JP2013140684A - アニール方法、膜製造方法、アニール装置および膜製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】短時間でアニール処理をさせることができるアニール方法を提供する。
【解決手段】基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱してアニール処理を実施するアニール方法は、アニール室４１の内部の気体を外部に排出する排気工程と、アニール室４１の内部において透明導電膜１６を所定のアニール温度で加熱する加熱工程と、を備えている。さらに、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整する水蒸気調整工程が実行される。
【選択図】図４

Description

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法およびアニール装置に関する。また本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法および膜製造装置に関する。

導電性を有しながら透光性を示す透明導電膜、例えばインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯ）からなる透明導電膜は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置における透明電極や、タッチパネルセンサにおける検出用の透明導電パターンなどとして利用されている。透明導電膜は、不純物の少ない高品質の膜を得るため、一般に、真空環境下で成膜される。

透明電極や透明導電パターンの特性を高めるため、透明導電膜の電気抵抗率を低くすることや、透明導電膜の耐薬品性を高めることが期待されている。ここで耐薬品性とは、透明導電膜を溶解させることを意図していない薬品に対して透明導電膜が曝される場合の、透明導電膜の溶解のし難さのことである。透明導電膜の電気抵抗率や耐薬品性を決定する要因の１つとして、透明導電膜の結晶状態が挙げられる。例えば、多結晶状態の場合の方が、アモルファス状態の場合に比べて、インジウム錫酸化物などの透明導電膜の電気抵抗率が低くなるとともに耐薬品性が高くなることが知られている。このような特性を考慮して、特許文献１においては、基材上に成膜されたＩＴＯ膜に対して１８０℃以上かつ１時間以上のアニール処理を施し、これによって、多結晶状態のＩＴＯ膜を得ることが提案されている。

特開２００３−１６８５８号公報

透明導電膜を支持するための基材の種類は、表示装置やタッチパネルセンサ全体として求められる特性や、取り扱いの容易さなどを考慮して適宜選択される。ところで、様々な特性を検討した結果、耐熱性の低い基材が選択されることがある。この場合、成膜処理やアニール処理の際の温度が基材の耐熱温度によって制限されることになる。一般にアニール処理において、多結晶状態を得るために要する時間、すなわち結晶化に要する時間は、温度が低くなるほど長くなる。このため、耐熱性の低い基材が用いられる場合、アニール処理に要する時間が長くなり、この結果、生産効率が低くなってしまう。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るアニール方法およびアニール装置を提供することを目的とする。また本発明は、当該アニール方法を備えた膜製造方法、および当該アニール装置を備えた膜製造装置を提供することを目的とする。

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法において、アニール室の内部の気体を外部に排出する排気工程と、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整する水蒸気調整工程と、前記アニール室の内部において前記透明導電膜を所定のアニール温度で加熱する加熱工程と、を備えたことを特徴とするアニール方法である。

本発明によるアニール方法の前記水蒸気調整工程において、前記アニール室の内部の水蒸気分圧が１〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内に調整されてもよい。

本発明によるアニール方法において、好ましくは、前記アニール温度が、８０〜１２０度の範囲内となっている。

本発明によるアニール方法において、前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部の水蒸気の捕捉量を調整する水蒸気捕捉工程と、を含んでいてもよい。

本発明によるアニール方法において、前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給工程と、を含んでいてもよい。

本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法において、前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜工程と、前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール工程と、を備え、前記アニール工程は、上記記載のアニール方法からなることを特徴とする膜製造方法である。

本発明による膜製造方法において、前記成膜工程は、成膜処理が実施される成膜室と、前記成膜室の内部の気体を外部に排出する成膜用排気機構と、を有する成膜装置によって実行され、前記アニール工程は、アニール処理が実施されるアニール室を有するアニール装置によって実行されてもよい。この場合、好ましくは、前記基材フィルムが前記成膜装置の前記成膜室から前記アニール装置の前記アニール室に至るまでの間、前記基材フィルムの周囲の雰囲気が真空状態に保たれている

本発明による膜製造方法において、前記アニール装置は、前記成膜装置の前記成膜室の内部でアニール処理を実施するよう構成されていてもよい。

本発明は、基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置において、アニール処理が実施されるアニール室と、前記アニール室の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構と、
前記アニール室の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整する水蒸気調整機構と、前記アニール室の内部に設けられ、所定のアニール温度で前記透明導電膜を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とするアニール装置である。

本発明は、基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造装置において、前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜処理を実施する成膜装置と、前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置と、を備え、前記アニール装置は、上記記載のアニール装置からなることを特徴とする膜製造装置である。

本発明によれば、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室において、水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａ以上に維持されている。これによって、基材フィルム上に設けられた透明導電膜の結晶化を促進することができ、このため、アニール処理の温度が低い場合であっても、多結晶状態の透明導電膜を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルムが用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜を製造することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態における膜製造装置を示す図。 図２は、図１に示す膜製造装置の巻出装置を示す図。 図３は、図１に示す膜製造装置の成膜装置を示す図。 図４は、図１に示す膜製造装置のアニール装置を示す図。 図５は、図１に示す膜製造装置の巻取装置を示す図。 図６は、図３に示す成膜装置の水蒸気供給部を示す図。 図７は、図４に示すアニール装置の加熱機構を示す断面図。 図８は、膜製造装置により製造された透明導電膜を含む積層体を示す断面図。 図９は、図８に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す平面図。 図１０は、図８に示す積層体をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサを示す断面図。 図１１は、比較の形態における膜製造装置を示す図。 図１２は、アニール装置の加熱機構の変形例を示す図。 図１３Ａは、図１２に示すシート加熱手段の一例を示す断面図。 図１３Ｂは、図１２に示すシート加熱手段のその他の例を示す断面図。 図１４は、積層体の変形例を示す断面図。 図１５は、タッチパネルセンサの変形例を示す断面図。 図１６は、本発明の第２の実施の形態における膜製造装置を示す図。 図１７は、図１６に示す膜製造装置の成膜装置およびアニール装置を示す図。

第１の実施の形態
以下、図１乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。はじめに図８を参照して、本実施の形態において製造される、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を含む積層体１８について説明する。

積層体
図８は、積層体１８を示す断面図である。図８に示すように、積層体１８は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に形成された高屈折率膜１４と、高屈折率膜１４上に形成された低屈折率膜１５と、低屈折率膜１５上に形成された透明導電膜１６と、を含んでいる。以下、基材フィルム１１、高屈折率膜１４、低屈折率膜１５および透明導電膜１６についてそれぞれ説明する。

（基材フィルム）
本実施の形態においては、基材フィルム１１として、高い透光性を有する一方で、耐熱性が低く、このため高い熱負荷をかけることができないフィルムが用いられる。例えば、線膨張係数が大きく、このため高温環境下、例えば１５０℃以上の環境下に置くことができない非晶質ポリマーからなる合成樹脂層１２を含むフィルムが用いられる。このような非晶質ポリマーとしては、例えばシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。特にシクロオレフィンポリマーは、高い透光性とともに低い吸湿性が実現されているため、好ましく用いられる。非晶質ポリマーからなる合成樹脂層１２の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。

なお図８に示すように、基材フィルム１１は、合成樹脂層１２上に設けられたハードコート層１３をさらに含んでいてもよい。ハードコート層１３は、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体（オリゴマー）が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。ハードコート層１３としては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。このようなハードコート層１３は、基材フィルム１１の片側にのみ形成されていてもよく、若しくは図８に示すように、基材フィルム１１の両側に形成されていてもよい。ハードコート層１３の厚みは、例えば０．１〜１０μｍの範囲内となっている。

（高屈折率膜および低屈折率膜）
高屈折率膜１４は、透明導電膜１６を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される膜であり、一方、低屈折率膜１５は、透明導電膜１６を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される膜である。このような高屈折率膜１４および低屈折率膜１５を基材フィルム１１と透明導電膜１６との間に設けることにより、積層体１８における光の透過率や反射率を調整することができる。例えば、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５は、後述するように積層体１８の透明導電膜１６がパターニングされてタッチパネルセンサの透明導電パターンとなる場合に、透明導電パターンが設けられている領域と設けられていない領域との間の光の透過率および反射率の差を小さくするためのインデックスマッチング層として機能することができる。

