JP2008124483A - 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板とこれを備えた表示デバイス。
【選択図】図3
Description
ルミニウム合金膜を既に提案している(特許文献4)。
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6原子%(以下、at%と記すことがある)含むと共に、
Y1(Y1=Nd、Y、Fe、Co)よりなる群から選択される1種以上を下記式(1)の範囲内で含み、残部がアルミニウムおよび不可避不純物のものである。
0.1≦(CX+10CY1)≦6 …(1)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY1:アルミニウム合金中のY1の含有量(単位:at%)]
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6at%含むと共に、
Y2(Y2=Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W)よりなる群から選択される1種以上を下記式(2)の範囲内で含み、残部がアルミニウムおよび不可避不純物のものである。
0.1≦(CX+15CY2)≦6 …(2)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY2:アルミニウム合金中のY2の含有量(単位:at%)]
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6at%含むと共に、
Y3(Y3=Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Sm、Eu、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)よりなる群から選択される1種以上を下記式(3)の範囲内で含み、残部がアルミニウムおよび不可避不純物のものである。
0.1≦(CX+5CY3)≦6 …(3)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY3:アルミニウム合金中のY3の含有量(単位:at%)]
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6at%含むと共に、Mgを下記式(4)の範囲内で含み、残部がアルミニウムおよび不可避不純物のものである。
0.1≦(CX+2CMg)≦6 …(4)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CMg:アルミニウム合金中のMgの含有量(単位:at%)]
理を施した場合に、アルミニウム合金膜の電気抵抗率が7μΩ・cm以下を示す様にするには、上記元素Xの含有量を6at%以下とするのがよい。特に、上記元素XとしてNiを0.1at%以上含むものが、低コンタクト抵抗性と共により優れた耐熱性を示すので好ましい。
0.1≦(CX+10CY1)≦6 …(1)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY1:アルミニウム合金中のY1の含有量(単位:at%)]
0.1≦(CX+15CY2)≦6 …(2)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY2:アルミニウム合金中のY2の含有量(単位:at%)]
0.1≦(CX+5CY3)≦6 …(3)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CY3:アルミニウム合金中のY3の含有量(単位:at%)]
0.1≦(CX+2CMg)≦6 …(4)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:at%)
CMg:アルミニウム合金中のMgの含有量(単位:at%)]
Al−2at%Ni−0.2at%Nd…3.8μΩ・cm、
Al−2at%Ni−0.35at%La…4.0μΩ・cm
とAl−2at%Nd(4.2μΩ・cm)に比較して小さめである。
Al−2at%Ni−0.2at%Nd…5.7μΩ・cm、
Al−2at%Ni−0.35at%La…4.9μΩ・cm
とAl−2at%Nd(11.5μΩ・cm)に比較して十分に小さい。このことから、上記例示のアルミニウム合金膜は、ゲート配線とソース・ドレイン配線を構成する材料の共通化に適していることがわかる。
えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
フォトレジストとして東京応化製の「TSMR8900」、フォトレジスト現像液として同社製の「NMD−W」を用いたフォトリソグラフィー(工程:フォトレジスト塗布→プリベーキング→露光→PEB→フォトレジスト現像→水洗→乾燥→ポストベーク)と、リン酸:硝酸:水=75:5:20(体積比)の混酸からなるウェットエッチャントを用いたウェットエッチング(工程:ウェットエッチング→水洗→乾燥→フォトレジスト剥離→乾燥)を行って、評価用の純アルミニウム膜と各アルミニウム合金膜に、線幅/線間隔=10μm/10μmのストライプパターンを形成した。
ガラス基板(コーニング社製の#1737、サイズは直径50.8mm×厚さ0.7mm)上に形成された純アルミニウム膜と各アルミニウム合金膜を、フォトリソグラフィーとウェットエッチングにより線幅100μm、線長10mmの電気抵抗評価用パターンに加工した。この際、ウェットエッチャントとしては、リン酸:硝酸:水=75:5:20(体積比)の混酸からなる混合液を用いた。そして、真空熱処理炉により350℃または250℃で30分間の真空熱処理(真空度:0.27×10−3Pa以下)を施し、この真空熱処理の前後で、夫々の電気抵抗を直流四探針法により室温で測定した。
ガラス基板(コーニング社製の#1737、サイズは直径100mm×厚さ0.7mm)上に形成された純アルミニウム膜と各アルミニウム合金膜に、フォトリソグラフィーとウェットエッチングを施してケルビンパターンを形成した。その際、ウェットエッチャントとしては、リン酸:硝酸:水=75:5:20(体積比)の混酸からなる混合液を用いた。そして、枚様式CVD装置によりSiNを成膜し、ICP型ドライエッチャーを用いてドライエッチングによりSiNにコンタクトホール(10μm角:1個)を形成した。その後、RFマグネトロンスパッタリング法によりITO膜(膜厚200nm)を成膜し、該ITO膜にフォトリソグラフィーとウェットエッチングを施してケルビンパターンを形成した。この時、ウェットエッチャントとしては、関東化学製のITOエッチング液(ITO−07N)を使用した。
の優れた耐熱性、熱処理温度が250℃の場合の低電気抵抗率、およびITOとの低コンタクト抵抗率が容易に達成されていることから、ゲート配線とソース・ドレイン配線の両配線の材料に最適であることがわかる。
1a ガラス基板
2 対向基板(対向電極)
3 液晶層
4 薄膜トランジスタ(TFT)
5 透明電極(画素電極、ITO膜)
6 配線部
7 共通電極
8 カラーフィルタ
9 遮光膜
10 偏光板
11 配向膜
12 TABテープ
13 ドライバ回路
14 制御回路
15 スペーサー
16 シール材
17 保護膜
18 拡散板
19 プリズムシート
20 導光板
21 反射板
22 バックライト
23 保持フレーム
24 プリント基板
25 走査線
26 ゲート配線
27 ゲート絶縁膜
28 ソース配線
29 ドレイン配線
30 保護膜(窒化シリコン膜)
31 フォトレジスト
32 コンタクトホール
Claims (7)
