CN107221602B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置兼有高发光效率和低外部光反射率。该显示装置包括：形成在第一基板上的着色层；形成在着色层上的具有第一折射率的透明绝缘层；形成在透明绝缘层上的具有比第一折射率大的第二折射率的第一透明电极；形成在第一透明电极上的具有发光层的有机层；和形成在有机层上的第二透明电极。来自外部的光被着色层吸收，来自有机层的发光中与第一基板的法线所成的角为规定以上的光，被透明绝缘层和第一透明电极反射而被取出到外部。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其涉及使用有机EL(有机电致发光)元件的显示装置。
背景技术
在使用有机EL元件的显示装置中，需要兼顾高发光效率和低外部光反射率。原理上为了使外部光反射大致为0，在出射侧设置圆偏光板即可，但是，光取出效率不到一半，无法获得高发光效率。这是因为来自有机EL元件的发光的一半以上也被圆偏光板吸收。
日本特开2003-17264号公报(专利文献1)中公开了一种显示装置，该显示装置通过将多个线状的第一电极、该第一电极上方的包括发光层的有机物层和该有机物层上方的与第一电极交叉的多个线状的第二电极层叠，而具有多个发光部。这是通过配置密合地存在于多个第一电极的下方的光吸收层来在抑制外部光反射的同时防止亮度的降低的发明。
特开2004-271963号公报(专利文献2)中公开了一种发明，即在具有发光元件的显示装置中，以与发光元件接触的方式设置太阳能电池、非晶硅基板、单晶硅基板、粗面化硅基板、黑色绝缘片等的光吸收层，来抑制外部光反射。
日本特开2003-223993号公报(专利文献3)中公开了在有机EL元件的下方设置防反射层来防止外部光反射的显示装置。也公开了在有机EL元件与防反射层之间配置电路层、元件基板的例子。
日本特开2005-222724号公报(专利文献4)中公开了一种发明，即具备在一对电极间具有电光学层的发光元件的显示装置中，一个电极形成于光吸收层的表面，该光吸收层与一个电极的形状对应地图形化。
发明内容
发明要解决的技术问题
在专利文献1～4中公开的显示装置中，由发光元件的电极引起的外部光反射被光吸收层或者防反射层吸收，因此能够相当大地防止该外部光反射。但是，在有机EL元件和量子点发光元件的内部发光的光的一半被光吸收层或者防反射层吸收，因此存在发光效率变低的问题。在专利文献3中，也有在有机EL元件与防反射层之间设置有电路层和基板的例子，但是，在电路层具有各种配线、电容电极、TFT(Thin film transistor，薄膜晶体管)等，在外部光照射到它们的情况下被反射，由此导致对比度的降低。另外，在外部光照射到TFT的情况下成为TFT的误动作的原因。仅将基板设置在有机EL元件与防反射层之间的情况下，无法有效利用设置有机EL元件的区域，显示装置的高精细化存在问题。并且，基板与有机EL元件的下部电极之间的界面被粗糙化，担心由该界面引起的反射对显示造成不良影响。这是因为，基板由玻璃、聚酰亚胺等形成，其表面的粗糙度、杂质等的表面状态与电路层以上的层相比没有严格受到管理。
解决技术问题的技术方案
本发明的一个实施方式所涉及的显示装置包括：第一基板；形成在第一基板上的着色层；形成在着色层上的具有第一折射率的透明绝缘层；形成在透明绝缘层上的具有比第一折射率大的第二折射率的第一透明电极；形成在第一透明电极上的具有发光层的有机层；和形成在有机层上的第二透明电极。
本发明的一个实施方式所涉及的显示装置包括：第一基板；形成在第一基板上的着色层；形成在着色层上的防反射层，该防反射层由具有第一折射率的多个第一绝缘层和具有比第一折射率大的第二折射率的多个第二绝缘层彼此交替层叠而构成；形成在防反射层上的第一透明电极；形成在第一透明电极上的具有发光层的有机层；和形成在有机层上的第二透明电极。
本发明的一个实施方式所涉及的显示装置包括：第一基板；形成在第一基板上的光学层；形成在光学层上的第一透明电极；形成在第一透明电极上的具有发光层的有机层；和形成在有机层上的第二透明电极。光学层是吸收来自外部的光且反射从发光层发出的与第一基板的法线所成的角度大于50度的立体角的光的层。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的整体俯视图。
图2是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的整体截面图。
图3是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的整体电路图。
图4是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素电路图。
