JP2006261705A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ａｌ等の低抵抗材料を高融点金属と積層した電極における抵抗上昇とオーバーハング形状のない薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層２を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層１と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層３とで挟んだ積層配線構造を使用し、下層配線層１と上層配線層３とで異なる金属又は合金を用いるか、あるいは、上層及び下層配線層１、３で同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料を使用し、それらの窒素含有量が異なるようにする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、配線構造を改良した薄膜トランジスタ、とりわけ液晶表示装置に広く用いられる薄膜トランジスタと、その製造方法に関する。

近年、液晶表示装置は大型化、高精細化が進み、その回路に用いられる配線は低抵抗化が要求されている。図１は従来技術による薄膜トランジスタの断面構造を示したものであるが、高精細向けの薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）は低抵抗化の要求に対応して、Ａｌ配線材料を用いることが多い。一例として、図１中の３１は、そのようなＡｌ配線材料１７を使ってガラス基板３０上に形成したゲート電極を示している。しかしＡｌは後工程での加熱によりヒロックが発生してＡｌ配線と接する絶縁膜の絶縁耐圧を悪化させる傾向があるので、これを防止するため、通常、図中１８で示すように例えばＴｉのような高融点金属でキャップする構造がとられる。また、ソース・ドレイン電極３２、３３においてＡｌを用いる場合、コンタクト層であるｎ＋型の非晶質Ｓｉ層２２との良好なコンタクトの形成とＡｌの拡散を防止するためのバリア層１９と、やはりヒロック防止のためのキャップ層２１でＡｌ層２０を挟み込む構造がとられる。なおキャップ層２１は、液晶表示装置の画素電極２３との良好なコンタクトを形成するためにも必要である。

しかし、このような構造においては、以下に示すような問題が発生する。すなわち、ゲート電極３１においては比較的高い抵抗を示す高融点金属のキャップ層１８とＡｌ層１７の間で後工程の熱処理によって相互拡散を起こし、界面近傍を中心に高抵抗の領域が形成され、配線抵抗が上昇してしまう。また、熱処理時の基板３０からゲート電極３１への不純物の拡散はＴＦＴの特性のばらつきの原因となる。このような問題に対し、キャップ層２１には窒素を含有したＴｉ（以下ＴｉＮと記す）を用いたり、基板３０とＡｌ配線層１７の間にはＳｉＯ膜（図示せず）を形成し、ブロック層とする方法が開示されているが、例えばドライエッチング法によりエッチングする場合ＴｉＮはＡｌに比ベエッチングレートが低いためオーバーハングが形成されてしまい、このオーバーハングは、後に配線層上に絶縁膜を形成する際にその下のＡｌ材料層の側部にボイド（空隙）ができて絶縁膜の絶縁性能が悪化する原因となる。またＳｉＯ膜を形成することは、そのための成膜装置が別に必要になると同時に工程増となるため、製造コストの上昇に通じる。ソース・ドレイン電極３２、３３においても、前述の相互拡散による抵抗上昇が起こる。

更に、特定のエッチング液で三層構造の配線を一括エッチングする方法は経済的であり広く用いられているが、この場合には以下に示す問題がある。すなわち、一般的に、ゲート絶縁膜３５のようにプラズマＣＶＤ法により形成された膜は段差部で図３に破線３６で示したようにクラックが入りやすく、ソース・ドレイン電極をエッチングする際、このクラックから薬液がゲート電極層にまでしみこみ、ゲート電極層に欠陥を生じてしまう。これは、ゲート電極とソース・ドレイン電極層で同一の材料が用いられる場合には特に深刻である。これに対しても、ＴｉＮ等でＡｌ配線を挟み込む構造が開示されており、この場合ドライエッチング法で配線形成可能なため薬液のしみこみの問題は回避可能だが、オーバーハング形状の問題は回避できないので品質の低下は免れない。

なお、従来の薄膜トランジスタには、２層構造の配線を用いたものがある（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。また、３層構造の配線を用いたものもある（例えば、特許文献３、特許文献４、および特許文献５参照）。
特開平９−１４８５８６号公報 特開平４−２４９２４号公報 特開平３−２６０６３１号公報 特開平４−２５３３４２号公報 特開平１０−１３５４６５号公

