CN105074045B - 氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜 - Google Patents

氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜 Download PDF

Info

Publication number
CN105074045B
CN105074045B CN201480009608.9A CN201480009608A CN105074045B CN 105074045 B CN105074045 B CN 105074045B CN 201480009608 A CN201480009608 A CN 201480009608A CN 105074045 B CN105074045 B CN 105074045B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering target
oxide
powder
sno
oxide sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480009608.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105074045A (zh
Inventor
斋藤淳
森理惠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of CN105074045A publication Critical patent/CN105074045A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105074045B publication Critical patent/CN105074045B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C04B35/6455—Hot isostatic pressing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3287—Germanium oxides, germanates or oxide forming salts thereof, e.g. copper germanate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。

Description

氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜
技术领域
本发明涉及一种氧化物溅射靶及其制造方法。具体而言，本发明涉及一种用于形成例如使用于Blu-ray Disc(注册商标：以下称为BD)等的光记录介质用保护膜的氧化物溅射靶及其制造方法。
本申请主张基于2013年4月8日在日本申请的专利申请2013-080247号的优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，随着照片和动画的高像素化，记录于光记录介质等时的数字数据增大，要求记录介质的高容量化，已出售有作为高记录容量的光记录介质而通过双层记录方式具有50GB的容量的BD。对于该BD，今后也要求更进一步的高容量化，盛行通过记录层的多层化实现高容量化的研究。
专利文献1：日本专利公开2009-26378号公报
专利文献2：日本专利公开2005-228402号公报
专利文献3：日本专利公开2005-154820号公报
在此，对于以往技术，以下参考上述专利文献进行说明。
将有机色素用作记录层的类型的记录介质中，与将无机物用作记录层时相比，记录时的激光照射引起的记录层的变形较大。因此，如上述专利文献1中记载，与其记录层相邻的保护层中需要较低的硬度。因此，以往作为该保护层采用具有适当硬度的膜即ZnS-SiO2或ITO。
然而，作为保护层采用ZnS-SiO2时，如上述专利文献2中记载，含有硫磺(S)。因此，通过硫磺与反射膜中的金属发生反应，反射膜的反射率下降，因此作为保护层采用ZnS-SiO2的记录介质存在保存性较低等不良情况。并且，作为保护层采用ITO时，溅射时经常产生颗粒，对磁盘的记录特性、保存性带来不良影响。因此，需频繁进行生产设备的清扫，存在生产率较差的问题。而且，上述专利文献3中，提出有以将氧化锡相作为主相的氧化锡、氧化锌及3价以上的元素的氧化物作为主成分的溅射靶。然而，该溅射靶中的组织中的氧化锡相成为结瘤的原因，存在由此导致产生颗粒的问题。
如此，以往技术中存在问题点，留有课题。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种氧化物溅射靶及其制造方法，所述氧化物溅射靶作为光记录介质保护膜形成用靶，能够形成作为记录介质的保存性较高、柔软且不易破裂的膜，并且能够进行直流(DC)溅射且颗粒也较少。