图5是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的多个像素的俯视图。
图6是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图7是本发明的一个实施方式所涉及的有机EL层的截面图。
图8是表示本发明的一个实施方式所涉及的显示面板内外与外部光的关系的图。
图9是表示来自有机EL层的发光点的发光的动向的比较例。
图10是表示本发明的一个实施方式所涉及的来自有机EL层的发光点的发光的动向的图。
图11是表示本发明的一个实施方式所涉及的来自有机EL层的发光点的发光的入射角的关系的图。
图12是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图13是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图14是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图15是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图16是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图17是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的像素的截面图。
图18是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的显示面板的俯视图。
图19是本发明的一个实施方式所涉及的显示装置的显示面板的端部的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。但是，本发明包含多个不同的方式，不由以下所例示的实施方式的内容限定解释。为了使说明更加明确，附图与实际的情况相比，各部分的宽度、厚度、形状等有时示意地表示，只是一个例子，未必限定本发明的一个实施方式的内容。
<实施方式1＞
说明第1实施方式。图1是显示装置DD的整体俯视图。图2是说明与显示装置DD的Y-Y'的截面对应的整体截面图。图3是显示装置DD的整体电路图。图4是显示装置DD的像素电路图。图5是显示装置的多个像素PIX的俯视图。图6是显示装置的像素PIX的示意性截面图。图7是有机EL层OLED的截面图。图8是表示显示面板PNL内外与外部光的关系的图。图9是表示来自有机EL层OLED的发光点LEP的发光EL的动向的比较例。图10是表示来自有机EL层OLED的发光点LEP的发光EL的动向的图。图11是表示来自有机EL层OLED的发光点LEP的发光EL的入射角的关系的图。
图1所示的显示装置DD包括显示面板PNL、半导体装置IC和挠性印制基板FPC。显示面板PNL包括TFT基板TFT-S和以主面与TFT基板TFT-S的主面相对的方式设置的对置基板CS。具有在俯视时TFT基板TFT-S从对置基板CS露出的区域，定义为露出区域EXP。
在露出区域EXP中，以经未图示的连接端子与TFT基板TFT-S连接的方式配置半导体装置IC，在露出区域EXP的端部，挠性印制基板FPC经挠性基板用端子FPC-TR与TFT基板TFT-S连接。挠性印制基板FPC被供给来自外部的视频信号和控制信号，供给对显示面板PNL和半导体装置IC供给的视频信号和控制信号。半导体装置IC基于来自挠性印制基板FPC的视频信号和控制信号，进行显示面板的显示控制。半导体装置IC可以安装于挠性印制基板FPC。
在显示面板PNL的配置对置基板CS的区域的与大半的区域相当的中央部具有显示区域DP-R。在该显示区域DP-R中呈矩阵状(在X方向和Y方向上呈矩阵状)配置有像素PIX。在该显示区域DP-R中基于显示信号和控制信号控制各像素PIX而显示显示图像。像素PIX在XY方向上2×2地成为1个组，各自显示红蓝绿白，该组成为显示像素而进行像素显示。显示图像也呈矩阵状配置。1个组未必需要在XY方向上2×2。特别是如果为不使用彩色滤光片的方式，则可以是像素PIX在X方向上的3个组显示红蓝绿，该组成为显示像素而进行图像显示，也可以是像素PIX的Y方向的3个组显示红蓝绿，该组成为显示像素而进行图像显示。
在显示面板PNL的配置对置基板CS的区域的与大半的区域相当的显示区域DP-R的周边各自配置周边电路PC。该周边电路PC由半导体装置IC控制。