高屈折率膜１４を構成する材料としては、透明導電膜１６を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化ニオブが用いられる。低屈折率膜１５を構成する材料としては、透明導電膜１６を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料であれば特に限定はされないが、例えば酸化珪素が用いられる。高屈折率膜１４および低屈折率膜１５の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。

なお本実施の形態においては、上述の高屈折率膜１４および低屈折率膜１５が積層体１８に含まれている例について説明するが、しかしながら、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５は必ずしも設けられていなくてもよい。この場合、基材フィルム１１上に透明導電膜１６が設けられる。

（透明導電膜）
透明導電膜１６を構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物が用いられる。本実施の形態および後述する実施例においては、透明導電膜１６を構成する材料としてＩＴＯが用いられる場合について説明する。透明導電膜１６の厚みは、透明電極または透明導電パターンにおける電気抵抗の仕様などに応じて適宜設定されるが、例えば１８〜５０ｎｍの範囲内となっている。

次に図１乃至図７を参照して、真空雰囲気の下で基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成するための膜製造装置１０について説明する。はじめに図１を参照して、膜製造装置１０全体について説明する。

膜製造装置
図１に示すように、膜製造装置１０は、基材フィルム１１を巻き出す巻出装置２０と、基材フィルム１１上に透明導電膜１６などの膜を設ける成膜装置３０と、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱してアニール処理を実施するアニール装置４０と、基材フィルム１１および基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６などの膜を含む積層体１８を巻き取る巻取装置５０と、を備えている。以下、基材フィルム１１および各装置２０，３０，４０，５０について、図２乃至図７を参照してそれぞれ説明する。

（巻出装置）
図２は、巻出装置２０を示す図である。図２に示すように、巻出装置２０は、回転自在に設けられ、基材フィルム１１が巻き付けられたシャフト２１と、シャフト２１から巻き出された基材フィルム１１を成膜装置３０に向けて案内するガイドローラー２９と、基材フィルム１１に沿って設けられ、基材フィルム１１を加熱する加熱機構２２と、を備えている。巻出装置２０においては、シャフト２１から巻き出された基材フィルム１１を加熱機構２２によって加熱することにより、基材フィルム１１に付着している水分や油分などの不純物を蒸発または昇華させ、これによって不純物を基材フィルム１１から取り除くことができる。すなわち、いわゆる脱ガス処理を実施することができる。

脱ガス処理の際の加熱温度は、基材フィルム１１を構成する材料の特性が大きく変化しないような温度である限り特に限定されないが、例えば５０〜１２０℃の範囲内となっている。脱ガス処理を実施するための加熱機構２２の具体的な構成は特に限定されないが、例えば図２に示すように、搬送されている基材フィルム１１に沿って基材フィルム１１の両側に設けられた一対のヒーター２３によって加熱機構２２が構成されている。

図２に示すように、巻出装置２０は、巻出装置２０内の気体を外部に排出する排気手段２４をさらに備えている。これによって、基材フィルム１１から発生した気体を迅速に外部に排出することができ、このことにより、脱ガス処理を効率良く実施することができる。また図２に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブロードロックバルブ２５が設けられていてもよい。これによって、基材フィルム１１の巻回体を巻出装置２０内に搬入するために巻出装置２０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。

（成膜装置）
次に、巻出装置２０の下流側に設けられた成膜装置３０について説明する。成膜装置３０による成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤやイオンプレーティングなど様々な方法が採用され得るが、ここでは、成膜方法としてスパッタリングが用いられる例について図３を参照して説明する。

図３に示すように、成膜装置３０は、成膜処理が実施される成膜室３６と、基材フィルム１１が巻き付けられて搬送される成膜用搬送ドラム３８と、搬送される基材フィルム１１を案内するガイドローラー３９と、成膜室３６の内部の気体を外部に排出する成膜用真空排気機構３７と、搬送されている基材フィルム１１に対向するよう設けられ、基材フィルム１１上に設けられる膜の原料となるターゲットと、を備えている。図３に示す例においては、ターゲットとして、高屈折率膜１４の原料となる酸化ニオブからなる第１ターゲット３１ａ、低屈折率膜１５の原料となる珪素からなる第２ターゲット３２ａおよび第３ターゲット３３ａ、および、透明導電膜１６の原料となるＩＴＯからなる第４ターゲット３４ａが設けられている。なお低屈折率膜１５は高屈折率膜１４や透明導電膜１６に比べて概して厚い膜となっており、このため、２つのターゲット３２ａ，３３ａが用いられている。このような成膜装置３０においては、はじめに成膜用真空排気機構３７によって成膜室３６の内部の気体を外部に排出し、これによって、成膜室３６内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって成膜室３６内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置によってターゲットに放電電力を印加する。これによって、各ターゲットの材料からなる膜を基材フィルム１１上に設けることができる。

図３に示すように、成膜装置３０の成膜室３６は、隔壁３６ａによって、第１ターゲット３１ａを含む第１領域３１と、第２ターゲット３２ａを含む第２領域３２と、第３ターゲット３３ａを含む第３領域３３と、第４ターゲット３４ａを含む第４領域３４と、その他の第５領域３５と、に区画されていてもよい。また図３に示すように、成膜用真空排気機構３７は、各領域３１〜３５にそれぞれ接続され、各領域３１〜３５の内部の気体を外部に排出する排気手段３１ｂ〜３５ｂを含んでいてもよい。これによって、ターゲットごとにターゲットの周囲の雰囲気（真空度など）を調整することができ、このことにより、ターゲットごとに最適化された条件の下でスパッタリングを実施することができる。

なお図３に示す例において、成膜用搬送ドラム３８は、その表面が所定の成膜温度に調整されたものであってもよい。これによって、最適な温度条件下で基材フィルム１１上に各種の膜１４，１５，１６を成膜することができる。成膜用搬送ドラム３８の表面を所定の成膜温度に調整するための具体的な構成が特に限られることはなく、例えば図示はしないが、成膜用搬送ドラム３８の内部に設けられ、オイルなどの所定の温度媒体を循環させる媒体循環路と、温度媒体を成膜温度に調整する媒体調整手段とが用いられる。成膜温度は、基材フィルム１１の耐熱性や、基材フィルム１１上に設けられる各膜１４，１５，１６の特性に応じて適宜設定されるが、例えば−２０〜５０℃の範囲内に設定される。

なお上述のように、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５は必ずしも積層体１８に含まれていなくてもよい。従って、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５が基材フィルム１１上に形成されない場合もある。この場合、成膜装置３０の成膜室３６には、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５に関連する領域やターゲットなどが設けられていなくてもよい。すなわち、成膜装置３０の成膜室３６には、ＩＴＯのスパッタリングを実施するための領域およびそれに関連するターゲットや様々な手段が少なくとも設けられていればよい。この場合、ＩＴＯのスパッタリングを実施するための領域およびそれに関連するターゲットは、成膜装置３０の任意の場所に設けられ得る。

次に、ＩＴＯのスパッタリングを実施するための第４領域３４の構成について特に説明する。図３に示すように、第４領域３４内には、第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の周囲の雰囲気に水蒸気を供給する水蒸気供給部３４ｅと、第４領域３４の水蒸気分圧を測定する測定部３４ｃと、が設けられている。この場合、水蒸気供給部３４ｅは、測定部３４ｃによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて、制御部３４ｄにより制御されてもよい。

従来、ＩＴＯの成膜処理において、雰囲気の水蒸気分圧を制御することによって、成膜されるＩＴＯの結晶状態を制御できることが知られている。例えば、成膜処理時の水蒸気分圧が非常に小さい場合、微細な結晶粒からなる多結晶状態のＩＴＯ膜が得られ、また、水蒸気分圧を大きくするにつれて、得られる結晶粒が大きくなることが知られている。また、成膜処理時の水蒸気分圧をさらに大きくすると、アモルファス状態のＩＴＯ膜が得られることが知られている。ここで本実施の形態によれば、上述の測定部３４ｃ、制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅを用いることにより、成膜処理時の第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の周囲の水蒸気分圧を所望の値に調整することができる。このことにより、基材フィルム１１に設けられる、ＩＴＯからなる透明導電膜１６の結晶状態を制御することができる。