本发明人等对以氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)及3价以上的元素的氧化物作为主成分的ZnO系溅射靶进行研究的结果，得到了以下的见解。若在非氧化气氛中加压烧结作为3价以上的元素的氧化物添加氧化铟(In2O3)的靶制造原料，则产生固溶有In的Zn2SnO4相且产生些许的氧缺陷，由此实现进一步降低靶本身的比电阻。由此，能够进行稳定的直流(DC)溅射。并且，靶中不包含硫磺成分，因此能够抑制靶成分对被层叠的反射层的反射率的影响。其结果，若利用该溅射靶进行溅射，则能够形成保存性较高而且柔软且不易破裂的Sn-In-Zn-O四元系氧化膜。
因此，本发明从上述见解出发，为了解决所述课题而采用以下构成。
(1)本发明的第一方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。
(2)本发明的第二方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。
(3)本发明的第三方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法，其为所述(1)的氧化物溅射靶的制造方法，其中，将配合SnO2粉末、In2O3粉末及ZnO粉末并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度加压烧成2～9小时。
(4)本发明的第四方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法，其为所述(2)的氧化物溅射靶的制造方法，其中，将配合SnO2粉末、In2O3粉末及ZnO粉末且进一步配合Cr2O3粉末及GeO2粉末中的一种以上并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度加压烧成2～9小时。
(5)本发明的第五方式所涉及的光记录介质用保护膜，其中，使用所述(1)的氧化物溅射靶来溅射成膜，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成。
(6)本发明的第六方式所涉及的光记录介质用保护膜，其中，使用所述(2)的氧化物溅射靶来溅射成膜，并且是如下成分组成的氧化物，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.1at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成。
根据本发明所涉及的氧化物溅射靶，以下成分组成的氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织，所述成分组成为，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，且Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.5以下。因此，靶本身的比电阻进一步下降，能够进行稳定的直流(DC)溅射。并且，若使用本发明的氧化物溅射靶进行溅射，则能够形成具有如下成分组成的Sn-In-Zn-O四元系氧化物膜，而且可获得柔软且不易破裂的膜，所述成分组成为，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量为Zn及不可避免的杂质，Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.5以下。具有这种膜的记录介质具有较高的保存性。因此，由本发明的氧化物溅射靶成膜的氧化物膜适合作为使用有机色素的记录层的BD用介质保护膜。
附图说明
图1是本发明的实施例所涉及的氧化物溅射靶及光记录介质用保护膜的实施例中，通过EPMA(电子射线显微分析仪)测定氧化物溅射靶的剖面组织的各元素的元素分布图像。
图2是表示实施例所涉及的透明氧化物膜形成用溅射靶的X射线衍射(XRD)的分析结果的曲线图。
图3是表示比较例所涉及的透明氧化物膜形成用溅射靶的X射线衍射(XRD)的分析结果的曲线图。
具体实施方式
以下，对基于本发明的实施方式的氧化物溅射靶及其制造方法的实施方式，具体示出实施例来进行说明。
本实施方式所涉及的氧化物溅射靶为如下成分组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，该氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。因此，比电阻较低，能够进行稳定的直流(DC)溅射。并且，能够形成对膜成分的反射率的影响较少并且柔软且不易破裂的膜，作为记录介质可期待较高的保存性。
另外，氧化物烧结体中，设为以固溶有比电阻较低的In的Zn2SnO4作为主相的组织，由此与以比电阻较高的氧化锌或Zn2SnO4中的任一个或双方作为主相的组织相比，更能够降低溅射靶本身的比电阻。其结果，能够抑制溅射时的异常放电和颗粒的产生，并能够使直流(DC)溅射稳定化。
本实施方式的氧化物溅射靶为用于制作例如层叠于BD中的以有机色素形成的记录层上的介质保护膜的溅射靶，由设定为如下成分组成的氧化物烧结体构成，即，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，且Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下。
