JP2013229242A - 構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化インジウムや酸化インジウムスズを主成分として含有する材料を用いて、スパッタリング法やCVD法により、基材上に複数の導電膜(第一導電膜、第二導電膜)によって構成される多層膜を形成してなる構造体の製造方法であって、多層膜を形成した後に、基材と導電膜からなる構造体に対して低い温度(150℃以下)でアニール処理を行うことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
[構造体の構成]
本発明の第一実施形態に係る構造体の製造方法によって製造される構造体100の構成について、図1を用いて説明する。図1は、構造体100の構成を示す要部断面図である。構造体100は、第一基板101と、第二基板102と、第一導電膜(導電膜)103と、第二導電膜(導電膜)104とで構成されている。
図1に示した構造体100の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、構造体100の製造方法に含まれる工程のフローを示している。
図1に示した構造体100の製造装置10の構成例について、図3を用いて説明する。図3は、少なくとも導電膜104の形成に用いることが可能な、製造装置10の要部断面を模式的に示した図である。
(実験例1)
上述した構造体の製造方法を用いて行った実験例1について説明する。実験例1は、第三工程にて行うアニール処理中の雰囲気、第三工程後の構造体の構成を、相互に変えた条件にて製造したサンプル(サンプル1〜3)に対し、電気的な特性を評価したものである。いずれのサンプルに対しても、第三工程にて行うアニール処理の温度は、150[℃]以下となるように調整した。
上述した構造体の製造方法により、形成したサンプルに対して行った実験例2について説明する。実験例2は、実験例1として用いたのと同じサンプル1〜3に対して行った、X線回折の実験結果を評価したものである。図4(b)のグラフは、第三工程を経た第二導電膜に対して行った、X線回折の実験の結果を示している。グラフの横軸は第二導電膜に対するX線の入射角を示し、縦軸は第二導電膜によるX線の回折強度を示している。X線を入射させた際に、サンプル3の第二導電膜は、いずれの入射角においても回折強度のピークが見られないのに対し、サンプル1、2の第二導電膜は、特定の入射角において回折強度のピークが見られた。これらの実験結果の比較から、第三工程のアニール処理の温度を150[℃]以下として形成した場合、基板に直接形成した第二導電膜は結晶化しないが、基板との間に下地膜を挟んで形成した第二導電膜は結晶化することが分かった。
上述した構造体の製造方法により、形成したサンプルに対して行った実験例3について説明する。実験例3は、実験例1として用いたのと同じサンプル1〜3に対して行った、光の透過度に関する実験結果を評価したものである。
上述した構造体の製造方法を用いて行った実験例4について、図6(a)、(b)を用いて説明する。図6(a)は、第一工程において形成する第一導電膜(In2O3)の膜厚を0、10、20、40、70、150[Å]として、第三工程まで行ったサンプルに対し、第二導電膜(ITO)の電気的な特性を評価するグラフである。図6(b)は、図6(a)のグラフのうち、膜厚の薄い領域の部分R2を拡大したものである。いずれのグラフにおいても、横軸は第一導電膜の膜厚を示し、縦軸は第一導電膜のシート抵抗を示している。いずれのサンプルに対しても、第三工程にて行うアニール処理の温度は、150[℃]以下となるように調整した。
14・・・搬送する手段、15・・・支持手段、16・・・カソード、
17a、17b・・・ターゲット、18a、18b・・・制御手段、
19a、19b、19c・・・仕切り部材、20a、20b・・・開閉手段、
100・・・構造体、101・・・第一基板、101a・・・一方の主面、
102・・・第二基板、102a・・・一方の主面、102b・・・他方の主面、
103・・・第一導電膜、104・・・第二導電膜、A、B、C・・・空間。
Claims (1)
- 基材上に、複数の導電膜によって構成される多層膜を形成してなる構造体の製造方法であって、
前記多層膜を形成した後に、前記構造体に対して低い温度でアニール処理を行う、ことを特徴とする構造体の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012101640A JP2013229242A (ja) | 2012-04-26 | 2012-04-26 | 構造体の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015127443A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 株式会社アルバック | 透明導電膜の製造方法、透明導電膜の製造装置、並びに透明導電膜 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008071531A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを備えたタッチパネル |
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2012
- 2012-04-26 JP JP2012101640A patent/JP2013229242A/ja active Pending
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