JP2007084842A - スパッタリングターゲット及び透明導電膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】 抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高く、インジウム含有量が低減されており、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【選択図】 図１
【解決手段】 インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【選択図】 図１
Description
本発明は、焼結して作製したスパッタリングターゲット（以下、単に、スパッタリングターゲット、あるいはターゲットと称する場合がある。）、スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
近年、表示装置の発展はめざましく、液晶表示装置（ＬＣＤ）や、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、あるいはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等が、パーソナルコンピュータや、ワードプロセッサ等の事務機器や、工場における制御システム用の表示装置として使用されている。そして、これら表示装置は、いずれも表示素子を透明導電性酸化物により挟み込んだサンドイッチ構造を備えている。
このような透明導電性酸化物としては、非特許文献１に開示されているように、スパッタリング法、イオンプレーティング法、あるいは蒸着法によって成膜されるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略称することがある）が主流を占めている。
かかるＩＴＯは、所定量の酸化インジウムと、酸化錫とからなり、透明性や導電性に優れるほか、強酸によるエッチング加工が可能であり、さらに基板との密着性にも優れているという特徴がある。
ＩＴＯは、透明導電性酸化物の材料として優れた性能を有するものの、希少資源であるだけでなく、生体に対して有害でもあるインジウムを大量に含有（９０原子％程度）させなければならないという問題があった。また、インジウム自体がスパッタ時のノジュール（突起物）発生の原因となり、このターゲット表面に発生したノジュールも異常放電の原因の一つにもなっていた。特に、エッチング性の改良を目的としたアモルファスＩＴＯ膜の成膜に際しては、そのスパッタリングチャンバー内に微量の水や水素ガスを導入するために、ターゲット表面のインジウム化合物が還元されてノジュールがさらに発生しやすいという問題が見られた。そして、異常放電が発生すると飛散物が成膜中又は成膜直後の透明導電性酸化物に異物として付着するという問題が見られた。
このように、供給の不安定性（希少性）、有害性の問題からＩＴＯ中のインジウムを減らす必要があった。しかし、酸化錫の酸化インジウムへの最大固溶限界は１０％前後と考えられ、ＩＴＯ中のインジウムの含有量を９０原子％以下に削減しようとするとターゲット中に酸化錫がクラスター状に残ってしまう。酸化錫の抵抗はＩＴＯの１００倍以上大きいのでスパッタ中に電荷が蓄積しアーキングが発生しターゲット表面が破壊され微細な破片が飛散しノジュール、パーティクルが発生する等の問題が発生していた（非特許文献２）。そのためインジウムの含有量を９０原子％以下にすることは困難であった。
また、実質的にＩｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物からなる焼結体であるＩＴＯターゲットの検討がなされているが（特許文献１）、ＩＴＯターゲットでは、Ｓｎ３Ｉｎ４Ｏ１２等が生成し易く、実質ビックスバイト構造化合物からなる焼結体が製造できたとしても製造条件範囲が狭く、安定して製造することが困難であった。また、インジウムの含有量を減らすと実質ビックスバイト構造化合物からなる焼結体の製造は困難であった。
また、インジウムと亜鉛からなるＩＺＯターゲットでは、亜鉛が１５〜２０原子％の範囲内ではＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２〜２０の整数）で表される六方晶層状化合物が生成することが知られている（非特許文献３）。これらの結晶型は、ＺｎＯに比べるとターゲットの抵抗を下げ、相対密度を上げる効果があった。しかし、そのようなターゲットはインジウム量を減らす（亜鉛量を増やす）と、ターゲットの抵抗が高くなったり、相対密度が低くなったりして、ターゲットの強度が低下する、成膜速度が遅くなる等の問題がおきるおそれがあった。
本発明は、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高いターゲット、インジウム含有量が低減されたターゲット、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲット及びその製造方法を提供するものである。
本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意研究を重ね、ターゲットの結晶構造を、実質的にビックスバイト構造にすることでこれらの問題を解決できると同時に、インジウム含有量を６０〜７５原子％の範囲内に削減しても、ＩＺＯ並みのエッチング加工性とＩＴＯ並みの膜性能を示しうることを見出した。
また、このターゲットを用いてスパッタリングで成膜した透明導電膜はインジウムが削減されていても導電性、エッチング性、耐熱性等に優れ、液晶ディスプレイに代表されるディスプレイやタッチパネル、太陽電池等各種の用途に適していること、成膜条件を調整するなどしてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に代表される透明酸化物半導体の成膜にも適用できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
［１］インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
［２］前記ビックスバイト構造化合物が、Ｉｎ２Ｏ３で表されることを特徴とする上記［１］記載のスパッタリングターゲット。
［３］Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内の値であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の値であることを特徴とする上記［１］又は［２］記載のスパッタリングターゲット。
［４］Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるピークについて、ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置が、単結晶粉末のものに対してプラス方向（広角側）にシフトしていることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［１］インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
［２］前記ビックスバイト構造化合物が、Ｉｎ２Ｏ３で表されることを特徴とする上記［１］記載のスパッタリングターゲット。
［３］Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内の値であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の値であることを特徴とする上記［１］又は［２］記載のスパッタリングターゲット。
［４］Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるピークについて、ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置が、単結晶粉末のものに対してプラス方向（広角側）にシフトしていることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［５］電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で観察したＺｎ凝集体の平均径が５０μｍ以下であることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［６］Ｃｒ、Ｃｄの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする上記［１］〜［５］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［７］Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［８］ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする上記［１］〜［７］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［６］Ｃｒ、Ｃｄの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする上記［１］〜［５］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［７］Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［８］ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする上記［１］〜［７］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［９］バルク抵抗が０．２〜１００ｍΩ・ｃｍの範囲内であることを特徴とする上記［１］〜［８］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［１０］理論相対密度が９０％以上であることを特徴とする上記［１］〜［９］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［１１］スパッタリングターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の化合物を、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の配合した混合物を得る工程と、