水蒸気供給部３４ｅの具体的な構成は特に限られないが、例えば図６に示すように、水蒸気供給部３４ｅは、所定の蒸気圧で水蒸気が充填された供給タンク３４ｈと、バルブ３４ｉを介して供給タンク３４ｈに接続され、第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の近傍まで延びる水蒸気供給管３４ｆと、を有していてもよい。水蒸気供給管３４ｆには、図６に示すように、水蒸気供給管３４ｆ内の水蒸気を吐出する複数の開口部３４ｇが形成されており、これによって、第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の周囲の雰囲気に、圧力が調整された水蒸気を供給することができる。なお図６において一点鎖線で示すように、アルゴンなどの不活性ガスが所定の圧力で充填されたガスタンク３４ｊがバルブ３４ｋを介して水蒸気供給管３４ｆにさらに接続されていてもよい。これによって、水蒸気とともに不活性ガスを第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の周囲の雰囲気に供給することができる。

また図示はしないが、成膜室３６の各領域３１〜３４において成膜される膜１４〜１６の原料となり得る成分を含むガス、例えば酸素ガスを各領域３１〜３４のターゲット３１ａ〜３４ａおよび基材フィルム１１の周囲に供給するガス供給機構がさらに設けられていてもよい。これによって、成膜条件のさらなる調整を行うことができ、このことにより、より効率的に高品質の膜１４〜１６を得ることができる。各領域３１〜３４にガスを供給する方法は特には限られないが、例えば第４領域３４に酸素ガスを供給する場合、酸素ガスを供給するタンクを上述の水蒸気供給管３４ｆにさらに接続することによって、酸素ガスを第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の周囲に供給してもよい。

（アニール装置）
次に図４を参照して、成膜装置３０の下流側に設けられたアニール装置４０について説明する。図４に示すように、アニール装置４０は、アニール処理が実施されるアニール室４１と、搬送される基材フィルム１１を案内するガイドローラー４９と、アニール室４１の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構４２と、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整する水蒸気調整機構４４と、アニール室４１の内部に設けられ、所定のアニール温度で透明導電膜１６を加熱する加熱機構４５と、を備えている。図示はしないが、アニール処理中にアルゴンなどの不活性ガスをアニール室４１内に導入する不活性ガス供給装置がアニール装置４０に設けられていてもよい。なおアニール装置４０および上述の成膜装置３０は、基材フィルム１１が成膜装置３０の成膜室３１からアニール装置４０のアニール室４１に至るまでの間、基材フィルム１１の周囲の雰囲気が真空状態に保たれるよう構成されている。このため、真空状態の中で上述の成膜処理および後述するアニール処理を連続して実施することができる。

本件発明者らが鋭意実験を重ねたところ、一例として後述する実施例での実験結果で支持されているように、アニール処理の際にアニール室４１の内部に存在する水蒸気が、アニール後の透明導電膜１６の特性に大きな影響を及ぼすことを見出した。具体的には、アニール処理の際にアニール室４１の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整することにより、８０〜１２０℃の範囲内の低いアニール温度であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で得ることができる、ということを見出した。このような効果は、従来の技術水準からは予測され得ない効果であると考える。

以下、アニール装置４０の各構成要素について説明する。

アニール用真空排気機構４２としては、アニール処理の前にアニール室４１の内部の気体をいったん外部に排出してアニール室４１の内部雰囲気を真空状態にするための真空ポンプなどが用いられる。アニール用真空排気機構４２としては、アニール処理の際に不純物が透明導電膜１６に不適切に添加されないような真空度を達成することができるアニール用真空排気機構４２が用いられるが、例えば、アニール室４１の内部の全圧を１×１０^−３Ｐａ以下にすることができるアニール用真空排気機構４２が用いられる。以下の記述において、アニール室４１内において水蒸気以外の気体による圧力が１×１０^−３Ｐａ以下となっている状態を、アニール装置４０における「真空状態」と称する。なお、所望の真空度を達成するために用いられる真空ポンプの台数や種類が限られることはなく、複数の真空ポンプが組み合わせて用いられ得る。

水蒸気調整手段４４は、図４に示すように、アニール室４１の内部の水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部４４ｃと、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を測定する測定部４４ａと、を含んでいる。水蒸気捕捉部４４ｃは、アニール室４１の内部の水蒸気分圧が例えば１×１０^−４Ｐａ以上となるよう、より好ましくは３×１０^−４Ｐａ以上となるよう、測定部４４ａによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて、制御部４４ｂにより制御される。なお本実施の形態において、アニール処理の際の適切な水蒸気分圧に関して、下限の値だけでなく上限の値が定められていてもよい。例えば、水蒸気捕捉部４４ｃは、アニール室４１の内部の水蒸気分圧が４０×１０^−４Ｐａ以下となるよう、より好ましくは１０×１０^−４Ｐａ以下となるよう、制御部４４ｂにより制御されてもよい。

水蒸気捕捉部４４ｃの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば水蒸気捕捉部４４ｃは、水蒸気を凝縮させ得る程度の温度に調整された低温面を有するクライオパネルからなっている。クライオパネルは、図示はしないが、冷凍機によって所定の温度に冷却された低温パネルを含んでおり、この低温パネルによってアニール室４１の内部に存在する気体を凝縮させることにより、気体が捕捉される。なお水蒸気は、酸素、窒素やアルゴンなどの気体に比べて比較的高温で凝縮する。このため、クライオパネルの低温パネルの温度を、酸素、窒素やアルゴンなどの気体は凝縮しないが水蒸気は凝縮する温度に調整することによって、アニール室４１の内部に存在する気体のうち水蒸気のみを選択的に捕捉することができる。従って、クライオパネルの低温パネルの温度を適宜調整することにより、アニール室４１の内部に存在する水蒸気のうち低温パネルに捕捉される水蒸気の量（捕捉量）を調整することができ、これによって、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を所望の値に調整することができる。

水蒸気分圧を測定する測定部４４ａの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば測定部４４ａは、真空中に存在する気体の種類および各気体の圧力を計測する四重極ガス分析装置からなっている。

加熱機構４５の具体的な構成は、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を均一に加熱することができる限りにおいて特に限定されるものではない。例えば加熱機構４５は、成膜装置３０の場合と同様に、基材フィルム１１が巻き付けられるアニール用搬送ドラム４６であって、その表面が所定のアニール温度に加熱されたアニール用搬送ドラム４６を有している。アニール用搬送ドラム４６の表面を加熱するための具体的な構成が特に限られることはない。例えば図７に示すように、アニール用搬送ドラム４６が表面部分４６ａと中空部分４６ｂとからなる場合、アニール用搬送ドラム４６の表面部分４６ａを内側から加熱するドラム加熱手段４７が設けられていてもよい。ドラム加熱手段４７は、例えば、表面部分４６ａに隣接して設けられ、熱媒４７ｂを循環させる熱媒循環路４７ａと、熱媒４７ｂをアニール温度に加熱する熱媒加熱手段（図示せず）と、を含んでいる。その他、ドラム加熱手段４７として、アニール用搬送ドラム４６の内部に設けられた電熱線ヒーターなどが用いられてもよい。

（巻取装置）
次に図５を参照して、巻取装置５０について説明する。巻取装置５０は、回転自在に設けられ、基材フィルム１１および透明導電膜１６などの膜を含む積層体１８を巻き取るシャフト５１と、シャフト５１に向けて搬送される基材フィルム１１を案内するガイドローラー５９と、を備えている。また図５に示すように、巻取装置５０の内部を真空状態に保つための排気手段５２が設けられていてもよい。