以上のような問題点を鑑み、本発明は、容易に製作可能でＡｌ、Ｃｕ等の低抵抗材料をキャップ層とともに用いたときに生じる抵抗上昇がなく、且つオーバーハングのない配線構造を備えるとともに、エッチング液の浸透による配線ダメージのない薄膜トランジスタと、その製造方法を提供することを目的とする。

このような本発明の目的は、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層配線構造を使用し、且つ、下層配線層と上層配線層とで異なる金属又は合金を用いることで達成することができる。

あるいは、上記の目的は、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、この下層配線層と同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層配線構造を使用し、且つ、下層配線層と上層配線層の材料の含有する窒素量を異なるものとすることで達成することができる。

従って、第一の側面において、本発明の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、絶縁性基板上に少なくともゲート電極及びこれに接続された走査線、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極及びこれに接続された信号線を配した薄膜トランジスタであって、（１）ゲート電極及び／又は走査線と、（２）ソース・ドレイン電極及び／又は信号線のうち少なくとも一方は、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層構造を含み、且つ、この積層構造の下層配線層と上層配線層で用いられる金属又は合金が異なっていることを特徴とする。

第二の側面において、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁性基板上に少なくともゲート電極及びこれに接続された走査線、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極及びこれに接続された信号線を配した薄膜トランジスタであって、（１）ゲート電極及び／又は走査線と、（２）ソース・ドレイン電極及び／又は信号線のうち少なくとも一方は、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、この下層配線層と同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層構造を含み、且つ、この積層構造の下層配線層と上層配線層の材料の含有する窒素量が異なっていることを特徴とする。

上述の本発明の薄膜トランジスタは、前記積層構造の下層配線層材料膜、主配線層材料膜及び上層配線層材料膜を順次成膜し、得られた積層膜をパターニングして、当該積層構造の配線層を形成する工程を含む方法により製造される。

本発明では、基板として任意の絶縁性基板を使用することができる。例えば、本発明のＴＦＴを液晶表示装置で使用する場合には、絶縁性基板として透明なガラス基板等を使用すればよい。

本発明のＴＦＴは、そのような絶縁性基板上に、少なくともゲート電極及びこれに接続された走査線、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電極及びこれに接続された信号線を配したものである。ソース・ドレイン電極の上には、最終保護膜として絶縁膜が設けられることがある。また、液晶表示装置で使用するＴＦＴの場合には、このほかに画素電極が設けられる。

上記のように、ゲート電極には走査線が接続されるが、本明細書において単に「ゲート電極」又は「ゲート配線」という語を用いる場合、それはゲート電極とこれに接続する配線（走査線）を含むものである。そして本発明においてはゲート電極と走査線のどちらか一方を本発明の積層構造とすることができ、あるいはゲート電極と走査線の両方を本発明の積層構造としてもよい。同様に、ソース・ドレイン電極には信号線が接続され、本明細書において単に「ソース・ドレイン電極」又は「ソース・ドレイン配線」という語を用いる場合、それはソース・ドレイン電極とこれに接続する配線（信号線）を含むものであり、そして本発明においてはソース・ドレイン電極と信号線のどちらか一方を本発明の積層構造とすることができ、あるいは両方を本発明の積層構造とすることもできる。また、本明細書において本発明の積層構造を持つものとして単に「電極」あるいは「配線」という語を使用する場合にも、それらは電極とそれに接続する配線の両方を意味しうるものと解される。本発明の積層構造の電極（配線）は、低抵抗化に有効なものであり、そのため走査線や信号線にとってより有利なものとなる。

本発明のＴＦＴにおいては、ゲート電極及び／又は走査線か、ソース・ドレイン電極及び／又は信号線か、あるいはそれらの両方を、（ａ）Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層構造を有し、且つ、この積層構造の下層配線層と上層配線層で使用する金属又は合金を異なるものとするか、あるいは、（ｂ）Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれを主成分とする合金から形成した主配線層を、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料の下層配線層と、この下層配線層と同一の金属又は合金に窒素を含有させた材料の上層配線層とで挟んだ積層構造を有し、且つ、この積層構造の下層配線層と上層配線層の材料の含有する窒素量を異なるものとする。