图2的显示装置DD的显示面板PNL包括：由PET、聚碳酸酯等树脂形成的钝化膜PASS-F；在钝化膜PASS-F上比钝化膜薄的由玻璃或者聚酰亚胺形成的TFT基板TFT-S；在TFT基板TFT-S上由多个无机膜形成的无机层IOL；在无机层IOL上发挥光学作用的光学层OPL；在光学层OPL上形成有多个有机EL元件的有机EL形成层OLED-FL；在有机EL形成层OLED-FL上以配置于显示区域DP-R的方式由透光性的树脂形成的充填层FIL；在有机EL形成层OLED-FL上以包围充填层FIL的方式设置且通过因热、紫外线而固化的树脂或者粉末状的玻璃熔融而形成的密封件DAM；在充填层FIL上形成有彩色滤光片的彩色滤光片层CF-FL；在彩色滤光片层CF-FL上由透光性的玻璃或者透光性的聚酰亚胺形成的对置基板CS；在对置基板CS上由PET、聚碳酸酯等的透光性的树脂或者透光性的强度高的玻璃形成且比对置基板CS厚的钝化膜PASS-CF；和挠性基板用端子FPC-TR。在显示面板PNL的显示区域DP-R内配置有多个像素PIX。可以在钝化膜PASS-CF、对置基板CS或者遍及这两者的区域形成有触摸面板。此外，在各实施方式中，将从TFT基板TFT-S向对置基板CS去的方向称为上，将从对置基板CS向TFT基板TFT-S去的方向称为下。
显示装置DD还包括半导体装置IC和与挠性基板用端子FPC-TR连接的挠性印制基板FPC。
图3的显示装置DD的整体电路具有基于来自挠性印制基板FPC的视频信号和控制信号对显示装置DD进行驱动显示控制的控制器CTRL，控制各周边电路PC，互换各种信号。该控制器CTRL形成在半导体装置IC内。控制器CTRL将来自挠性印制基板FPC的视频信号转换为显示信号。周边电路PC包括电源控制电路PSS-C、显示信号控制电路DI-C和选择信号控制电路VS-C。
电源控制电路PSS-C与多个电源线PW-L连接，按照控制器CTRL的控制对上述电源线PW-L供给各种电源电压。显示信号控制电路DI-C与多个信号线SIG-L连接，基于来自控制器CTRL的显示信号和控制对上述信号线SIG-L供给各种显示信号。选择信号控制电路VS-C与多个选择线SEL-L连接，基于来自控制器CTRL的控制对上述选择线SEL-L供给选择信号。
电源线PW-L是在X方向上配置多个且相互并列，在Y方向上延伸的形态。信号线SIG-L是在X方向上配置多个且相互并列，在Y方向上延伸的形态。选择线SEL-L是在Y方向上配置多个且相互并列，在X方向上延伸的形态。在电源线PW-L与选择线SEL-L的交叉部(信号线SIG-L与选择线SEL-L的交叉部)分别设置有像素PIX，呈矩阵状配置像素PIX。
图4的像素PIX包括由NMOS形成的写入晶体管W-TFT、由PMOS形成的驱动晶体管D-TFT、电容元件CAP和发光元件LEE，由上述构成要素形成像素电路。
写入晶体管W-TFT的一个源极、漏极端子与信号线SIG-L连接，另一个源极、漏极端子与驱动晶体管D-TFT的栅极端子连接，栅极端子与选择线SEL-L连接。电容元件CAP的一个电极与驱动晶体管D-TFT的栅极端子连接，另一个电极与驱动晶体管D-TFT的源极端子连接。驱动晶体管D-TFT的源极端子与电源线PW-L连接，漏极端子与发光元件LEE的阳极AD连接。发光元件LEE的阴极CD设置成由各像素PIX共用。
图5表示2×2的像素PIX的平面布局。在由点划线表示的像素PIX中分别示出由虚线表示的写入晶体管W-TFT、由虚线表示的驱动晶体管D-TFT、由虚线表示的电容元件CAP、由实线表示的发光元件LEE、由虚线表示的阳极AD和由虚线表示的接触件CNT2。在发光元件LEE的外侧配置绝缘堤BANK，成为不发光的区域。发光元件LEE的区域为不配置绝缘堤BANK的开口区域OPN。成为以下形态，即绝缘堤BANK的开口区域OPN配置于配置阳极AD的区域的内部。接触件CNT2是用于将阳极AD连接到下层的电极的接触件。接触件CNT2与阳极AD在俯视时重叠，在俯视时与绝缘堤重叠。成为绝缘堤BANK覆盖阳极AD的所有周边端部的形态。写入晶体管W-TFT的一部分与选择线SEL-L重叠，与阳极几乎不重叠，不与开口区域OPN重叠。驱动晶体管D-TFT的大半与开口区域OPN重叠，其大半与电容元件CAP重叠，与阳极AD重叠。电容元件CAP的大半与开口区域OPN重叠，其大半与驱动晶体管D-TFT重叠，与阳极AD重叠。阳极AD的端部的一部分分别与信号线SIG-L、电源线PW-L、选择线SEL-L重叠。
