WO2007037191A1 - スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極 - Google Patents

スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極 Download PDF

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Kazuyoshi Inoue
Nobuo Tanaka
Yukio Shimane
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Definitions

  • ITO is made of indium oxide and acid tin, and is excellent in transparency and conductivity, can be etched with strong acid, and has excellent adhesion to the substrate.
  • IZO has excellent etching power due to the weak acid due to the characteristics of ITO, and enables high-definition electrodes.
  • Patent Document 1 Containing the hexagonal layered compound represented, and the crystal grain size of the hexagonal layered compound is 5 Methods have been studied in which nodules are generated and abnormal discharge is suppressed by setting the value to m or less (Patent Document 1, Patent Document 2).
  • Patent Document 1 WO01Z038599 Brochure
  • Sputtering target which is a sintered body of an oxide containing.
  • a transparent electrode for a touch panel using the transparent conductive film described in 7.6 A transparent electrode for a touch panel using the transparent conductive film described in 7.6.
  • the relative density of the target may be low, or the Balta resistance may be high.
  • the effect of reducing indium is reduced.
  • the atomic ratio represented by SnZ (In + Sn + Zn) is 0.15 to 0.35, preferably ⁇ or 0.118 to 0.34, more preferably ⁇ or 0.20. ⁇ 0.33. Outside this range, ZnO is a hexagonal layered compound represented by In O (ZnO) (m is an integer of 3 to 9).
  • the obtained fine powder is granulated, it may be formed into a desired shape by press molding, fired, and HIP (hot isostatic pressure) fired.
  • HIP hot isostatic pressure
  • the target was measured, and the relative density was measured by the Archimedes method, and the bulk resistance value was measured by the four probe method. As a result, the relative density was 99%, and the Balta resistance value was 80 m ⁇ cm. Further, the bending strength was measured according to JIS R 1601.
