WO2013140838A1 - Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと酸化物半導体膜 - Google Patents

Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと酸化物半導体膜 Download PDF

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Definitions

  • the present inventors conducted extensive research and found that the film formation rate (film formation rate) during film formation was In—Ga—Zn—O-based oxide sintered body (ie, sputtering).
  • the technical discovery that it is closely related to the crystal structure of the target) and its crystal particle size.
  • the crystal structure and crystal particle diameter of the In—Ga—Zn—O-based oxide sintered body which improves the film formation rate (film formation rate) It has been found that this can be achieved by controlling the crystal orientation in the final molding and further setting the firing temperature of the final molded body to 1350 ° C. or higher and 1600 ° C. or lower.
  • the present invention has been completed through such technical discovery and examination.
  • the sputtering target according to the present invention is characterized by being obtained by processing the In—Ga—Zn—O-based oxide sintered body, and the oxide semiconductor according to the present invention formed by sputtering.
  • the film uses the above sputtering target as a raw material, and has indium, gallium, zinc, and oxygen as constituent elements, and the gallium content with respect to indium is 1.0 to 1.6 in terms of atomic number ratio [Ga] / [In].
  • the content of zinc with respect to indium is 0.01 or more and 1.0 or less in atomic ratio [Zn] / [In].
  • a slurry is prepared by mixing and stirring for 10 minutes or more, and the resulting slurry is dried and granulated to obtain a granulated powder.
  • the obtained granulated powder is preformed under a pressing condition of 0.03 MPa (0.3 kgf / cm 2 ) or more using a uniaxial die press molding machine, and then the pressing condition of 98 MPa or more.
  • the final molding is obtained by performing the main molding.
  • CIP cold isostatic press
  • the In-Ga-Zn-O-based oxide sintered body according to the present invention can be obtained by firing the final molded body obtained in the above molding step at normal pressure.
  • Example 3 The composition of the obtained In—Ga—Zn—O-based oxide sintered body according to Example 3 and Comparative Example 4 was the same as in Example 1 in that the gallium content was atomic ratio [Ga] / [In].
  • the zinc content was 1.0 at an atomic ratio [Zn] / [In].

Abstract

【課題】成膜速度が改善されたスパッタリングターゲットに適用されるIn-Ga-Zn-O系酸化物焼結体とその製造方法を提供する。 【解決手段】In、Ga、Zn、Oを構成元素とし、Inに対するGaの含有量が原子数比［Ga］／［In］で１．０以上１．６以下、Inに対するZnの含有量が原子数比［Zn］／［In］で０．０１以上１．０以下であるIn-Ga-Zn-O系酸化物焼結体により構成され、ＣｕＫα線を使用したX線回折によるInGaZnO4相における(009)面、(101)面および(104)面のピーク位置（２θ）がＩＣＤＤデータベースにおけるInGaZnO4標準ピークリストの同ピークと比較して低角側または高角側に０．１０°以上ずれており、比抵抗値が１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下、結晶の平均粒径が８．０μｍ以上１５．０μｍ以下であることを特徴とする。

Description

Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと酸化物半導体膜