氧化物溅射靶通常显示出绝缘性，因此以氧化物溅射靶实施溅射时，利用高频(RF)溅射，难以进行直流(DC)溅射。因此，为了实现以氧化物溅射靶实施直流(DC)溅射，优选将溅射靶本身的比电阻设为1Ω·cm以下。尤其，为了进行异常放电较少且稳定的溅射，优选将其比电阻设为0.1Ω·cm以下，更优选设为0.01Ω·cm以下。
其中，将上述In的含量设为0.1～35.0at％的理由如下。若小于0.1at％，则直流(DC)溅射变得不稳定，易产生所形成的膜的破裂。并且，若In的含量超过35.0at％，则组织中的氧化铟(In2O3)的一部分还原，金属铟(In)有可能溶出。若该In溶出，则在制造时，In附着在炉内，对炉带来损伤，而且还导致炉内的清扫引起的生产率的下降，而且由于溶出部分的In，溅射靶的组成偏差成为问题。
作为In的含量，更优选为8～20at％。
并且，将上述Sn的含量设为7at％以上的理由在于，若小于7at％，则所形成的膜的硬度(压入硬度)为800mgf/μm2以上，变得较硬。而且，关于Sn的含量，将Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)设为0.5以下的理由在于，若该比超过0.5，则Sn过多，导致溅射靶的组织中残留大量的氧化锡(SnO2)相。氧化锡相在溅射时有可能成为颗粒的产生和异常放电的原因，因此有可能难以实现更稳定的溅射。并且，从相同观点出发，优选Sn的含量为46at％以下。
作为Sn的含量，更优选为25～46at％。
而且，优选Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.08以上，更优选为0.3～0.5。
而且，若配合Cr及Ge中的一种以上，则能够抑制膜从腔室中剥落。对于Sn、Cr、Ge的含量，将含有原子比R2：(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)设为0.6以下。其理由在于，若超过0.6，则导致靶的组织中残留大量的氧化锡相、氧化铬相、氧化锗相。这些相成为产生颗粒或异常放电的原因，因此有可能难以实现更稳定的溅射。优选含有原子比R2：(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.08以上，更优选为0.3～0.6。
并且，若Cr的含量超过30at％，则异常放电增加。若Ge的含量也超过30at％，则导致异常放电增加。因此，优选将Ge及Cr中的一种以上的总计含量设为30at％以下。
并且，添加Cr或Ge时，可靠地抑制膜从腔室中剥落，因此优选将Cr或Ge的含量设为1.0at％以上。而且，Cr的含量更优选为1～10at％，Ge的含量更优选为1～10at％。
并且，本实施方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法中，将配合SnO2粉末、In2O3粉末及ZnO粉末并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度加压烧成2～9小时。因此，能够制作如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，该氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。通过设为这种组织，能够进一步降低溅射靶的比电阻，并能够进行更稳定的直流(DC)溅射。
本实施方式的变形例所涉及的氧化物溅射靶的制造方法中，将配合SnO2粉末、In2O3粉末及ZnO粉末且进一步配合Cr2O3粉末及GeO2粉末中的一种以上并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度加压烧成2～9小时。因此，能够制作如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比R1：Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比R2：(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。通过设为这种组织，能够进一步降低溅射靶的比电阻，并能够进行稳定的直流(DC)溅射。
另外，作为原料粉末的含量，优选调整为如下，即，相对于整个混合粉末，SnO2粉末为7～48mol％，In2O3粉末为0.1～20mol％，还含有Cr2O3粉末及GeO2粉末时，两者的总计小于33mol％，余量为ZnO粉末。并且，加压烧成的温度优选为900～1000℃，加压烧成的时间优选为3～5小时。
使用如上制造的氧化物溅射靶并通过直流(DC)溅射成膜时，能够形成柔软且不易破裂的膜。并且，由于能够形成抑制了对反射层的影响的膜，因此反射层的反射率的变化减少，具有这种膜的记录介质具有较高的保存性。如此，使用氧化物溅射靶成膜的膜适合作为使用有机色素的记录层的BD的保护膜。
实施例
本实施例中，通过以下步骤制造氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，或者为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。准备氧化锌(化学式：ZnO、平均粒径：D50＝1μm)、氧化锡(化学式：SnO2、D50＝16μm)、氧化铟(化学式：In2O3、D50＝11μm)、氧化锗(化学式：GeO2、D50＝1.0μm)、氧化铬(化学式：Cr2O3、D50＝0.4μm)作为原料粉末，并以表1所示的规定比例称量各原料粉末。