  • the obtained sintered body was embedded in a resin, and the surface was polished with alumina particles having a particle diameter of 0.05 ⁇ m, and then the surface of the sintered body was 30 m x 30 m with EPMA.
  • Each crystal particle diameter observed within the four-sided frame was measured.
  • the average value of the respective particle diameters measured in the same manner within the three frames was calculated, and the hexagonal layered composite compound represented by In O (ZnO) of this sintered body, In O
  • the sputtering target obtained in (1) was installed in a DC magnetron sputtering apparatus, and a mixed gas in which 3% hydrogen gas was added to argon gas was used. Sputtering was continued for 240 hours and the presence or absence of abnormal discharge was monitored, but it was never confirmed.

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Description

明 細 書
スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタツチパネル用透明電極 技術分野
[0001] 本発明は、インジウムを削減したスパッタリングターゲット、透明導電膜及びタツチパ ネル用透明電極に関する。
背景技術
[0002] 近年、表示装置の発展はめざましぐ液晶表示装置 (LCD)、エレクト口ルミネッセン ス (EL)表示装置、又はフィールドェミッションディスプレイ (FED)等力 パーソナル コンピューター、ワードプロセッサ等の事務機器、工場における制御システム用の表 示装置として使用されている。これら表示装置は、いずれも表示素子を透明導電性 酸ィ匕物により挟み込んだサンドイッチ構造を備えている。
[0003] このような透明導電性酸ィ匕物としては、非特許文献 1に開示されて 、るように、スパ ッタリング法、イオンプレーティング法、又は蒸着法によって成膜されるインジウム錫 酸ィ匕物（以下、 ITOと略称することがある）又はインジウム亜鉛酸ィ匕物（以下 IZOと略 称することがある）が主流を占めている。
[0004] ITOは、酸化インジウムと酸ィ匕錫とからなり、透明性や導電性に優れるほか、強酸に よるエッチング力卩ェが可能であり、さらに基板との密着性にも優れている。また、 IZO は ITOの特徴にカ卩ぇ弱酸によるエッチング力卩ェに優れ電極の高精細化が可能であ る。
[0005] しかしながら、近年、フラットパネルディスプレイ（FPD)の急激な普及により、 FPD に必須な透明電極の主原料であるインジウムの供給不安が発生している。また、イン ジゥムは亜鉛 '錫に比べると有害性の疑いがあり、その観点力もも使用量の制限が求 められている。一方、 ITOや IZO等の透明導電膜用ターゲットはインジウムの含有量 が高い（80〜90原子％)。そのため、 ITOや IZOのターゲット中のインジウム量を減 らすことが強く求められてきている。
[0006] 一方、 IZOからなるターゲットとして、 In O (ZnO) (mは 2〜20の整数である。）で
2 3 m
表される六方晶層状ィ匕合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を 5 m以下の値とするすることでノジュールの発生を防ぎ異常放電を抑える方法が検討さ れている (特許文献 1、特許文献 2)。
特許文献 1： WO01Z038599パンフレット
特許文献 2：特開平 06 - 234565号公報
非特許文献 1 :「透明導電膜の技術」（(株)オーム社出版、 日本学術振興会、透明酸 化物 ·光電子材料第 166委員会編、 1999)
[0007] 本発明の目的は、インジウム含有量が少な 、、高密度かつ低抵抗のターゲット及び このターゲットを用いて作製した透明導電膜とタツチパネル用透明電極を提供するこ とである。
発明の開示