また、シャフト５１近傍に、図５に示すニアローラー５３が設けられていてもよい。ニアローラー５３は、シャフト５１に巻き取られている積層体１８の最外面と、ニアローラー５３のうちシャフト５１に対向する面との間の距離が、積層体１８の厚みよりもわずかに大きくなるよう構成されている。なお、シャフト５１に巻き取られている積層体１８の最外面の位置は、積層体１８の巻き数が増えるにつれて変化する。この変化に対応するよう、ニアローラー５３は移動可能に構成されている。このため、積層体１８の巻き数に依らず、シャフト５１に巻き取られている積層体１８の最外面とニアローラー５３との間の距離を常に一定に保つことができる。このようなニアローラー５３を設けることにより、シャフト５１に巻き取られる際の基材フィルム１１にしわなどの凹凸が生じることを防ぐことができ、これによって、シャフト５１に巻き取られている基材フィルム１１同士が密着してしまう、いわゆるブロッキングが生じることを防ぐことができる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６を含む積層体１８の製造方法について説明する。次に、積層体１８をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。

積層体の製造方法
（脱ガス工程）
はじめに、巻出装置２０において、基材フィルム１１が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、成膜装置３０に向けて基材フィルム１１を巻き出す。このとき、加熱機構２２によって基材フィルム１１を８０〜１２０℃で加熱するとともに、排気手段２４によって巻出装置２０内の気体を外部に排出する。これによって、基材フィルム１１に付着している水分や油分などの不純物が取り除かれる。

（成膜工程）
次に、成膜装置３０によって、基材フィルム１１上に所望の膜を設ける成膜処理を実施する。成膜処理においては、はじめに、第１領域３１において、スパッタリングによって、第１ターゲット３１ａを構成する原子を基材フィルム１１上に付着させる。これによって、第１ターゲット３１ａを構成する酸化ニオブからなる高屈折率膜１４が基材フィルム１１上に設けられる。次に、第２領域３２および第３領域３３において、スパッタリングによって、第２ターゲット３２ａおよび第３ターゲット３３ａを構成する原子を基材フィルム１１上に付着させる。これによって、第２ターゲット３２ａおよび第３ターゲット３３ａを構成する珪素からなる低屈折率膜１５が高屈折率膜１４上に設けられる。なお、スパッタリングの際の放電電力や放電時間、不活性ガスの分圧などの条件は、所望の膜厚や成膜用搬送ドラム３８の回転速度などに応じて適宜設定される。

その後、第４領域３４において、スパッタリングによって、第４ターゲット３４ａを構成する原子を低屈折率膜１５上に付着させる。この場合、はじめに排気手段３４ｂによって第４領域３４の内部の気体を外部に排出し、これによって、第４領域３４内を真空状態とする。次に、不活性ガス供給装置（図示せず）によって第４領域３４内にアルゴンなどの不活性ガスを導入し、その後、放電装置（図示せず）によって第４ターゲット３４ａに放電電力を印加する。これによって、ＩＴＯなどの透明導電性材料からなる透明導電膜１６を低屈折率膜１５上に設けることができる。

好ましくは、透明導電膜１６の成膜工程の際、成膜用搬送ドラム３８によって基材フィルム１１が所定の成膜温度、例えば−２０〜５０℃に調整される。

また好ましくは、透明導電膜１６の成膜工程の際、水蒸気供給部３４ｅによって第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の近傍に水蒸気を例えば数ｓｃｃｍで供給する。また、第４ターゲット３４ａおよび基材フィルム１１の近傍に、透明導電膜１６の原料となり得る成分を含むガス、例えば酸素ガスをさらに供給してもよい。これによって、成膜条件の最適化を行うことができ、このことにより、より効率的に高品質の透明導電膜１６を得ることができる。この際の水蒸気分圧の値は、例えば３〜１０×１０^−４Ｐａの範囲内となっている。

（アニール工程）
次に、アニール装置４０によって、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱してアニール処理を実施する。アニール処理においては、はじめに、アニール用真空排気機構４２によってアニール室４１の内部の気体を外部に排出する（排気工程）。例えば、アニール室４１の内部に存在する気体のうち水蒸気以外の気体による圧力が１×１０^−３Ｐａ以下となるよう、アニール用真空排気機構４２を駆動させる。その後、水蒸気調整機構４４によって、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内に調整する（水蒸気調整工程）。水蒸気調整工程において、測定部４４ａは、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を測定する（測定工程）。また水蒸気捕捉部４４ｃは、測定部４４ａによる測定結果（測定工程における測定結果）に基づいて、アニール室４１の内部の水蒸気の捕捉量を調整する（水蒸気捕捉工程）。次に、アルゴンガスなどの不活性ガスを、全圧が１Ｐａ以下となる範囲内でアニール室４１に導入する。

その後、アニール室４１の内部において透明導電膜１６を所定のアニール温度で加熱する（加熱工程）。アニール温度は、８０〜１２０℃の範囲内の所定温度、例えば１００℃に設定されている。透明導電膜１６をアニール温度で加熱することにより、透明導電膜１６の結晶化が進行する。これによって、得られる透明導電膜１６の電気抵抗率を低くするとともに、耐薬品性を高くすることができる。

好ましくは、アニール処理の間、アニール用搬送ドラム４６は連続的に回転されている。このため、アニール用搬送ドラム４６の回転を停止させた上でアニール処理を実施する場合に比べて、アニール処理済みの透明導電膜１６をより効率的に製造することができる。この場合、透明導電膜１６が加熱される時間は、アニール用搬送ドラム４６の回転周期に応じて決定される。例えば、図４に示すように透明導電膜１６がアニール用搬送ドラム４６のほぼ１周にわたって巻きつけられている場合、透明導電膜１６は、アニール用搬送ドラム４６が１周するのに要する時間の間だけアニール用搬送ドラム４６によって加熱されることになる。例えばアニール用搬送ドラム４６の回転周期が約１０分／回転の場合、透明導電膜１６は約１０分間にわたって加熱される。

なお、図１に示すように成膜装置３０とアニール装置４０とが直列に接続されており、また、アニール用搬送ドラム４６の直径が予め定められている場合、アニール用搬送ドラム４６の回転周期は、成膜装置３０における基材フィルム１１の搬送速度と一対一で対応している。例えばアニール用搬送ドラム４６の円周長が約３ｍであり、回転速度が約１０分／回転である場合、成膜装置３０における基材フィルム１１の搬送速度は約０．３ｍ／分となっている。

（巻取工程）
その後、巻取装置５０において、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６などの複数の膜と、を含む積層体１８が、シャフト５１によって巻き取られる。これによって、積層体１８の巻回体が得られる。

タッチパネルセンサの製造方法
次に、積層体１８の用途の一例として、積層体１８をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサについて説明する。タッチパネルセンサ６０は、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネルセンサ６０としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体１８をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサ６０を形成する例について、図９および図１０を参照して説明する。図９は、タッチパネルセンサ６０を示す平面図であり、図１０は、図９に示すタッチパネルセンサ６０の線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。なお図９および図１０においては、２つの積層体１８をそれぞれ別個にパターニングすることにより、第１方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサと、第１方向に直交する第２方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサとをそれぞれ形成し、その後、２つのタッチパネルセンサを貼り合わせることにより、第１方向および第２方向に延びる透明導電パターンを含むタッチパネルセンサが得られる例について説明する。

図１０に示すように、タッチパネルセンサ６０は、上側に位置する第１タッチパネルセンサ６０Ａと、下側に位置する第２タッチパネルセンサ６０と、を含んでいる。第１タッチパネルセンサ６０Ａと第２タッチパネルセンサ６０Ｂとは、例えば接着層１９によって貼り合わされている。各タッチパネルセンサ６０Ａ，６０Ｂは、基材フィルム１１、高屈折率膜１４および低屈折率膜１５上に所定のパターンで設けられた複数の透明導電パターン６２を有している。図９に示す例において、透明導電パターン６２は、第１タッチパネルセンサ６０Ａに包含される横方向（第１方向）に延びるパターンと、第２タッチパネルセンサ６０に包含される縦方向（第２方向）に延びるパターンとからなっている。なお図９において、下側に設けられた透明導電パターン６２が点線で表されている。図１０に示すように、各透明導電パターン６２は、積層体１８の透明導電膜１６をパターニングすることにより得られるものである。透明導電膜１６をパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。