图6示出像素PIX的示意性截面图，也示出其周边的截面。钝化膜PASS-F和钝化膜PASS-CF省略。TFT基板TFT-S上的无机层IOL包括：由硅氮化膜和硅氧化膜的叠层构成的基底层BL；配置在基底层BL上的由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任一者形成的半导体层SL；配置在基底层和半导体层SL上的栅极绝缘膜GI；隔着栅极绝缘膜GI配置在半导体层SL上的栅极电极GE；配置在栅极绝缘膜GI上的信号线SIG-L和电源线PW-L；配置在栅极绝缘膜GI、栅极电极GE、信号线SIG-L、电源线PW-L上的无机层间绝缘膜层IIL1；配置在无机层间绝缘膜层IIL1上的无机层间绝缘膜层IIL2；配置在无机层间绝缘膜层IIL2上的配线SD；配置在设置于半导体层SL上的栅极绝缘膜GI、无机层间绝缘膜层IIL1和无机层间绝缘膜层IIL2的开口内的由配线SD的材料形成的接触件CNT1。接触件CNT1的底部的半导体层SL分别成为驱动晶体管D-TFT的源极、漏极。无机层IOL基本上全部由无机材料形成。栅极绝缘膜GI、无机层间绝缘膜层IIL1、无机层间绝缘膜层IIL2均由硅氮化膜、硅氧化膜、硅碳化膜、硅碳氮化膜、铝氧化膜、铝氮化膜那样的绝缘膜形成。栅极电极GE、信号线SIG-L和电源线PW-L是相同的材料。信号线SIG-L、电源线PW-L、栅极电极GE和配线SD由铝、钼、钛和钨中的任一者或者其叠层构成。
在无机层IOL上配置光学层OPL。光学层OPL包括平坦化膜PF、平坦化膜PF上的光吸收层LAL和光吸收层LAL上的选择性反射层SRL。平坦化膜PF是由丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂形成的有机层，降低无机层IOL的高低差。光吸收层LAL是在丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂中混合着色颜料而被着色的层，作为着色颜料主要使用黑色。也可以是蓝色等的视认性低的材料。并且，光吸收层LAL既可以在树脂中混合黑色等的着色染料而形成，也可以在树脂中混合炭黑、钛黑等的着色材料而形成。另外，作为光吸收层LAL可以使用铬，但是，在该情况下在与和光吸收层LAL接触的电极之间为了确保绝缘性，需要夹着绝缘层等。光吸收层LAL的厚度为0.1～1.0μm。当比0.1μm薄时无法充分进行光吸收，当比1μm厚时形成时间变长。选择性反射层SRL形成为在上下方向上光能够透过，其是由丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂或者硅氧化膜形成的透明绝缘层，其折射率是1.5左右，在1.3～1.6的范围内。选择性反射层SRL的厚度为100nm～1.0μm。当比100nm薄时因光的漏出而无法充分进行光的反射，当比1μm厚时形成时间变长。
在光学层OPL之上设置有有机EL元件形成层OLED-FL。有机EL元件形成层OLED-FL包括：阳极AD；覆盖阳极AD的周边部的绝缘堤BANK；覆盖阳极AD和绝缘堤BANK的有机EL层OLED；覆盖有机EL层的阴极CD；覆盖阴极CD的密封膜SF；和将配线SD与阳极AD连接的接触件CNT2。阳极AD形成为在上下方向上光能够透过，由ITO、IZO等的金属氧化物的透明导电膜形成。阳极AD不使用具有不透过光的厚度的Al、Ag、MgAl、Ti、W等的各种金属层。阳极的厚度为10nm～1μm。当比10nm薄时电阻值上升，发光显示产生问题，当比1μm厚时形成时间变长。
由有机EL层OLED产生的光通过阳极AD内部，一部分被阳极AD与选择性反射层SRL的界面反射而取出到外部，一部分透过阳极AD和选择性反射层SRL被光吸收层LAL吸收，对此将在后文详细叙述。阳极AD的折射率是2.0左右，在1.7～2.5的范围内，与选择性反射层SRL相比折射率高。绝缘堤BANK是由丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂形成的绝缘膜。有机EL层OLED是包含发光层EML的有机层，其详细的构造将在后文叙述。有机EL层OLED的厚度是0.1～0.5μm，根据其层构造而进行各种变化。阴极CD形成为在上下方向上光能够透过，由Ag、MgAg等的薄膜金属或ITO、IZO等的透明金属氧化物导电层形成。在由Ag、MgAg等形成的情况下，成为大致20nm以下，形成得非常薄以使光通过。阳极AD、有机EL层OLED、阴极CD具有彼此相同程度的折射率，为1.7～2.5之间的折射率。
在有机EL形成层OLED-FL上形成有充填层FIL。充填层FIL是透光性高的材料，由树脂等形成。在充填层FIL上形成有彩色滤光片层CF-FL。彩色滤光片层CF-FL具有红色滤光片CF-R、绿色滤光片CF-G、蓝色滤光片CF-B和在各色彩色滤光片间设置的黑矩阵BM。红色滤光片CF-R通过在树脂中混合红色的颜料而形成。同样，绿色滤光片CF-G通过在树脂中混合绿色的颜料而形成。蓝色滤光片CF-B通过在树脂中混合蓝色的颜料而形成。黑矩阵BM是通过在丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂中混合黑色颜料而着色或者由铬等黑色金属材料形成的层。在彩色滤光片层CF-FL上形成有对置基板CS。本实施方式中的厚度、大小等的数值全都是一个例子，有时作为表示各部的大小关系的基准使用。