　本発明は、直流スパッタリング法等の成膜法で酸化物半導体膜を製造する際、原料のスパッタリングターゲットとして使用されるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法に係り、特に、成膜時における成膜速度（成膜レート）の改善が図られたＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）とその製造方法、および、このスパッタリングターゲットを原料として用いた酸化物半導体膜に関するものである。
　透明導電膜は、高い導電性と可視光領域での高い透過率とを有し、太陽電池や液晶表示素子、有機エレクトロルミネッセンスおよび無機エレクトロルミネッセンス等の表面素子やタッチパネル用電極等に利用されている他、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、冷凍ショーケース等の各種の防曇用の透明発熱体としても利用されている。
　透明導電膜には、アンチモンやフッ素をドーパントとして含む酸化錫（ＳｎＯ2）、アルミニウムやガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）、錫をドーパントとして含む酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等が広範に利用されている。特に、錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜すなわちＩｎ－Ｓｎ－Ｏ系膜はＩＴＯ（Indium tin oxide）膜と称され、低抵抗の膜が容易に得られることから広く用いられている。
　これ等の透明導電膜の製造方法としてはスパッタリング法がよく用いられている。スパッタリング法は、蒸気圧の低い材料の成膜や精密な膜厚制御を必要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であるため工業的に広範に利用されている。
　スパッタリング法は、原料としてターゲットが用いられ、一般に、約１０Ｐａ以下のガス圧下で基板を陽極とし、上記ターゲットを陰極とし、これ等の間にグロー放電を起こしてアルゴンプラズマを発生させると共に、プラズマ中のアルゴン陽イオンを陰極のターゲットに衝突させ、これによってはじきとばされるターゲット成分の粒子を基板上に堆積させて膜を形成する手法である。
　また、これ等の酸化物透明導電膜については、イオンプレーティング等の蒸着法を用いて製造することも検討されている。
　しかし、スパッタリング法やイオンプレーティング等の蒸着法で形成されるＩＴＯ膜やＺｎＯ系膜といった酸化物透明導電膜は、酸素欠陥が入り易く、キャリア電子が多数発生して電気伝導度が大きくなり易い材料であるため、逆に電気伝導度を小さくすることが困難である。このため、半導体膜のようなキャリア発生を抑制してある程度電気伝導度を小さくすることが要求される用途には用いられることが無かった。
　このような状況の中、液晶表示装置（ＬＣＤ）およびエレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）等の各種表示装置においては、表示素子への駆動電圧印加により表示装置を駆動させるスイッチングの役割を持つトランジスタが用いられているが、その中でも、特に膜厚が１００ｎｍ以下である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が多く用いられており、高い安定性や移動度を有する材料として、近年、既存のシリコン系半導体に代わって酸化物を用いた酸化物半導体膜が注目されている。
　すなわち、ＴＦＴに用いられる材料としては、古くからシリコンベースの半導体が汎用され、用途によって結晶質と非晶質のものが使い分けられている。例えば、結晶質シリコンは高いキャリア移動度を有していることから、高速動作が必要な高周波増幅素子や集積回路用素子等に用いられている。しかし、結晶質シリコンは大面積化における均一性等で難点を有しており、均一化にはマスク等の付加コストを発生させる課題が存在する。加えて、結晶質のシリコン系薄膜は、結晶化を図る際に８００℃以上の高温プロセスを伴うことがあることから耐熱性の無いガラス基板や有機物基板上への形成が困難なため、シリコンウエハーや石英といった高い耐熱性を有する基板上にしか形成することができない。そして、シリコンウエハーや石英等の基板は高価であることに加え、製造に対して必要なエネルギーや工程数が非常に多くなってしまうといった課題も存在した。
　このような理由から、大面積化が求められるような液晶駆動用素子等には非晶質シリコンが用いられている。
　しかし、非晶質シリコン半導体は、比較的低温プロセスで形成できるという利点を有する反面、結晶質シリコンと比較しキャリア移動度が低くてスイッチング速度が遅いため、表示装置を駆動する素子、特に大画面液晶等の素子として使用する場合、高速な画面表示に追随できなくなってくるという課題があった。
　これ等の課題を解決する方法として、近年、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＺｎＯを有する非晶質酸化物半導体膜をＴＦＴに利用し、駆動させる方法が検討されている。そして、この材料は、工業的に広く利用され量産性にも優れたスパッタリング法による形成が可能であることから、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏスパッタリングターゲットの検討が行われている。
　例を挙げると、組成と共に特性としての比抵抗値を規定したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏスパッタリングターゲットが提案されている（特許文献１）。しかし、特許文献１に記載されたＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物ターゲットを用いた場合、高電力密度の条件でスパッタリング成膜を行っても成膜レートが遅いため、工業的に利用する場合には難点がある。
　一方、ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を主成分とし、絶縁性の高いＧａ２Ｏ３等の結晶相を生成させないことによる効果の検討もなされている（特許文献２）。
　更に、酸素欠損を生じ易くさせるため、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と周囲よりもＧａとＺｎの含有量が多い組織との分布を持たせる方法も提案されている（特許文献３）。
　しかし、ＩｎＧａＺｎＯ4［ＩｎＧａＯ3（ＺｎＯ）］結晶相の結晶状態を制御することにより、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物を用いたスパッタリング法による成膜速度（成膜レート）を改善させる方法に関しては、従来、検討がなされていなかった。