また図９に示すように、各タッチパネルセンサ６０Ａ，６０Ｂは、各透明導電パターン６２に接続された取出パターン６４と、各取出パターン６４に接続され、各透明導電パターン６２からの信号を外部へ取り出すための端子部６５と、をさらに有していてもよい。これら取出パターン６４および端子部６５は、タッチパネルセンサ６０のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン６４および端子部６５を構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン６４および端子部６５は一般に、透明導電パターン６２を構成する透明導電性材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。

このような取出パターン６４および端子部６５を形成する方法が特に限られることはなく、フォトリソグラフィー法や印刷法が適宜用いられる。例えば、はじめに積層体１８の透明導電膜１６上に金属材料層（図示せず）を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて金属材料層および透明導電膜１６を順次または同時にエッチングすることにより、取出パターン６４および端子部６５と透明導電パターン６２とが形成されてもよい。この場合、図１０に示すように、取出パターン６４と低屈折率膜１５との間に透明導電パターン６２が介在されていてもよい。これによって、透明導電パターン６２からの信号を取り出す際の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、表示パネルからの映像光が通過する領域にある透明導電パターン６２上に残っている金属材料層を取り除くためのエッチングにおいては、エッチング液として、金属材料層のみを選択的に溶解させるエッチング液が用いられる。この場合、透明導電膜１６には、当該エッチング液に対する高い耐薬品性を有していることが求められる。

本実施の形態によれば、上述のように、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室４１において、水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａ以上に調整されている。これによって、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６の結晶化を促進することができ、このため、アニール温度が低い場合であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルム１１が用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜１６を製造することができる。このため本実施の形態によれば、線膨張係数が大きい非晶質ポリマーなど、高温にすることによって特性が劣化する材料からなる合成樹脂層１２を含む基材フィルム１１を用いることが可能となっている。このことにより、シクロオレフィンポリマーなどの、耐熱性は低いが高い透光性とともに低い吸湿性を有する材料を用いることができる。

比較の形態
次に、本実施の形態の効果を、比較の形態と比較して説明する。図１１は、比較の形態における膜製造装置１１０を示す図である。

図１１に示す膜製造装置は、アニール装置におけるアニール処理の際の水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａ以上に調整されていない点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と略同一である。図１１に示す比較の形態において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１１に示す比較の形態による膜製造装置１１０において、アニール装置１４０は、水蒸気を含む全ての気体を外部に排出した状態でアニール処理を実施するよう構成されている。すなわち、アニール装置１４０は、アニール処理中の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整するようには構成されていない。例えば比較の形態においては、アニール処理中の水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａよりも小さくなっており、また、水蒸気以外の気体による圧力が１×１０^−３Ｐａ以下となっている。従って、比較の形態においては、アニール処理によって透明導電膜１６を結晶化させるために要する時間が長くなっており、例えば１時間となっている。このため、図１１に示すように成膜装置３０とアニール装置１４０とが直列に接続されている場合、アニール装置１４０によるアニール処理を長時間にわたって透明導電膜１６に対して施すため、アニール用搬送ドラム４６の回転を一時的に停止させた上でアニール処理を実施することになる。若しくは、成膜装置３０における基材フィルム１１の搬送速度とアニール装置１４０における基材フィルム１１の搬送速度とを一致させながら、アニール装置１４０における透明導電膜１６の滞在時間を長くするため、図１１に示すようにアニール装置１４０のアニール用搬送ドラム４６の直径を大きくすることになる。前者のようにアニール用搬送ドラム４６の回転を一時的に停止させる場合、透明導電膜１６の生産効率が低下してしまう。一方、後者のようにアニール装置１４０のアニール用搬送ドラム４６の直径を大きくする場合、アニール装置１４０の寸法が大きくなり、装置のレイアウトが困難になるとともに装置のコストが上昇してしまう。

これに対して本実施の形態によれば、上述のように、アニール処理中の水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａ以上に調整されるようアニール装置４０が構成されている。このため、アニール温度が低い場合であっても、多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で得ることができる。すなわち、アニール装置４０に透明導電膜１６を長時間にわたって滞在させる必要がない。このため、アニール装置４０のアニール用搬送ドラム４６の直径を比較の形態の場合ほど大きくすることなく、成膜装置３０における基材フィルム１１の搬送速度とアニール装置４０における基材フィルム１１の搬送速度とを一致させることができる。このことにより、アニール装置４０のレイアウトを容易にし、また、アニール装置４０のコストを抑制することができる。

なお本実施の形態において、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整する水蒸気調整機構４４が、アニール室４１の内部の水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部４４ｃを含む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、水蒸気調整手段４４は、図４において一点鎖線で示すように、水蒸気捕捉部４４ｃに加えて、アニール室４１に水蒸気を供給する水蒸気供給部４４ｄを有していてもよい。この場合、はじめに水蒸気捕獲部４４ｃが、アニール室４１の内部の水蒸気を可能な限り捕捉し、これによってアニール室４１の水蒸気分圧を可能な限りゼロに近づける。次に、水蒸気供給部４４ｄが、アニール室４１の内部に水蒸気を供給する（水蒸気供給工程）。この際、測定部４４ａによる水蒸気分圧の測定結果（測定工程における測定結果）に基づいて制御部４４ｂが水蒸気供給部４４ｄを制御することにより、アニール処理の際にアニール室４１の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整することができる。水蒸気供給部４４ｄの具体的な構成が特に限られることはないが、例えば、水蒸気供給部４４ｄとして、図６に示す第１の実施の形態における水蒸気供給部３４ｅと略同一のものが用いられ得る。また水蒸気供給部４４ｄとして、図示はしないが、水蒸気供給源と、水蒸気供給源とアニール室４１との間に配置され、水蒸気供給源からアニール室４１へ供給される水蒸気の流量を調整するマスフローコントローラーと、の組合せが用いられてもよい。

また本実施の形態において、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱するための加熱機構４５が、基材フィルム１１が巻き付けられるアニール用搬送ドラム４６からなる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、例えば図１２に示すように、加熱機構４５が、搬送される基材フィルム１１に沿って設けられ、基材フィルム１１の搬送方向に平行に延びるシート加熱手段４８を有していてもよい。この場合、シート加熱手段４８は、図１２に示すように基材フィルム１１に沿って複数設けられていてもよい。

シート加熱手段４８の具体的な構成は特に限定されるものではない。例えば図１３Ａに示すように、シート加熱手段４８は、金属からなるシーズ部４８ａと、シーズ部４８ａ内に配置され、ニクロム線などの抵抗体からなる発熱部４８ｂと、を有するシーズヒーターであってもよい。なお図１３Ａにおいて一点鎖線で示すように、基材フィルム１１の一側（透明導電膜１６が設けられている側）だけでなく基材フィルム１１の他側にもシート加熱手段４８が配置されていてもよい。

また図１３Ｂに示すように、シート加熱手段４８は、基材フィルム１１を加熱するための赤外線を放出する複数のランプ４８ｃを有するものであってもよい。この場合、基材フィルム１１とランプ４８ｃとの間に、ランプ４８ｃからの熱を均一化した上で基材フィルム１１に伝導させるための中間板４８ｅが介在されていてもよい。またランプ４８ｃの近傍であって基材フィルム１１とは反対の側に、ランプ４８ｃからの赤外線を反射する反射板４８ｄが設けられていてもよい。さらに、基材フィルム１１の近傍であってランプ４８ｃが設けられている側とは反対の側に、熱を基材フィルム１１近傍の空間に閉じ込めるための遮蔽板４８ｆが設けられていてもよい。

