서, 기판의 재질로서, 유리 등의 무기물과 비교하여 내열성이 낮은 열 경화성 수지, 열 가소성 수지 등의 수지 (유기물) 를 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 기판의 두께는, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판의 용도에 따라 적절히 선택되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판을 발광 소자 등에 사용하는 경우에는, 일반적으로는 50 ㎛ ∼ 5 ㎜ 의 범위 내이고, 100 ㎛ ∼ 2 ㎜ 인 것이 바람직하다.
본 발명에 관련된 투명 전극막은, 발광 소자 등에 있어서 광 취출구측의 전극으로서 사용되는 투명한 전극막이다. 이러한 투명 전극막을 구성하는 재료로서는, 전기 전도도가 높고 또한 광 투과율이 높은 투명 전극 재료가 사용되고, 예를 들어, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐·주석·옥사이드 (ITO), 인듐·아연·옥사이드, 불소 또는 안티몬을 도프한 산화주석, 알루미늄 또는 갈륨을 도프한 산화아연, 금, 백금, 은, 구리가 사용된다. 이들 중에서도, 전기 전도도 및 광 투과율의 관점에서, ITO 및 산화아연이 바람직하다.
상기 투명 전극막의 두께는, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판의 용도에 따라 적절히 선택되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판을 발광 소자 등에 사용하는 경우에는, 20 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 것이 바람직하고, 50 ㎚ ∼ 500 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다.
상기 투명 전극막의 표면 저항률은, 100 Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 50 Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하다. 투명 전극막의 표면 저항률이 높으면, 투명 전극막에 후술하는 어닐 처리를 실시하여 개질해도, 발광 소자 등에 사용하는 투명 전극막으로서 충분히 저항률이 낮은 것이 되기 어려운 경향이 있다. 또한, 표면 저항률은, JIS K 7194 에 기재된 4 심침법에 의한 저항률 시험법에 준거한 방법에 의해 측정할 수 있다.
본 발명에 관련된 투명 전극막이 부착된 기판은, 상기 기판과, 상기 기판 상에 형성된 상기 투명 전극막을 구비하는 것이다. 상기 투명 전극막이 부착된 기판은, 상기 기판 상에 상기 투명 전극막을 형성함으로써 얻을 수 있고, 이와 같이 기판 상에 투명 전극막을 형성시키는 성막법으로는, 표면 저항률이 상기 상한 이하가 되는 투명 전극막을 형성하는 것이 가능한 성막법을 채용하는 것이 바람직하다. 기판 상에 투명 전극막을 형성시키는 성막법으로는, 일반적으로, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법 (상압 CVD), 감압 화학 기상 성장법 (감압 CVD), 플라즈마 화학 기상 성장법 (플라즈마 CVD), 광 화학 기상 성장법 (광 CVD), 플라즈마 중합법, 졸-겔법, 도포 열분해법, 미립자 분산법 등이 채용되고 있는데, 본 발명에 있어서는, 얻어지는 투명 전극막의 표면 저항률의 관점에서, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법 등의 물리 기상 성장법 (PVD) 그리고 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법, 플라즈마 중합법 등의 화학 기상 성장법 (CVD) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법을 채용하는 것이 바람직하고, 스퍼터법 또는 이온 플레이팅법을 채용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시한다. 상기 어닐 처리에 사용하는 플래시 램프로서는, 램프의 플래시 광의 파장이 투명 전극 재료의 흡수 파장과 일부 중복되는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있는데, 예를 들어 투명 전극 재료로서 ITO 를 사용하는 경우에는, ITO 의 흡수 파장인 300 ∼ 400 ㎚ 의 파장 영역의 플래시 광을 발하는 램프를 사용하는 것이 필요하다. 이러한 플래시 램프로서는, 예를 들어, 크세논 램프를 들 수 있다. 또, 상기 어닐 처리를 실시할 때의 분위기는 특별히 한정되지 않지만, 아르곤, 질소 등의 불활성 가스의 분위기로 하는 것이 바람직하다.