在无机层IOL内形成有由虚线表示的驱动晶体管D-TFT等的各种晶体管。驱动晶体管D-TFT包括半导体层SL、栅极电极GE、存在于由半导体层SL和栅极电极GE夹着的区域的栅极绝缘膜GI。栅极电极GE正下方的半导体层SL成为驱动晶体管D-TFT的沟道，2个接触件CNT1正下方的半导体层SL成为驱动晶体管D-TFT的源极、漏极。在有机EL形成层OLED-FL内形成有由虚线表示的发光元件LEE。如图5所示，形成于在俯视时不形成绝缘堤BANK的区域，由阳极AD、与阳极AD接触的有机EL层OLED、与有机EL层OLED接触的阴极CD形成。该发光元件LEE的有机EL层OLED发光。像素PIX是图6所示的范围，具有一种彩色滤光片。像素PIX边界包括彩色滤光片的边界，在该边界配置黑矩阵BM。
图7所示的有机EL层OLED包括：处于阳极AD上的空穴注入层HIL、空穴注入层HIL上的空穴输送层HTL、空穴输送层HTL上的发光层EML、发光层EML上的电子输送层ETL和电子输送层ETL上的电子注入层EIL。上述各层由已知的有机材料形成。发光层EML是有机发光材料，因此，形成有机电致发光元件，但也可以是使用量子点来替代发光层EML的方式或者除了发光层EML的有机发光材料之外还添加量子点的方式，在该情况下，发光元件LEE具有QLED(量子点发光电子二极管)的性质或者兼有QLED和OLED(有机发光电子二极管)这两者的性质。
如图8所示，外部光OL通过空气AIR中，进入显示面板PNL时，由于其折射率差，入射角θ'在显示面板PNL内比在空气AIR中小。此外，以下所示的角全部是立体角。在此入射角θ'是与显示装置DD的显示面垂直的直线即垂直线VL与外部光OL所成的角。这是因为，空气AIR的折射率大致为1，而显示面板PNL的折射率比1大，为2左右。这表示，外部光OL几乎全部以较小的入射角侵入显示面板PNL内部而被反射。
如图9所示，发光元件LEE的有机EL层OLED的发光点LEP球面SPH地各向同性地进行发光EL。在发光时，发光元件LEE的有机EL层OLED能够看作发光点LEP的集合体。如图9所示，在没有选择性反射层SRL而阳极AD之下为光吸收层LAL的情况下，发光点的光中比吸收边界AB靠下侧的部分全部被吸收，该比吸收边界AB靠下侧的部分相当于比球面SPH的二分之一靠下侧的部分。所以，光的一半无法利用。外部光OL被光吸收层LAL吸收。此外，在有机EL层OLED与阳极AD的边界，基本上不发生发光EL的反射。这是因为，与有机EL层OLED的折射率相比阳极AD的折射率通常较大，发光EL进入阳极AD内。
如图10所示，与图9不同，是在阳极AD与光吸收层LAL之间具有选择性反射层SRL的方式。在该情况下，来自发光点LEP的发光EL仅球面SPH中的与吸收区域AA对应的部分被吸收，除此之外能够通过反射等取出到外部。发光EL中的一部分被阳极AD与选择性反射层SRL的界面反射，被取出到外部。设垂直线VL与吸收区域边界AA-B所成的角为θ，与该角度范围对应的吸收区域AA的光被光吸收层LAL吸收。
如图11所示，在设阳极的折射率为n1、选择性反射层SRL的折射率为n2的情况下，满足反射条件的θ为(式1)那样的关系。
sinθ＞n2/n1……(1)
球面SPH的面积为(式2)那样的关系，与吸收区域AA对应的球面SPH的球面部分的面积为(式3)那样的关系。这表示，在θ为50°左右的情况下，被光吸收层LAL吸收的发光EL的比例较少，当设定阳极AD与选择性反射层SRL的折射率使得θ的值为50°以下时，能够制作能够充分高效率地取出发光EL的显示装置DD。图10所示的外部光OL以θ'那样的角度入射选择性反射层SRL。该θ'大致比θ小，被光吸收层LAL吸收。此外，这种θ的关系如果选择在图6中进行了说明的选择性反射层SRL的材料和阳极AD的材料，则能够几乎全部满足。
4πr2……(2)
2π(1-cosθ)r2……(3)
如本实施方式所示，在阳极AD之下设置选择性反射层SRL，并且在选择性反射层SRL之下设置光吸收层LAL的情况下，能够将发光元件LEE的发光EL的相当大的比例取出到外部。并且，由于光吸收层LAL几乎吸收所有的外部光OL，不在对置基板CS侧设置圆偏光板也能够充分防止外部光OL的反射，所以不需要圆偏光板，发光元件LEE的发光EL不会被圆偏光板去掉一半以上。并且，由于存在光吸收层LAL，所以即使在其之下配置各种元件(TFT、电容、各种配线)也不会发生由该各种元件引起的外部光反射。特别是，也不会发生TFT接收外部光而进行误动作这样的不良情况。
<实施方式2＞