該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、
該成形体の温度を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で昇温する工程と、
該成形体を１，１００〜１，７００℃の範囲内の温度で焼成して焼結体を得る工程と、
該焼結体を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で冷却する工程と、
を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
［１０］理論相対密度が９０％以上であることを特徴とする上記［１］〜［９］のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
［１１］スパッタリングターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の化合物を、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の配合した混合物を得る工程と、
該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、
該成形体の温度を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で昇温する工程と、
該成形体を１，１００〜１，７００℃の範囲内の温度で焼成して焼結体を得る工程と、
該焼結体を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で冷却する工程と、
を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
［１２］上記［１］〜［１０］のいずれか記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする透明導電膜。
［１３］上記［１２］記載の透明導電膜をエッチングすることによって作製されたことを特徴とする透明電極。
［１４］電極端部のテーパー角が３０〜８９度であることを特徴とする上記［１３］記載の透明電極。
［１５］上記［１２］記載の透明導電膜を、１〜１０質量％蓚酸含有水溶液で２０〜５０℃の温度範囲でエッチングすることを特徴とする透明電極の作製方法。
［１３］上記［１２］記載の透明導電膜をエッチングすることによって作製されたことを特徴とする透明電極。
［１４］電極端部のテーパー角が３０〜８９度であることを特徴とする上記［１３］記載の透明電極。
［１５］上記［１２］記載の透明導電膜を、１〜１０質量％蓚酸含有水溶液で２０〜５０℃の温度範囲でエッチングすることを特徴とする透明電極の作製方法。
本発明によれば、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高いスパッタリングターゲットが提供される。
本発明によれば、インジウム含有量が低減されていても、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲットが提供される。
本発明によれば、インジウム含有量が低減されていても、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことができるターゲットが提供される。
本発明によれば、本発明のターゲットを用いてスパッタリング法で成膜した、インジウムが削減されていても、導電性、エッチング性、耐熱性等に優れ、液晶ディスプレイに代表されるディスプレイやタッチパネル、太陽電池等各種の用途に適した透明導電膜が提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
Ｉ．スパッタリングターゲット
（Ｉ−１）スパッタリングターゲットの構成
本発明のスパッタリングターゲット（以下、本発明のターゲットということがある）は、インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とする。
Ｉ．スパッタリングターゲット
（Ｉ−１）スパッタリングターゲットの構成
本発明のスパッタリングターゲット（以下、本発明のターゲットということがある）は、インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とする。
ここで、ビックスバイト構造化合物について説明する。ビックスバイト（bixbyite）は、希土類酸化物Ｃ型あるいはＭｎ２Ｏ３（Ｉ）型酸化物とも言われる。「透明導電膜の技術」（（株）オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物・光電子材料第１６６委員会編、１９９９）等に開示されている通り、化学量論比がＭ２Ｘ３（Ｍは陽イオン、Ｘは陰イオンで通常酸素イオン）で、一つの単位胞はＭ２Ｘ３１６分子、合計８０個の原子（Ｍが３２個、Ｘが４８個）により構成されている。本発明のターゲットの構成成分であるビックスバイト構造化合物は、これらの内、Ｉｎ２Ｏ３で表される化合物、すなわちＸ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Joint Committee on Powder Diffraction Standards）データベースのNo.０６−０４１６のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものであることが好ましい。
尚、結晶構造中の原子やイオンが一部他の原子で置換された置換型固溶体、他の原子が格子間位置に加えられた侵入型固溶体もビックスバイト構造化合物に含まれる。
ターゲット中の化合物の結晶状態は、ターゲット（焼結体）から採取した試料をＸ線回折法により観察することによって判定することができる。
「Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測される」とは、Ｘ線回折で、ＪＣＰＤＳ（Joint Committee on Powder Diffraction Standards）データベースのNo.０６−０４１６（Ｉｎ２Ｏ３単結晶粉末）のピークパターン、あるいはそれと類似の（シフトした）パターンを示し、他の構造の最大ピークがビックスバイト構造化合物の最大ピークの５％未満で十分に小さいか、あるいは実質確認できないことを意味する。
また、特にＸ線回折法により、ＳｎＯ２やＳｎ３Ｉｎ４Ｏ１２のピークがビックスバイト構造化合物の最大ピークの３％未満で十分に小さいか，あるいは実質確認できないことが好ましい。これらの化合物が存在すると、ターゲットの抵抗が高くなったり、スパッタ時にターゲット上に電荷（チャージ）が発生しやすくなり、異常放電やノジュール発生の原因となるおそれがある。
また、特にＸ線回折法により、ＳｎＯ２やＳｎ３Ｉｎ４Ｏ１２のピークがビックスバイト構造化合物の最大ピークの３％未満で十分に小さいか，あるいは実質確認できないことが好ましい。これらの化合物が存在すると、ターゲットの抵抗が高くなったり、スパッタ時にターゲット上に電荷（チャージ）が発生しやすくなり、異常放電やノジュール発生の原因となるおそれがある。
本発明のターゲットは、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内の値であり、かつ、Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．４〜０．６の範囲内の値であることが好ましい。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、不等式で表すと、
０．６＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＜０．７５
となり、０．６及び０．７５を含まない。
一方、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、
０．１１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．２３
で表され、０．１１及び０．２３を含む。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、不等式で表すと、
０．６＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）＜０．７５
となり、０．６及び０．７５を含まない。
一方、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、
０．１１≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）≦０．２３
で表され、０．１１及び０．２３を含む。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、０．６以下であると、ビックスバイト構造単層構造が不安定となり他の結晶型が発生するおそれがあり、０．７５以上であると、スパッタリングで作製した膜が結晶化しやすくエッチング速度が遅くなったりエッチング後に残さが発生するおそれがある。また、インジウムの削減効果が不十分となる。Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、０．６１〜０．６９の範囲内の値であることがより好ましく、０．６１〜０．６５の範囲内の値であることがさらに好ましい。