[0008] IZOにおいてインジウム含有量を 35原子％以下まで削減して、密度を高めるため に高温で焼結すると、得られるターゲットの抵抗が極めて高くなる。即ち、 IZOのター ゲットでは、相対密度を上げることとバルタ抵抗を下げることの両立が困難で、インジ ゥム含有量を減らすことが難し力つた。
発明者らは鋭意研究の結果、インジウム含有量が 35原子％以下の IZOでは、密度 を高めるために高温で焼結すると、抵抗が極めて高い ZnO数が大きい六方晶化合 物 (mが 10以上の In O (ZnO) )が発生することを見出した。さらに、発明者らは、 I
2 3 m
n O (ZnO) (mは 3〜9の整数)で表される六方晶層状ィ匕合物、 Zn SnOで表され
2 3 m 2 4 るスピネル構造ィ匕合物を含む酸ィ匕物の焼結体をうることによって、インジウム量 35% 以下でもターゲットの相対密度を上げ、バルタ抵抗が低 、ターゲットが作製できること を見出した。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
1.インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、 InZ (In+Sn+Zn)で表される原子比力 0. 10〜0. 35、 SnZ (In+Sn+Zn)で表される原子比力 0. 15〜0. 35, Zn/ (ln+ Sn+Zn)で表される原子比力 0. 50〜0. 70であり、 In O (ZnO) (mは 3〜9の
2 3 m
整数)で表される六方晶層状化合物及び Zn SnOで表されるスピネル構造ィヒ合物
2 4
を含む酸ィ匕物の焼結体であるスパッタリングターゲット。
2. X線回折において、前記六方晶層状ィ匕合物の最大ピーク強度 (I (In O (ZnO) ))、前記スピネル構造化合物の最大ピーク強度 (I(Zn SnO ))及び SnOで表され
2 4 2 るルチル構造ィ匕合物の最大ピーク強度 (I (SnO ))力 下記の関係を満たす 1記載
2
のスパッタリングターゲット。
(Kin O (ZnO) ))/(l(Zn SnO ))<1
2 3 m 2 4
(I (SnO ))/(l(ln O (ZnO) ))<1
2 2 3 m
(I (SnO ))/(l(Zn SnO ))<1
2 2 4
3.前記 X線回折において、前記スピネル構造ィ匕合物のピークが狭角側にシフトして いる 1又は 2記載のスパッタリングターゲット。
4.バルタ抵抗が 0.5〜3001110«11でぁる1〜3のぃずれか記載のスパッタリングタ ーケット。
5.相対密度が 90%以上である 1〜4のいずれか記載のスパッタリングターゲット。
6. 1〜5のいずれか記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により 成膜してなる透明導電膜。
7.6記載の透明導電膜を用いるタツチパネル用透明電極。
[0009] 本発明によれば、インジウム含有量が少な 、、高密度かつ低抵抗のターゲット及び このターゲットを用いて作製した透明導電膜とタツチパネル用透明電極が提供できる 図面の簡単な説明
[0010] [図 1]図 1は実施例 1で得られたスパッタリングターゲットの X線回折のチャートを示す 図である。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、 In O (Zn
2 3
O) (mは 3〜9の整数)で表される六方晶層状ィ匕合物、 Zn SnOで表されるスピネ m 2 4
ル構造ィ匕合物を含む酸ィ匕物の焼結体である。
[0012] この酸ィ匕物は、六方晶層状化合物とスピネル構造化合物の他に、ビックスバイト構 造化合物、ウルッ鉱構造ィ匕合物、ルチル構造ィ匕合物を含むことができる。また、本発 明のスパッタリングターゲットは、本発明の効果を損なわない限り、インジウム、錫、亜 鉛の他に、アルミニウム、ガリウム、マグネシウム、ホウソ、ゲルマニウム、ニオブ、モリ ブデン、タングステン、イットリウム、アンチモン、ハフニウム、タンタル、カルシウム、ベ リリウム、ソトロンチウム、セシウム、ランタノイド類を含むことができる。
[0013] 本発明のターゲットにおいて、 InZ(In+Sn+Zn)で表される原子比は 0. 10〜0.
35、好ましく ίま 0. 11〜0. 29、より好ましく ίま 0. 12〜0. 24、特に好ましく ίま 0. 14〜 0. 24である。
0. 10より小さ 、とターゲットの相対密度が低力つたりバルタ抵抗が高くなる恐れが ある。 0. 35より大きいとインジウム削減効果が少なくなる。
[0014] 本発明のターゲットにおいて、 SnZ(In+Sn+Zn)で表される原子比は 0. 15〜0 . 35、好ましく ίま 0. 18〜0. 34、より好ましく ίま 0. 20〜0. 33である。この範囲を外 れると In O (ZnO) (mは 3〜9の整数)で表される六方晶層状ィ匕合物、 Zn SnOで