상기 어닐 처리에 있어서의 플래시 광의 광 펄스 지속 시간은 0.1 ∼ 10 msec이고, 0.1 ∼ 1.0 msec 인 것이 바람직하다. 광 펄스 지속 시간이 짧으면, 광 펄스 지속 시간 자체의 컨트롤이 곤란해지고, 예를 들어 어닐 처리의 로트마다 저항률이 저하될 정도의 편차가 발생한다는 문제가 발생하기 쉬워지고, 한편 길면, 플래시 광에 의해 투명 전극막 이외의 부분인 기판에도 불필요한 에너지가 공급되기 때문에, 기판의 열 열화나 열 변형을 충분히 억제할 수 없다. 또, 상기 어닐 처리에 있어서의 플래시 광의 광 조사량은 2 ∼ 50 J/㎠ 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 30 J/㎠ 인 것이 보다 바람직하다. 광 조사량이 상기 범위 내인 경우에는, 투명 전극막의 저항률을 충분히 저하시키면서, 기판의 열 열화나 열 변형을 보다 충분히 억제할 수 있다. 또, 이러한 광 조사량은, 상기 광 펄스 지속 시간이나 플래시 어닐 장치의 종류 등에 따라 적절히 최적화하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 플래시 광의 광 조사량이란, 플래시 램프의 입력 에너지 (단위 : J) 를 플래시 램프가 조사되는 면적 (단위 : ㎠) 으로 나눈 값을 말한다.
또, 상기 어닐 처리를 실시했을 때에는, 상기 투명 전극막은 통상 150 ∼ 600 ℃ 로 가열된다. 상기 어닐 처리에 있어서는, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서 투명 전극막을 개질한다는 관점에서, 투명 전극막의 온도는 200 ∼ 300 ℃ 가 되도록, 광 펄스 지속 시간이나 광 조사량을 조정하는 것이 바람직하다.
이러한 어닐 처리를 실시한 개질 후의 투명 전극막의 표면 저항률은, 30 Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 10 Ω/□이하인 것이 보다 바람직하다. 개질 후의 투명 전극막의 표면 저항률이 이와 같이 낮은 것은, 발광 소자 등에 사용하는 투명 전극막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서는, 개질 후의 투명 전극막의 표면 저항률이, 개질 전의 투명 전극막의 표면 저항률의 1 / 2 이하의 값으로 되어 있는 것이 바람직하다.
이상 설명한 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법 및 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법에 의하면, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서, 투명 전극막의 저항률을 단시간에 효율적으로 저하시키는 것이 가능해진다. 또, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법은, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서, 투명 전극막을 개질 할 수 있기 때문에, 유리 등의 무기물과 비교하여 내열성이 낮은 열 경화성 수지, 열 가소성 수지 등의 수지 (유기질) 로 이루어지는 기판을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판의 개질 방법으로서 특히 바람직한 방법이다. 또한, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법 및 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법에 의해 얻어지는 투명 전극막이 부착된 기판은, 저항률이 낮은 투명 전극막을 구비하는 것이기 때문에, 기판과, 배리어층과 투명 전극 재료로 이루어지는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 형성된 적어도 1 층의 발광층을 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 소자 (유기 EL 소자) 에 사용하는 투명 전극막이 부착된 기판으로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 투명 전극막의 표면 저항률은 이하의 방법에 의해 측정하였다.
(i) 표면 저항률
JIS K 7194 에 기재된 4 심침법에 의한 저항률 시험법에 준거하고, 표면 저항 측정기 (미츠비시 화학사 제조, 제품명「Lresta GP MCP-T610」) 를 사용하여, 투명 전극막의 표면 저항률 (단위 : Ω／□) 을 측정하였다.
(실시예 1)
기판 (재질 : 유리, 두께 : 0.7 ㎜) 을 스퍼터 장치 내 (FTS 코포레이션사 제조, 제품명「FTS 대향 스퍼터 장치」) 에 도입하고, 기판의 표면 상에 스퍼터법에 의해, 이하에 나타내는 조건에서 투명 전극막 (재질：ITO, 두께 : 150 ㎚) 을 형성하여, 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 얻어진 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 51.7 Ω／□ 이었다.
성막 압력 : 0.5 ㎩
Ar 유량 : 40 scc/m
산소 유량 : 0.5 scc/m
투입 전력 : DC 1 ㎾
성막 레이트 : 11 ㎚/m
타깃 : ITO (10 질량％ SnO2).
다음으로, 얻어진 투명 전극막이 부착된 기판의 투명 전극막의 표면에, 우시오 전기 사 제조의 플래시 어닐 장치를 사용하여, 플래시 광을 조사하고, 투명 전극막에 플래시 램프에 의한 어닐 처리를 실시하여, 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 또한, 어닐 처리에 있어서의 플래시 광의 광 펄스 지속 시간은 0.2 msec 였다. 또, 어닐 처리에 사용한 플래시 광의 광 조사량은 5 J/㎠ 였다. 어닐 처리에 사용한 플래시 램프의 발광 스펙트럼을 도 1 에 나타낸다.