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１より小さいと、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２〜２０の整数）で表される六方晶層状化合物やＺｎＯが生成しターゲットの抵抗が上がるおそれがあり、０．２３より大きいと、Ｓｎ３Ｉｎ４Ｏ１２、ＳｎＯ２、ＳｎＯ等が生成しターゲットの抵抗が上がったりノジュールが発生するおそれがある。
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、０．１１〜０．２１の範囲内の値であることがより好ましく、０．１１〜０．１９の範囲内の値であることがさらに好ましく、０．１２〜０．１９の範囲内の値であることが特に好ましい。
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は、０．１１〜０．２１の範囲内の値であることがより好ましく、０．１１〜０．１９の範囲内の値であることがさらに好ましく、０．１２〜０．１９の範囲内の値であることが特に好ましい。
さらに、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子は、０．０３〜０．３の範囲内の値であることが好ましく、０．０６〜０．３の範囲内の値であることがより好ましく、０．１２〜０．３の範囲内の値であることが特に好ましい。Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子が０．０３より少ないと、エッチング残渣が残るおそれがあり、０．３より多いと、大気下での耐熱性が悪化したり、成膜速度が遅くなるおそれがある。
ここで、本発明のターゲットにおける上記原子比は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析によって測定することができる。
本発明のターゲットは、Ｉｎ２Ｏ３粉末のＸ線回折（ＸＲＤ）ピーク位置に対する、ビックスバイト構造化合物のピーク位置がプラス方向（広角側）にシフトしていることが好ましい。プラス方向（広角側）にシフトしていることはインジウムイオンよりイオン半径の小さい陽イオンが固溶置換し格子間距離が短くなっていることを意味するものと推察される。なお、Ｉｎ２Ｏ３粉末のＸ線回折（ＸＲＤ）ピーク位置（パターン）は、ＪＣＰＤＳ（Joint Committee on Powder Diffraction Standards）データベースのNo.０６−０４１６に公開されている。
ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置のシフトは、０．１度より小さいとビックスバイト構造化合物への他原子の固溶が不十分となり他の結晶型が析出するおそれがある。
ビックスバイト構造化合物のピーク位置のシフトは、最大ピークの位置（２θ）で０．０５度以上が好ましく、０．１度以上がより好ましく、０．２度以上が特に好ましい。
ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置のシフトは、０．１度より小さいとビックスバイト構造化合物への他原子の固溶が不十分となり他の結晶型が析出するおそれがある。
ビックスバイト構造化合物のピーク位置のシフトは、最大ピークの位置（２θ）で０．０５度以上が好ましく、０．１度以上がより好ましく、０．２度以上が特に好ましい。
ここで、ピークのシフト角は、Ｘ線回折のチャートを解析することによって測定することができる。
図１は、後述する実施例１で製造された本発明のターゲットのＸ線回折のチャートであり、ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置のシフトが０．４度であったことを示している。
図１は、後述する実施例１で製造された本発明のターゲットのＸ線回折のチャートであり、ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置のシフトが０．４度であったことを示している。
本発明のターゲットは、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で観察したＺｎ凝集部の平均径が５０μｍ以下であることが好ましい。
Ｚｎ凝集部の平均径が５０μｍを超えていると、Ｚｎ凝集体の部分が応力集中点となり、強度が低下したり、電荷（チャージ）が発生し、異常放電が起こるおそれがあり、好ましくない。
Ｚｎ凝集部の平均径は、３０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、ターゲット断面積に対するＺｎ凝集体の面積比は、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下である。
Ｚｎ凝集部の平均径が５０μｍを超えていると、Ｚｎ凝集体の部分が応力集中点となり、強度が低下したり、電荷（チャージ）が発生し、異常放電が起こるおそれがあり、好ましくない。
Ｚｎ凝集部の平均径は、３０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、ターゲット断面積に対するＺｎ凝集体の面積比は、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下である。
本発明のターゲットは、Ｃｒ、Ｃｄの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることが好ましい。
Ｃｒ、Ｃｄは本発明のターゲットにおける不純物であり、その含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）を超えると、他の結晶型の核となり、ビックスバイト構造をとり難くなるおそれがある。また、成膜し、液晶表示装置に用いた際に、耐久性が低下したり、焼き付きが発生し易くなるおそれがある。
上記Ｚｎ凝集部分を除くと、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎともほぼ均一に分散していることが好ましい。
Ｃｒ、Ｃｄの含有量は各々５ｐｐｍ以下であることがより好ましく、各々１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
Ｃｒ、Ｃｄは本発明のターゲットにおける不純物であり、その含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）を超えると、他の結晶型の核となり、ビックスバイト構造をとり難くなるおそれがある。また、成膜し、液晶表示装置に用いた際に、耐久性が低下したり、焼き付きが発生し易くなるおそれがある。
上記Ｚｎ凝集部分を除くと、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎともほぼ均一に分散していることが好ましい。
Ｃｒ、Ｃｄの含有量は各々５ｐｐｍ以下であることがより好ましく、各々１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
本発明のターゲットは、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることが好ましい。
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕは、本発明のターゲットにおける不純物であり、その含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）を超えると、他の結晶型が発生し易くなり、ビックスバイト構造をとり難くなるおそれがある。
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量は、各々５ｐｐｍ以下であることがより好ましく、各々１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
上記の不純物元素の含有量は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析法によって測定できる。
また、本発明の効果を損なわない範囲内でＭｇ、Ｂ、Ｇａを含有させて透過率を改善したり、Ａｌを加えて耐熱性を改善したり、Ｚｒを加えて耐薬品性を改善してもよい。
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕは、本発明のターゲットにおける不純物であり、その含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）を超えると、他の結晶型が発生し易くなり、ビックスバイト構造をとり難くなるおそれがある。
Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量は、各々５ｐｐｍ以下であることがより好ましく、各々１ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
上記の不純物元素の含有量は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析法によって測定できる。
また、本発明の効果を損なわない範囲内でＭｇ、Ｂ、Ｇａを含有させて透過率を改善したり、Ａｌを加えて耐熱性を改善したり、Ｚｒを加えて耐薬品性を改善してもよい。