また本実施の形態において、膜製造装置１０によって製造される積層体１８の一例として、基材フィルム１１の一方の側にのみ高屈折率膜１４，低屈折率膜１５および透明導電膜１６が形成された積層体１８を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１４に示すように、膜製造装置１０が、基材フィルム１１の一方の側および他方の側の両方にそれぞれ高屈折率膜１４，低屈折率膜１５および透明導電膜１６が形成された積層体１８を製造してもよい。図１４に示す積層体１８を製造する方法が特に限られることはない。例えば、はじめに、基材フィルム１１を巻出装置２０から成膜装置３０およびアニール装置４０を介して巻取装置５０に搬送する間に、基材フィルム１１の一方の側に成膜処理およびアニール処理を施し、これによって、基材フィルム１１の一方の側に高屈折率膜１４，低屈折率膜１５および透明導電膜１６を形成する。次に、一方の側に高屈折率膜１４，低屈折率膜１５および透明導電膜１６が形成された基材フィルム１１を、巻出装置２０に搬入する。その後、再び基材フィルム１１を巻出装置２０から成膜装置３０およびアニール装置４０を介して巻取装置５０に搬送する間に、基材フィルム１１の他方の側に成膜処理およびアニール処理を施し、これによって、基材フィルム１１の他方の側に高屈折率膜１４，低屈折率膜１５および透明導電膜１６を形成する。このようにして、図１４に示す積層体１８が得られる。
若しくは、後述する第２の実施の形態で説明するように、成膜装置３０がアニール装置４０としても使用され得るように構成されている場合、巻出装置２０とアニール装置４０との間で基材フィルム１１を複数回往復させる間に、基材フィルム１１の一方の側および他方の側のそれぞれに対して成膜処理およびアニール処理を施してもよい。このようにして、図１４に示す積層体１８が得られる。

図１５は、図１４に示す積層体１８をパターニングすることにより得られるタッチパネルセンサ６０の一例を示す図である。この場合、基材フィルム１１の両側に透明導電膜１６が形成されている。このため、例えば、基材フィルム１１の一方の側の透明導電膜１６をパターニングすることにより、横方向に延びる透明導電パターン６２を形成し、基材フィルム１１の他方の側の透明導電膜１６をパターニングすることにより、縦方向に延びる透明導電パターン６２を形成することができる。このように基材フィルム１１の両側に透明導電膜１６を設けることにより、様々なタイプのタッチパネルセンサ６０を形成することが可能となる。

第２の実施の形態
次に図１６および図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１６および図１７に示す第２の実施の形態においては、成膜装置の成膜室、成膜用真空排気機構および成膜用搬送ドラムが、アニール装置のアニール室、アニール用真空排気機構およびアニール用搬送ドラムとしても利用される。すなわち成膜装置がアニール装置としても利用される。図１６および図１７に示す第２の実施の形態において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図１６に示すように、本実施の形態による膜製造装置１０は、巻出装置２０と、巻出装置２０に接続された成膜装置３０と、成膜装置３０に接続された巻取装置５０と、を備えている。このうち成膜装置３０は、図３に示す上述の第１の実施の形態の場合の成膜装置３０と同様に、成膜室３６と、成膜用搬送ドラム３８と、ガイドローラー３９と、各ターゲット３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａと、を備えている。このうち成膜用搬送ドラム３８は、その表面が所定の温度に加熱されるよう構成されている。また各領域３１〜３４のうち少なくとも第４領域３４には、第４領域３４に水蒸気を供給する水蒸気供給部３４ｅと、第４領域３４の水蒸気分圧を測定する測定部３４ｃと、測定部３４ｃによる水蒸気分圧の測定結果に基づいて水蒸気供給部３４ｅを制御する制御部３４ｄと、が設けられている。このため各領域３１〜３４のうち少なくとも第４領域３４によれば、水蒸気供給部３４ｅによって水蒸気を例えば数ｓｃｃｍで供給しながら成膜用搬送ドラム３８によって透明導電膜１６を加熱することにより、第１の実施の形態におけるアニール装置４０によって実施されるアニール処理と同様の処理を透明導電膜１６に対して実施することが可能となっている。

本実施の形態においては、このように成膜装置３０の少なくとも一部を、第１の実施の形態におけるアニール装置４０としても利用することを特徴とする。この場合、図１７に示すように、成膜装置３０の成膜室３６、成膜用真空排気機構３７および成膜用搬送ドラム３８が、アニール装置４０のアニール室４１、アニール用真空排気機構４２およびアニール用搬送ドラム４６を兼ねている。また、成膜装置３０の測定部３４ｃ，制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅによって、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を所定範囲内に調整するための上述の水蒸気調整機構４４が構成されている。

なお図１７においては、測定部３４ｃ，制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅの組み合わせが第４領域３４にのみ設けられている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、測定部３４ｃ，制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅがさらにその他の領域３１，３２，３３，３５にも設けられていてもよい。これによって、第１の実施の形態におけるアニール装置４０によって実施されるアニール処理を、成膜装置３０の各領域３１〜３５において実施することが可能となる。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６を含む積層体１８の製造方法について説明する。

（脱ガス工程および成膜工程）
はじめに、巻出装置２０において、基材フィルム１１が巻回されたシャフト２１を準備し、次に、第１方向（図１６における右方向）へ基材フィルム１１を搬送しながら、基材フィルム１１に対する脱ガス処理を実施する。その後、成膜装置３０において、第１方向へ基材フィルム１１を搬送しながら、基材フィルム１１上に膜１４，１５，１６を設ける成膜処理を実施する。これらの脱ガス処理および成膜処理は、上述の第１の実施の形態における脱ガス処理および成膜処理と略同一であるので、詳細な説明を省略する。

その後、成膜処理を経た基材フィルム１１が、巻取装置５０においてシャフト５１によって一旦巻き取られる。その後、今度はシャフト５１の回転方向を反転させ、これによって、基材フィルム１１を上記第１方向とは逆の第２方向（図１６における左方向）へ搬送する。

（アニール工程）
次に、第２方向へ基材フィルム１１を搬送しながら、成膜装置３０と兼用のアニール装置４０によって、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱してアニール処理を実施する。アニール処理においては、はじめに、成膜用真空排気機構３７の排気手段３４ｂによって第４領域３４の内部の気体を外部に排出する（排気工程）。例えば、第４領域３４の内部に存在する気体のうち水蒸気以外の気体による圧力が１×１０^−３Ｐａ以下となるよう、排気手段３４ｂを駆動させる。その後、測定部３４ｃ，制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅによって、アニール室４１の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内に調整する（水蒸気調整工程）。次に、アルゴンガスなどの不活性ガスを、全圧が１Ｐａ以下となる範囲内でアニール室４１に導入する。

その後、第４領域３４の内部において透明導電膜１６を所定のアニール温度で加熱する。アニール温度は、８０〜１２０℃の範囲内の所定温度、例えば１００℃に設定されている。透明導電膜１６をアニール温度で加熱することにより、透明導電膜１６の結晶化が進行する。これによって、得られる透明導電膜１６の電気抵抗率を低くするとともに、耐薬品性を高くすることができる。

なお、その他の領域３１，３２，３３，３５にも測定部３４ｃ，制御部３４ｄおよび水蒸気供給部３４ｅが設けられている場合、各領域３１，３２，３３，３５においてさらに上述のアニール処理が実施されてもよい。

（巻取工程）
その後、巻出装置２０において、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６などの複数の膜と、を含む積層体１８が、シャフト２１によって巻き取られる。これによって、積層体１８の巻回体が得られる。

このように本実施の形態によれば、成膜装置３０と兼用のアニール装置４０によって、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６に対するアニール処理が実施される。例えば上述のように、はじめに、基材フィルム１１が第１方向に搬送されている間、成膜装置３０による成膜処理が実施され、その後、基材フィルム１１が第２方向に搬送されている間、アニール装置４０と兼用の成膜装置３０によるアニール処理が実施される。このように実施の形態によれば、１つの装置を成膜装置およびアニール装置のいずれとしても利用することができる。これによって、設けられる装置の数を削減することができ、このことにより、膜製造装置１０のレイアウトを容易にし、また、膜製造装置１０のコストを抑制することができる。

また本実施の形態においても、上述の第１の実施の形態の場合と同様に、アニール処理の際、真空状態に保たれたアニール室４１において、水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａ以上に調整されている。これによって、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６の結晶化を促進することができ、このため、アニール温度が低い場合であっても、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を有する多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で得ることができる。このことにより、耐熱性の低い基材フィルム１１が用いられる場合であっても、効率良く透明導電膜１６を製造することができる。