将所称量的原料粉末和其3倍量(重量比)的锆球(直径5mm)放入塑料容器中，并以球磨装置湿式混合24小时。另外，作为此时的溶剂，例如使用了醇类溶剂。接着，干燥所获得的混合粉末之后进行造粒，以800～1100℃，优选以900～1000℃，并以100～500kgf/cm2的压力，在真空或惰性气体气氛中进行2～9小时的热压，由此制作了实施例1～21的溅射靶。另外，靶尺寸设为直径125mm×厚度5mm。另外，本实施例中通过热压进行了加压烧结，但作为加压烧结方法，也可采用HIP法(热等静压式烧结法)等。
[比较例]
为了与实施例进行比较，准备了比较例。比较例1中，作为原料粉末并未使用氧化铟(In2O3)粉末。比较例2～7中，所作成的氧化物溅射靶在本发明的组成范围外。具体而言，以表1所示的配合比例制作了比较例1～7的氧化物溅射靶。作为参考，准备了以80mol％的ZnS及20mol％的SiO2形成的溅射靶(比较例8)以及以ITO形成的溅射靶(比较例9)。
[表1]
接着，对于如上制造的实施例1～21及比较例1～9的氧化物溅射靶，将通过ICP(感应耦合等离子)进行金属成分组成的分析的结果示于表2。另外，表2中，R1为Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)，R2为Sn、Cr、Ge的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)。其中，各元素符号表示含量(at％)，不包含该元素时，将该元素的含量设为0at％，由此计算含有原子比。
[表2]
接着，使用这些实施例1～21及比较例1～9的氧化物溅射靶，通过以下的成膜条件，作为光记录介质用保护膜，形成Sn-In-Zn-O四元系氧化物膜，由此制作了实施例1～21及比较例1～9的氧化物膜。将对这些氧化物膜进行金属成分组成的分析的结果示于表3。对于表3中的含量比R1、R2，使用与表2相同的方式，由各元素的含量(at％)计算。
＜成膜条件＞
·电源：DC1000W(对于未能DC(直流)溅射的膜，进行了高频(RF)溅射)
·总压：0.4Pa
·溅射气体：Ar＝47.5sccm、O2：2.5sccm
·靶-基板间(TS)距离：70mm。
[表3]
接着，对于实施例1～21及比较例1～9的氧化物溅射靶，评价了密度比、比电阻、有无溶出In、及使用这些氧化物溅射靶进行溅射时的异常放电次数、颗粒的量。而且，关于通过该溅射而获得的氧化物膜，求出膜的压入硬度、膜的破裂及反射率的变化。将这些结果示于表4及表5。其中所使用的评价、测定方法如下。
＜密度比测定＞
关于密度比，在将烧结体机械加工为规定尺寸之后，测定重量，求出体积密度之后，除以理论密度ρfn来计算。另外，对于理论密度ρfn，根据原料的重量，通过以下示出的公式求出。
[数1]
另外，上式中，ρ1为In2O3的密度，ρ2为ZnO的密度，ρ3为SnO2的密度，ρ4为GeO2的密度，ρ5为Cr2O3的密度，ρfn为理论密度，密度单位为g/cm3。并且，C1为In2O3的重量％，C2为ZnO的重量％，C3为SnO2的重量％，C4为GeO2的重量％，C5为Cr2O3的重量％。
＜比电阻测定＞
关于氧化物溅射靶及氧化物膜的比电阻测定，利用NAPSON CORPORATION制造的四探针法电阻率测定器RT-70进行了测定。未能通过该测定器测定时，标记为“可测定范围外”。
＜异常放电次数＞
在上述成膜条件下进行2小时的溅射，并测量了异常放电的次数(次数/小时)。之后，开放溅射腔室，并确认腔室内的颗粒。另外，当为比较例8的氧化物溅射靶时，未能实施直流(DC)溅射，因此标记为“不可直流溅射”，通过高频溅射实施了成膜。
＜In的溶出＞
关于In的溶出，在靶烧成之后通过肉眼确认及XRD(X射线衍射)进行了确认。在肉眼确认中，金属In附着在靶表面时，或者在XRD中，确认到金属In的衍射峰时，判断为“有”In溶出，并示于表4。
＜靶的XRD＞
试样的准备：利用SiC-Paper(grit 180)对试样进行湿式研磨、干燥之后，获得了XRD用测定试样。通过以下条件进行XRD，将其结果获得的主相及表示Zn2SnO4的(440)反射的2θ示于表4。
装置：Rigaku Corporation制造的(RINT-Ultima/PC)
管球：Cu(CuKα1)
管电压：40kW
管电流：40mA
扫描范围(2θ)：5°～80°
狭缝尺寸：发散(DS)2/3度、散射(SS)2/3度、受光(RS)0.8mm
测定步长：以2θ计为0.02度
扫描速度：每分钟2度
试样台旋转速度：30rpm
＜颗粒＞
以上述条件进行预溅射，去除靶表面加工层之后，暂时向大气开放腔室，进行防附着板等腔室部件的清扫。之后，再次进行抽真空，抽真空之后，进行30分钟的预溅射来去除靶表面的大气吸附成分之后，在4英寸的Si晶圆上形成厚度为100nm的膜。以相同条件形成总计25张膜，对成膜之后的晶圆，通过市售的异物检查装置计量附着在晶圆表面的1.0μm以上的颗粒数，并计算出25张的平均值。另外，表4中，对于颗粒的个数，20以下时标记为“A”，21～50时标记为“B”，51～200时标记为“C”，201以上时标记为“D”。
＜膜的压入硬度＞