　このように成膜時における成膜レートが改善されて高い生産性と良好な膜特性が得られ、かつ、膜特性の変動も抑制されるスパッタリングターゲットが要望され、このスパッタリングターゲットに供される酸化物焼結体が必要とされている。
ＷＯ２００９／０８４５３７号公報 特開２０１１－１０５５６３号公報 特開２０１１－１０５９９５号公報
　本発明は上記課題を解決するためになされており、成膜速度（成膜レート）が改善されたスパッタリングターゲットを提供し、かつ、このスパッタリングターゲットに供されるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法を提供すると共に、このスパッタリングターゲットを原料とした酸化物半導体膜を提供することを目的とする。
　そこで、上記課題を解決するため本発明者等が鋭意研究を行ったところ、成膜時における成膜速度（成膜レート）は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（すなわちスパッタリングターゲット）の結晶構造とその結晶粒子径に密接に関連しているという技術的発見をするに至った。更に、成膜速度（成膜レート）が改善されるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の結晶構造とその結晶粒子径は、焼成前の成形体を得る工程において予備成形とその後の最終成形で結晶配向性を制御し、更に、最終成形体の焼成温度を１３５０℃以上１６００℃以下にすることで達成できることを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見と検討を経て完成されたものである。
　すなわち、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、
　インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を構成元素とし、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０以上１．６以下、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．０１以上１．０以下であるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体により構成されると共に、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）がＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Date）データベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して低角側または高角側に０．１０°以上ずれており、かつ、比抵抗値が１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下、結晶の平均粒径が８．０μｍ以上１５．０μｍ以下であることを特徴とするものである。
　尚、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体においては、構成元素が実質的にインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）から成っていればよく、不可避不純物等の混入を制限するものではない。
　また、後述する技術的理由から、上記ＩＣＤＤデータベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリストの同ピークとのずれは、０．１０°以上０．３０°以下であることが好ましく、また、実施例３における成膜速度の優位性から上記結晶の平均粒径は１０．０μｍ以上であることが好ましい。
　次に、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の製造方法は、
　Ｉｎ2Ｏ3粉末、ＺｎＯ粉末およびＧａ2Ｏ3粉末を、純水、有機バインダー、分散剤と混合してスラリーを調製し、このスラリーを乾燥、造粒して造粒粉を得る工程と、
　得られた造粒粉を、金型プレスを用いて０．０３ＭＰａ以上の加圧条件で予備成形した後、９８ＭＰａ以上の加圧条件で静水加圧方式による本成形を行なって最終成形体を得る工程と、
　得られた最終成形体を１３５０℃～１６００℃で焼成して焼結体を得る工程、
の各工程を具備することを特徴とする。
　また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、上記Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を加工し得られることを特徴とし、また、スパッタリング法により成膜される本発明に係る酸化物半導体膜は、上記スパッタリングターゲットを原料として用い、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素を構成元素とし、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０以上１．６以下、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．０１以上１．０以下であることを特徴とする。
　本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、
　ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）がＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Date）データベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して低角側または高角側に０．１０°以上ずれた結晶構造を有し、かつ、結晶の平均粒径が８．０μｍ以上１５．０μｍ以下となっている。
　そして、上述した結晶構造と結晶粒子径を具備するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を加工して得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング法に適用した場合、成膜時における成膜速度（成膜レート）が改善されて速くなるため効率的な成膜処理を行なうことが可能になると共に、膜特性の変動も抑制されるため良好な酸化物半導体膜を形成できる効果を有している。
　以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
　まず、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、上述したように本発明者等による技術的発見と検討を経て完成されたものである。