主配線層の材料としては、ＡｌもしくはＡｌと他の金属との合金、又はＣｕもしくはＣｕと他の金属との合金を使用することができる。

一方、主配線層を挟み、且つそれと接触する下層配線層及び上層配線層の材料としては、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた金属又はこれらの金属の合金に窒素を含有させた材料を使用する。この場合の合金は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕのうちの２種以上の金属の合金である。更に、下層配線層と上層配線層の材料の金属又は合金は、窒素を含有することが必要である。本発明においてこのように窒素を含有する金属又は合金は、一般的には窒化物とみなすことができる材料である。これらの材料における窒素含有量は、熱処理時の拡散による配線抵抗の有意の上昇を防ぐのに有効な量であればよく、使用する材料と熱処理温度等の条件に応じて適宜決定すればよい。

Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕ等の金属又はそれらの合金の窒化物は、加熱による拡散に対するブロック性が高いので、ゲート配線あるいはソース・ドレイン配線形成後の工程の熱処理にさらされても、抵抗上昇のない高品位の配線を得るのを可能にする。図２は、各種金属及び窒化物の膜と積層膜を３２０℃でアニール後の抵抗上昇率を、四探針比抵抗測定器で室温にて測定したデータを示している。

この結果によると、Ｔｉはアニール時間が長くなるに従い抵抗が著しく上昇することが分かる。これは、時間とともに酸化が進行し抵抗が上昇したためと思われる。一方、Ａｌは表面は酸化されるが内部に酸化が進行しないため、抵抗は一定のままである。これに対し、Ａｌ／Ｔｉの積層膜（空気にさらされて酸化作用を受ける側がＴｉ膜）は両者の中間の上昇率を示し、表面のＴｉの酸化により上昇した抵抗値ともＡｌの抵抗値とも異なる値を示す。また、このＡｌ／Ｔｉ積層膜の抵抗上昇は真空中で加熱した場合でも発生し、Ｔｉの酸化と無関係であることが判明した。これらの結果に対して、ＡｌとＴｉＮ又はＭｏＮを積層したサンプルは、加熱時間と関係なく元の抵抗値を維持することが判明した。

ここに挙げたＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕ等の金属又はそれらの合金の窒化物は、窒素の含有量を変化させることにより、特定のエッチャントに対するエッチングレートを変化させることができる。すなわち、これらの金属又は合金の窒素含有量が増加すると、特定のエッチング液に対するエッチングレートは低下する。ドライエッチングについては、窒素含有量とエッチングレートとの間にウェットエッチングの場合のような一般的な法則性は認められないが、所定の金属又は合金については、窒素含有量とエッチングレートとの間に一定の相関関係が見いだされる。また、これらの金属又は合金の窒化物の特定のエッチャントによるウェットエッチングやドライエッチングにおける選択性はその窒化物のもとになった金属又は合金と変わらず、金属又は合金がエッチングされるエッチャントにはその窒化物もエッチングされる。そこで、本発明では、これらの特性を組み合わせることによって、上層配線層、主配線層及び下層配線層のエッチングされる量を、より上の層の材料のエッチング量が下の層の材料のエッチング量と同じかあるいはそれより多くなるように選択することにより、オーバーハングの形成を防止する。

このようにして、本発明によれば、主配線層とこれに接触する下層配線層及び上層配線層との間の熱拡散が防止されるため、形成した配線の抵抗が上昇することはなく、また、形成した配線形状にオーバーハングは認められなくなり、信頼性の高いＴＦＴの提供が可能になる。更に、本発明による積層ソース・ドレイン電極の形成に際しては、上層配線層と下層配線層の組み合わせを適宜選択することにより、ウェットエッチングを用いた場合に下層配線層をエッチングストッパーとして利用することができ、下層配線（ゲート配線）へのダメージを防止することが可能となる。