在上述条件下，将基板设为Corning Incorporated制造的1737玻璃，将目标膜厚设为500nm来进行成膜，对所形成的膜，将压入荷重设为35mgf，利用超微小压入硬度试验机(ELIONIX INC.制造的ENT-1100a)进行测定。另外，基板安装于27℃的装置内，之后经过1小时以上后测定压入硬度。另外，将测定10处的压入硬度的平均值作为测定值而示于表5。
＜膜的破裂＞
在上述条件下，在厚度为0.1mm的PET薄膜上以100nm的膜厚进行成膜，将薄膜弯曲10次之后，通过显微镜以1000倍的倍率观察膜表面来检查了有无破裂。
＜反射率的变化＞
在聚碳酸酯上溅射Ag98.1Nd1.0Cu0.9合金，并利用成膜有下述色素的基板，在其上在上述成膜条件下以14nm的厚度形成各实施例及比较例的氧化物膜(保护膜)。之后，在80℃、85％的恒温恒湿器中静置100小时，测定其前后的反射率的变化。另外，反射率的测定中利用了紫外可见分光光度计(JASCO Corporation制造的V-550)。并且，求出相对于波长为405nm的光的反射率。
色素：
作为成膜于上述基板的色素，例如作为偶氮系色素，可举出由具有偶联成分(由6-羟基-2-吡啶酮结构构成)与异恶唑和三唑的二偶氮成分的化合物、及该有机色素化合物配位的金属离子构成的金属络合物。通过旋涂成膜了利用八氟戊醇(OFP)将具有所述偶联成分及二偶氮成分的化合物稀释成1.0重量％的混合溶液。
[表4]
[表5]
※基于高频溅射的成膜
由上述表4所示的结果可知，确认到实施例1～21的溅射靶的比电阻均为0.1Ω·cm以下，能够实施直流溅射，异常放电次数非常少。并且，实施例1～21的任一个中，均未发现In的溶出，还确认到固溶有In的Zn2SnO4为主相。
相对于此，比较例1的溅射靶中，虽然Zn2SnO4为主相，但并不含有In，比电阻较高且产生了较多异常放电。比较例2中，确认到In2O3的配合较多，因此溶出有In，不适于制作氧化物溅射靶。比较例3的溅射靶中，In与Sn的含量之比R1过小，因此固溶有In的Zn2SnO4未成为主相。比较例4的溅射靶中，SnO2的配合过多，因此导致SnO2成为主相，固溶有In的Zn2SnO4未成为主相。比较例5～7的溅射靶中，确认到并无In的溶出，固溶有In的Zn2SnO4成为主相，但比电阻均较高且产生了较多异常放电，不适于直流溅射。
并且，关于所成膜的氧化物膜(保护膜)，由上述表5所示的结果可知，确认到使用实施例1～21的溅射靶并通过直流溅射成膜时，在任何情况下，均可获得柔软且不易破裂，并且反射率的变化较小的膜。
相对于此，比较例1中，膜的压入硬度值较高，而且产生了膜的破裂，未能获得适于保护膜的柔软的膜。比较例3中，虽然未产生膜的破裂，但膜的压入硬度值较高，未能获得适于保护膜的柔软的膜。
如上所述，确认到根据上述各实施例的氧化物溅射靶，构成溅射靶的氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织，因此靶本身的比电阻进一步降低，能够实施稳定的直流(DC)溅射。并且确认到，能够使用各实施例的氧化物溅射靶通过直流溅射形成Sn-In-Zn-O四元系氧化物膜，而且，可获得柔软且不易破裂的膜。因此，确认到以各实施例的氧化物溅射靶成膜的氧化物膜适合作为使用有机色素的记录层的BD用电介质保护膜，作为记录介质具有较高的保存性。
接着，将代表性地对实施例1及比较例1的溅射靶进行X射线衍射(XRD)的结果示于图2及图3。由该结果可知，实施例1中，检测出属于ZnO的衍射峰、属于作为SnO2与ZnO的复合氧化物的Zn2SnO4的衍射峰(参考Powder Diffraction File No.74-2184)，确认到ZnO及Zn2SnO4相的存在。并且确认到实施例1中，Zn2SnO4的衍射峰由于In的固溶而向低角侧位移。
并且，对于实施例1的溅射靶，以EPMA(FE-EPMA：场致发射型电子射线显微分析仪)观察了反射电子图像(CP)及表示各元素的组成分布的元素分布图像。将上述反射电子图像及元素分布图像示于图1。
另外，基于EPMA的元素分布图像原本为彩色图像，但由于转换并记载为黑白图像，因此图1中颜色较浅的部分(比较白的部分)为规定元素的浓度较高的部分。
由这些图像可知，实施例1的溅射靶由ZnO及Zn2SnO4的相构成，In非常均匀地分散于Zn2SnO4相。
另外，为了将本实施方式所涉及的氧化物烧结体用作溅射靶，设为表面粗糙度：5.0μm以下，更优选为1.0μm以下，设为粒径：20μm以下，更优选为10μm以下，设为金属系杂质浓度：0.1原子％以下，更优选为0.05原子％以下，设为抗弯强度：50MPa以上，更优选为100MPa以上。上述各实施例均满足这些条件。
并且，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式及上述实施例，可在不脱离本发明宗旨的范围内加以各种变更。
例如，上述实施方式及上述实施例中，通过热压进行了加压烧结，但是作为其他方法也可采用HIP法(热等静压式烧结法)等。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供一种氧化物溅射靶，其作为光记录介质保护膜形成用靶，能够形成保存性较高、柔软且不易破裂、颗粒较少的膜，并且能够进行直流溅射。

Claims (3)

1.一种氧化物溅射靶，其特征在于，