在以下的实施方式中，说明与上述的实施方式不同之处。对相同的构成要素标注与上述的实施方式相同的附图标记。图12是显示装置的像素PIX的示意性截面图。没有彩色滤光片层CF-FL而在密封膜SF与充填层FIL之间按每个像素PIX分别设置有彩色滤光片，在红显示用的像素PIX设置有红色滤光片CF-R1，在绿显示用的像素PIX设置有绿色滤光片CF-G1，在蓝显示用的像素PIX设置有蓝色滤光片CF-B1。在各彩色滤光片的边界与充填层FIL之间分别配置有黑矩阵BM1。通过像这样在靠近发光元件LEE的部位设置彩色滤光片、黑矩阵BM1，能够可靠地防止光学混色(相邻的发光层EML的光透过彩色滤光片而取出不期望的颜色的光的现象，例如红色滤光片正下方的发光层的光透过相邻的绿色滤光片而取出不期望的颜色的光的现象)。
黑矩阵BM1的端部可以如端部BM-E1那样与绝缘堤BANK的端部对齐，可以如端部BM-E2那样与绝缘堤BANK的平坦部(顶部)和斜面的边界部对齐。通过采用端部BM-E1，能够更可靠地防止光学混色。在采用端部BM-E2的情况下，由于绝缘堤BANK的形成材料与有机EL层OLED的形成材料的不同所导致的材料的差异，发光点LEP的发光EL容易在绝缘堤BANK的斜面反射而被取出到外部。这是因为，与有机EL层OLED的折射率相比绝缘堤BANK的折射率低，因此，发光EL难以进入绝缘堤BANK内部，在与有机EL层OLED的界面被反射。
<实施方式3＞
图13是显示装置的像素PIX的示意性截面图。绝缘堤变为绝缘堤BANK1、处于绝缘堤BANK1内侧的反射金属件RM和处于反射金属件RM内侧的绝缘堤BANK2。黑矩阵BM的端部与绝缘堤BANK2的平坦部(顶部)和斜面的边界部对齐。通过像这样设计，不仅能够有效利用发光点LEP的发光EL中在绝缘堤BANK1与有机EL层OLED的边界反射而被取出到外部的部分，而且能够有效利用发光点LEP的发光EL中在反射金属件RM与绝缘堤BANK1的边界反射而被取出到外部的部分。通过使用反射金属件RM，能够可靠地使发光EL反射，能够更有效地取出光。关于实施方式2中由有机EL层OLED与绝缘堤BANK的边界引起的反射，根据发光EL的入射角会进入绝缘堤BANK内，因而不能有效地利用，但在本实施方式中，不会出现这样的情况。此外，反射金属件RM的下端部以不与阳极AD接触的方式夹着某些绝缘物。这是因为，如果反射金属件RM与阳极AD接触，则在相邻阳极AD间产生短路。反射金属件RM以相邻阳极AD不短路的方式设置即可，因此可以不在下端部而在顶部设置缺口。通过使用实施方式2和3那样的构造，能够通过使由选择性反射层SRL反射的光有效地被绝缘堤、反射金属件反射而取出到外部。
<实施方式4＞
图14是显示装置的像素PIX的示意性截面图。不存在彩色滤光片层CF-FL。并且，有机EL层由按每个像素PIX设置的进行蓝色发光的有机EL层OLED-B、进行红色发光的有机EL层OLED-R和进行绿色发光的有机EL层OLED-G构成。黑矩阵BM2配置在绝缘堤BANK正上方的密封膜SF与充填层FIL之间。有机EL边界部OLED-D位于绝缘堤BANK上的有机EL层，这成为各个颜色的有机EL层的边界。在该边界中，有机EL层的发光层EML至少被分断，按每个有机EL层使用不同的发光层EML。像这样有机EL层被分别涂成红色、蓝色、绿色，因此光学混色原理上不存在，因此也许能够看作可以没有黑矩阵，但在本实施方式中设置黑矩阵较好。这是因为，在不使用圆偏光板并且没有黑矩阵BM2的情况下，担心照射到接触件CNT2的外部光的反射。在接触件CNT2上没有覆盖光吸收层LAL，并且是嵌入形状(销形状)，因此不知道照射到该处的光如何被反射到外部。因此，黑矩阵BM2应为至少覆盖接触件CNT2的形态。
<实施方式5＞
图15是显示装置的像素PIX的示意性截面图。替代平坦化膜和光吸收层，设置有具有上述两者的功能的光吸收平坦化层LA-PL。该光吸收平坦化层LA-PL是在丙烯酸树脂、环氧树脂等树脂中该混合着色颜料而着色的层，作为着色颜料主要使用黑色。蓝色等的视认性低的材料也可以。并且，光吸收平坦化层LA-PL也可以通过在树脂中混合黑色等的着色染料而形成，也可以在树脂中混合炭黑、钛黑等的着色材料而形成。另外，作为光吸收平坦化层LA-PL可以使用铬，但是在该情况下，在与和光吸收层LAL接触的电极之间为了确保绝缘性，需要夹着绝缘层等。光吸收平坦化层LA-PL的厚度是3～5μm。当比3μm薄时，无法覆盖其下层的构造物地充分进行平坦化，当比5μm厚时，形成时间变长。通过像这样形成光学层OPL，制造工艺能够简化。
<实施方式6＞
图16是显示装置的像素PIX的示意性截面图。替代选择性反射层SRL，设置由防反射多层膜ARML。在阳极AD与选择性反射层SRL的界面通常反射5％以下的外部光OL，成为外部光反射的原因。替代选择性反射层SRL，形成防反射多层膜ARML，能够更有效地抑制外部光反射。该防反射多层膜ARML是由低折射率膜LN和高折射率膜HN交替层叠的形状。低折射率膜LN的材料和折射率与上述选择性反射层SRL的材料和折射率相同。高折射率膜HN的材料是硅氮化膜、氧化钛膜、氧化锆膜，其折射率是1.7～2.5。形成如下结构：将膜厚设计在100nm～1000nm的范围，使得在低折射率膜LN与高折射率膜HN的界面反射的光和在高折射率膜HN与低折射率膜LN的界面反射的光在光学上抵消，由此反射率减少。多层膜能够由一组低折射率膜LN和高折射率膜HN实现效果，但是，理想上层数越多越优选。
