JP5188182B2 - スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極 - Google Patents

スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極 Download PDF

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Description

本発明は、インジウムを削減したスパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極に関する。
近年、表示装置の発展はめざましく、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置、又はフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等が、パーソナルコンピューター、ワードプロセッサ等の事務機器、工場における制御システム用の表示装置として使用されている。これら表示装置は、いずれも表示素子を透明導電性酸化物により挟み込んだサンドイッチ構造を備えている。
このような透明導電性酸化物としては、非特許文献１に開示されているように、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又は蒸着法によって成膜されるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略称することがある）又はインジウム亜鉛酸化物（以下ＩＺＯと略称することがある）が主流を占めている。
ＩＴＯは、酸化インジウムと酸化錫とからなり、透明性や導電性に優れるほか、強酸によるエッチング加工が可能であり、さらに基板との密着性にも優れている。また、ＩＺＯはＩＴＯの特徴に加え弱酸によるエッチング加工に優れ電極の高精細化が可能である。
しかしながら、近年、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の急激な普及により、ＦＰＤに必須な透明電極の主原料であるインジウムの供給不安が発生している。また、インジウムは亜鉛・錫に比べると有害性の疑いがあり、その観点からも使用量の制限が求められている。一方、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電膜用ターゲットはインジウムの含有量が高い（８０〜９０原子％）。そのため、ＩＴＯやＩＺＯのターゲット中のインジウム量を減らすことが強く求められてきている。
一方、ＩＺＯからなるターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とするすることでノジュールの発生を防ぎ異常放電を抑える方法が検討されている（特許文献１、特許文献２）。
ＷＯ０１／０３８５９９パンフレット 特開平０６−２３４５６５号公報 「透明導電膜の技術」（（株）オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物・光電子材料第１６６委員会編、１９９９）
本発明の目的は、インジウム含有量が少ない、高密度かつ低抵抗のターゲット及びこのターゲットを用いて作製した透明導電膜とタッチパネル用透明電極を提供することである。
ＩＺＯにおいてインジウム含有量を３５原子％以下まで削減して、密度を高めるために高温で焼結すると、得られるターゲットの抵抗が極めて高くなる。即ち、ＩＺＯのターゲットでは、相対密度を上げることとバルク抵抗を下げることの両立が困難で、インジウム含有量を減らすことが難しかった。
発明者らは鋭意研究の結果、インジウム含有量が３５原子％以下のＩＺＯでは、密度を高めるために高温で焼結すると、抵抗が極めて高いＺｎＯ数が大きい六方晶化合物（ｍが１０以上のＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ）が発生することを見出した。さらに、発明者らは、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含む酸化物の焼結体をうることによって、インジウム量３５％以下でもターゲットの相対密度を上げ、バルク抵抗が低いターゲットが作製できることを見出した。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
１．インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１０〜０．３５、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１５〜０．３５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．５０〜０．７０であり、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物及びＺｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含む酸化物の焼結体であるスパッタリングターゲット。
２．Ｘ線回折において、前記六方晶層状化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））、前記スピネル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））及びＳｎＯ２で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（ＳｎＯ２））が、下記の関係を満たす１記載のスパッタリングターゲット。
（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））／（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））＜１
（Ｉ（ＳｎＯ２））／（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））＜１
（Ｉ（ＳｎＯ２））／（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））＜１
３．前記Ｘ線回折において、前記スピネル構造化合物のピークが狭角側にシフトしている１又は２記載のスパッタリングターゲット。
４．バルク抵抗が０．５〜３００ｍΩｃｍである１〜３のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
５．相対密度が９０％以上である１〜４のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
６．１〜５のいずれか記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜してなる透明導電膜。
７．６記載の透明導電膜を用いるタッチパネル用透明電極。
本発明によれば、インジウム含有量が少ない、高密度かつ低抵抗のターゲット及びこのターゲットを用いて作製した透明導電膜とタッチパネル用透明電極が提供できる。
図１は実施例１で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折のチャートを示す図である。
本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含む酸化物の焼結体である。