所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，
所述氧化物烧结体具有固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。
2.一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，其为权利要求1所述的氧化物溅射靶的制造方法，
将配合SnO2粉末、In2O3粉末及ZnO粉末且进一步配合Cr2O3粉末及GeO2粉末中的一种以上并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度、100～500kgf/cm2的压力，加压烧成2～9小时。
3.一种光记录介质用保护膜，其特征在于，
使用权利要求1所述的氧化物溅射靶来溅射成膜，
并且是如下成分组成的氧化物，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.1at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成。
CN201480009608.9A 2013-04-08 2014-04-03 氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜 Expired - Fee Related CN105074045B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013080247 2013-04-08
JP2013-080247 2013-04-08
PCT/JP2014/059866 WO2014168073A1 (ja) 2013-04-08 2014-04-03 酸化物スパッタリングターゲット、その製造方法及び光記録媒体用保護膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105074045A CN105074045A (zh) 2015-11-18
CN105074045B true CN105074045B (zh) 2017-11-24

Family

ID=51689482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480009608.9A Expired - Fee Related CN105074045B (zh) 2013-04-08 2014-04-03 氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP6390142B2 (zh)
CN (1) CN105074045B (zh)
TW (1) TWI631089B (zh)
WO (1) WO2014168073A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019131866A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 住友金属鉱山株式会社 酸化物スパッタ膜、酸化物スパッタ膜の製造方法、酸化物焼結体及び透明樹脂基板
CN108642458A (zh) * 2018-06-20 2018-10-12 江苏瑞尔光学有限公司 一种ito镀膜靶材及其制备方法
CN110887871A (zh) * 2019-11-27 2020-03-17 哈尔滨师范大学 富氧缺陷的锡酸锌材料、其合成方法及硫化氢预警传感器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1621558A (zh) * 2003-11-25 2005-06-01 株式会社日矿材料 溅射靶及光信息记录介质及其制造方法
CN102216237A (zh) * 2008-11-20 2011-10-12 出光兴产株式会社 ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜
TW201245480A (en) * 2011-01-14 2012-11-16 Kobelco Res Inst Inc Oxide sintered body and sputtering target

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202415A (ja) * 1984-12-06 1987-09-07 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム系透明導電膜の製造法
JP4933756B2 (ja) * 2005-09-01 2012-05-16 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
KR101314946B1 (ko) * 2005-09-27 2013-10-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 터치 패널용 투명 전극