本発明の積層構造の配線に用いられる各材料用のエッチャントは、当該技術分野において周知であり、実際に使用する材料に応じて適宜選ぶことができる。

本発明においては、ＡｌもしくはＣｕ又はそれらの一方を主成分とする合金から作られる主配線層に接触する層として、熱拡散のブロックに有効な上述の窒素を含む下層配線層と上層配線層を備えた三層構造を含む配線を用いることが必須である。そして本発明においては、このような三層構造の配線の上（すなわち上述の上層配線層の上）又は下（すなわち上述の下層配線層の下）に、あるいはそれらの両方に、更に別の層を設けた積層構造の配線としても差し支えない。例えば、ガラス基板上に液晶表示装置用のＴＦＴを製作する場合、製造方法によっては、ソース・ドレイン電極に接続された信号線の下に非晶質シリコン層が存在する場合があり、この場合の信号線はこの非晶質シリコン層の上に上述の三層構造が設けられた四層からなる積層構造となる。

本発明のＴＦＴにおける積層配線は、ゲート電極を構成するものであってもよく、あるいはソース・ドレイン電極を構成するものであってもよい。

また、本発明の積層配線における材料の組み合わせは様々であるが、例えば、主配線層材料としてＡｌ又はＡｌ合金を使用し、そして下層配線層材料として窒素を含有するＡｌ又はＡｌ合金、上層配線層材料として窒素を含有するＭｏ又はＭｏと例えばＴｉとの合金等を使用することができる。下層配線層に窒素を含有するＡｌ又はＡｌ合金を使用する積層配線は、特にゲート電極用に好適である。

また、本発明の積層構造の配線を形成するやり方にも、様々なものが考えられる。例えば、積層構造を形成する三つの層（上層配線層、主配線層及び下層配線層）を同一のエッチャントで一括にエッチングしてもよく、あるいは三層を順次それぞれ別個のエッチャントでエッチングしてもよく、あるいは三層のうちの二つを同じエッチャントでエッチングし、もう一つをそれとは異なるエッチャントでエッチングしてもよい。後者の例としては、上層及び主配線層を同一のエッッチャントで、そして下層配線層を別のエッチャントでエッチングするものを挙げることができ、具体的な例として、Ｍｏ系の材料の上層配線層とＡｌ系材料の主配線層をリン酸系のエッチャントでウェットエッチングし、Ｔｉ系材料の下層配線層を塩素系ガスでドライエッチングする例を挙げることができる。この場合には、本発明の三層構造の配線をソ−ス・ドレイン電極として形成する場合においても、Ｔｉ系材料の下層配線層がウェットエッチングの際のエッチングストッパーとして働いて、ゲート絶縁膜へのエッチング液の浸透を防止することが可能であり、非常に有利である。このように、下層配線層を主配線層のエッチングの際のエッチングストッパーとして働くことのできる材料から形成するようにすれば、主配線層のエッチングをウェットエッチングとすることができ、Ｔｉ系材料の上層配線層を用いた場合にもこのオーバーハングの形成を防ぎながら、且つ下層配線層へのエッチング液の浸透を防ぎながら、Ａｌ系材料の主配線層を形成することが可能である。

次に、実施例により本発明を更に説明する。

〔実施例１〕
この例は、ＴＦＴのゲート電極に本発明を適用した場合を説明するものである。

まず、図３（ａ）に示すように、ガラス製の絶縁性基板３０の上に、窒素を含有するＡｌ層１を約５０ｎｍ成膜した。この成膜は、通常のスパッタ法を用いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約４：１の比率で混合したガスを導入して行った。こうして形成した窒素を含むＡｌ層１の上に、更にＡｌ層２を約１５０ｎｍ成膜し、次に窒素を含有するＭｏ層３を５０ｎｍ成膜した。窒素を含有するＭｏ層３の成膜は、通常のスパッタ法を用いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約９：１の比率で混合したガスを導入して行った。

こうして形成した三層膜の上にレジスト材料を塗布し、続いて露光及び現像を行って、図３（ｂ）に示したように所望パターンのレジスト層４を形成した。次に、図３（ｃ）に示したように、レジスト層４をマスクにしてウェットエッチング法により三層膜をエッチングした。エッチング液としては、リン酸、酢酸、硝酸を混合した通常のＡｌエッチング液を用いた。その後、レジスト層４を剥離除去して、図３（ｄ）に示した三層構造のゲート電極４０を完成した。

こうして形成したゲート電極４０を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、図３（ｄ）に概略的に示したとおりの、オーバーハングのない階段状の側面を有する構造であることが確認された。完成したゲート電極４０の電気抵抗は、先に図２を参照して説明したのと同様に、熱処理を施した後においてもＡｌと同等の値であった。

〔実施例２〕
この例は、ＴＦＴのゲート電極に本発明を適用したもう一つの例である。

図４（ａ）に示したように、ここではまず窒素を含有するＭｏ層５を約５０ｎｍ成膜した。この成膜は、通常のスパッタ法を用いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約６：４の比率で混合したガスを導入して行った。形成した窒素含有Ｍｏ層５の上に、更にＡｌ層６を約１５０ｎｍ成膜し、次に窒素を含有するＭｏ層７を５０ｎｍ成膜した。このＭｏ層７の成膜は、通常のスパッタ法を用いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約９：１の比率で混合したガスを導入して行った。続いて、形成した三層膜を実施例１で説明したのと同じやり方でパターニングして、図４（ｂ）に示した三層構造のゲート電極４１を得た。

こうして形成したゲート電極４１を、ＳＥＭで観察したところ、図４（ｂ）に概略的に示したとおりの、オーバーハングのない階段状の側面を有する構造であることが確認された。このゲート電極４１の電気抵抗は、熱処理を施した後においてもＡｌと同等であった。

実施例１と２は三層構造の配線（ゲート配線）の例であるが、抵抗上昇を防止する目的のためには、上述のとおりに低抵抗層であるＡｌの主配線層と接する層が窒素を含有する金属又は合金層であればよく、本発明の積層配線においてはこのような窒素含有層の下（下層配線層の場合）あるいは上（上層配線層の場合）に更に別の層が存在しても差し支えない。

〔実施例３〕
この例は、ＴＦＴのソース・ドレイン電極に本発明を適用した場合を説明するものである。

図５（ａ）に示したように、実施例１に従って形成したゲート電極４０上に、ゲート絶縁膜５１（ＣＶＤ法で形成したシリコン窒化膜）、半導体層５２（ＣＶＤ法で形成した非晶質シリコン膜）、チャネル保護膜５３（ＣＶＤ法で形成したシリコン窒化膜を選択的に除去して形成したもの）を順次形成した後、コンタクト層となるｎ＋型の非晶質Ｓｉ層５４をＣＶＤ法で形成した。ここまでの工程は、先に示した実施例１と従来技術の組み合わせにより行うことができる。

次に、図５（ｂ）に示したように、ｎ＋型非晶質Ｓｉ層５４の上に、この非晶質Ｓｉ層５４と接する側の一部にのみ窒素を含有するＴｉ層５５を約５０ｎｍ成膜した。この成膜は、通常のスパッタ法を用いて、初期の２０ｎｍはＡｒガスのみでＴｉ層（図示せず）を形成し、続いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約１：１の比率で混合したガスを導入して窒素を含有するＴｉ層（図示せず）を形成するようにして行った。こうして作った一部にのみ窒素を含有するＴｉ層５５の上に、更にスパッタ法でＡｌ−Ｎｄ合金層５６を約１５０ｎｍ成膜し、次に窒素を含有するＭｏ層５７を５０ｎｍ成膜した。この窒素含有Ｍｏ層５７の成膜は、通常のスパッタ法を用いてＡｒガスにＮ₂ ガスを約９：１の比率で混合したガスを導入して行った。続いて、最上層の窒素含有Ｍｏ層５７の上に、レジスト材料を塗布し、露光及び現像を行って、図５（ｃ）に示したように所望パターンのレジスト層５８を形成した。