개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률을 측정한 결과, 18.4 Ω／□ 였다. 따라서, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법에 의하면, 단시간의 어닐 처리에 의해, 투명 전극막의 표면 저항률을 충분히 저하시킬 수 있는 것이 확인되었다.
(비교예 1)
투명 전극막이 부착된 기판에, 야마토 화학사 제조의 클린 오븐을 사용하여, 가열 온도 230 ℃ 로서 1 시간의 가열로에 의한 어닐 처리를 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 15.0 Ω／□ 이어서, 어닐 처리에 의해 투명 전극막의 표면 저항률을 충분히 저하시킬 수 있었지만, 어닐 처리의 처리 시간은 1 시간이라는 장시간이었다.
(비교예 2)
투명 전극막이 부착된 기판에, 야마토 화학사 제조의 클린 오븐을 사용하여, 가열 온도 230 ℃ 로서 20 분간의 가열로에 의한 어닐 처리를 실시한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 28.8 Ω／□ 이어서, 어닐 처리에 의해 투명 전극막의 표면 저항률을 충분히 저하시킬 수 없었다.
(실시예 2)
기판 (재질 : 유리, 두께 : 0.7 mm) 대신에, 수지로 이루어지는 기판 (재질 : 폴리에틸렌나프탈레이트, 두께 : 125 ㎛) 을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 투명 전극막이 부착된 기판, 그리고 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 개질 전의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 53.2 Ω／□ 이었다. 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 18.4 Ω／□ 이고 또 수지로 이루어지는 기판에 변형이나 변색은 없었다. 따라서, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법에 의하면, 단시간의 어닐 처리에 의해, 투명 전극막의 표면 저항률을 충분히 저하시킬 수 있는 것이 확인되었다. 또, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법은, 유리와 비교하여 내열성이 낮은 수지로 이루어지는 기판을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서도 채용할 수 있는 것이 확인되었다.
(비교예 3)
투명 전극막이 부착된 기판에, 야마토 화학사 제조의 클린 오븐을 사용하여, 가열 온도 230 ℃ 로서 1 시간의 가열로에 의한 어닐 처리를 실시한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여, 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판을 얻었다. 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 표면 저항률은 15.0 Ω／□ 이어서, 어닐 처리에 의해 투명 전극막의 표면 저항률을 충분히 저하시킬 수 있었지만, 개질 후의 투명 전극막이 부착된 기판의 외관을 육안으로 관찰한 결과, 수지로 이루어지는 기판에 열에 의한 변형 및 변색이 발생한 것이 확인되었다.
산업상 이용가능성
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법에 있어서, 기판의 열 열화나 열 변형을 억제하면서, 투명 전극막의 저항률을 단시간에 효율적으로 저하시키는 것이 가능한 투명 전극막의 개질 방법, 그리고 그 방법을 사용한 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
따라서, 본 발명의 투명 전극막의 개질 방법은, 발광 소자 등에 사용되는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막을 개질하여 그 저항률을 저하시키는 방법으로서 유용하다.

Claims (7)

  1. 기판과, 상기 기판 상에 형성된 투명 전극막을 구비하는 투명 전극막이 부착된 기판에 있어서의 투명 전극막의 개질 방법으로서,
    상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 투명 전극막의 개질 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 어닐 처리에 있어서의 광 조사량이 2 ∼ 50 J/㎠ 인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 전극막이, 인듐·주석·옥사이드 및 산화아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 투명 전극 재료로 이루어지는 것인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 전극막이, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법 및 플라즈마 중합법으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법에 의해 상기 기판 상에 형성된 것인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 기판 상에, 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, 이온 빔법, 상압 화학 기상 성장법, 감압 화학 기상 성장법, 플라즈마 화학 기상 성장법, 광 화학 기상 성장법 및 플라즈마 중합법으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성막법에 의해 투명 전극막을 형성하는 공정과,
    상기 투명 전극막에 플래시 램프를 사용하여 광 펄스 지속 시간이 0.1 ∼ 10 msec 인 플래시 광을 조사하여 상기 투명 전극막을 가열함으로써 어닐 처리를 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극막이 부착된 기판의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 어닐 처리에 있어서의 광 조사량이 2 ∼ 50 J/㎠ 인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 투명 전극막이, 인듐·주석·옥사이드 및 산화아연으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 투명 전극 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
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