本発明のターゲットにおいては、ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることが好ましい。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍを超えると、粒界が応力集中点となり、強度が低下したり、ターゲット表面の平滑性が損なわれ易くなるおそれがある。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径は、８μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることが特に好ましい。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径は、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によって測定できる。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍを超えると、粒界が応力集中点となり、強度が低下したり、ターゲット表面の平滑性が損なわれ易くなるおそれがある。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径は、８μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることが特に好ましい。
ビックスバイト構造化合物の結晶粒径は、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によって測定できる。
本発明のターゲットは、バルク抵抗が０．２〜１００ｍΩ・ｃｍの範囲内であることが好ましい。
バルク抵抗が０．２ｍΩ・ｃｍより小さいと、成膜した膜よりも抵抗が低くなり飛散した膜がノジュールの原因となるおそれがあり、１００ｍΩ・ｃｍより大きいと、スパッタリングが安定しないおそれがある。
本発明のターゲットのバルク抵抗は、０．３〜１０ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがより好ましく、０．４〜６ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがさらに好ましく、０．４〜４ｍΩ・ｃｍの範囲内であることが特に好ましい。
本発明のターゲットのバルク抵抗は、四探針法によって測定することができる。
バルク抵抗が０．２ｍΩ・ｃｍより小さいと、成膜した膜よりも抵抗が低くなり飛散した膜がノジュールの原因となるおそれがあり、１００ｍΩ・ｃｍより大きいと、スパッタリングが安定しないおそれがある。
本発明のターゲットのバルク抵抗は、０．３〜１０ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがより好ましく、０．４〜６ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがさらに好ましく、０．４〜４ｍΩ・ｃｍの範囲内であることが特に好ましい。
本発明のターゲットのバルク抵抗は、四探針法によって測定することができる。
本発明のターゲットは、理論相対密度が９０％以上であることが好ましい。ターゲットの理論相対密度が９０％より小さいと放電中にターゲットが割れる原因となるおそれがある。
本発明のターゲットの理論相対密度は、９４％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましく、９８％以上であることが特に好ましい。
本発明のターゲットの理論相対密度は、９４％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましく、９８％以上であることが特に好ましい。
ここで、ターゲットの理論相対密度は、次のようにして求める。
ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３の比重を各々５．６６ｇ／ｃｍ３、６．９５ｇ／ｃｍ３、７．１２ｇ／ｃｍ３として、その量比から密度を計算し、アルキメデス法で測定した密度との比率を計算して理論相対密度とする。
ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３の比重を各々５．６６ｇ／ｃｍ３、６．９５ｇ／ｃｍ３、７．１２ｇ／ｃｍ３として、その量比から密度を計算し、アルキメデス法で測定した密度との比率を計算して理論相対密度とする。
本発明のターゲットの抗折力は、１０ｋｇ／ｍｍ２以上であることが好ましく、１１ｋｇ／ｍｍ２以上であることがより好ましく、１２ｋｇ／ｍｍ２以上であることが特に好ましい。ターゲットの運搬、取り付け時に荷重がかかり、ターゲットが破損するおそれがあるという理由で、ターゲットには、一定以上の抗折力が要求され、１０ｋｇ／ｍｍ２未満では、ターゲットとしての使用に耐えられないおそれがある。
ターゲットの抗折力は、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じて測定することができる。
ターゲットの抗折力は、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じて測定することができる。
（Ｉ−２）スパッタリングターゲットの製造方法
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（以下、本発明のターゲット製造方法ということがある）は、スパッタリングターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の化合物を、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の配合した混合物を得る工程と、
該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、
該成形体の温度を１０〜１０００℃／時間で昇温する工程と、
該成形体を１１００〜１７００℃の温度で焼成して焼結体を得る工程と、
該焼結体を１０〜１０００℃／時間で冷却する工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法（以下、本発明のターゲット製造方法ということがある）は、スパッタリングターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の化合物を、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の配合した混合物を得る工程と、
該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、
該成形体の温度を１０〜１０００℃／時間で昇温する工程と、
該成形体を１１００〜１７００℃の温度で焼成して焼結体を得る工程と、
該焼結体を１０〜１０００℃／時間で冷却する工程と、
を含むことを特徴とする。
以下、本発明のターゲット製造方法を工程毎に説明する。
（１）配合工程
配合工程は、スパッタリングターゲットの原料である金属化合物を混合する必須工程である。
原料としては、粒径６μｍ以下のインジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒径よりも小さい粒径の錫化合物粉末を用いることが好ましい。錫化合物粉末の粒径が、インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末の粒径と同じか又はそれらより大きいと、ＳｎＯ２がターゲット中に存在（残存）しビックスバイト構造が生成しづらくなったり、ターゲットのバルク抵抗を高くするおそれがあるためである。
また、錫化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末及び亜鉛化合物粉末の粒子径よりも小さいことが好ましく、錫化合物粉末の粒子径はインジウム化合物粉末の粒子径の２分の１以下であるとさらに好ましい。また、亜鉛化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末の粒子径よりも小さいとビックスバイト構造が生成しやすく特に好ましい。
ターゲットの製造原料に用いる各金属化合物は、通常の混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、あるいは超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。
（１）配合工程
配合工程は、スパッタリングターゲットの原料である金属化合物を混合する必須工程である。
原料としては、粒径６μｍ以下のインジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末、及びそれらの粉末の粒径よりも小さい粒径の錫化合物粉末を用いることが好ましい。錫化合物粉末の粒径が、インジウム化合物の粉末、亜鉛化合物の粉末の粒径と同じか又はそれらより大きいと、ＳｎＯ２がターゲット中に存在（残存）しビックスバイト構造が生成しづらくなったり、ターゲットのバルク抵抗を高くするおそれがあるためである。
また、錫化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末及び亜鉛化合物粉末の粒子径よりも小さいことが好ましく、錫化合物粉末の粒子径はインジウム化合物粉末の粒子径の２分の１以下であるとさらに好ましい。また、亜鉛化合物粉末の粒子径がインジウム化合物粉末の粒子径よりも小さいとビックスバイト構造が生成しやすく特に好ましい。
ターゲットの製造原料に用いる各金属化合物は、通常の混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、あるいは超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。
ターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の酸化物は、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内で配合する必要がある。上記範囲をはずれると、前記効果を有する本発明のターゲットは得られない。
インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。
錫の化合物としては、例えば、酸化錫、水酸化錫等が挙げられる。
亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。