また本実施の形態においては、アニール装置４０と兼用の成膜装置３０において、成膜処理またはアニール処理のいずれか一方のみが実施される。すなわち、膜製造装置１０における積層体１８の製造ラインにおいて、成膜処理およびアニール処理が同時に実施されることがない。このため、基材フィルム１１の搬送速度を、成膜処理およびアニール処理に対してそれぞれ個別に最適に設定することができる。

なお本実施の形態において、アニール処理の際の水蒸気分圧を所定範囲内に調整するために、水蒸気を供給する水蒸気供給部４４ｄが用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１７において一点鎖線で示すように、水蒸気を凝縮または吸着させて捕捉する水蒸気捕捉部４４ｃが用いられてもよい。

なお、上述した各実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（予備実験）
はじめに、成膜装置３０を用いて基材フィルム１１上に透明導電膜１６を設ける際の適切な成膜条件を探索した。具体的には、まず、シクロオレフィンポリマーからなる合成樹脂層１２を含む基材フィルム１１を準備した。次に、１００℃で３分間にわたって、基材フィルム１１に対する脱ガス処理を実施した。その後、成膜装置３０におけるスパッタリングによって、基材フィルム１１上に、酸化ニオブからなる高屈折率膜１４（膜厚９ｎｍ）と、酸化珪素からなる低屈折率膜１５（膜厚４８ｎｍ）と、ＩＴＯからなる透明導電膜１６とを順に設けた。ＩＴＯのスパッタリングにおいては、水蒸気分圧が３．２，７．９，８，６，１２．１，または１９．３×１０^−４Ｐａとなっている条件下においてそれぞれ、透明導電膜１６の成膜を実施した。

なお、ＩＴＯの成膜処理においては、水蒸気分圧を導入する前に、第４領域３４内の圧力が２．０×１０^−３Ｐａ以下となるよう、排気手段３４ｂによって第４領域３４の内部の気体を外部に排出した。その後、アルゴンガスを第４領域３４に流量２５０ｓｃｃｍで導入するとともに、酸素ガスを第４領域３４に流量１０ｓｃｃｍで導入した。この際の第４領域３４内の圧力は０．３〜０．４Ｐａの範囲内となっていた。また、スパッタリングの際の放電電力は３．８ｋＷであった。

上記の水蒸気分圧の下で得られた透明導電膜１６に対して、アニール装置４０を用いてアニール処理を実施した。アニール処理は、温度および水蒸気分圧を様々に変えて実施した。結果、後述する実施例において示されているように、成膜装置３０による透明導電膜１６の成膜処理時の水蒸気分圧が３．２，７．９または８，６×１０^−４Ｐａとなっていた場合、アニール処理の条件を適切に設定することによって、多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で得ることができた。一方、成膜装置３０による透明導電膜１６の成膜処理時の水蒸気分圧が１２．１または１９．３×１０^−４Ｐａとなっていた場合、アニール処理の条件（アニール温度およびアニール処理時の水蒸気分圧）をどのように設定しても、多結晶状態の透明導電膜１６を短時間で、例えば３０分以内に得ることができなかった。このことから、アニール装置４０による短時間のアニール処理によって多結晶状態の透明導電膜１６を得るためには、成膜装置３０による成膜処理によって得られる透明導電膜１６の組織の状態が適切な範囲内に入っていることが必要になると言える。成膜装置３０を用いた成膜処理によって得られる透明導電膜１６の組織の状態の許容範囲は、許容されるアニール時間などによって異なるが、例えば上記予備実験からは、成膜装置３０を用いたＩＴＯの成膜処理の際の水蒸気分圧を例えば３〜１０×１０^−４Ｐａの範囲内とすれば、許容範囲内の組織状態を有する透明導電膜１６が得られると言える。なお、多結晶状態の透明導電膜１６を得ることができたかどうかという点は、アニール処理後の透明導電膜１６をエッチング液に曝した場合に透明導電膜１６がエッチング液に溶解しないかどうかということに基づいて判定した。

以下、成膜装置３０によるＩＴＯの成膜処理の際の水蒸気分圧を例えば３〜１０×１０^−４Ｐａの範囲内とした場合に、アニール装置４０によるアニール処理の条件を様々に変えて透明導電膜１６の製造を行った結果について、実施例１〜８として説明する。

（実施例１）
図１６および図１７に示す上述の第２の実施の形態による膜製造装置１０を用いて、基材フィルム１１上に形成された透明導電膜１６を含む積層体１８を製造した。基材フィルム１１としては、シクロオレフィンポリマーからなる合成樹脂層１２を含む基材フィルム１１を用いた。はじめに透明導電膜１６の製造方法および製造条件について説明する。次に、得られた透明導電膜１６の評価方法および評価結果について説明する。

〔製造方法および製造条件〕
はじめに、脱ガス処理を基材フィルム１１に対して実施した。次に、成膜装置３０におけるスパッタリングによって、基材フィルム１１上に、高屈折率膜１４、低屈折率膜１５およびＩＴＯからなる透明導電膜１６を順に設けた。これらの具体的な手順は、上述の予備実験の場合と同一であるので、詳細な説明は省略する。

透明導電膜１６の成膜処理においては、成膜用搬送ドラム３８を用いて基材フィルム１１の温度を２０〜２５℃に調整しながら、スパッタリングによって、第４ターゲット３４ａを構成する原子を基材フィルム１１上に付着させた。この際の放電電力は３．８ｋＷであり、基材フィルム１１の搬送速度は０．６ｍ／ｍｉｎであった。また、スパッタリングを用いた成膜処理の間、測定部３４ｃによって、第４領域３４内の水蒸気分圧を測定した。結果、水蒸気分圧は８．６×１０^−４Ｐａとなっていた。

次に、アニール装置４０を用いて、基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６を加熱してアニール処理を実施した。この際、アニール用搬送ドラム４６の表面の温度は１２０℃であり、アニール時間（アニール用搬送ドラム４６によって基材フィルム１１が加熱された期間）は６分間であった。

また、アニール処理の間、クライオパネルによって、アニール室４１内の水蒸気分圧を調整した。また、アニール処理の間、測定部４４ａによって、アニール室４１内の水蒸気分圧を測定した。結果、水蒸気分圧は１．６×１０^−４Ｐａとなっていた。

〔評価方法および評価条件〕
アニール処理が施された後の透明導電膜１６の面積抵抗率を測定した。測定方法としては、三菱化学（株）製ロレスタ−を用いた４端子法を採用した。４端子法による測定の結果、面積抵抗率が１３６Ω／□となっていた。

また、透明導電膜１６の耐薬品性を評価するため、アニール処理後の透明導電膜１６をエッチング液に曝し、その後、透明導電膜１６の面積抵抗率を測定した。エッチング液としては、金属用のエッチング液であって、ＩＴＯなどからなる透明導電膜１６を本来のエッチング対象とはしていないエッチング液を用いた。例えば、積層体１８を用いてタッチパネルセンサを製造する際に、透明導電膜１６の上に設けられた金属層をエッチングするための、りん酸、硝酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いた。具体的には、銀合金用のエッチング液であって、各液の比率が体積比として燐酸：硝酸：酢酸：水＝５：１：５：５となっているエッチング液を用いた。エッチング液の温度は２５℃であった。また、面積抵抗率の測定方法としては、上述の４端子法を採用した。エッチング液に１０分間曝した後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１４８Ω／□となっていた。

（実施例２）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．５×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を４．６×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１４６Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５９Ω／□となっていた。

（実施例３）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．１×１０^−４Ｐａとし、アニール温度を１１０℃とし、アニール処理時の水蒸気分圧を５．１×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１６１Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は２０２Ω／□となっていた。

（実施例４）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．０×１０^−４Ｐａとし、アニール時間を１５分間とし、アニール処理時の水蒸気分圧を４．９×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例３と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５９Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１６６Ω／□となっていた。

（実施例５）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を３．２×１０^−４Ｐａとし、アニール温度を１００℃とし、アニール時間を１５分間とし、アニール処理時の水蒸気分圧を５．０×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１７３Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１８１Ω／□となっていた。