<实施方式7＞
图17是显示装置的像素PIX的示意性截面图。在选择性反射层SRL与光吸收层LAL之间还设置有透明电极TE。该透明电极TE是使光上下透过的部件，其材料与阳极AD相同。由该透明电极TE、阳极AD、透明电极TE和阳极AD之间的选择性反射层SRL形成电容元件CAP。该电容元件CAP如果将透明电极TE扩展至设置有阳极AD的面积中的除了设置有接触件CNT2的部分的附近以外的部位，则为较大的面积，在使用选择性反射层SRL那样的低折射率材料的情况下通常介电常数也变低。因此，也存在电容元件CAP的电容值不那么大的情况。因此，在期望电容值进一步增大的电容元件CAP的情况下，可以在其它的层设置电容元件或者在透明电极TE与阳极AD之间还夹着硅氮化膜等的介电常数高的膜。通过使用这样的透明电极TE，能够有效地将阳极AD下的区域用于像素电路，有助于布局的缩小。
<实施方式8＞
图18是显示面板PNL的俯视图。图19是与显示面板PNL的X-X'的截面对应的截面图。以包围显示面板PNL的显示区域DP-R的方式设置有水分阻挡构造MPS。在水分阻挡构造的外侧以沿着对置基板CS的4个边的方式设置有阴极接触件CDC。在靠近露出区域EXP的、对置基板CS的2个角部附近也设置有阴极接触件CDC。
如图19所示，在显示区域DP-R配置有多个像素PIX。在其X'侧配置有水分阻挡区域MP-R。在水分阻挡区域MP-R具有水分阻挡构造MPS，成为无机层IOL与阴极CD接触的形态。在它们之间可以插入其它的无机层。通过像这样设置水分阻挡构造MPS，水分、氧等对有机EL层OLED产生不良影响的物质不会从外部向显示区域DP-R侧侵入。在设置该水分阻挡构造MPS时，除去光学层OPL，也除去光吸收层LAL、选择性反射层SRL。该除去而形成的开口部是水分阻挡构造开口MPS-OPN。在没有光吸收层LAL的状态下，外部光OL入射而到达无机层IOL的情况下，光到达无机层IOL内的各种元件，成为外部光反射、TFT的误动作的原因。因此，以至少与该水分阻挡构造开口MPS-OPN对应的方式在密封膜SF上设置黑矩阵BM-MPS。通过像这样设置，能够防止上述那样的外部光反射、TFT的误动作。
在水分阻挡区域MP-R的X'侧设置有阴极接触件区域CDC-R。处于该部位的阴极接触件CDC是为了避免进行显示动作时的阴极CD的电压上升而用于降低阴极电阻的构造。阴极接触件CDC是规定的配线构造，设置在选择性反射层SRL上，与阴极CD连接。该阴极接触件CDC由与栅极电极GE相同的材料形成。因此，在该处入射外部光OL的情况下，产生反射，因此为了防止该反射而设置有黑矩阵BM-CDC。
在阴极接触件区域CDC-R的X'侧设置有密封区域ES-R。在密封区域ES-R的TFT基板TFT-S端部，光学层OPL、绝缘堤BANK等被除去，成为密封膜SF与无机层IOL接触的形态，不从外部侵入水和氧等。在密封膜SF之上具有密封件DAM，在密封件DAM内部为了将对置基板CS和TFT基板TFT-S之间的距离保持为一定而设置有多个珠BZ，珠BZ为与密封膜SF及对置基板CS接触的形态。在本实施方式中，将黑矩阵BM-MPS和黑矩阵BM-CDC各自设置于需要的部位，但也可以设置跨越水分阻挡区域MP-R、阴极接触件区域CDC-R和密封区域ES-R的黑矩阵。
本说明书中公开的实施方式在所有方面都是例示，应认为这些实施方式并不是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书表示，而不由上述内容表示，包含与权利要求书均等的意思和范围内的所有变更。另外，各实施方式所记载的技术特征能够相互组合，通过组合能够形成新的技术特征。例如在实施方式1至5中任一者的技术思想中附加实施方式6至8中任一者的技术思想的方式，也包含于本发明的技术思想。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板；
形成在所述第一基板上的着色层；
形成在所述着色层上的具有第一折射率的透明绝缘层；
形成在所述透明绝缘层上的具有比所述第一折射率大的第二折射率的第一透明电极；
形成在所述第一透明电极上的具有发光层的有机层；和
形成在所述有机层上的第二透明电极，
所述透明绝缘层具有100nm～1.0μm的厚度，以能够反射来自所述发光层的光的一部分。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