各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。
各原料の純度は、通常２Ｎ（９９質量％）以上、好ましくは３Ｎ（９９．９質量％）以上、より好ましくは４Ｎ（９９．９９質量％）以上である。純度が２Ｎより低いと、Ｃｒ、Ｃｄ等の重金属等が含まれることあり、これらの重金属等が含まれていると、このターゲットを用いて作製した透明導電膜の耐久性が損なわれたり、製品に有害性が生じるおそれがある。
錫の化合物としては、例えば、酸化錫、水酸化錫等が挙げられる。
亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。
各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。
各原料の純度は、通常２Ｎ（９９質量％）以上、好ましくは３Ｎ（９９．９質量％）以上、より好ましくは４Ｎ（９９．９９質量％）以上である。純度が２Ｎより低いと、Ｃｒ、Ｃｄ等の重金属等が含まれることあり、これらの重金属等が含まれていると、このターゲットを用いて作製した透明導電膜の耐久性が損なわれたり、製品に有害性が生じるおそれがある。
ターゲットの製造原料である金属酸化物を粉砕する場合、粉砕後の金属酸化物の粒径は、通常１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下である。金属酸化物の粒径が大きすぎると、ターゲットの密度が上がり難くなるおそれがある。
ターゲットの原料となる金属化合物の粉砕後の粒径は、ＪＩＳ Ｒ １６１９に準じて測定することができる。
ターゲットの原料となる金属化合物の粉砕後の粒径は、ＪＩＳ Ｒ １６１９に準じて測定することができる。
（２）仮焼工程
仮焼工程は、インジウム化合物と亜鉛化合物及び錫化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼する、必要に応じて設けられる工程である。
仮焼工程は、インジウム化合物と亜鉛化合物及び錫化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼する、必要に応じて設けられる工程である。
インジウム化合物と亜鉛化合物及び錫化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼することが好ましい。但し、液晶パネル用途等の大型ターゲットの場合、結晶型が安定しないことがあるため、このような場合には仮焼工程を経ない方が好ましい。
仮焼工程においては、５００〜１，２００℃で、１〜１００時間の条件で上記金属化合物の混合物を熱処理することが好ましい。５００℃未満又は１時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、１，２００℃を超えた場合又は１００時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があるためである。したがって、特に好ましいのは、８００〜１，２００℃の温度範囲で、２〜５０時間の条件で、熱処理（仮焼）することである。
尚、ここで得られた仮焼物は、成形して焼結する前に粉砕するのが好ましい。この仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒径が０．０１〜１．０μｍになるようにするのがよい。
仮焼物の粒径は、ＪＩＳ Ｒ １６１９に記載の方法に準じて測定することができる。
仮焼物の粒径は、ＪＩＳ Ｒ １６１９に記載の方法に準じて測定することができる。
（３）成形工程
成形工程は、金属酸化物の混合物（上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物）を加圧成形して成形体とする必須の工程である。成形工程において、得られた仮焼物を用いてターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形することができる。
成形工程は、金属酸化物の混合物（上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物）を加圧成形して成形体とする必須の工程である。成形工程において、得られた仮焼物を用いてターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形することができる。
本工程で用いることができる成形処理としては、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成形した後、後述する焼結処理を行うのが好ましい。
尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。
尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。
（４）焼成工程
焼結工程は、上記成形工程で得られた微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形した成形体を焼成する必須の工程である。焼成工程は、成形工程で得られた成形体の温度を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で昇温する工程と、該成形体を１，１００〜１，７００℃の範囲内の温度で焼成して焼結体を得る工程と、得られた焼結体を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で冷却する工程とを包含する。
焼成は、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼成等によって行うことができる。
焼結工程は、上記成形工程で得られた微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形した成形体を焼成する必須の工程である。焼成工程は、成形工程で得られた成形体の温度を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で昇温する工程と、該成形体を１，１００〜１，７００℃の範囲内の温度で焼成して焼結体を得る工程と、得られた焼結体を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で冷却する工程とを包含する。
焼成は、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼成等によって行うことができる。
焼成条件は、通常１，１００〜１，７００℃の範囲内、好ましくは１，２６０〜１，６４０℃の範囲内、より好ましくは１，３１０〜１，５９０℃の範囲内、特に好ましくは１，３６０〜１，５４０℃の範囲内において、３０分〜３６０時間の範囲内、好ましくは８〜１８０時間の範囲内、より好ましくは１２〜１２０時間の範囲内で焼成することが好ましい。
焼成は、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に行うことが好ましい。原料粉末混合物を、酸素ガスを含有しない雰囲気で焼成すると、焼成中に原料から酸素等のガス成分が脱離し、組成が変化してしまうおそれがある。また、１，７００℃以上の温度において焼成すると、六方晶層状化合物の生成が優先し、ビックスバイト結晶の生成が十分でなくなるおそれや成分の一部がガス化し組成比の制御が難しくなるおそれがある。また、１，１００℃より低いと目的とする結晶型が生成せずターゲットの焼結密度が上がらずターゲットの抵抗が上がったり、強度が低下するおそれがある。また、焼結温度が１，１００℃より低いと抵抗の高い他の結晶型が生成したり、原料組成が残存したり、ターゲットの相対密度が低下するおそれがある。焼結時間が３０分より短いと、原料組成が残存したり、ターゲットの相対密度が低下するおそれがある。
また、成形体の昇温速度は、通常１０〜１，０００℃／時間の範囲内、好ましくは２０〜６００℃／時間の範囲内、より好ましくは３０〜３００℃／時間の範囲内である。１，０００℃／時間より速いと六方晶層状化合物等が生成し、ビックスバイト構造化合物が十分生成しなくなくなる場合がある。１０℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が落ちるおそれがある。
また、焼結体の降温速度は、通常１０〜１，０００℃／時間の範囲内、好ましくは１５〜６００℃／時間の範囲内、より好ましくは２０〜３００℃／時間、特に好ましくは３０〜１００℃／時間の範囲内である。１，０００℃／時間より速いと六方晶層状化合物が生成し、ビックスバイト構造の形成が十分でなくなるおそれやターゲットにクラックが発生するおそれがある。１０℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が落ちるおそれがある。
さらに、降温速度は昇温速度より遅い方が好ましく、６０％以下がより好ましく，４０％以下が特に好ましい。降温速度は昇温速度より遅いと比較的短い製造時間で目的とするターゲットを製造することができる。
さらに、降温速度は昇温速度より遅い方が好ましく、６０％以下がより好ましく，４０％以下が特に好ましい。降温速度は昇温速度より遅いと比較的短い製造時間で目的とするターゲットを製造することができる。
（５）還元工程
還元工程は、上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体として均一化するために還元処理を行う、必要に応じて設けられる工程である。
本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。
還元工程は、上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体として均一化するために還元処理を行う、必要に応じて設けられる工程である。
本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。