2 3 m 2 4 表されるスピネル構造ィ匕合物が共存することが困難で、ターゲットのノ レク抵抗が高 くなる恐れがある。
[0015] 本発明のターゲットにおいて、 ZnZ(In+Sn+Zn)で表される原子比は 0. 50〜0 . 70、好ましくは 0. 51〜0. 69、より好ましくは 0. 52〜0. 65である。この範囲を外 れると In O (ZnO) (mは 3〜9の整数)で表される六方晶層状ィ匕合物、 Zn SnOで
2 3 m 2 4 表されるスピネル構造ィ匕合物が共存することが困難で、ターゲットのノ レク抵抗が高 くなる恐れがある。
[0016] 本発明のスパッタリングターゲットは、 X線回折において、 In O (ZnO) で表される
2 3 m 六方晶層状化合物の最大ピーク強度 (I (In Ο (ZnO) ) )、 Zn SnOで表されるスピ
2 3 m 2 4
ネル構造ィ匕合物の最大ピーク強度 (I (Zn SnO ))及び SnOで表されるルチル構造
2 4 2
化合物の最大ピーク強度 (I (SnO ))の関係が
2
(Kin O (ZnO)
2 3 m ))/(l(Zn SnO ))<1
2 4
(I (SnO ))/(l(ln O (ZnO) ))<1
2 2 3 m
(I (SnO ))/(l(Zn SnO ))<1
2 2 4
を満たすことが好ましい。 (Kin O (ZnO) ))/(l(Zn SnO
2 3 m 2 4 ))に関しては、 0· 3より 小さ!/、ことがより好ま U、。上記の範囲を外れるとターゲットのバルタ抵抗が高くなる 恐れがある。
[0017] 本発明のスパッタリングターゲットは、 X線回折において、好ましくは Zn SnOで表 されるスピネル構造ィ匕合物のピーク（2 Θ )が狭角側（マイナス方向）にシフトして!/、る 。上記のシフト量は好ましくは 0. 01度以上、より好ましくは 0. 02度以上、特に好まし くは 0. 03度以上である。
シフトする角度が 0. 01度より小さいと、キャリア発生が不十分となりターゲットの抵 抗が高くなる恐れがある。これは、 Zn SnO中への他原子の固溶量 (原子数）が不十
2 4
分でキャリア電子が十分に発生して 、な 、ためと思われる。
[0018] 本発明のスパッタリングターゲットのバルタ抵抗は、好ましくは 0. 5〜300m Q cm、 より好ましくは 0. 6〜2001110 «11、さらに好ましくは0. 7〜150m Q cm、特に好ましく は 0. 8〜： LOOm Q cmである。
0. 5m Ω cmより小さいとダストとなりターゲットに付着した透明導電膜片との抵抗差 によりチャージが発生し異常放電の原因となる恐れがある。また、 300m Ω cmより大 きいと安定して DCスパッタリングすることが困難となる恐れがある。
[0019] 本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は好ましくは 90%以上、より好ましく は 95%以上、さらに好ましくは 98%以上、特に好ましくは 99%以上である。
90%より小さいと成膜速度が遅くなり、ターゲットの強度が低下する恐れがある。
[0020] 本発明の透明導電膜は、上記スパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜 して得られる。
透明導電膜の比抵抗は好ましくは 1〜： L OOm Ω cm、より好ましくは 2〜： L Om Ω cmで ある。膜厚は好ましくは 10〜： L000nm、より好ましくは 50〜600nm、特に好ましくは 100〜400應である。
通常透明電極の比抵抗は低 、ほど好まし 、が、タツチパネル用透明導電膜はある 程度高抵抗であることが好まし 、。上記の比抵抗を有する本発明の透明導電膜はタ ツチパネル用透明電極として特に適して 、る。
また、成膜時の酸素分圧を調整したり、成膜後酸素存在下で熱処理する等してキヤ リア密度を制御することで TFT (薄膜トランジスタ)等の半導体用途にも使用できる。
[0021] 成膜された透明導電膜の 35°Cの蓚酸系エッチング液によるエッチング速度は、通 常 20〜： LOOOnmZ分、好ましくは 30〜300nmZ分、特に好ましくは 50〜200nm Z分である。 20nmZ分より遅いと製造時のタクトが遅くなるば力りではなくエッチング 残渣が残る恐れがある。 lOOOnmZ分より早 、と早すぎて線幅等が制御できな 、恐 れがある。
[0022] 次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
スパッタリングターゲットの製造方法としては、通常、原料を混合する工程と、加圧 成形し成形体を作る工程と、成形体を焼成する工程を含む。