　すなわち、スパッタリング成膜時における成膜速度（成膜レート）は、スパッタリングターゲットを構成するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の結晶構造と結晶粒子径と密接に関連しているとの技術的発見を本発明者等は行なっている。そして、成膜時における成膜速度（成膜レート）を速められる結晶構造と結晶粒子径を有するＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を得るには、焼成前の成形体を得る工程において一軸金型プレス成形による予備成形を行った後、加圧成形を行なって最終成型体を得る工程において結晶配向性を制御し、更に最終成型体を焼成する温度を１３５０℃以上１６００℃以下にすることで結晶粒子の粒成長を促進させることにより達成できることを見出している。
（１）本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体
　本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、スパッタリングターゲットとして適用され、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）を構成元素とする酸化物焼結体である。また、上記酸化物焼結体は、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／Ｉｎ］で１．０以上１．６以下、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．０１以上１．０以下であることを特徴としている。酸化物焼結体中におけるインジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）の含有量を上記範囲に規定している理由は、この範囲を逸脱すると得られる酸化物焼結体の抵抗値が増大してしまい、成膜時における生産性の悪化を招くだけでなく、得られる膜の特性劣化を引き起こす可能性があるからである。また、ガリウムと亜鉛の含有量が上記原子数比の範囲より多くなる場合は、結晶性の低下を招いて粒成長が阻害され、酸化物焼結体として必要とする粒径を得ることが難しくなることからも好ましくない。
　また、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）が、ＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Date）データベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して低角側または高角側に０．１０°以上ずれており、かつ、上記酸化物焼結体の組織を構成している結晶の平均粒径が８．０μｍ以上１５．０μｍ以下であることを必要とする。これ等の特性を同時に満たした場合、満たさない場合と比較して、成膜時における成膜速度（成膜レート）を１０％以上向上させることが可能となる。
（２）本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の製造方法
　次に、本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の製造工程を説明する。
［造粒工程］
　構成元素であるＩｎ2Ｏ3（酸化錫）粉末、Ｇａ2Ｏ3（酸化ガリウム）粉末、および、ＺｎＯ（酸化亜鉛）粉末を、原料粉末濃度が５０～８０ｗｔ％、好ましくは６０ｗｔ％となるように、純水、有機バインダー、分散剤と混合し、かつ、平均粒径が０．５μｍ以下となるまで湿式粉砕する。混合粉末の平均粒径が０．５μｍ以下となるまで微細化することにより、ＺｎＯ（酸化亜鉛）粉末およびＩｎ2Ｏ3（酸化錫）粉末の凝集を確実に取り除くことができる。
　湿式粉砕後、１０分以上混合攪拌してスラリーを調製し、得られたスラリーを乾燥・造粒して造粒粉を得る。
［成形工程］
　次に、得られた造粒粉を、一軸金型プレス成形機を用いて０．０３ＭＰａ（０．３ｋｇｆ／ｃｍ2）以上の加圧条件で予備成形を行なった後、９８ＭＰａ以上の加圧条件で本成形を行なって最終成形体を得る。ここで、上記本成形を行う際には、高圧力が得られる冷間静水圧プレスＣＩＰ（Cold Isostatic Press）を用いることが望ましい。
　上記予備成形時における圧力を０．０３ＭＰａ未満とした場合、一軸金型プレス成形機により成形体へ与えられる特定方向の応力が不十分となり、焼結体としたときに目的とする配向制御が困難となる。ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれが、ＩｎＧａＺｎＯ４標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して０．１０°未満の場合、成膜速度（成膜レート）向上の改善効果が得られない。尚、ピーク位置（２θ）のずれがあまり大き過ぎると結晶構造の歪みが過度になり、キャリア移動度の低下等によって成膜速度（成膜レート）向上の改善効果に対し悪影響を及ぼすことが懸念されるため、上記ピーク位置（２θ）のずれは０．３０°以下が好ましい。
　また、本成形時における圧力を９８ＭＰａ未満とした場合、原料粉末の粒子間に存在する空孔を除去することが困難となり、焼結体の密度低下をもたらす。また、成形体強度も低くなるため、安定した製造が困難となる。
　尚、予備成形と本成形双方における圧力の上限値について、特に数値を定めていないが、焼成後における高密度化のためにも上記成形時の圧力は高いほど良く、高圧域における圧力差による焼結体の特性に差異は無い。
［焼結工程］
　上記成形工程で得られた最終成形体を常圧で焼成することにより本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体が得られる。
　焼成温度は、１３５０℃～１６００℃、好ましくは１４００℃～１５００℃である。焼結温度が１３５０℃未満の場合、ある程度の密度を有する酸化物焼結体が得られたとしても、必要とする粒成長が起こらないため成膜速度（成膜レート）向上の改善効果が得られない。また、焼結温度が１６００℃を超えた場合、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等が揮発して、特に焼結体表面において所定の組成からずれ易くなる。また、スパッタリング等の成膜には焼結体（すなわちターゲット）中の結晶粒径が大きければ大きいほど成膜速度（成膜レート）の向上が期待できるものの、焼結温度が１６００℃を超えた場合、結晶粒径が１５μｍを超えて焼結体の強度が著しく低下する。そして、焼結体強度の著しい低下により焼結体製造時に割れの発生を招き、歩留まりを悪化させることから好ましくない。
　また、焼成プロセス中は、焼成炉内の雰囲気を、常圧大気、好ましくは酸素雰囲気中とする。酸素ガスを導入して活性化させることにより、焼結体中における結晶粒子の成長が促進され、酸化物ターゲットを使用した際の高い生産性を実現できる。但し、酸素雰囲気とする場合でも、焼成温度が上述した１３５０℃未満では十分な粒成長が起こるとは言い難く、成膜速度（成膜レート）を向上させる有効な粒径は得られない。