また、還元性ガスによる場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
尚、還元温度は１００〜８００℃、好ましくは２００〜８００℃である。また、還元時間は、０．０１〜１０時間、好ましくは０．０５〜５時間である。
（６）加工工程
加工工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けるための、必要に応じて設けられる工程である。
加工工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けるための、必要に応じて設けられる工程である。
ターゲットの厚みは通常２〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１２ｍｍ、特に好ましくは４〜６ｍｍである。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け実質一つのターゲットとしてもよい。また、表面は８０〜１００００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、１００〜４０００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことがより好ましい。２００〜１０００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。８０番より小さいダイヤモンド砥石を使用するとターゲットが割れやすくなるおそれがある。
本発明のターゲットを製造するには、上記本発明ターゲット製造方法を用いることが好ましいが、ターゲットの上記粒径の原料を上記特定の原子比で混合し、上記焼成工程における焼結条件（昇温相度、降温速度、焼結温度、焼結時間）を用いさえすれば、それ以外の工程については、特に限定されず、例えば、特開２００２−６９５４４号公報、特開２００４−３５９９８４号公報、特許第３６２８５５４号等に開示されている公知の方法や、次のような方法を採用することもできる。また、これらの方法の一部を組合せた製造方法を用いてもよい。
工業用スパッタリングターゲットの製造方法（１）
(i)秤量された原料を水、助剤とともにボールミル・ビーズミル等で湿式混合・粉砕する。
(ii)得られた原料混合物をスプレードライヤー等で乾燥・造粒し造粒粉末を作る。
(iii)得られた造粒粉末をプレス成型した後、ゴム型でＳＩＰ成型する。
(iv)得られた成型体を酸素加圧下で焼成し焼成体を得る。
(v)得られた焼成体をダイヤモンドカッター・ウォーターカッター等で切削後、ダイヤモンド砥石等で研磨する。
(vi)イタルインジウム等の蝋剤を塗布し銅等でできたバッキングプレートと貼り合わせる。
(vii)蝋剤処理、酸化層除去等のためのバッキングプレート研磨、ターゲット表面処理を行う。
(i)秤量された原料を水、助剤とともにボールミル・ビーズミル等で湿式混合・粉砕する。
(ii)得られた原料混合物をスプレードライヤー等で乾燥・造粒し造粒粉末を作る。
(iii)得られた造粒粉末をプレス成型した後、ゴム型でＳＩＰ成型する。
(iv)得られた成型体を酸素加圧下で焼成し焼成体を得る。
(v)得られた焼成体をダイヤモンドカッター・ウォーターカッター等で切削後、ダイヤモンド砥石等で研磨する。
(vi)イタルインジウム等の蝋剤を塗布し銅等でできたバッキングプレートと貼り合わせる。
(vii)蝋剤処理、酸化層除去等のためのバッキングプレート研磨、ターゲット表面処理を行う。
工業用スパッタリングターゲットの製造方法（２）
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をプレス成型する。
(iii)得られた成型体を大気圧で焼成し焼成体を得る。
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をプレス成型する。
(iii)得られた成型体を大気圧で焼成し焼成体を得る。
工業用スパッタリングターゲットの製造方法（３）
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をボールミル・Ｖブレンダー等で湿式混合・粉砕し造粒分散液を得る。
(iii)得られた造粒分散液から鋳込み成型で成型体を得る。
(iv)得られた成型体を支持体上で空気に接触させ乾燥した後、大気圧で焼成し焼成体を得る。
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をボールミル・Ｖブレンダー等で湿式混合・粉砕し造粒分散液を得る。
(iii)得られた造粒分散液から鋳込み成型で成型体を得る。
(iv)得られた成型体を支持体上で空気に接触させ乾燥した後、大気圧で焼成し焼成体を得る。
ＩＩ．透明導電膜
（ＩＩ−１）透明導電膜の構成
本発明の透明導電膜は、上記本発明のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする。
（ＩＩ−１）透明導電膜の構成
本発明の透明導電膜は、上記本発明のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする。
本発明の透明導電膜は、非晶質又は微結晶のものであることが好ましく、非晶質のものであることが特に好ましい。結晶性であると、後述する透明電極作製時のエッチング速度が遅くなったり、エッチング後に残さが残ったり、透明電極を作製した際に、電極端部のテーパー角が３０〜８９度に入らなかったりするおそれがある。
本発明の透明導電膜は、金属配線エッチング液であるＰＡＮ（リン酸、酢酸、硝酸の混酸）に対する耐性を有することが好ましい。透明導電膜がＰＡＮ耐性を有すると、透明導電膜上に金属配線を成膜後、透明導電膜を溶かすことなく金属配線のエッチングを行うことができる。
（ＩＩ−２）透明導電膜の製造方法
本発明の透明導電膜を製造するためのスパッタリング法及びスパッタリング条件に特に制限はないが、直流（ＤＣ）マグネトロン法、交流（ＡＣ）マグネトロン法、高周波（ＲＦ）マグネトロン法が好ましい。液晶（ＬＣＤ）パネル用途では装置が大型化するため、ＤＣマグネトロン法、ＡＣマグネトロン法が好ましく、安定成膜可能なＡＣマグネトロン法が特に好ましい。
本発明の透明導電膜を製造するためのスパッタリング法及びスパッタリング条件に特に制限はないが、直流（ＤＣ）マグネトロン法、交流（ＡＣ）マグネトロン法、高周波（ＲＦ）マグネトロン法が好ましい。液晶（ＬＣＤ）パネル用途では装置が大型化するため、ＤＣマグネトロン法、ＡＣマグネトロン法が好ましく、安定成膜可能なＡＣマグネトロン法が特に好ましい。
スパッタ条件としては、スパッタ圧力が通常０．０５〜２Ｐａの範囲内、好ましくは０．１〜１Ｐａの範囲内、より好ましくは０．２〜０．８Ｐａの範囲内、到達圧力が通常１０−３〜１０−７Ｐａの範囲内、好ましくは５×１０−４〜１０−６Ｐａの範囲内、より好ましくは１０−４〜１０−５Ｐａの範囲内、基板温度が通常２５〜５００℃の範囲内、好ましくは５０〜３００℃の範囲内、より好ましくは１００〜２５０℃の範囲内である。
導入ガスとして、通常Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスを用いることができるが、これらのうち、成膜速度が速い点でＡＲが好ましい。また、Ｚｎ／Ｓｎ＜１の場合、導入ガスに酸素を０．０１〜５％含ませると、ターゲットのバルク抵抗が下がりやすく好ましい。Ｚｎ／Ｓｎ＞２の場合、導入ガスに水素を０．０１〜５％含ませると、得られる透明導電膜の抵抗が下がりやすく好ましい。
本発明の透明導電膜は、インジウムが削減されていても、導電性、エッチング性、耐熱性等に優れている。また、本発明の透明導電膜は、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能であり、金属又は合金と一括してエッチングを行うことができるという利点を有している。
本発明の透明導電膜は、その比抵抗が１２００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、９００μΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、６００μΩ・ｃｍ以下であることが特に好ましい。比抵抗が１２００μΩ・ｃｍを超えると、抵抗を下げるために膜厚を厚くしなければならなくなるという不都合がある。
透明導電膜の比抵抗は、四探針法により測定することができる。
透明導電膜の比抵抗は、四探針法により測定することができる。
本発明の透明導電膜の膜厚は、通常１〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは１０〜２４０ｎｍの範囲内、より好ましくは２０から１９０ｎｍの範囲内、特に好ましくは３０〜１４０ｎｍの範囲内である。膜厚が５００ｎｍより厚いと、部分的に結晶化したり、透過率が低下したり、成膜時間が長くなるおそれがある。１ｎｍより薄いと、基板の影響を受けやすくなり、比抵抗が安定しないおそれがある。
透明導電膜の膜厚は、触針法により測定できる。
透明導電膜の膜厚は、触針法により測定できる。
ＩＩＩ．透明電極
（ＩＩＩ−１）透明電極の構成
本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜をエッチングすることによって作製されたことを特徴とする。従って、本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜の上記特性を備えている。
本発明の透明電極は、電極端部のテーパー角が３０〜８９度の範囲内であることが好ましく、３５〜８５度の範囲内がより好ましく、４０〜８０度の範囲内が特に好ましい。電極端部のテーパー角は、断面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することによって測定することができる。
（ＩＩＩ−１）透明電極の構成