例えば特開 2002— 069544号公報、特開 2004— 359984号公報、特許 03628 554号公報等の公知の方法を利用することができる。
[0023] 特に、インジウム、錫、亜鉛の配合量を調整して、 In O (ZnO) (mは 3〜9の整数
2 3 m
)で表される六方晶層状ィ匕合物を製造することができる。
下記に好適なスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す。
[0024] (1)配合工程
ターゲットの製造原料に用いる各金属酸ィ匕物は、通常の混合粉砕機、例えば湿式 ボールミルやビーズミル、あるいは超音波装置を用いて、均一に混合'粉砕すること が好ましい。
この際、 InZ (In+Sn+Zn)で表される原子比が、 0. 10〜0. 35、 Sn/ (ln+Sn +Zn)で表される原子比力 0. 15〜0. 35、ZnZ (In+Sn+Zn)で表される原子比 力 0. 50-0. 70となるように酉己合する。
[0025] (2)仮焼工程
次いで、インジウム化合物と亜鉛化合物及び錫化合物の混合物を得た後、任意ェ 程であるが、この混合物を仮焼することが好ましい。この仮焼工程においては、 500 〜1, 200°Cで、 1〜： L00時間の条件で熱処理することが好ましい。
この理由は、 500°C未満又は 1時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や 亜鉛化合物、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処 理条件が、 1, 200°Cを超えた場合又は 100時間を超えた場合には、粒子の粗大化 が起こる場合があるためである。
従って、特に好ましいのは、 800〜1, 200°Cの温度範囲で、 2〜50時間の条件で 、熱処理 (仮焼)することである。
[0026] 尚、ここで得られた仮焼物は、成形して焼結する前に粉砕するのが好ま Uヽ。この 仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子 径が 0. 01〜： L になるようにするのがよい。
[0027] (3)成形工程
次いで、成形工程において、得られた仮焼物を用いてターゲットとして好適な形状 に成形することが好ましい。
このような成形処理としては、金型成形、铸込み成形、射出成形等が行なわれるが 、焼結密度の高い焼結体を得るためには、 CIP (冷間静水圧)等で成形した後、後述 する焼結処理を行うのが好まし ヽ。
尚、成形処理に際しては、ポリビュルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、 ォレイン酸等の成形助剤を用いてもょ 、。
[0028] (4)焼成工程
次いで、得られた微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形し、焼 成して、 HIP (熱間静水圧)焼成等すればよい。
この場合の焼成条件は、通常、 1100〜1, 700。C、好ましくは 1, 200〜1, 600°C 、さらに好ましくは 1, 300-1, 500°Cにおいて、通常、 30分〜 360時間、好ましくは 8〜180時間、より好ましくは 12〜96時間焼成することが好ましい。通常、酸素ガス 雰囲気又は酸素ガス加圧下で焼成する。一方、粉末混合物を、酸素ガスを含有しな い雰囲気で焼成したり、 1, 700°C以上の温度において焼成すると、 Sn及び Snィ匕合 物がガス化し炉を傷める恐れや、 mが 10以上の六方晶層状ィ匕合物 (In O (ZnO) )
2 3 m が生成する恐れがある。また、 1, 100°Cより低いと結晶型が生成せずターゲットの焼 結密度が上がらずターゲットの抵抗が上がったり、強度が低下する恐れがある。
[0029] また、この場合の昇温速度は、 5〜600°CZ時間（好ましくは 50〜500°CZ時間、 より好ましくは 100〜400°CZ時間）とすることが好ましい。 600°CZ時間より速いと六 方晶層状ィ匕合物が生成し、スピネル結晶の形成が十分でなくなる場合がある。 5°C/ 時間より遅いと時間が力かりすぎ生産性が落ちる恐れがある。
また、降温速度は、 5〜600°CZ時間（好ましくは 50〜500°CZ時間、より好ましく は 100〜400°CZ時間）とすることが好ましい。 600°CZ時間より速いと六方晶層状 化合物が生成し、スピネル結晶の形成が十分でなくなる場合がある。 5°CZ時間より 遅いと時間が力かりすぎ生産性が落ちる恐れがある。
[0030] (5)還元工程
得られた焼結体について、バルタ抵抗を全体として均一化するために、任意工程で あるが還元工程にぉ 、て還元処理を行うことが好まし!/、。
このような還元方法としては、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスに よる還元等を適用することができる。
[0031] また、還元性ガスによる場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との 混合ガス等を用いることができる。また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、 窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。
尚、還元温度は 100〜800°C、好ましくは 200〜800°Cである。また、還元時間は、 0. 01〜10時間、好ましくは 0. 05〜5時間である。
[0032] (6)加工工程
このようにして焼結して得られた焼結体は、加工工程において、さらにスパッタリン グ装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治 具を取り付けてスパッタリングターゲットとすることが好まし、。ターゲットの厚みは通 常 2〜20mm、好ましくは 3〜12mm、特に好ましくは 4〜6mmである。また、複数の ターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け実質一つのターゲットとしてもよい。 また、表面は 80〜4000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましぐ 10 0〜： LOOO番のダイヤモンド砲石により仕上げを行うことが特に好ましい。 80番より小 さ ヽダイヤモンド砲石を使用するとターゲットが割れやすくなる恐れがある。研磨はタ 一ゲットの長板方向に行うことが強度が高く好まし 、。
[実施例]
[0033] [実施例 1]
(1)スノッタリングターゲットの製造
原料として、各々 4N相当の平均粒径が: L m以下の酸化インジウム、酸化亜鉛、 酸化錫とを、原子比〔InZ (In+Sn+Zn)〕が 0. 16、原子比〔SnZ (In+Sn+Zn)〕 が 0. 20、原子比〔ZnZ (In+Sn+Zn)〕が 0. 64となるように混合して、これを湿式 ボールミルに供給し、 20時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。 得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥及び造粒を行った。この造粒物を、 29 4MPaの圧力を掛けて冷間静水圧プレスで成形した。これを焼成炉に装入し、酸素 ガス加圧下に、 1 , 400°Cにおいて、 48時間の条件で焼成して、焼結体 (ターゲット） を得た。昇温速度は 1 , 000°Cまでを 50°CZ時間、 1 , 400°Cまでを 150°CZ時間で あった。降温時間は 100°CZ時間であった。
[0034] (2)スパッタリングターゲットの評価
得られたターゲットにっき、アルキメデス法により相対密度、及び四探針法によりバ ルク抵抗値を測定した。その結果、相対密度は 99%であり、バルタ抵抗値は、 80m Ω cmであった。また、抗折力の測定を、 JIS R 1601に準じて行った。
また、この焼結体力も採取した試料について、 X線回折法により透明導電材料中の 結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中に、 In O (ZnO) で表される六方
2 3 7
晶層状化合物、 Zn SnOで表されるスピネル構造化合物及び In Oで表されるビッ
2 4 2 3
タスバイト構造ィ匕合物が確認された。
図 1に、 X線回折法の結果を示す。この図から、スピネル構造ィ匕合物のピークが挟 角側に 0. 05度シフトしていることが分かる。
尚、 X線回折測定の測定条件は以下の通りであった。
装置：（株）リガク製 Ultima— III
X線： Cu— Κ α線（波長 1. 5406Α,グラフアイトモノクロメータにて単色化）
2 Θ - Θ反射法，連続スキャン（1. 0° Ζ分）
サンプリング間隔： 0. 02°
スリット DS, SS : 2/3° , RS : 0. 6mm
[0035] さらに、得られた焼結体を榭脂に包埋し、その表面を粒径 0. 05 μ mのアルミナ粒 子で研磨した後、 EPMAで焼結体表面の 30 m X 30 m四方の枠内で観察され る各結晶粒子径を測定した。 3個所の枠内で同様に測定したそれぞれの粒子径の平 均値を算出し、この焼結体の In O (ZnO)で表される六方晶層状ィ匕合物、 In Oで
2 3 3 2 3 表されるビックスノイト構造ィ匕合物の結晶粒径がともに 20 μ m以下であることを確認 した。
また、（1)で得られた焼結体を切削加工し、 # 400でダイヤモンド固定砥粒砥石に より研磨して、直径約 10cm、厚さ約 5mmのスパッタリングターゲットを作製し、 AFM 法により表面粗さの測定を行った。研削面の表面粗さは Raは 0. 3 mであった [0036] 。