- ゲート配線とこれに直交配置されたソース配線及びドレイン配線を有する薄膜トランジスタ基板であって、上記ゲート配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成と、上記ソース配線及びドレイン配線を構成する単層アルミニウム合金膜の組成が、同一であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
- 前記単層アルミニウム合金膜は、合金成分として、
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6原子%含むと共に、
Y1(Y1=Nd、Y、Fe、Co)よりなる群から選択される1種以上を下記式(1)の範囲内で含み、
残部アルミニウムおよび不可避不純物である請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
0.1≦(CX+10CY1)≦6 …(1)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:原子%)
CY1:アルミニウム合金中のY1の含有量(単位:原子%)] - 前記単層アルミニウム合金膜は、合金成分として、
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6原子%含むと共に、
Y2(Y2=Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W)よりなる群から選択される1種以上を下記式(2)の範囲内で含み、
残部アルミニウムおよび不可避不純物である請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
0.1≦(CX+15CY2)≦6 …(2)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:原子%)
CY2:アルミニウム合金中のY2の含有量(単位:原子%)] - 前記単層アルミニウム合金膜は、合金成分として、
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6原子%含むと共に、
Y3(Y3=Cr、Mn、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、La、Gd、Tb、Dy、Sm、Eu、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)よりなる群から選択される1種以上を下記式(3)の範囲内で含み、
残部アルミニウムおよび不可避不純物である請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
0.1≦(CX+5CY3)≦6 …(3)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:原子%)
CY3:アルミニウム合金中のY3の含有量(単位:原子%)] - 前記単層アルミニウム合金膜は、合金成分として、
X(X=Ni、Ag、Zn、Cu、Ge)よりなる群から選択される少なくとも1種を0.1〜6原子%含むと共に、
Mgを下記式(4)の範囲内で含み、
残部アルミニウムおよび不可避不純物である請求項1に記載の薄膜トランジスタ基板。
0.1≦(CX+2CMg)≦6 …(4)
[但し、CX:アルミニウム合金中のXの含有量(単位:原子%)
CMg:アルミニウム合金中のMgの含有量(単位:原子%)] - 前記単層アルミニウム合金膜は、合金成分として、
Niを0.1原子%以上含むものである請求項2〜5のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。 - 前記請求項1〜6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイス。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2014187080A1 (zh) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制造方法及显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06235933A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH0745555A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Kobe Steel Ltd | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH0790552A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-04 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH08306693A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-11-22 | Ibm Japan Ltd | 配線材料、配線層の形成方法 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2002314088A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び当該方法により製造された薄膜トランジスタアレイ基板を用いた液晶表示装置 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
-
2007
- 2007-12-03 JP JP2007312723A patent/JP2008124483A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06235933A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPH0745555A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Kobe Steel Ltd | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH0790552A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-04 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH08306693A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-11-22 | Ibm Japan Ltd | 配線材料、配線層の形成方法 |
JP2000235961A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線 |
JP2002314088A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法及び当該方法により製造された薄膜トランジスタアレイ基板を用いた液晶表示装置 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014187080A1 (zh) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制造方法及显示装置 |
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