本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜をエッチングすることによって作製されたことを特徴とする。従って、本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜の上記特性を備えている。
本発明の透明電極は、電極端部のテーパー角が３０〜８９度の範囲内であることが好ましく、３５〜８５度の範囲内がより好ましく、４０〜８０度の範囲内が特に好ましい。電極端部のテーパー角は、断面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することによって測定することができる。
電極端部のテーパー角が３０度より小さいと電極エッジ部分の距離が長くなり、液晶パネルや有機ＥＬパネルを駆動させた場合、画素周辺部と内部とでコントラストに差が出る場合がある。また、８９度を超えるとエッジ部分の電極割れや剥離が起こり配向膜の不良や断線の原因となるおそれがある。
また、本発明の透明電極は、電極端部のテーパー角の調整が容易なのでテーパー角の調整が困難な有機膜上に設ける場合に特に適している。
また、本発明の透明電極は、電極端部のテーパー角の調整が容易なのでテーパー角の調整が困難な有機膜上に設ける場合に特に適している。
（ＩＩＩ−２）透明電極の作製方法
本発明の透明電極の作製方法は、上記本発明の透明導電膜を、１〜１０質量％蓚酸含有水溶液で２０〜５０℃の温度範囲でエッチングすることを特徴とする。
蓚酸含有水溶液の蓚酸含有量は１〜５質量％であることがより好ましい。
本発明の透明電極の作製方法においては、電極端部のテーパー角が３０〜８９度の範囲内である透明電極を作製することが好ましい。
本発明の透明電極の作製方法は、上記本発明の透明導電膜を、１〜１０質量％蓚酸含有水溶液で２０〜５０℃の温度範囲でエッチングすることを特徴とする。
蓚酸含有水溶液の蓚酸含有量は１〜５質量％であることがより好ましい。
本発明の透明電極の作製方法においては、電極端部のテーパー角が３０〜８９度の範囲内である透明電極を作製することが好ましい。
成膜された透明導電膜を、３５℃の５質量％蓚酸水溶液によってエッチングする場合のエッチング速度は、通常１０〜５００ｎｍ／分の範囲内、好ましくは２０〜１５０ｎｍ／分の範囲内、特に好ましくは３０〜１００ｎｍ／分の範囲内である。１０ｎｍ／分より遅いと生産タクトが遅くなるばかりでなく、得られる透明電極上にエッチング残渣が残るおそれがある。５００ｎｍ／分より早いと早すぎて線幅等が制御できないおそれがある。
また、成膜された透明導電膜が金属配線エッチング液であるＰＡＮ（リン酸、酢酸、硝酸の混酸）に対する耐性を有すると、透明導電膜上に金属配線を成膜後、透明導電膜を溶かすことなく金属配線のエッチングを行うことができる。ＰＡＮ耐性は、ＰＡＮによるエッチング速度が５０℃で２０ｎｍ／分以下であることが好ましく、１０ｎｍ／分以下であることがさらに好ましい。
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
実施例１
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料として、純度４Ｎ、平均粒径２μｍの酸化インジウム、純度４Ｎ、平均粒径０．６μｍの酸化亜鉛、純度４Ｎ、平均粒径０．５μｍの酸化錫とを、〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕で表される原子比が０．６４、〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕で表される原子比が０．１８、〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕原子比で表されるが０．１８となるように混合して、これを湿式ボールミルに供給し、２０時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。
得られた原料微粉末を造粒した後、直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス成形して、これを焼成炉に装入し、酸素ガス加圧下に、１，４００℃において、４８時間の条件で焼成して、焼結体（ターゲット）を得た。昇温速度は、１８０℃／時間、降温速度は６０℃／時間であった。
実施例１
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料として、純度４Ｎ、平均粒径２μｍの酸化インジウム、純度４Ｎ、平均粒径０．６μｍの酸化亜鉛、純度４Ｎ、平均粒径０．５μｍの酸化錫とを、〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕で表される原子比が０．６４、〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕で表される原子比が０．１８、〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕原子比で表されるが０．１８となるように混合して、これを湿式ボールミルに供給し、２０時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。
得られた原料微粉末を造粒した後、直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス成形して、これを焼成炉に装入し、酸素ガス加圧下に、１，４００℃において、４８時間の条件で焼成して、焼結体（ターゲット）を得た。昇温速度は、１８０℃／時間、降温速度は６０℃／時間であった。
（２）ターゲットの評価
得られたターゲットにつき、密度、バルク抵抗値、Ｘ線回折分析、結晶粒径及び各種物性を測定した。その結果、理論相対密度は９６％であり、四探針法により測定したバルク抵抗値は、０．６ｍΩ・ｃｍであった。
また、この焼結体から採取した試料について、Ｘ線回折法により透明導電材料中の結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中に、ビックスバイト構造化合物のみが確認された。特に、ＳｎＯ２やＳｎ３Ｉｎ４Ｏ１２に帰属されるピークは確認できなかった。図１に得られたターゲットのＸ線回折のチャートを示す。
得られたターゲットにつき、密度、バルク抵抗値、Ｘ線回折分析、結晶粒径及び各種物性を測定した。その結果、理論相対密度は９６％であり、四探針法により測定したバルク抵抗値は、０．６ｍΩ・ｃｍであった。
また、この焼結体から採取した試料について、Ｘ線回折法により透明導電材料中の結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中に、ビックスバイト構造化合物のみが確認された。特に、ＳｎＯ２やＳｎ３Ｉｎ４Ｏ１２に帰属されるピークは確認できなかった。図１に得られたターゲットのＸ線回折のチャートを示す。
さらに、得られた焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径０．０５μｍのアルミナ粒子で研磨した後、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）であるＪＸＡ−８６２１ＭＸ（日本電子社製）により５，０００倍に拡大した焼結体表面の３０μｍ×３０μｍ四方の枠内で観察される結晶粒子の最大径を測定した。３個所の枠内で同様に測定したそれぞれの最大粒子径の平均値を算出し、この焼結体のビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２．５／μｍであることを確認した。
ターゲットの元素分析を行ったところ、Ｃｒ、Ｃｄの含有量は１ｐｐｍ未満であった。
ターゲットの元素分析を行ったところ、Ｃｒ、Ｃｄの含有量は１ｐｐｍ未満であった。
また、（１）で得られた焼結体を切削加工して、直径約１０ｃｍ、厚さ約５ｍｍのスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法により透明導電膜の成膜を行った。
（３）透明導電性酸化物（透明導電膜）の成膜
上記（２）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。
ここでのスパッタ条件としては、スパッタ圧力１×１０−１Ｐａ、到達圧力５×１０−４Ｐａ、基板温度２００℃、投入電力１２０Ｗ、成膜時間１５分間とした。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約１００ｎｍの透明導電性酸化物が形成された透明導電ガラスが得られた。
上記（２）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。
ここでのスパッタ条件としては、スパッタ圧力１×１０−１Ｐａ、到達圧力５×１０−４Ｐａ、基板温度２００℃、投入電力１２０Ｗ、成膜時間１５分間とした。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約１００ｎｍの透明導電性酸化物が形成された透明導電ガラスが得られた。
（４）スパッタ状態の評価
(i)異常放電の発生数
（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、アルゴンガスに３％の水素ガスを添加した混合ガスを用いた他は、上記（３）と同一条件下に、２４０時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターしたが１度も確認されなかった。
(i)異常放電の発生数
（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、アルゴンガスに３％の水素ガスを添加した混合ガスを用いた他は、上記（３）と同一条件下に、２４０時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターしたが１度も確認されなかった。
(ii)ノジュール発生数