　そして、得られたＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体は、必要に応じて所定の形状・寸法に加工される。加えて、スパッタリングに使用する場合、所定のバッキングプレートにボンディングを行い、スパッタリングターゲットとして適用される。
　以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。但し、これ等の実施例により本発明が限定されるものではない。
［サンプル評価］
（１）作製した焼結体は、ＩＣＰ発光分光分析（セイコーインスツルメンツ社製、ＳＰＳ４０００）で定量分析した。
（２）作製した焼結体の比抵抗値は、抵抗率計ロレスタＥＰ（ダイアインスツルメンツ社製ＭＣＰ－Ｔ３６０型）による四探針法で測定した。
（３）作製した焼結体の配向性は、Ｘ線回折測定（ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製、Ｘ‘Ｐｅｒｔ　Ｐｒｏ　ＭＰＤ）を行い、焼結体を構成するＩｎＧａＺｎＯ4結晶相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）がＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Date）データベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ４標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して何度ずれているかを評価した。
　尚、ＩＣＤＤデータベースにおけるピーク位置は、それぞれ（２θ）が（００９）面で３０．８４°、（１０１）面で３１．５１°、（１０４）面で３４．２８°である。
（４）作製した焼結体の結晶粒径は、切断面を鏡面研磨した後、熱腐食させて結晶粒界を析出させたサンプルをＳＥＭにより観察し、平均結晶粒径の測定を行なった。
（５）成膜時の成膜速度（成膜レート）は、成膜された膜の膜厚を測定し、成膜時間で割ることにより算出した。この際、膜厚は以下の手順で測定した。成膜前に基板の一部に予め油性インクを塗布しておき、成膜後にエタノールで油性インクを拭き取って膜の無い部分を形成し、膜の有る部分と無い部分の段差を接触式表面形状測定器（ＫＬＡ　Ｔｅｎｃｏｒ社製　Ａｌｐｈａ－ＳｔｅｐＩＱ）で測定し求めた。
［実施例１］
　平均粒径がそれぞれ１μｍ以下のＩｎ2Ｏ3粉末、Ｇａ2Ｏ3粉末およびＺｎＯ粉末を原料粉末とし、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０となる割合で調合し、かつ、原料粉末濃度が６０ｗｔ％となるように純水、有機バインダー、分散剤と混合すると共に、混合タンクにてスラリーを調製した。
　次に、硬質ＺｒＯ２ボールを投入したビーズミル装置（アシザワ・ファインテック株式会社製、ＬＭＺ型）を用いて、原料粉の平均粒径が０．５μｍ以下となるまで粉砕混合を行った。尚、原料粉の平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置（島津製作所製、ＳＡＬＤ－２２００）を用いた。
　次に、得られたスラリーを、スプレードライヤー装置（大川原化工機株式会社製、ＯＤＬ－２０型）にて噴霧および乾燥し、造粒粉を得た。
　得られた造粒粉を、１０ＭＮ粉末成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＰＳ１０００－Ｎ０７６９型）により０．０６ＭＰａ（０．６ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力をかけて冷間プレス（ＣＰ：Cold Press）で予備成形した後、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ：Cold Isostatic Press）により２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力を掛けて本成形し、直径約２００ｍｍの最終成形体を得た。
　そして、大気圧焼結炉により、常圧大気中、焼成温度を１４００℃にして上記最終成形体を２０時間焼成し、実施例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を得た。
　実施例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０であり、その比抵抗値は２．１×１０-2Ω・ｃｍであった。
　また、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）を確認したところ、それぞれ２θが３０．６６°、３１．２７°および３４．０４°であった。
　更に、実施例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の平均結晶粒径を測定したところ、８．２μｍであった。
　次に、得られた実施例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体について、直径が１５２．４ｍｍ（６インチ）で、厚みが５ｍｍとなるように加工してスパッタリングターゲットを得た。
　そして、得られたスパッタリングターゲットをスパッタ装置（トッキ製、ＳＰＦ－５３０Ｋ）に装着した後、投入電力量１．６Ｗ／ｃｍ2で１０分間のスパッタリング法による成膜を行ない、膜厚から成膜速度（成膜レート）を確認した。
　尚、スパッタリング条件は、基板とターゲットとの距離を４６ｍｍとし、到達真空度を２．０×１０-4Ｐａ以下、ガス圧を０．６Ｐａとした。
　その結果、実施例１の成膜速度は「７９．６ｎｍ／ｍｉｎ．」で、以下に述べる比較例１の「成膜速度：７１．０ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例２の「成膜速度：６６．３ｎｍ／ｍｉｎ．」より優れていた。
　このように比抵抗値が２．１×１０-2Ω・ｃｍ（すなわち、１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）、結晶粒径が８．２μｍ（すなわち、８．０μｍ以上）、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面、および、（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件を満たした実施例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、以下に述べる比較例１と比較例２に係る酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）と較べて成膜速度（成膜レート）が１０％以上速くなっていることが確認された。
［比較例１］
　実施例１と同様にして造粒粉を得、得られた造粒粉について１０ＭＮ粉末成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＰＳ１０００－Ｎ０７６９型）による予備成形を行うことなく、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ：Cold Isostatic Press）により２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力を掛けて本成形を行ない、かつ、直径約２００ｍｍの成形体を得た後、実施例１と同様の条件、すなわち、大気圧焼結炉により、常圧大気中、焼成温度を１４００℃にして成形体を２０時間焼成し、比較例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を得た。
　比較例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、実施例１と同様、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０であり、また、比抵抗値は実施例１と異なり２．４×１０-2Ω・ｃｍであった。
　また、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）を確認したところ、それぞれ２θが３０．７９°、３１．４８°および３４．２５°であった。
　更に、比較例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の平均結晶粒径を測定したところ、８．３μｍであった。
　そして、実施例１と同様の条件で比較例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（ターゲット）の成膜速度を確認したところ、上述したように「成膜速度：７１．０ｎｍ／ｍｉｎ．」であった。
　このように比抵抗値が２．４×１０-2Ω・ｃｍ（すなわち、１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）、結晶粒径が８．３μｍ（すなわち、８．０μｍ以上）の条件を満たすが、上記Ｘ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件を満たさない比較例１に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、上述した実施例１と較べて成膜速度（成膜レート）が劣っている（実施例１の成膜速度は７９．６ｎｍ／ｍｉｎ．比較例１の成膜速度は７１．０ｎｍ／ｍｉｎ．）ことが確認された。
［比較例２］
　実施例１と同様にして造粒粉を得、得られた造粒粉を１０ＭＮ粉末成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＰＳ１０００－Ｎ０７６９型）により０．０６ＭＰａ（０．６ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力をかけて冷間プレス（ＣＰ：Cold Press）で予備成形した後、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ：Cold Isostatic Press）により２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力を掛けて本成形し、直径約２００ｍｍの最終成形体を得た。
　そして、大気圧焼結炉により、常圧大気中、焼成温度を１３００℃（実施例１では焼成温度：１４００℃）にして上記最終成形体を２０時間焼成し、比較例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を得た。
　比較例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、実施例１と同様、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０であり、また、比抵抗値は実施例１と異なり３．８×１０-2Ω・ｃｍであった。
　また、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）を確認したところ、それぞれ２θが３０．７１°、３１．３１°および３４．０６°であった。
　更に、比較例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の平均結晶粒径を測定したところ、３．９μｍであった。
　そして、実施例１と同様の条件で比較例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（ターゲット）の成膜速度を確認したところ、上述したように「成膜速度：６６．３ｎｍ／ｍｉｎ．」であった。
　このように比抵抗値が３．８×１０-2Ω・ｃｍ（すなわち、１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）、上記Ｘ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面、および、（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件を満たすが、上記結晶粒径が３．９μｍ（すなわち、８．０μｍ以上）である条件を満たさない比較例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、上述した実施例１と較べて成膜速度（成膜レート）が劣っている（実施例１の成膜速度は７９．６ｎｍ／ｍｉｎ．比較例２の成膜速度は６６．３ｎｍ／ｍｉｎ．）ことが確認された。
［実施例２と比較例３］
　上記ＣＰによる予備成形時の圧力を０．０３ＭＰａ（実施例２）、０．０１ＭＰａ（比較例３）とした以外は実施例１と同様の条件にてＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を製造した。
　得られた実施例２と比較例３に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、実施例１と同様、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０であった。
　また、得られた実施例２と比較例３に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の比抵抗値、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれ、平均結晶粒径値について実施例１と同様の方法にて測定したところ、以下の表２に示す結果が得られた。
　この結果、実施例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体においては、比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしているのに対し、比較例３では、ＣＰ予備成形値の圧力が不足していたことからＸ線回折ピーク位置のずれが小さかった。
　次に、得られた実施例２と比較例３に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を実施例１と同様の条件で加工してスパッタリングターゲットを得、かつ、実施例１と同様の条件にてスパッタリング法による成膜を行い、その膜厚から成膜速度（成膜レート）を確認したところ、実施例２が「７８．４ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例３が「７０．３ｎｍ／ｍｉｎ．」であった。
　このように比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしている実施例２に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、これ等の全ての条件を満たさない比較例１～３に係る酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）と較べて成膜速度（成膜レート）が１０％以上速くなっていることが確認された。
［実施例３と比較例４］
　成形体の焼成時において焼成炉内の雰囲気をＯ２とし、それぞれ焼成温度を１４００℃（実施例３）、１３００℃（比較例４）とした以外は実施例１と同様にしてＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を製造した。
　得られた実施例３と比較例４に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、実施例１と同様、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．０であった。
　また、得られた実施例３と比較例４に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の比抵抗値、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれ、平均結晶粒径値について実施例１と同様の方法にて測定したところ、以下の表２に示す結果が得られた。
　この結果、実施例３に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体においては、比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしているのに対し、比較例４では、焼成温度（１３００℃）が低すぎたことにより、酸素雰囲気で焼成しても十分な粒成長が起こっていなかった。
　次に、得られた実施例３と比較例４に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を実施例１と同様の条件で加工してスパッタリングターゲットを得、かつ、実施例１と同様の条件にてスパッタリング法による成膜を行い、その膜厚から成膜速度（成膜レート）を確認したところ、実施例３が「８４．５ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例４が「７０．８ｎｍ／ｍｉｎ」であった。
　このように比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしている実施例３に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、これ等の全ての条件を満たさない比較例１～４に係る酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）と較べて成膜速度（成膜レート）が１０％以上速くなっていることが確認された。
［比較例５］
　成形体の焼成時において焼成温度を１６５０℃とした以外は実施例１と同様にしてＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を製造した。
　得られた比較例５に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、ガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．１、亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．７となっており、焼結温度（１６５０℃）が高すぎたため、揮発が発生したためか投入組成と較べて組成にずれが生じており、製造条件としては工業的に有用でないことが確認された。
　尚、得られた比較例５に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の比抵抗値、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれ、平均結晶粒径値について実施例１と同様の方法にて測定したところ、以下の表２に示す結果が得られた。
　次に、得られた比較例５に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を実施例１と同様の条件で加工してスパッタリングターゲットを得、かつ、実施例１と同様の条件にてスパッタリング法による成膜を行い、その膜厚から成膜速度（成膜レート）を確認したところ、比較例５の成膜速度（成膜レート）は「８８．４ｎｍ／ｍｉｎ．」であった。
　そして、比較例５においては粒成長（１５．２μｍ）とＸＲＤピーク位置の効果から成膜速度（成膜レート）改善の効果を確認できたものの、得られた膜は比較例５の焼結体と同様に目的の組成からずれており、かつ、得られた焼結体は過度な粒成長のためにその強度が低下したためか、製造時に２０枚中６枚で割れが発生した。
　これ等の結果から、比較例５の条件は工業的に有用でないことが確認された。
［実施例４と比較例６～８］
　ガリウムの含有量を原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．５（実施例４）、０．９（比較例６）、１．７（比較例７）とし、かつ、亜鉛の含有量を原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で１．２（比較例８）とした以外は実施例１と同様にて、実施例４と比較例６～８に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を製造した。
　得られた実施例４と比較例６～８に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の組成は、表２に示すように投入組成と一致していた。