（実施例６）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．０×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を２．８×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例５と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５７Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１７１Ω／□となっていた。

（実施例７）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．０×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を５．３×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例５と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５４Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１６５Ω／□となっていた。

（実施例８）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を７．９×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を１１．５×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例５と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５８Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１７６Ω／□となっていた。

（比較例１）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．７×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を０．５×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例１と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１４９Ω／□となっていた。なお、透明導電膜１６をエッチング液に曝した場合、透明導電膜１６がエッチング液に溶解してしまった。

（比較例２）
透明導電膜１６の成膜処理の際の水蒸気分圧を８．０×１０^−４Ｐａとし、アニール処理時の水蒸気分圧を５４×１０^−４Ｐａとしたこと以外は、実施例５と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして面積抵抗率の測定を実施した。結果、アニール処理後の透明導電膜１６の面積抵抗率は１５６Ω／□となっていた。また、エッチング液に曝された後の透明導電膜１６の面積抵抗率は２３６Ω／□となっていた。

（比較例３）
アニール処理を実施しなかったこと以外は、比較例１と同様にして、基材フィルム１１上に透明導電膜１６を形成した。

基材フィルム１１上に設けられた透明導電膜１６について、実施例１の場合と同様にして、エッチング液を用いた耐薬品性の評価を実施した。結果、透明導電膜１６がエッチング液に溶解してしまった。

表１は、実施例１〜８および比較例１〜３における成膜処理およびアニール処理の主要条件をまとめて示す表である。

また表２は、実施例１〜８および比較例１〜３における透明導電膜１６の面積抵抗率の測定結果を示す表である。

表１および表２に示されるように、実施例１〜８によれば、アニール処理時の水蒸気分圧を約１〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内とすることにより、約２００Ω／□または２００Ω／□以下という低い面積抵抗率を有する透明導電膜１６を得ることができた。また表２に示されるように、得られた透明導電膜１６をエッチング液に１０分間曝す前後での面積抵抗率の変化率は、３０％以下となっていた。これらのことから、アニール処理時の水蒸気分圧を約１〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内とすることにより、低いアニール温度であっても短時間で十分に透明導電膜１６の結晶化を進行させることができ、これによって、低い電気抵抗率および高い耐薬品性を実現できたと言える。

一方、比較例１においては、アニール処理時の水蒸気分圧が１×１０^−４Ｐａよりも低くなっており、この結果、得られた透明導電膜１６がエッチング液に溶解してしまった。また比較例２においては、アニール処理時の水蒸気分圧が４０×１０^−４Ｐａよりも高くなっており、この結果、エッチング前後での面積抵抗率の著しい増大が見られた。比較例１および２においては、アニール処理における透明導電膜１６の結晶化が不十分であり、このため、透明導電膜１６がエッチング液に完全にまたは部分的に溶解してしまったと考えられる。また比較例３においては、アニール処理を実施しておらず、この結果、得られた透明導電膜１６がエッチング液に溶解してしまった。本実施例および比較例による成膜条件においては、成膜処理後のアニール処理が必須であると言える。

好ましくは、実施例５〜７と実施例８との比較から分かるように、アニール処理時の水蒸気分圧が１０×１０^−４Ｐａ以下、より好ましくは６×１０^−４Ｐａ以下に設定される。これによって、透明導電膜１６の結晶化を短時間で十分に進行させることができ、このことにより、高い耐薬品性を有する透明導電膜１６を得ることができる。

また好ましくは、実施例３と実施例４との比較から分かるように、アニール温度に応じてアニール時間が適切に設定される。例えば、アニール温度１２０℃においては、アニール時間が６分以上に設定され、アニール温度１１０℃においては、アニール時間が６分よりも長く、例えば１５分以上に設定され、アニール温度１００℃においては、アニール時間が１５分以上に設定される。これによって、透明導電膜１６の結晶化を十分に進行させることができ、このことにより、高い耐薬品性を有する透明導電膜１６を得ることができる。

１０ 膜製造装置
１１ 基材フィルム
１２ 合成樹脂層
１３ ハードコート層
１４ 高屈折率膜
１５ 低屈折率膜
１６ 透明導電膜
１８ 積層体
２０ 巻出装置
２１ シャフト
２２ 加熱機構
２３ ヒーター
２４ 排気手段
２５ ロードロックバルブ
３０ 成膜装置
３１〜３５ 第１領域〜第５領域
３１ａ〜３４ａ ターゲット
３１ｂ〜３５ｂ 排気手段
３４ｃ 測定部
３４ｄ 制御部
３４ｅ 水蒸気供給部
３４ｆ 水蒸気供給管
３４ｇ 開口部
３４ｈ 供給タンク
３４ｉ バルブ
３４ｊ ガスタンク
３４ｋ バルブ
３６ 成膜室
３６ａ 隔壁
３７ 成膜用真空排気機構
３８ 成膜用搬送ドラム
４０ アニール装置
４１ アニール室
４２ アニール用真空排気機構
４４ 水蒸気調整機構
４４ａ 測定部
４４ｂ 制御部
４４ｃ 水蒸気捕捉部
４５ 加熱機構
４６ アニール用搬送ドラム
４７ ドラム加熱手段
４７ａ 熱媒循環路
４７ｂ 熱媒
４８ シート加熱手段
５０ 巻取装置
５１ シャフト
５２ 排気手段
５３ ニアローラー
６０ タッチパネルセンサ
６２ 透明導電パターン
６４ 取出パターン
６５ 端子部

Claims (10)

1. 基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール方法において、
   アニール室の内部の気体を外部に排出する排気工程と、
   前記アニール室の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整する水蒸気調整工程と、
   前記アニール室の内部において前記透明導電膜を所定のアニール温度で加熱する加熱工程と、を備えたことを特徴とするアニール方法。
2. 前記水蒸気調整工程において、前記アニール室の内部の水蒸気分圧が１〜４０×１０^−４Ｐａの範囲内に調整されることを特徴とする請求項１に記載のアニール方法。
3. 前記アニール温度が、８０〜１２０度の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載のアニール方法。
4. 前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部の水蒸気の捕捉量を調整する水蒸気捕捉工程と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のアニール方法。
5. 前記水蒸気調整工程は、前記アニール室の内部の水蒸気分圧を測定する測定工程と、前記測定工程における測定結果に基づいて、前記アニール室の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給工程と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のアニール方法。
6. 基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造方法において、
   前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜工程と、
   前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール工程と、を備え、
   前記アニール工程は、請求項１に記載のアニール方法からなることを特徴とする膜製造方法。
7. 前記成膜工程は、成膜処理が実施される成膜室と、前記成膜室の内部の気体を外部に排出する成膜用排気機構と、を有する成膜装置によって実行され、
   前記アニール工程は、アニール処理が実施されるアニール室を有するアニール装置によって実行され、
   前記基材フィルムが前記成膜装置の前記成膜室から前記アニール装置の前記アニール室に至るまでの間、前記基材フィルムの周囲の雰囲気が真空状態に保たれていることを特徴とする請求項６に記載の膜製造方法。
8. 前記アニール装置は、前記成膜装置の前記成膜室の内部でアニール処理を実施するよう構成されていることを特徴とする請求項７に記載の膜製造方法。
9. 基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置において、
   アニール処理が実施されるアニール室と、
   前記アニール室の内部の気体を外部に排出するアニール用排気機構と、
   前記アニール室の内部の水蒸気分圧を１×１０^−４Ｐａ以上に調整する水蒸気調整機構と、
   前記アニール室の内部に設けられ、所定のアニール温度で前記透明導電膜を加熱する加熱機構と、を備えたことを特徴とするアニール装置。
10. 基材フィルム上に透明導電膜を形成する膜製造装置において、
    前記基材フィルム上に透明導電膜を設ける成膜処理を実施する成膜装置と、
    前記基材フィルム上に設けられた透明導電膜を加熱してアニール処理を実施するアニール装置と、を備え、
    前記アニール装置は、請求項９に記載のアニール装置からなることを特徴とする膜製造装置。

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