この酸化物は、六方晶層状化合物とスピネル構造化合物の他に、ビックスバイト構造化合物、ウルツ鉱構造化合物、ルチル構造化合物を含むことができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、本発明の効果を損なわない限り、インジウム、錫、亜鉛の他に、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、ホウソ、ゲルマニウム、ニオブ、モリブデン、タングステン、イットリウム、アンチモン、ハフニウム、タンタル、カルシウム、ベリリウム、ソトロンチウム、セシウム、ランタノイド類を含むことができる。
本発明のターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は０．１０〜０．３５、好ましくは０．１１〜０．２９、より好ましくは０．１２〜０．２４、特に好ましくは０．１４〜０．２４である。
０．１０より小さいとターゲットの相対密度が低かったりバルク抵抗が高くなる恐れがある。０．３５より大きいとインジウム削減効果が少なくなる。
本発明のターゲットにおいて、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は０．１５〜０．３５、好ましくは０．１８〜０．３４、より好ましくは０．２０〜０．３３である。この範囲を外れるとＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物が共存することが困難で、ターゲットのバルク抵抗が高くなる恐れがある。
本発明のターゲットにおいて、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比は０．５０〜０．７０、好ましくは０．５１〜０．６９、より好ましくは０．５２〜０．６５である。この範囲を外れるとＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物が共存することが困難で、ターゲットのバルク抵抗が高くなる恐れがある。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｘ線回折において、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍで表される六方晶層状化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））及びＳｎＯ２で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（ＳｎＯ２））の関係が
（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））／（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））＜１
（Ｉ（ＳｎＯ２））／（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））＜１
（Ｉ（ＳｎＯ２））／（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））＜１
を満たすことが好ましい。（Ｉ（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ））／（Ｉ（Ｚｎ２ＳｎＯ４））に関しては、０．３より小さいことがより好ましい。上記の範囲を外れるとターゲットのバルク抵抗が高くなる恐れがある。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｘ線回折において、好ましくはＺｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物のピーク（２θ）が狭角側（マイナス方向）にシフトしている。上記のシフト量は好ましくは０．０１度以上、より好ましくは０．０２度以上、特に好ましくは０．０３度以上である。
シフトする角度が０．０１度より小さいと、キャリア発生が不十分となりターゲットの抵抗が高くなる恐れがある。これは、Ｚｎ２ＳｎＯ４中への他原子の固溶量（原子数）が不十分でキャリア電子が十分に発生していないためと思われる。
本発明のスパッタリングターゲットのバルク抵抗は、好ましくは０．５〜３００ｍΩｃｍ、より好ましくは０．６〜２００ｍΩｃｍ、さらに好ましくは０．７〜１５０ｍΩｃｍ、特に好ましくは０．８〜１００ｍΩｃｍである。
０．５ｍΩｃｍより小さいとダストとなりターゲットに付着した透明導電膜片との抵抗差によりチャージが発生し異常放電の原因となる恐れがある。また、３００ｍΩｃｍより大きいと安定してＤＣスパッタリングすることが困難となる恐れがある。
本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９８％以上、特に好ましくは９９％以上である。
９０％より小さいと成膜速度が遅くなり、ターゲットの強度が低下する恐れがある。
本発明の透明導電膜は、上記スパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜して得られる。
透明導電膜の比抵抗は好ましくは１〜１００ｍΩｃｍ、より好ましくは２〜１０ｍΩｃｍである。膜厚は好ましくは１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは５０〜６００ｎｍ、特に好ましくは１００〜４００ｎｍである。
通常透明電極の比抵抗は低いほど好ましいが、タッチパネル用透明導電膜はある程度高抵抗であることが好ましい。上記の比抵抗を有する本発明の透明導電膜はタッチパネル用透明電極として特に適している。
また、成膜時の酸素分圧を調整したり、成膜後酸素存在下で熱処理する等してキャリア密度を制御することでＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等の半導体用途にも使用できる。
成膜された透明導電膜の３５℃の蓚酸系エッチング液によるエッチング速度は、通常２０〜１０００ｎｍ／分、好ましくは３０〜３００ｎｍ／分、特に好ましくは５０〜２００ｎｍ／分である。２０ｎｍ／分より遅いと製造時のタクトが遅くなるばかりではなくエッチング残渣が残る恐れがある。１０００ｎｍ／分より早いと早すぎて線幅等が制御できない恐れがある。
次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
スパッタリングターゲットの製造方法としては、通常、原料を混合する工程と、加圧成形し成形体を作る工程と、成形体を焼成する工程を含む。
例えば特開２００２−０６９５４４号公報、特開２００４−３５９９８４号公報、特許０３６２８５５４号公報等の公知の方法を利用することができる。
特に、インジウム、錫、亜鉛の配合量を調整して、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物を製造することができる。
下記に好適なスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す。
（１）配合工程
ターゲットの製造原料に用いる各金属酸化物は、通常の混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、あるいは超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。