次に、レジスト層５８をマスクにし、リン酸、酢酸、硝酸を混合した通常のＡｌエッチング液を用いたウェットエッチングを行った。このウェットエッチングでは、図６（ａ）に示したように、上層の窒素含有Ｍｏ層５７と主配線層（低抵抗層）のＡｌ−Ｎｄ合金層５６のみが除去され、下層の一部に窒素を含有するＴｉ層５５は除去されない。次いで、この一部に窒素を含有するＴｉ層５５とその下のｎ＋型非晶質シリコン層５４を、塩素系ガスを用いたドライエッチング法により一括エッチングした（図６（ｂ））。続いて、レジスト層５８を剥離除去して、図６（ｃ）に示したソース・ドレイン電極６１、６２を完成した。なお、Ａｌは塩素系ガスによりエッチングされるが、この例の積層構造配線（ソース・ドレイン配線）の主配線層材料として用いたＡｌ−Ｎｄ合金は表面に析出したＮｄにより塩素系ガスによるエッチングが阻止されるため、エッチング後に形成されたソース・ドレイン電極６１、６２は図示のとおりオーバーハング形状にならなかった。

この例におけるように、積層構造のソース・ドレイン電極の下層としての金属層をソース・ドレイン電極の主配線層のエッチングの際のエッチングストッパーとして用いれば、この下層の金属層のようなスパッタ法で形成したものにはＣＶＤ法で形成した絶縁膜に見られるようなクラックがないため、主配線層のパターニングをウェットエッチング法で行った場合においても、下層へのエッチング液の浸透に起因するゲート配線の断線は確実に抑制される。またエッチングストッパーとして活用された窒素を含有するＴｉ層のエッチングはその下の半導体層のエッチングと同時に行われるので、工程増にもならない。

このようにして、この例においては、図６（ｃ）に示すオーバーハングのない、低抵抗のソース・ドレイン電極６１、６２が、ゲート層４０にダメージを与えることなく形成できた。

更に、図６（ｃ）のソース・ドレイン電極６１、６２上に最終保護膜を形成し、この膜に形成した開口部を通じてソース電極６１に接続する画素電極を形成して、一般的な構造を図１を参照して説明した液晶表示装置用のＴＦＴを製造することも可能であるが、そのための最終保護膜形成工程も画素電極形成工程も当該技術分野において周知であり、ここで詳細に説明するまでもない。

また、上記の例においては、逆スタガ型チャネルプロテクトタイプのＴＦＴを例に本発明を説明したが、本発明は逆スタガ型チャネルエッチタイプのＴＦＴに適用することも、あるいはスタガ型のＴＦＴに適用することもできることは、容易に理解されよう。

以上のように、本発明によれば低抵抗且つオーバーハングのない配線構造を得ることができ、更にゲート配線においてはガラス基板からの不純物の拡散を防止でき、ソース・ドレイン配線においては下部のゲート配線へのダメージのない配線も形成可能である。従って、高精細液晶表示装置における配線抵抗上昇によるＴＦＴ駆動能力の低下、エッチング形状不良による信頼性低下を防止でき、品質、信頼性の向上に大きく寄与するものである。

従来技術によるＴＦＴを説明する図である。 各種配線材料のアニール時間と抵抗上昇率との関係を示すグラフである。 実施例１の製造工程を説明する図である。 実施例２の製造工程を説明する図である。 実施例３の製造工程の前半を説明する図である。 実施例３の製造工程の前半を説明する図である。

符号の説明

１ 窒素含有Ａｌ層
２、６ Ａｌ層
３、５、７、５７ 窒素含有Ｍｏ層
２３ 画素電極
３０ 基板
３１、４０、４１ ゲート電極
３２、６１ ソース電極
３３、６２ ドレイン電極
３５、５１ ゲート絶縁膜
５２ 半導体層
５３ チャネル保護膜
５４ 非晶質Ｓｉ層
５５ 窒素含有Ｔｉ層
５６ Ａｌ−Ｎｄ合金層
５８ レジスト層

Claims (12)