JP5651095B2 (ja) * 2010-11-16 2015-01-07 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
JP2013070010A (ja) * 2010-11-26 2013-04-18 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1621558A (zh) * 2003-11-25 2005-06-01 株式会社日矿材料 溅射靶及光信息记录介质及其制造方法
CN102216237A (zh) * 2008-11-20 2011-10-12 出光兴产株式会社 ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜
TW201245480A (en) * 2011-01-14 2012-11-16 Kobelco Res Inst Inc Oxide sintered body and sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
CN105074045A (zh) 2015-11-18
TW201446700A (zh) 2014-12-16
WO2014168073A1 (ja) 2014-10-16
TWI631089B (zh) 2018-08-01
JP2014218737A (ja) 2014-11-20
JP2018095972A (ja) 2018-06-21
JP6501008B2 (ja) 2019-04-17
JP6390142B2 (ja) 2018-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI570255B (zh) 氧化物濺鍍靶及光記錄媒體用保護膜
TWI424074B (zh) Ti-Nb-based sintered body sputtering target, Ti-Nb-based oxide thin film, and method for producing the same
TW201447002A (zh) 吸光層，含該層的層系統，製造該層系統的方法，及適合此目的的濺鍍靶
TW201915200A (zh) 用於沉積氧化鉬層之靶材料
TWI525060B (zh) An oxide sintered body, a sputtering target, a thin film, and an oxide sintered body
TWI700382B (zh) 氧化物薄膜及用以製造該薄膜之濺鍍靶用氧化物燒結體
WO2016121367A1 (ja) Ｍｎ－Ｚｎ－Ｗ－Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN105074045B (zh) 氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜
TWI564250B (zh) Oxide sintered body, sputtering target and oxide film
CN103540895B (zh) 溅射靶材及氧化金属薄膜
TWI568705B (zh) Conductive oxide sintered body and manufacturing method thereof
CN108699678A (zh) 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜
JP5896121B2 (ja) 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜
TWI554626B (zh) Oxide sputtering target and protective film for optical recording medium
TW201505739A (zh) 薄膜形成用濺鍍靶及其製造方法
TW200941477A (en) Reflective film and semi-transmissive reflective film of optical information recording medium, sputtering target for producing the films, and optical information recording medium
JP2013144820A (ja) 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜
JP2013237893A (ja) 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜
JP2021193202A (ja) スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、および、光学機能膜
JP2019112669A (ja) 酸化物スパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171124

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee