JP2000269473A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JP2000269473A JP2000269473A JP11071703A JP7170399A JP2000269473A JP 2000269473 A JP2000269473 A JP 2000269473A JP 11071703 A JP11071703 A JP 11071703A JP 7170399 A JP7170399 A JP 7170399A JP 2000269473 A JP2000269473 A JP 2000269473A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 強力な光照射のもとで安定した動作が可能な
半導体装置を実現する。 【解決手段】 層間絶縁膜を介して積重ねた複数の金属
層を備える半導体装置において、最上層の金属層の下に
位置する金属層の表面に光吸収率が９０％以上の光吸収
膜を被着した。
半導体装置を実現する。 【解決手段】 層間絶縁膜を介して積重ねた複数の金属
層を備える半導体装置において、最上層の金属層の下に
位置する金属層の表面に光吸収率が９０％以上の光吸収
膜を被着した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンチップベ
ースド反射型液晶装置、ＣＣＤ型撮像装置、ＭＯＳ型撮
像装置等のように半導体素子表面に光を照射する半導体
装置に関し、特に半導体素子内部の回路が照射した光に
よって誤動作や性能低下をおこさないようにした半導体
装置に関する。
ースド反射型液晶装置、ＣＣＤ型撮像装置、ＭＯＳ型撮
像装置等のように半導体素子表面に光を照射する半導体
装置に関し、特に半導体素子内部の回路が照射した光に
よって誤動作や性能低下をおこさないようにした半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子に光を照射した場合、Ｐ／Ｎ
ジャンクションに光電効果によるリーク電流が流れる。
このリーク電流が大きいと半導体回路の誤動作がおこ
る。ＤＲＡＭなどの半導体装置は光の透過しないパッケ
ージに収納するため、この種の問題は生じない。しか
し、固体撮像装置や液晶装置のように表面に光を照射す
るものでは誤動作や性能低下を防止するために遮光等を
施している。
ジャンクションに光電効果によるリーク電流が流れる。
このリーク電流が大きいと半導体回路の誤動作がおこ
る。ＤＲＡＭなどの半導体装置は光の透過しないパッケ
ージに収納するため、この種の問題は生じない。しか
し、固体撮像装置や液晶装置のように表面に光を照射す
るものでは誤動作や性能低下を防止するために遮光等を
施している。
【０００３】例えば、ＣＣＤ固体撮像装置では信号電荷
転送のための垂直ＣＣＤ上部に遮光のための金属光シー
ルド層を設けて入射光にさらされないようにしており、
ＭＯＳ固体撮像装置では各素子のドレインに接続する金
属信号線によってドレインおよびチャンネル部分を覆い
遮光している。
転送のための垂直ＣＣＤ上部に遮光のための金属光シー
ルド層を設けて入射光にさらされないようにしており、
ＭＯＳ固体撮像装置では各素子のドレインに接続する金
属信号線によってドレインおよびチャンネル部分を覆い
遮光している。
【０００４】図６は特公昭６１−４３７１２号公報に記
載された画像表示装置用半導体装置の単位画素部分にお
ける断面図である。各画素は液晶セル１、ＭＯＳトラン
ジスタ２、蓄積用コンデンサ３の基本構成要素を備えお
り、液晶セル１を通過して散乱した迷光によりシリコン
基板が照射され、光導電効果による各種リーク電流の生
成を避けるため、液晶セル１を構成する反射金属電極１
１と蓄積用コンデンサ３を構成するコンデンサ電極３１
とを第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２とで分離し、
第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２との間に金属層４
３を配置して光シールドとし、第１の絶縁膜４１、第２
の絶縁膜４２および金属層４３に開口部を設けて反射金
属電極１１とコンデンサ電極３１とを接続している。こ
のような構成によって１０万Ｌｘ程度（太陽光程度）の
光にさらされても遮光の効果があるとしている。
載された画像表示装置用半導体装置の単位画素部分にお
ける断面図である。各画素は液晶セル１、ＭＯＳトラン
ジスタ２、蓄積用コンデンサ３の基本構成要素を備えお
り、液晶セル１を通過して散乱した迷光によりシリコン
基板が照射され、光導電効果による各種リーク電流の生
成を避けるため、液晶セル１を構成する反射金属電極１
１と蓄積用コンデンサ３を構成するコンデンサ電極３１
とを第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２とで分離し、
第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２との間に金属層４
３を配置して光シールドとし、第１の絶縁膜４１、第２
の絶縁膜４２および金属層４３に開口部を設けて反射金
属電極１１とコンデンサ電極３１とを接続している。こ
のような構成によって１０万Ｌｘ程度（太陽光程度）の
光にさらされても遮光の効果があるとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】プロジェクターで用い
られるシリコンチップベースド反射型液晶素子のように
１００万Ｌｘを超える強力なランプ光源にさらされるも
のではより遮光効果が高い構造が求められる。このよう
な要請に対して特開平８−３０４８１９号公報や特開平
１０−１６３２０９号公報などでは、例えば反射金属電
極１１の隙間から漏れ込み反射金属電極１１と金属層４
３の間の絶縁膜４２中を多重反射しながらＭＯＳトラン
ジスタ２に達する迷光を金属層４３の表面に設けたＴｉ
Ｎによる光吸収体で減衰させ、より高い遮光効果を実現
する方法を提案している。
られるシリコンチップベースド反射型液晶素子のように
１００万Ｌｘを超える強力なランプ光源にさらされるも
のではより遮光効果が高い構造が求められる。このよう
な要請に対して特開平８−３０４８１９号公報や特開平
１０−１６３２０９号公報などでは、例えば反射金属電
極１１の隙間から漏れ込み反射金属電極１１と金属層４
３の間の絶縁膜４２中を多重反射しながらＭＯＳトラン
ジスタ２に達する迷光を金属層４３の表面に設けたＴｉ
Ｎによる光吸収体で減衰させ、より高い遮光効果を実現
する方法を提案している。
【０００６】しかし、上記のような構成はいずれも反射
光が幾何光学的に伝播していくものとして遮光構造を構
築している。ところが、半導体装置の高集積化にともな
い、微細パターンの隙間から漏れ込む迷光については回
折の概念を導入しないと適切な遮光能力の評価ができな
い状態が生じている。すなわち、反射金属電極１１の隙
間から入射する迷光に開口部で回折が発生するため、少
ない回数の多重反射成分が生じ十分減衰できない。その
ため、上記提案が主張する遮光効果が得られず高集積化
の進んだ半導体素子の誤動作、性能低下が発生してい
る。
光が幾何光学的に伝播していくものとして遮光構造を構
築している。ところが、半導体装置の高集積化にともな
い、微細パターンの隙間から漏れ込む迷光については回
折の概念を導入しないと適切な遮光能力の評価ができな
い状態が生じている。すなわち、反射金属電極１１の隙
間から入射する迷光に開口部で回折が発生するため、少
ない回数の多重反射成分が生じ十分減衰できない。その
ため、上記提案が主張する遮光効果が得られず高集積化
の進んだ半導体素子の誤動作、性能低下が発生してい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の発明は、層間絶縁
膜を介して積重ねた複数の金属層を備える半導体装置に
おいて、最上層以外の金属層表面に光吸収率が９０％以
上の光吸収膜を被着したものである。
膜を介して積重ねた複数の金属層を備える半導体装置に
おいて、最上層以外の金属層表面に光吸収率が９０％以
上の光吸収膜を被着したものである。
【０００８】また、光吸収膜を最上層に位置する金属層
の直下にある金属層表面に設けたものである。
の直下にある金属層表面に設けたものである。
【０００９】また、光吸収膜はチタンと窒化チタンを積
層してなり、窒化チタンの膜厚が０．６μｍ〜１．５μ
ｍとしたものである。
層してなり、窒化チタンの膜厚が０．６μｍ〜１．５μ
ｍとしたものである。
【００１０】また、光吸収膜はチタン、窒化チタンおよ
びシリコン窒化物を積層してなり、窒化チタンの膜厚を
０．５μｍ以上、シリコン窒化物の膜厚を０．１μｍ以
下としたものである
びシリコン窒化物を積層してなり、窒化チタンの膜厚を
０．５μｍ以上、シリコン窒化物の膜厚を０．１μｍ以
下としたものである
【００１１】また、光吸収膜被着した金属層およびその
上層の金属層を半導体装置を形成した基板上に形成した
回路領域および画素領域の外側へ層間絶縁膜の厚さの６
７倍以上せりだすように形成したものである。
上層の金属層を半導体装置を形成した基板上に形成した
回路領域および画素領域の外側へ層間絶縁膜の厚さの６
７倍以上せりだすように形成したものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明を
その実施の形態を示す図を用いて具体的に説明する。図
１はこの発明の第１の実施形態であるシリコンチップベ
ースド反射型液晶装置の単一画素部分を示す断面図であ
る。シリコン基板表面に形成した画素トランジスタ２の
上部に第１の層間絶縁膜５１を介してソース領域２１お
よびドレイン領域２２を覆う例えばアルミの金属配線層
５２を形成し、この金属配線層５２の表面には光吸収膜
５３を備えている。光吸収膜５３を備えた金属配線層５
２の上部には第２の層間絶縁膜５４を介して例えばアル
ミの金属膜からなり隣接する画素部分と一体的に形成し
た光シールド層５５が覆っている。光シールド層５５の
表面には金属配線層５２と同様の光吸収膜５３を備えて
いる。この光吸収膜５３を備えた光シールド層５５の上
部には第３の層間絶縁膜５６を介して各画素毎に独立し
た例えばアルミの画素電極１１を備え、画素電極１１と
金属配線層５２とは光シールド層５５を貫通するビアホ
ール５７中に形成したコンタクト５８を介し接続してい
る。さらにパッシベーション膜１２を介して液晶１３
と、この液晶と対向する面に透明電極１４を備えたガラ
ス板１５が積層されシリコンチップベースド反射型液晶
装置を形成している。なお、光シールド層５５をアルミ
で形成する場合、その遮光性能は厚さが約１００ｎｍあ
れば十分である。
その実施の形態を示す図を用いて具体的に説明する。図
１はこの発明の第１の実施形態であるシリコンチップベ
ースド反射型液晶装置の単一画素部分を示す断面図であ
る。シリコン基板表面に形成した画素トランジスタ２の
上部に第１の層間絶縁膜５１を介してソース領域２１お
よびドレイン領域２２を覆う例えばアルミの金属配線層
５２を形成し、この金属配線層５２の表面には光吸収膜
５３を備えている。光吸収膜５３を備えた金属配線層５
２の上部には第２の層間絶縁膜５４を介して例えばアル
ミの金属膜からなり隣接する画素部分と一体的に形成し
た光シールド層５５が覆っている。光シールド層５５の
表面には金属配線層５２と同様の光吸収膜５３を備えて
いる。この光吸収膜５３を備えた光シールド層５５の上
部には第３の層間絶縁膜５６を介して各画素毎に独立し
た例えばアルミの画素電極１１を備え、画素電極１１と
金属配線層５２とは光シールド層５５を貫通するビアホ
ール５７中に形成したコンタクト５８を介し接続してい
る。さらにパッシベーション膜１２を介して液晶１３
と、この液晶と対向する面に透明電極１４を備えたガラ
ス板１５が積層されシリコンチップベースド反射型液晶
装置を形成している。なお、光シールド層５５をアルミ
で形成する場合、その遮光性能は厚さが約１００ｎｍあ
れば十分である。
【００１３】次に、光吸収膜について説明する。光吸収
膜５３は金属配線層５２および光シールド層５５上のＴ
ｉとＴｉＮからなる複合層であり、スパッタ法によって
金属配線層５２および光シールド層５５上にＴｉ層を形
成後、Ｎ2 またはＮＨ3 中でアニールしてＴｉＮ層を生
成するか、反応性スパッタ法によってＴｉ層上にＴｉＮ
層生成するなどの方法によって形成する。本願発明者は
ＴｉＮ層の膜厚と光吸収率の関係を調べ、図２に示すよ
うに膜厚が６０〜１５０ｎｍの範囲で光吸収率が特異的
に大きくなることを見いだした。すなわち、光吸収率は
膜厚が約６０ｎｍまでは膜厚に略比例して増加し、さら
に膜厚約８０ｎｍで最大の光吸収率９４％に達するが、
膜厚をさらに増加させると漸減して、膜厚１５０ｎｍ以
上では窒化チタンと層間絶縁膜であるＳｉＯ2 の界面で
の反射が支配的になり光吸収率は略一定の９４％とな
る。このことから、ＴｉＮ層の膜厚を６０〜１５０ｎｍ
とするのがもっとも効果的である。なお、金属配線層５
２上の光吸収膜と光シールド層５５上の光吸収膜とが同
等のものとして説明したが、光シールド層５５上の光吸
収膜によって十分な迷光の減衰が得られれば金属配線層
５２上の光吸収膜の光吸収率が光シールド層５５上の光
吸収膜のそれより小さなものであってもよく、さらには
金属配線層５２上の光吸収膜がなくてもよいことはいう
までもない。さらに、金属配線層５２が単層であるもの
として説明したが、複数の配線層を備えた半導体装置に
適用してもよく、光シールド層５５を備えない半導体装
置の場合に単層または複数層の金属配線層上に本願発明
による光吸収膜を設けてもよいことはいうまでもない。
ただし、金属配線層の隙間から層間絶縁層に漏れ込んだ
迷光が回折によって拡散しより広い領域に影響が及ぶこ
とを防ぐため、最上層に位置する金属層の直下にある金
属層の表面に光吸収膜を設けるのがもっとも望ましい。
膜５３は金属配線層５２および光シールド層５５上のＴ
ｉとＴｉＮからなる複合層であり、スパッタ法によって
金属配線層５２および光シールド層５５上にＴｉ層を形
成後、Ｎ2 またはＮＨ3 中でアニールしてＴｉＮ層を生
成するか、反応性スパッタ法によってＴｉ層上にＴｉＮ
層生成するなどの方法によって形成する。本願発明者は
ＴｉＮ層の膜厚と光吸収率の関係を調べ、図２に示すよ
うに膜厚が６０〜１５０ｎｍの範囲で光吸収率が特異的
に大きくなることを見いだした。すなわち、光吸収率は
膜厚が約６０ｎｍまでは膜厚に略比例して増加し、さら
に膜厚約８０ｎｍで最大の光吸収率９４％に達するが、
膜厚をさらに増加させると漸減して、膜厚１５０ｎｍ以
上では窒化チタンと層間絶縁膜であるＳｉＯ2 の界面で
の反射が支配的になり光吸収率は略一定の９４％とな
る。このことから、ＴｉＮ層の膜厚を６０〜１５０ｎｍ
とするのがもっとも効果的である。なお、金属配線層５
２上の光吸収膜と光シールド層５５上の光吸収膜とが同
等のものとして説明したが、光シールド層５５上の光吸
収膜によって十分な迷光の減衰が得られれば金属配線層
５２上の光吸収膜の光吸収率が光シールド層５５上の光
吸収膜のそれより小さなものであってもよく、さらには
金属配線層５２上の光吸収膜がなくてもよいことはいう
までもない。さらに、金属配線層５２が単層であるもの
として説明したが、複数の配線層を備えた半導体装置に
適用してもよく、光シールド層５５を備えない半導体装
置の場合に単層または複数層の金属配線層上に本願発明
による光吸収膜を設けてもよいことはいうまでもない。
ただし、金属配線層の隙間から層間絶縁層に漏れ込んだ
迷光が回折によって拡散しより広い領域に影響が及ぶこ
とを防ぐため、最上層に位置する金属層の直下にある金
属層の表面に光吸収膜を設けるのがもっとも望ましい。
【００１４】特開平８−３０４８１９号公報に記載され
た遮光構造における光吸収率を６５％とし、本願発明に
よる遮光構造と比較した実験結果を図３に示す。図はそ
れぞれの遮光構造をもつ画素の液晶セルおよび蓄積用コ
ンデンサに一定の信号電位を書込み、フレーム周波数３
０Ｈｚの周期に相当する期間が経過した後の画素電位と
書込み電位との差を電位低下として図示したものであ
る。図からわかるように、照度１５０万Ｌｘでは本願発
明による遮光構造を用いることによって、画素電位の低
下を従来の１０分の１程度まで抑制できることがわか
る。
た遮光構造における光吸収率を６５％とし、本願発明に
よる遮光構造と比較した実験結果を図３に示す。図はそ
れぞれの遮光構造をもつ画素の液晶セルおよび蓄積用コ
ンデンサに一定の信号電位を書込み、フレーム周波数３
０Ｈｚの周期に相当する期間が経過した後の画素電位と
書込み電位との差を電位低下として図示したものであ
る。図からわかるように、照度１５０万Ｌｘでは本願発
明による遮光構造を用いることによって、画素電位の低
下を従来の１０分の１程度まで抑制できることがわか
る。
【００１５】本願発明によるシリコンチップベースド反
射型液晶装置の半導体素子は、フィールド形成、トラン
ジスタ形成、第１層間絶縁膜形成、コンタクト形成、金
属配線層形成、光吸収膜形成、第２層間絶縁膜形成、光
シールド層形成、光吸収膜形成、第３層間絶縁膜形成、
ビアホール形成、コンタクト形成、画素電極形成、パッ
シベーション膜という従来から用いられているプロセス
フローを適用でき、公知のＬＳＩ製造技術で実現可能で
ある。
射型液晶装置の半導体素子は、フィールド形成、トラン
ジスタ形成、第１層間絶縁膜形成、コンタクト形成、金
属配線層形成、光吸収膜形成、第２層間絶縁膜形成、光
シールド層形成、光吸収膜形成、第３層間絶縁膜形成、
ビアホール形成、コンタクト形成、画素電極形成、パッ
シベーション膜という従来から用いられているプロセス
フローを適用でき、公知のＬＳＩ製造技術で実現可能で
ある。
【００１６】以上の説明でわかるように、光吸収膜の光
吸収率は窒化チタンと層間絶縁膜であるＳｉＯ2 の界面
での反射が寄与していることから、この界面での反射を
抑制することによってさらに光吸収率を大きくすること
が可能である。本願発明者は上記界面に特定の反射抑制
膜を被着することによってさらに光吸収率を大きくでき
ることを発見した。すなわち、ＴｉＮの光吸収膜上に厚
さ４０〜１００ｎｍのシリコン窒化物を反射抑制膜とし
て被着することにより、最大の光吸収率が約９９％まで
増加した。この様子を図４に示す。
吸収率は窒化チタンと層間絶縁膜であるＳｉＯ2 の界面
での反射が寄与していることから、この界面での反射を
抑制することによってさらに光吸収率を大きくすること
が可能である。本願発明者は上記界面に特定の反射抑制
膜を被着することによってさらに光吸収率を大きくでき
ることを発見した。すなわち、ＴｉＮの光吸収膜上に厚
さ４０〜１００ｎｍのシリコン窒化物を反射抑制膜とし
て被着することにより、最大の光吸収率が約９９％まで
増加した。この様子を図４に示す。
【００１７】以上の説明では、光吸収膜としてＴｉＮを
用いるものとしたが、窒化タンタル、窒化モリブデン、
窒化タングステン、カーボン等を用いて９０％以上の光
吸収率を実現できる。光吸収率を９０％以上にすれば、
従来より画素電位の低下を大幅に抑制でき、より性能の
優れたシリコンチップベースド反射型液晶装置を実現で
きる。
用いるものとしたが、窒化タンタル、窒化モリブデン、
窒化タングステン、カーボン等を用いて９０％以上の光
吸収率を実現できる。光吸収率を９０％以上にすれば、
従来より画素電位の低下を大幅に抑制でき、より性能の
優れたシリコンチップベースド反射型液晶装置を実現で
きる。
【００１８】以上の説明は、シリコンチップベースド反
射型液晶装置の半導体素子に対して行ったが、金属配線
層等の間に形成した絶縁層の中を伝播する迷光によって
生じるリーク電流の生成を防止する目的に適用して効果
が得られることはいうまでもなく、複数の金属配線層を
有するＣＣＤ型撮像装置やＭＯＳ型撮像装置等のように
半導体素子表面に光を照射する半導体装置においても、
光を直接照射しない配線層の表面に光吸収率が９０％以
上の光吸収膜を形成することによって、迷光をきわめて
効果的に減衰させることができる。
射型液晶装置の半導体素子に対して行ったが、金属配線
層等の間に形成した絶縁層の中を伝播する迷光によって
生じるリーク電流の生成を防止する目的に適用して効果
が得られることはいうまでもなく、複数の金属配線層を
有するＣＣＤ型撮像装置やＭＯＳ型撮像装置等のように
半導体素子表面に光を照射する半導体装置においても、
光を直接照射しない配線層の表面に光吸収率が９０％以
上の光吸収膜を形成することによって、迷光をきわめて
効果的に減衰させることができる。
【００１９】実施の形態２．次に、本発明に係わる第２
の実施形態を説明する。図５は第２の実施形態を示す半
導体装置の平面図である。画素電極の周辺部と光シール
ド層とを回路領域および画素領域の外側へ約１００μｍ
せりだすように設けている。このように構成することに
よって、液晶素子の側から例えば４５度の角度で入射し
た迷光は、画素電極の周辺部と光シールド層の間の厚さ
が約１．５μｍの層間絶縁膜で約６７回多重反射するこ
とになり、走査回路および画素トランジスタに到達する
迷光を十分減衰させることができ、光学素子の外につけ
る遮光板等が省略しても、高集積化した半導体装置の誤
動作、性能低下が防止できる。もちろん、回折によって
生じる少ない回数の多重反射成分が生じても光吸収率が
９０％以上の光吸収膜の存在によって迷光が減衰し十分
な遮光効果が得られる。画素電極の周辺部と光シールド
層の回路領域および画素領域の外側へのせりだし量は両
者の間に介在する層間絶縁膜の厚さに応じて増減しても
同等の効果が得られることはいうまでもない。上記した
回路領域および画素領域の外側へのせり出し量１００μ
ｍは層間絶縁膜の厚さ約１．５μｍの６７倍に相当す
る。
の実施形態を説明する。図５は第２の実施形態を示す半
導体装置の平面図である。画素電極の周辺部と光シール
ド層とを回路領域および画素領域の外側へ約１００μｍ
せりだすように設けている。このように構成することに
よって、液晶素子の側から例えば４５度の角度で入射し
た迷光は、画素電極の周辺部と光シールド層の間の厚さ
が約１．５μｍの層間絶縁膜で約６７回多重反射するこ
とになり、走査回路および画素トランジスタに到達する
迷光を十分減衰させることができ、光学素子の外につけ
る遮光板等が省略しても、高集積化した半導体装置の誤
動作、性能低下が防止できる。もちろん、回折によって
生じる少ない回数の多重反射成分が生じても光吸収率が
９０％以上の光吸収膜の存在によって迷光が減衰し十分
な遮光効果が得られる。画素電極の周辺部と光シールド
層の回路領域および画素領域の外側へのせりだし量は両
者の間に介在する層間絶縁膜の厚さに応じて増減しても
同等の効果が得られることはいうまでもない。上記した
回路領域および画素領域の外側へのせり出し量１００μ
ｍは層間絶縁膜の厚さ約１．５μｍの６７倍に相当す
る。
【００２０】
【発明の効果】第１、２の発明に係る半導体装置におい
ては、迷光の遮光能力が高く、高集積化した半導体素子
の誤動作、性能低下を有効に防止できる。
ては、迷光の遮光能力が高く、高集積化した半導体素子
の誤動作、性能低下を有効に防止できる。
【００２１】第３、第４の発明に係る半導体装置におい
ては、従来と同等のＬＳＩ製造プロセスを用いることが
でき、特別な装置を必要とせず高い能力の遮光／光吸収
構造を安価に実現できる。さらに、１５０万Ｌｘ以上の
照度のもとでは従来の遮光構造に比べて画素電位の低下
が１０分の１程度になり、強力な光照射があっても十分
に安定して動作可能な半導体装置を実現できる。
ては、従来と同等のＬＳＩ製造プロセスを用いることが
でき、特別な装置を必要とせず高い能力の遮光／光吸収
構造を安価に実現できる。さらに、１５０万Ｌｘ以上の
照度のもとでは従来の遮光構造に比べて画素電位の低下
が１０分の１程度になり、強力な光照射があっても十分
に安定して動作可能な半導体装置を実現できる。
【００２２】第５の発明に係る半導体装置においては、
回路領域および画素領域以外に光が当たっても、迷光を
十分に減衰できるので、光学素子の外につける遮光板等
が省略できる。
回路領域および画素領域以外に光が当たっても、迷光を
十分に減衰できるので、光学素子の外につける遮光板等
が省略できる。
【図１】 この発明によるシリコンチップベースド反射
型液晶装置の単一画素部分を示す断面図である。
型液晶装置の単一画素部分を示す断面図である。
【図２】 この発明による光吸収膜におけるＴｉＮの厚
さと光吸収率の関係を示すグラフである。
さと光吸収率の関係を示すグラフである。
【図３】 この発明によるシリコンチップベースド反射
型液晶装置の画素電極の照射照度に対する電位低下の状
態を示すグラフである。
型液晶装置の画素電極の照射照度に対する電位低下の状
態を示すグラフである。
【図４】 図２の光吸収膜上にシリコン窒化物を被着し
たときのＴｉＮの厚さと光吸収率の関係を示すグラフで
ある。
たときのＴｉＮの厚さと光吸収率の関係を示すグラフで
ある。
【図５】 この発明の第２の実施形態である半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
【図６】 従来の画像表示装置用半導体装置の単位画素
部分における断面図である。
部分における断面図である。
１‥‥シリコンチップベースド反射型液晶装置、１１‥
‥画素電極 ２‥‥画素トランジスタ、５１、５４、５６‥‥層間絶
縁層 ５２‥‥金属配線層、５３‥‥光吸収膜、５５‥‥光シ
ールド層
‥画素電極 ２‥‥画素トランジスタ、５１、５４、５６‥‥層間絶
縁層 ５２‥‥金属配線層、５３‥‥光吸収膜、５５‥‥光シ
ールド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関口 暁 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 藤野 順一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA34Y FB06 FB08 FD06 GA13 LA03 LA30 2H092 JB51 KB25 MA05 MA26 NA25 PA09 4M118 AA05 BA10 BA14 GB03 GB11 GB18 5F058 BA20 BB04 BB07 BC08 BJ01 BJ02
Claims (5)
- 【請求項１】 層間絶縁膜を介して積重ねた複数の金属
層を備える半導体装置において、最上層の前記金属層の
下に位置する前記金属層の表面に光吸収率が９０％以上
の光吸収膜を被着したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記光吸収膜を最上層に位置する前記金
属層の直下にある金属層表面に設けたことを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記光吸収膜はチタンと窒化チタンを積
層してなり、前記窒化チタンの膜厚が０．６μｍ〜１．
５μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記光吸収膜はチタン、窒化チタンおよ
びシリコン窒化物を積層してなり、前記窒化チタンの膜
厚が０．５μｍ以上、前記シリコン窒化物の膜厚が０．
１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記光吸収膜を被着した前記金属層およ
びその上層の前記金属層を前記半導体装置を形成した基
板上に形成した回路領域および画素領域の外側へ前記層
間絶縁膜の厚さの６７倍以上せりだすように形成したこ
とを特徴とする液晶駆動用の請求項１または請求項２記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11071703A JP2000269473A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11071703A JP2000269473A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269473A true JP2000269473A (ja) | 2000-09-29 |
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ID=13468176
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11071703A Pending JP2000269473A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269473A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419785B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2004-02-21 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
| US7663305B2 (en) * | 2002-06-27 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8519619B2 (en) | 2002-04-23 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9000429B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9546906B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Spectrum sensor and angle restriction filter |
| JP2017135384A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ． | 金属ブロックと接合パッド構造 |
| JP2020034822A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP11071703A patent/JP2000269473A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6770908B2 (en) | 2000-07-26 | 2004-08-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device |
| KR100419785B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2004-02-21 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
| US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9978811B2 (en) | 2002-04-23 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8519619B2 (en) | 2002-04-23 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9362534B2 (en) | 2002-04-24 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9165987B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9000429B2 (en) | 2002-04-24 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9831459B2 (en) | 2002-04-24 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display module with white light |
| US10454059B2 (en) | 2002-04-24 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9853098B2 (en) | 2002-04-26 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US7663305B2 (en) * | 2002-06-27 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9546906B2 (en) | 2010-03-29 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Spectrum sensor and angle restriction filter |
| JP2017135384A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｌｔｄ． | 金属ブロックと接合パッド構造 |
| JP2020034822A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
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