　また、得られた実施例４と比較例６～８に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の比抵抗値、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれ、平均結晶粒径値について実施例１と同様の方法にて測定したところ、表２に示す結果が得られた。
　この結果、実施例４に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体においては、比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしているのに対し、比較例６ではＧａ量が少なかったことにより比抵抗値（１．２×１０-1Ω・ｃｍ）が１．０×１０-1Ω・ｃｍを超えていた。また、比較例７と比較例８では、それぞれＧａあるいはＺｎが多すぎたせいか、比抵抗値（１．３×１０-1Ω・ｃｍ）が高かっただけでなく結晶性の低下により焼結体中の粒径が８．０μｍより小さく（比較例７が７．６μｍ、比較例８が７．８μｍ、）なっていた。
　次に、得られた実施例４と比較例６～８に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を実施例１と同様の条件で加工してスパッタリングターゲットを得、かつ、実施例１と同様の条件にてスパッタリング法による成膜を行い、その膜厚から成膜速度（成膜レート）を確認したところ、実施例４が「７８．３ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例６が「７０．９ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例７が「６９．９ｎｍ／ｍｉｎ．」、比較例８が「７０．４ｎｍ／ｍｉｎ．」であった。
　このように比抵抗値（１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下）の条件、結晶粒径（８．０μｍ以上）の条件、および、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）のずれがそれぞれ０．１°以上である条件の全てを満たしている実施例４に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）は、これ等の全ての条件を満たさない比較例１～８に係る酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）と較べて成膜速度（成膜レート）が１０％以上速くなっていることが確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明に係るＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を加工して得られるスパッタリングターゲットは成膜速度（成膜レート）が改善されて速いため、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスパッタリング成膜して形成するときのスパッタリングターゲットに適用される産業上の利用可能性を有している。

Claims (7)

  1. 　インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を構成元素とし、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０以上１．６以下、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．０１以上１．０以下であるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体により構成されると共に、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＩｎＧａＺｎＯ4相における（００９）面、（１０１）面および（１０４）面のピーク位置（２θ）がＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Date）データベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリスト（リファレンスコード：00-038-1104）の同ピークと比較して低角側または高角側に０．１０°以上ずれており、かつ、比抵抗値が１．０×１０-1Ω・ｃｍ以下、結晶の平均粒径が８．０μｍ以上１５．０μｍ以下であることを特徴とするＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体。
  2. 　上記ＩＣＤＤデータベースにおけるＩｎＧａＺｎＯ4標準ピークリストの同ピークとのずれが０．１０°以上０．３０°以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体。
  3. 　結晶の平均粒径が１０．０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体。
  4. 　請求項１～３のいずれかに記載のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を製造する方法において、
    　Ｉｎ2Ｏ3粉末、ＺｎＯ粉末およびＧａ2Ｏ3粉末を、純水、有機バインダー、分散剤と混合してスラリーを調製し、このスラリーを乾燥、造粒して造粒粉を得る工程と、
    　得られた造粒粉を、金型プレスを用いて０．０３ＭＰａ以上の加圧条件で予備成形した後、９８ＭＰａ以上の加圧条件で静水加圧方式による本成形を行なって最終成形体を得る工程と、
    　得られた最終成形体を１３５０℃～１６００℃で焼成して焼結体を得る工程、
    の各工程を具備することを特徴とするＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の製造方法。
  5. 　焼成炉内の雰囲気を酸素条件にして上記最終成形体を焼成することを特徴とする請求項４に記載のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体の製造方法。
  6. 　請求項１～３のいずれかに記載のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体を加工し得られることを特徴とするスパッタリングターゲット。
  7. 　スパッタリング法により成膜された酸化物半導体膜において、
    　請求項６に記載のスパッタリングターゲットを原料として用い、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素を構成元素とし、インジウムに対するガリウムの含有量が原子数比［Ｇａ］／［Ｉｎ］で１．０以上１．６以下、インジウムに対する亜鉛の含有量が原子数比［Ｚｎ］／［Ｉｎ］で０．０１以上１．０以下であることを特徴とする酸化物半導体膜。
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