还包括呈矩阵状配置的多个像素，该多个像素各自在所述第一基板上具有所述着色层、所述透明绝缘层、所述第一透明电极、所述有机层和所述第二透明电极，
所述多个像素各自还包括发光元件，该发光元件在俯视时与位于与所述有机层接触的区域的所述第一透明电极重叠且由所述第一透明电极、所述有机层和所述第二透明电极构成，
以在俯视时与所述发光元件重叠的方式在所述着色层与所述第一基板之间配置有薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述着色层是在有机绝缘膜中混合黑色颜料而形成的混合物，
所述透明绝缘层由具有丙烯酸树脂或环氧树脂的树脂绝缘膜或者硅氧化膜构成。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：
以覆盖所述第一透明电极的端部的方式在所述有机层与所述第一透明电极之间配置有绝缘堤，
所述绝缘堤的折射率比所述第一透明电极的折射率低，
在俯视时与所述绝缘堤重叠的区域配置有黑矩阵，
所述绝缘堤具有斜面和平坦部，所述斜面与所述平坦部的交叉部和所述黑矩阵的端部位于俯视时重叠的位置。
5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：
以覆盖所述第一透明电极的端部的方式在所述有机层与所述第一透明电极之间配置有第一绝缘堤，
所述第一绝缘堤的折射率比所述第一透明电极的折射率低，
在所述第一绝缘堤的内侧设置有由金属形成的反射膜，
在所述反射膜的内侧设置有第二绝缘堤，
在俯视时与所述反射膜重叠的区域配置有黑矩阵，
所述反射膜具有斜面和平坦部，所述斜面与所述平坦部的交叉部和所述黑矩阵的端部位于俯视时重叠的位置。
6.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，包括：
以包围所述多个像素的方式设置的水分阻挡构造，该水分阻挡构造中，所述第二透明电极与形成有所述薄膜晶体管的无机层接触，不存在所述着色层和所述透明绝缘层；和
沿着所述水分阻挡构造设置的导电层，该导电层与所述第二透明电极连接，设置在所述着色层上，
还包括至少覆盖所述水分阻挡构造上方和所述导电层的黑矩阵。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：
第一基板；
形成在所述第一基板上的光学层；
形成在所述光学层上的第一透明电极；
形成在所述第一透明电极上的具有发光层的有机层；和
形成在所述有机层上的第二透明电极，
所述光学层是吸收来自外部的光且反射从所述发光层发出的与所述第一基板的法线所成的角度大于50度的立体角的光的层。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
还包括呈矩阵状配置的多个像素，该多个像素各自在所述第一基板上具有所述光学层、所述第一透明电极、所述有机层和所述第二透明电极，
所述多个像素各自还包括发光元件，该发光元件在俯视时与位于与所述有机层接触的区域的所述第一透明电极重叠且由所述第一透明电极、所述有机层和所述第二透明电极构成，
以在俯视时与所述发光元件重叠的方式在所述光学层与所述第一基板之间配置有薄膜晶体管。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
以覆盖所述第一透明电极的端部的方式在所述有机层与所述第一透明电极之间配置有绝缘堤，
所述绝缘堤的折射率比所述第一透明电极的折射率低，
在俯视时与所述绝缘堤重叠的区域配置有黑矩阵，
所述绝缘堤具有斜面和平坦部，所述斜面与所述平坦部的交叉部和所述黑矩阵的端部位于俯视时重叠的位置。
10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
以覆盖所述第一透明电极的端部的方式在所述有机层与所述第一透明电极之间配置有第一绝缘堤，
所述第一绝缘堤的折射率比所述第一透明电极的折射率低，
在所述第一绝缘堤的内侧设置有由金属形成的反射膜，
在所述反射膜的内侧设置有第二绝缘堤，
在俯视时与所述反射膜重叠的区域配置有黑矩阵，
所述反射膜具有斜面和平坦部，所述斜面与所述平坦部的交叉部和所述黑矩阵的端部位于俯视时重叠的位置。
11.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
所述光学层包括有机绝缘层，
所述显示装置还包括：
以包围所述多个像素的方式设置的水分阻挡构造，该水分阻挡构造中，所述第二透明电极与无机层接触，不存在所述光学层；和
沿着所述水分阻挡构造设置的导电层，该导电层与所述第二透明电极连接，设置在所述光学层上，
所述显示装置还包括至少覆盖所述水分阻挡构造上方和所述导电层的黑矩阵。
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