(3)透明導電性酸化物の成膜
(1)で得られたスパッタリングターゲットを、 DCマグネトロンスパッタリング装置に装 着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。
スパッタ条件は、スパッタ圧力 1 X 10_1Pa、到達圧力 5 X 10_4Pa、基板温度 200 °C、投入電力 120W、成膜時間 15分間であった。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約 lOOnmの透明導電性酸ィ匕物が形成された。
[0037] (4)透明導電性酸化物の評価
上記で得られたガラス上の透明導電膜の導電性にっ ヽて、四探針法により比抵抗 を測定したところ、 3m Q Zcmであった。
また、この透明導電膜を (2)と同じ方法で X線回折し、その結果、非晶質であること を確認した。一方、膜表面の平滑性についても、 P— V値 (JISB0601準拠）が 5nm であることから、良好であることを確認した。
[0038] この透明導電性酸ィ匕物の透明性については、分光光度計により波長 500nmの光 線についての光線透過率が 88%であり、透明性においても優れたものであった。 さらに、この透明導電膜を代表的な蓚酸系エッチング液 (蓚酸 5wt%) 35°Cでエツ チングを行ったところ、エッチング速度は lOOnmZ分であった。また、 200%のォー バエッチング後に電子顕微鏡 (SEM)でエッチング痕を観察したところ残さも少なく良 好であった。
[0039] (5)異常放電の発生数
(1)で得られたスパッタリングターゲットを、 DCマグネトロンスパッタリング装置に装 着し、アルゴンガスに 3%の水素ガスを添カ卩した混合ガスを用いた他は、上記（2)と 同一条件下に、 240時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターし たが 1度も確認されなカゝつた。
[0040] [実施例 2、比較例 1〜4]
原料の組成比を表 1に示す原子比にして調製した他は実施例 1と同様に作製評価 した。結果を表 1と表 2に示す。ただし、スパッタリングについては比較例 1、 3、 4につ Vヽては RFマグネトロンスパッタリングを用いた。
[表 1]
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000015_0002
0042 本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜した透明導電膜は、液晶ディスプレ ィ等のディスプレイゃタツチパネル、太陽電池等に用いられる透明電極に適している

Claims

請求の範囲
[1] インジウム、錫、亜鉛を主成分とし、
InZ(In+Sn+Zn)で表される原子比が、 0.10〜0.35、
SnZ(In+Sn+Zn)で表される原子比が、 0.15〜0.35、
ZnZ(In+Sn+Zn)で表される原子比力 0.50〜0.70であり、
In O (ZnO) (mは 3〜9の整数)で表される六方晶層状ィ匕合物及び Zn SnOで
2 3 m 2 4 表されるスピネル構造ィ匕合物を含む酸ィ匕物の焼結体であるスパッタリングターゲット。
[2] X線回折において、
前記六方晶層状化合物の最大ピーク強度 (I (In O (ZnO)
2 3 m ))、
前記スピネル構造化合物の最大ピーク強度 (I (Zn SnO ))及び
2 4
SnOで表されるルチル構造ィ匕合物の最大ピーク強度 (I (SnO ))力 下記の関係
2 2
を満たす請求項 1記載のスパッタリングターゲット。
(Kin O (ZnO) ))/(l(Zn SnO ))<1
2 3 m 2 4
(I (SnO ))/(l(ln O (ZnO) ))<1
2 2 3 m
(I (SnO ))/(l(Zn SnO ))<1
2 2 4
[3] 前記 X線回折において、前記スピネル構造ィ匕合物のピークが狭角側にシフトしてい る請求項 1又は 2記載のスパッタリングターゲット。
[4] ノ レク抵抗が 0.5〜3001110(：111でぁる請求項1〜3のぃずれかー項記載のスパッ タリングターゲット。
[5] 相対密度が 90%以上である請求項 1〜4のいずれか一項記載のスパッタリングター グット。
[6] 請求項 1〜5のいずれか一項記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリン グ法により成膜してなる透明導電膜。
[7] 請求項 6記載の透明導電膜を用いるタツチパネル用透明電極。
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