1. 半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極に接続された走査線と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された信号線とを含む薄膜トランジスタであって、
   前記ゲート電極、前記走査線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線のうちの少なくとも１つは、
   Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる下層配線層と、
   前記下層配線層の上に形成された、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第２の金属、または前記第２の金属を主成分とする合金からなる主配線層と、
   前記主配線層の上に形成された、前記第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料からなる上層配線層とを含み、
   前記下層配線層と前記上層配線層の材料に含まれる金属または合金が異なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
2. 前記ゲート電極および前記走査線の少なくとも一方が、前記下層配線層と前記主配線層と前記上層配線層とを含み、
   前記主配線層がＡｌからなり、前記下層配線層が窒素を含有するＡｌからなり、前記上層配線層が窒素を含有するＭｏからなる、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
3. 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線の少なくとも１つが、前記下層配線層と前記主配線層と前記上層配線層とを含み、
   前記主配線層がＡｌとＮｄとの合金からなり、前記下層配線層が窒素を含有するＴｉからなり、前記上層配線層が窒素を含有するＭｏからなる、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
4. 半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極に接続された走査線と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された信号線とを含む薄膜トランジスタの製造方法であって、
   Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料を用いて下層配線層を形成する工程と、
   前記下層配線層の上に、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第２の金属、または前記第２の金属を主成分とする合金を用いて主配線層を形成する工程と、
   前記主配線層の上に、前記第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料を用いて上層配線層を形成する工程と、
   前記下層配線層、前記主配線層、および前記上層配線層をパターニングして、前記ゲート電極、前記走査線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線のうちの少なくとも１つを形成する工程とを含み、
   前記下層配線層と前記上層配線層の材料に含まれる金属または合金が異なっていることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
5. 前記下層配線層、前記主配線層、および前記上層配線層のパターニングを、同一のエッチャントを用いた一括したエッチングによって行う、請求項４に記載の製造方法。
6. 前記パターニングは、前記上層配線層および前記主配線層に一括してウェットエッチングを施した後、前記下層配線層にドライエッチングを施して行う、請求項４に記載の製造方法。
7. 前記ゲート電極および前記走査線の少なくとも一方が、前記下層配線層と前記主配線層と前記上層配線層とを含み、
   前記主配線層がＡｌからなり、前記下層配線層が窒素を含有するＡｌからなり、前記上層配線層が窒素を含有するＭｏからなる、請求項４または５に記載の製造方法。
8. 前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記信号線の少なくとも１つが、前記下層配線層と前記主配線層と前記上層配線層とを含み、
   前記主配線層がＡｌとＮｄとの合金からなり、前記下層配線層が窒素を含有するＴｉからなり、前記上層配線層が窒素を含有するＭｏからなる、請求項４または６に記載の製造方法。
9. 半導体層と、ゲート電極と、前記ゲート電極に接続された走査線と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続された信号線とを含む薄膜トランジスタの製造方法であって、
   Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料を用いて下層配線層を形成する工程と、
   前記下層配線層の上に、Ａｌ及びＣｕより選ばれた第２の金属、または前記第２の金属を主成分とする合金を用いて主配線層を形成する工程と、
   前記主配線層の上に、前記第１の金属に窒素を含有させた材料、または前記第１の金属の合金に窒素を含有させた材料を用いて上層配線層を形成する工程と、
   前記下層配線層、前記主配線層、および前記上層配線層をパターニングして、前記ゲート電極、前記走査線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記信号線のうちの少なくとも１つを形成する工程とを含み、
   前記下層配線層と前記上層配線層の材料の含有する窒素量が異なっている薄膜トランジスタの製造方法。
10. 前記下層配線層、前記主配線層、および前記上層配線層のパターニングを、同一のエッチャントを用いた一括したエッチングによって行う、請求項９に記載の製造方法。
11. 前記パターニングは、前記上層配線層および前記主配線層に一括してウェットエッチングを施した後、前記下層配線層にドライエッチングを施して行う、請求項９に記載の製造方法。
12. 前記ゲート電極および前記走査線の少なくとも一方が、前記下層配線層と前記主配線層と前記上層配線層とを含み、
    前記主配線層がＡｌからなり、前記下層配線層および前記上層配線層が窒素を含有するＭｏからなる、請求項９または１０に記載の製造方法。

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