この際、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１０〜０．３５、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１５〜０．３５、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．５０〜０．７０となるように配合する。
（２）仮焼工程
次いで、インジウム化合物と亜鉛化合物及び錫化合物の混合物を得た後、任意工程であるが、この混合物を仮焼することが好ましい。この仮焼工程においては、５００〜１，２００℃で、１〜１００時間の条件で熱処理することが好ましい。
この理由は、５００℃未満又は１時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、１，２００℃を超えた場合又は１００時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があるためである。
従って、特に好ましいのは、８００〜１，２００℃の温度範囲で、２〜５０時間の条件で、熱処理（仮焼）することである。
尚、ここで得られた仮焼物は、成形して焼結する前に粉砕するのが好ましい。この仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が０．０１〜１．０μｍになるようにするのがよい。
（３）成形工程
次いで、成形工程において、得られた仮焼物を用いてターゲットとして好適な形状に成形することが好ましい。
このような成形処理としては、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が行なわれるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成形した後、後述する焼結処理を行うのが好ましい。
尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。
（４）焼成工程
次いで、得られた微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形し、焼成して、ＨＩＰ（熱間静水圧）焼成等すればよい。
この場合の焼成条件は、通常、１１００〜１，７００℃、好ましくは１，２００〜１，６００℃、さらに好ましくは１，３００〜１，５００℃において、通常、３０分〜３６０時間、好ましくは８〜１８０時間、より好ましくは１２〜９６時間焼成することが好ましい。通常、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下で焼成する。一方、粉末混合物を、酸素ガスを含有しない雰囲気で焼成したり、１，７００℃以上の温度において焼成すると、Ｓｎ及びＳｎ化合物がガス化し炉を傷める恐れや、ｍが１０以上の六方晶層状化合物（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ）が生成する恐れがある。また、１，１００℃より低いと結晶型が生成せずターゲットの焼結密度が上がらずターゲットの抵抗が上がったり、強度が低下する恐れがある。
また、この場合の昇温速度は、５〜６００℃／時間（好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜４００℃／時間）とすることが好ましい。６００℃／時間より速いと六方晶層状化合物が生成し、スピネル結晶の形成が十分でなくなる場合がある。５℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が落ちる恐れがある。
また、降温速度は、５〜６００℃／時間（好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜４００℃／時間）とすることが好ましい。６００℃／時間より速いと六方晶層状化合物が生成し、スピネル結晶の形成が十分でなくなる場合がある。５℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が落ちる恐れがある。
（５）還元工程
得られた焼結体について、バルク抵抗を全体として均一化するために、任意工程であるが還元工程において還元処理を行うことが好ましい。
このような還元方法としては、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等を適用することができる。
また、還元性ガスによる場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
尚、還元温度は１００〜８００℃、好ましくは２００〜８００℃である。また、還元時間は、０．０１〜１０時間、好ましくは０．０５〜５時間である。
（６）加工工程
このようにして焼結して得られた焼結体は、加工工程において、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けてスパッタリングターゲットとすることが好ましい。ターゲットの厚みは通常２〜２０ｍｍ、好ましくは３〜１２ｍｍ、特に好ましくは４〜６ｍｍである。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け実質一つのターゲットとしてもよい。また、表面は８０〜４０００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、１００〜１０００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。８０番より小さいダイヤモンド砥石を使用するとターゲットが割れやすくなる恐れがある。研磨はターゲットの長板方向に行うことが強度が高く好ましい。
［実施例］
[実施例１]
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料として、各々４Ｎ相当の平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫とを、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．１６、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．２０、原子比〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．６４となるように混合して、これを湿式ボールミルに供給し、２０時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。
得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥及び造粒を行った。この造粒物を、２９４ＭＰａの圧力を掛けて冷間静水圧プレスで成形した。これを焼成炉に装入し、酸素ガス加圧下に、１，４００℃において、４８時間の条件で焼成して、焼結体（ターゲット）を得た。昇温速度は１，０００℃までを５０℃／時間、１，４００℃までを１５０℃／時間であった。降温時間は１００℃／時間であった。
（２）スパッタリングターゲットの評価
得られたターゲットにつき、アルキメデス法により相対密度、及び四探針法によりバルク抵抗値を測定した。その結果、相対密度は９９％であり、バルク抵抗値は、８０ｍΩｃｍであった。また、抗折力の測定を、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じて行った。
また、この焼結体から採取した試料について、Ｘ線回折法により透明導電材料中の結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中に、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）７で表される六方晶層状化合物、Ｚｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物及びＩｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物が確認された。
図１に、Ｘ線回折法の結果を示す。この図から、スピネル構造化合物のピークが挟角側に０．０５度シフトしていることが分かる。
尚、Ｘ線回折測定の測定条件は以下の通りであった。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−III
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å，グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法，連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリット ＤＳ，ＳＳ：２／３°，ＲＳ：０．６ｍｍ
さらに、得られた焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径０．０５μｍのアルミナ粒子で研磨した後、ＥＰＭＡで焼結体表面の３０μｍ×３０μｍ四方の枠内で観察される各結晶粒子径を測定した。３個所の枠内で同様に測定したそれぞれの粒子径の平均値を算出し、この焼結体のＩｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３で表される六方晶層状化合物、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造化合物の結晶粒径がともに２０μｍ以下であることを確認した。
また、（１）で得られた焼結体を切削加工し、＃４００でダイヤモンド固定砥粒砥石により研磨して、直径約１０ｃｍ、厚さ約５ｍｍのスパッタリングターゲットを作製し、ＡＦＭ法により表面粗さの測定を行った。研削面の表面粗さはＲａは０．３μｍであった
。
（３）透明導電性酸化物の成膜
（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。
スパッタ条件は、スパッタ圧力１×１０−１Ｐａ、到達圧力５×１０−４Ｐａ、基板温度２００℃、投入電力１２０Ｗ、成膜時間１５分間であった。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約１００ｎｍの透明導電性酸化物が形成された。
（４）透明導電性酸化物の評価
上記で得られたガラス上の透明導電膜の導電性について、四探針法により比抵抗を測定したところ、３ｍΩ／ｃｍであった。
また、この透明導電膜を（２）と同じ方法でＸ線回折し、その結果、非晶質であることを確認した。一方、膜表面の平滑性についても、Ｐ−Ｖ値（ＪＩＳＢ０６０１準拠）が５ｎｍであることから、良好であることを確認した。
この透明導電性酸化物の透明性については、分光光度計により波長５００ｎｍの光線についての光線透過率が８８％であり、透明性においても優れたものであった。
さらに、この透明導電膜を代表的な蓚酸系エッチング液（蓚酸５ｗｔ％）３５℃でエッチングを行ったところ、エッチング速度は１００ｎｍ／分であった。また、２００％のオーバエッチング後に電子顕微鏡（ＳＥＭ）でエッチング痕を観察したところ残さも少なく良好であった。
（５）異常放電の発生数
（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、アルゴンガスに３％の水素ガスを添加した混合ガスを用いた他は、上記（２）と同一条件下に、２４０時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターしたが１度も確認されなかった。
[実施例２、比較例１〜４]
原料の組成比を表１に示す原子比にして調製した他は実施例１と同様に作製評価した。結果を表１と表２に示す。ただし、スパッタリングについては比較例１、３、４についてはＲＦマグネトロンスパッタリングを用いた。
Figure 0005188182
Figure 0005188182
本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜した透明導電膜は、液晶ディスプレイ等のディスプレイやタッチパネル、太陽電池等に用いられる透明電極に適している。

Claims (6)

  1. インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、
    Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１０〜０．３５、
    Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．１５〜０．３５、
    Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子比が、０．５０〜０．７０であり、
    Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは３〜９の整数）で表される六方晶層状化合物及びＺｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含む酸化物の焼結体であり、
    Ｘ線回折において、
    前記六方晶層状化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｉｎ ２ Ｏ ３ （ＺｎＯ） ｍ ））、
    前記スピネル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（Ｚｎ ２ ＳｎＯ ４ ））及び
    ＳｎＯ ２ で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度（Ｉ（ＳｎＯ ２ ））が、下記の関係を満たす、スパッタリングターゲット。
    （Ｉ（Ｉｎ ２ Ｏ ３ （ＺｎＯ） ｍ ））／（Ｉ（Ｚｎ ２ ＳｎＯ ４ ））＜１
    （Ｉ（ＳｎＯ ２ ））／（Ｉ（Ｉｎ ２ Ｏ ３ （ＺｎＯ） ｍ ））＜１
    （Ｉ（ＳｎＯ ２ ））／（Ｉ（Ｚｎ ２ ＳｎＯ ４ ））＜１
  2. 前記Ｘ線回折において、前記スピネル構造化合物のピークが狭角側にシフトしている請求項１記載のスパッタリングターゲット。
  3. バルク抵抗が０．５〜３００ｍΩｃｍである請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
  4. 相対密度が９０％以上である請求項１〜３のいずれか一項記載のスパッタリングターゲット。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜してなる透明導電膜。
  6. 請求項５記載の透明導電膜を用いるタッチパネル用透明電極。
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