上記（i）と同じ条件で８時間連続してスパッタリングを行った。次いで、スパッタリング後のターゲットの表面を実体顕微鏡により３０倍に拡大して観察した。ターゲット上の任意の３点で視野９００ｍｍ２中における２０μｍ以上のノジュール発生数をそれぞれ測定し、平均値を求めた。
上記（i）と同じ条件で８時間連続してスパッタリングを行った。次いで、スパッタリング後のターゲットの表面を実体顕微鏡により３０倍に拡大して観察した。ターゲット上の任意の３点で視野９００ｍｍ２中における２０μｍ以上のノジュール発生数をそれぞれ測定し、平均値を求めた。
（５）透明導電膜の物性の評価
上記（３）で得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の導電性について、四探針法により比抵抗を測定したところ、５００μΩ・ｃｍであった。
また、この透明導電膜は、Ｘ線回折分析により非晶質であることを確認した。一方、膜表面の平滑性についても、Ｐ−Ｖ値（ＪＩＳＢ０６０１準拠）が５ｎｍであることから、平滑性が良好であることを確認した。
さらに、この透明導電膜の透明性については、分光光度計により波長５００ｎｍの光線についての光線透過率が９０％であり、透明性においても優れたものであった。
上記（３）で得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の導電性について、四探針法により比抵抗を測定したところ、５００μΩ・ｃｍであった。
また、この透明導電膜は、Ｘ線回折分析により非晶質であることを確認した。一方、膜表面の平滑性についても、Ｐ−Ｖ値（ＪＩＳＢ０６０１準拠）が５ｎｍであることから、平滑性が良好であることを確認した。
さらに、この透明導電膜の透明性については、分光光度計により波長５００ｎｍの光線についての光線透過率が９０％であり、透明性においても優れたものであった。
さらに、この透明導電膜を５質量％蓚酸３５℃でエッチングを行ったところ、エッチング速度は８０ｎｍ／分であった。
また、代表的なリン酸系金属配線用エッチング液であるＰＡＮ（硝酸３．３質量％、リン酸９１．４質量％、酢酸１０．４質量％の混酸）によるエッチング速度が５０℃で２０ｎｍ／分以下であり、ＰＡＮ耐性は良好であった。
尚、表１において、ＰＡＮ耐性の評価の表示は、５０℃、２０ｎｍ／分以下を「○」で表し、５０℃、２０ｎｍ／分を超える場合を「×」で表す。
また、代表的なリン酸系金属配線用エッチング液であるＰＡＮ（硝酸３．３質量％、リン酸９１．４質量％、酢酸１０．４質量％の混酸）によるエッチング速度が５０℃で２０ｎｍ／分以下であり、ＰＡＮ耐性は良好であった。
尚、表１において、ＰＡＮ耐性の評価の表示は、５０℃、２０ｎｍ／分以下を「○」で表し、５０℃、２０ｎｍ／分を超える場合を「×」で表す。
尚、Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）の測定条件は以下の通りであった。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット ＤＳ，ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット ＤＳ，ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ
実施例２、３及び比較例１〜３
原料の組成比を表１のような原子比となるように調整した他は実施例１と同様にスパッタリングターゲット及び透明導電膜を作製し、評価した。但し、比較例１は、ＲＦマグネトロンスパッタリングを使用した。評価した結果を表１に示す。
原料の組成比を表１のような原子比となるように調整した他は実施例１と同様にスパッタリングターゲット及び透明導電膜を作製し、評価した。但し、比較例１は、ＲＦマグネトロンスパッタリングを使用した。評価した結果を表１に示す。
実施例４
実施例１と同じ組成の実質的にビックスバイト構造化合物からなる大型ターゲットを製造し、ＤＣマグネトロンスパッタリング、及び蓚酸エッチングにより、有機膜上にテレビ用液晶ディスプレイの電極を作製した。この電極を用いて作製したパネルの点灯試験を行ったところ、ＩＴＯを用いたものに遜色のない性能が得られた。
また、１０，０００時間の連続点灯でも焼き付き等の不具合が発生しなかった。
実施例１と同じ組成の実質的にビックスバイト構造化合物からなる大型ターゲットを製造し、ＤＣマグネトロンスパッタリング、及び蓚酸エッチングにより、有機膜上にテレビ用液晶ディスプレイの電極を作製した。この電極を用いて作製したパネルの点灯試験を行ったところ、ＩＴＯを用いたものに遜色のない性能が得られた。
また、１０，０００時間の連続点灯でも焼き付き等の不具合が発生しなかった。
本発明によれば、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできる、インジウム含有量が低減された、抵抗が低く、理論相対密度が高く、強度が高いスパッタリングターゲットが得られる。
本発明のスパッタリングターゲットを用いることにより、ノジュールの発生がなく、比抵抗が低く、適度な蓚酸エッチング速度を有し、ＰＡＮ耐性を有する透明導電膜及び透明電極が得られる。
本発明の透明電極は、特に、電極の微細加工が必要なアクティブマトリックス型の表示装置に有用である。
また、本発明のターゲットは安定にスパッタリングが行なえるため、成膜条件を調整するなどしてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に代表される透明酸化物半導体の成膜にも適用できる。
本発明のスパッタリングターゲットを用いることにより、ノジュールの発生がなく、比抵抗が低く、適度な蓚酸エッチング速度を有し、ＰＡＮ耐性を有する透明導電膜及び透明電極が得られる。
本発明の透明電極は、特に、電極の微細加工が必要なアクティブマトリックス型の表示装置に有用である。
また、本発明のターゲットは安定にスパッタリングが行なえるため、成膜条件を調整するなどしてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に代表される透明酸化物半導体の成膜にも適用できる。
本発明による透明導電膜は、各種の表示装置を構成する部品として有用である。
Claims (15)
- インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記ビックスバイト構造化合物が、Ｉｎ２Ｏ３で表されることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
- Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内の値であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の値であることを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
- Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるピークについて、ビックスバイト構造化合物の最大ピーク位置が、Ｉｎ２Ｏ３単結晶粉末のものに対してプラス方向（広角側）にシフトしていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- 電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）で観察したＺｎ凝集体の平均径が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- Ｃｒ、Ｃｄの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- Ｆｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕの含有量が各々１０ｐｐｍ（質量）以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- ビックスバイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- バルク抵抗が０．２〜１００ｍΩ・ｃｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- 理論相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
- スパッタリングターゲットの原料であるインジウム、錫及び亜鉛の化合物を、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．６より大きく０．７５より小さい範囲内であり、かつ、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が０．１１〜０．２３の範囲内の配合した混合物を得る工程と、
該混合物を加圧成形し成形体を作る工程と、
該成形体の温度を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で昇温する工程と、
該成形体を１，１００〜１，７００℃の範囲内の温度で焼成して焼結体を得る工程と、
該焼結体を１０〜１，０００℃／時間の範囲内で冷却する工程と、
を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項１〜１０のいずれか一項記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする透明導電膜。
- 請求項１２記載の透明導電膜をエッチングすることによって作製されたことを特徴とする透明電極。
- 電極端部のテーパー角が３０〜８９度であることを特徴とする請求項１３記載の透明電極。
- 請求項１２記載の透明導電膜を、１〜１０質量％蓚酸含有水溶液で２０〜５０℃の温度範囲でエッチングすることを特徴とする透明電極の作製方法。
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