KR100543005B1 - 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 - Google Patents
능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100543005B1 KR100543005B1 KR1020030064897A KR20030064897A KR100543005B1 KR 100543005 B1 KR100543005 B1 KR 100543005B1 KR 1020030064897 A KR1020030064897 A KR 1020030064897A KR 20030064897 A KR20030064897 A KR 20030064897A KR 100543005 B1 KR100543005 B1 KR 100543005B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- film
- light emitting
- lower conductive
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title abstract description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- 기판;상기 기판 상에 위치하는 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 갖는 활성층;상기 채널 영역 상에 위치하는 게이트;상기 활성층과 상기 게이트를 포함한 기판 전면을 덮는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막 상에 위치하여 상기 소오스 영역 또는 상기 드레인 영역 중 어느 하나에 접함과 동시에 상기 제 1 절연막 상으로 연장되고, 적어도 한층의 전도성막 적층구조를 갖는 제 1 전극;상기 제 1 절연막 상에 상기 제 1 전극과 서로 이격되게 위치하여 상기 소오스 영역 또는 드레인 영역 중 나머지 하나에 접하고, 상기 제 1 전극과 동일한 전도성막 적층구조를 갖는 제 2 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하고 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막; 및상기 유기막 상에 위치하는 제 3 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 하부 전도성막과 상기 하부 전도성막 상에 위치하는 상부 전도성막을 포함하는 다층구조인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 전도성막은 Ti로 이루어지고,상기 상부 전도성막은 Al, Ni, Cr, AlNd, ITO 및 IZO로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 전도성막은 Al, Ni, Cr 및 AlNd로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어지고,상기 상부 전도성막은 Al, Ni, Cr, AlNd, ITO 및 IZO로 이루어진 군에서 선택되는 하나로서 상기 하부 전도성막과는 서로 다른 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 하부 전도성막의 하부 또는 상기 하부 전도성막과 상기 상부 전도성막 사이에 위치하는 Ti 막을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 하부 전도성막의 하부에 위치하는 Ti 막과 상기 하부 전도성막과 상기 상부 전도성막 사이에 개재된 다른 Ti 막을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 캐소드이고, 상기 제 3 전극은 애노드인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 애노드이고, 상기 제 3 전극은 캐소드인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기막은 전하주입층, 전하수송층 및 정공억제층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030064897A KR100543005B1 (ko) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 |
US10/924,879 US7592620B2 (en) | 2003-09-18 | 2004-08-25 | Active matrix organic light-emitting display device |
CNB2004100825439A CN100448054C (zh) | 2003-09-18 | 2004-09-20 | 有源矩阵有机发光显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030064897A KR100543005B1 (ko) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050028561A KR20050028561A (ko) | 2005-03-23 |
KR100543005B1 true KR100543005B1 (ko) | 2006-01-20 |
Family
ID=34309447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030064897A KR100543005B1 (ko) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7592620B2 (ko) |
KR (1) | KR100543005B1 (ko) |
CN (1) | CN100448054C (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7282735B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-10-16 | Xerox Corporation | TFT having a fluorocarbon-containing layer |
KR101227141B1 (ko) * | 2006-05-17 | 2013-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR100782472B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2007-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR100752388B1 (ko) * | 2006-11-01 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100787461B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR100807560B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100830318B1 (ko) * | 2007-04-12 | 2008-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5006108B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
KR101889950B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2018-08-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR20110039062A (ko) * | 2009-10-09 | 2011-04-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8922463B2 (en) * | 2010-04-26 | 2014-12-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
KR101822563B1 (ko) | 2010-12-08 | 2018-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
DE102010063511A1 (de) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektrischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
JP5969216B2 (ja) * | 2011-02-11 | 2016-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法 |
CN102916037B (zh) * | 2012-10-12 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有源矩阵有机电致发光显示器件及显示装置 |
KR101464600B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
US9543366B2 (en) * | 2013-05-15 | 2017-01-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display apparatus having the same |
CN103413898B (zh) * | 2013-08-29 | 2015-11-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法 |
US9117780B2 (en) | 2013-08-29 | 2015-08-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Anode connection structure of organic light-emitting diode and manufacturing method thereof |
KR20150135722A (ko) * | 2014-05-23 | 2015-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20160010034A (ko) | 2014-07-18 | 2016-01-27 | 주식회사 텔레칩스 | 액세스포인트의 위치 맵에 연동한 gps 내비게이션의 운용 방법 및 이를 위한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체 |
CN105762170B (zh) * | 2014-12-19 | 2019-03-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Amoled显示装置及其制造方法 |
KR102620013B1 (ko) | 2016-07-01 | 2024-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
CN108091674B (zh) * | 2017-12-12 | 2020-06-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板结构及oled背板制作方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3587537B2 (ja) * | 1992-12-09 | 2004-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TW408351B (en) | 1997-10-17 | 2000-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
EP1041641B1 (en) | 1999-03-26 | 2015-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method for manufacturing an electrooptical device |
KR100741889B1 (ko) | 2000-12-28 | 2007-07-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 디스플레이 장치 |
JP2002215063A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-31 | Sony Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
US7115453B2 (en) * | 2001-01-29 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR100571003B1 (ko) | 2001-02-06 | 2006-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100582724B1 (ko) | 2001-03-22 | 2006-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치용 표시 소자, 이를 이용한 유기전계발광 디바이스 및 평판 디스플레이용 표시 소자의제조 방법 |
US6876350B2 (en) * | 2001-08-10 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic equipment using the same |
JP2003203783A (ja) | 2001-10-26 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US7897979B2 (en) * | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US7893438B2 (en) * | 2003-10-16 | 2011-02-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same |
-
2003
- 2003-09-18 KR KR1020030064897A patent/KR100543005B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-08-25 US US10/924,879 patent/US7592620B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-20 CN CNB2004100825439A patent/CN100448054C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100448054C (zh) | 2008-12-31 |
US20050062039A1 (en) | 2005-03-24 |
US7592620B2 (en) | 2009-09-22 |
KR20050028561A (ko) | 2005-03-23 |
CN1599530A (zh) | 2005-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100543005B1 (ko) | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 | |
US7893438B2 (en) | Organic light-emitting display device including a planarization pattern and method for manufacturing the same | |
KR100768191B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조방법 및 유기 발광 표시장치 | |
KR100661439B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US8241933B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
US8455893B2 (en) | Light-emitting apparatus and production method thereof | |
US7728510B2 (en) | Organic light emitting display with auxiliary electrode line and method of fabricating the same | |
KR100838082B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
US7205565B2 (en) | Thin film transistor and OLED including the same | |
US7626330B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
US7336031B2 (en) | Organic light emitting display having auxiliary common electrode | |
US20040263072A1 (en) | Flat panel display | |
KR20060023180A (ko) | 유기 el 패널 및 그 제조 방법 | |
KR100543009B1 (ko) | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR101511548B1 (ko) | 발광표시장치 및 이의 제조방법 | |
JP4488557B2 (ja) | El表示装置 | |
US20060214564A1 (en) | Organic electroluminescent display and method for fabricating the same | |
KR20050111152A (ko) | 양방향 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
KR101308466B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
US7663310B2 (en) | Organic electro luminescence display and method of fabricating the same | |
JP4530450B2 (ja) | El表示装置 | |
KR100611213B1 (ko) | 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른유기전계발광소자 | |
KR101319343B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20070071412A (ko) | 스위칭 소자의 제조 방법 및 표시 기판 | |
KR100573138B1 (ko) | 평판 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140102 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190102 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191223 Year of fee payment: 15 |