CN113889513A - 显示设备 - Google Patents

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refractive
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金基铉
朴英吉
孙铉守
崔喜娟
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；像素层，布置在基底上方，并且包括多个显示元件；封装构件，密封像素层；以及折射层，布置在封装层上，并且包括第一折射层和第二折射层。第一折射层包括与多个显示元件对应的开口，并且第二折射层包括高折射颗粒。第二折射层包括第一层和第二层，第一层包括以第一浓度分散的高折射颗粒，第二层包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒。

Description

显示设备
本申请基于2020年7月3日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0082262号韩国专利申请，并要求所述韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种具有折射层的显示设备。
背景技术
如今，显示设备被制造得更大且更薄，以更吸引人并更好地被各种电子装置容纳。期望显示设备在具有大尺寸和薄轮廓的同时提供精确且清晰的颜色。
发明内容
一种显示设备包括：基底；像素层，在基底上，并且包括多个显示元件；封装构件，密封像素层；以及折射层，在封装构件上，并且包括第一折射层和第二折射层。第一折射层包括与多个显示元件对应的开口。第二折射层包括高折射颗粒。第二折射层包括第一层和第二层。第一层包括以第一浓度分散的高折射颗粒。第二层包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒。
第二浓度可以比第一浓度大。
第一浓度可以为约50wt％至约70wt％。
第二浓度可以为约80wt％至约90wt％。
第二折射层可以至少部分地覆盖第一折射层。
高折射颗粒的平均直径可以为约5nm至约30nm。
第二层的厚度可以为约0.5μm至约1μm。
第二折射层可以具有比第一折射层的折射率大的折射率。
第一折射层的折射率可以为约1.3至约1.5。
第二折射层的折射率可以为约1.6至约1.9。
第二折射层可以通过喷墨工艺或沉积工艺布置。
开口中的每个开口的内壁可以包括倾斜的表面。
第一折射层的厚度可以为约1.5μm至约2.5μm。
显示设备还可以包括：输入感测层，布置在封装构件与折射层之间，并且包括至少一个导电层和绝缘层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
第一折射层可以与输入感测层的所述至少一个导电层至少部分地叠置。
显示设备还可以包括：偏振层，布置在折射层上。
一种显示设备包括：显示元件，被构造为发光；折射层，在显示元件上，并且包括第一折射层和第二折射层，第一折射层包括与显示元件对应的开口，并且第二折射层具有与第一折射层的折射率不同的折射率；以及偏振层，布置在折射层上。第二折射层包括第一层和第二层。第一层包括以第一浓度分散的高折射颗粒。第二层包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒。从显示元件发射的光的一部分被开口的内壁与第二折射层之间的界面全反射，因此光路被改变。
显示元件可以包括像素电极、中间层和对电极，中间层在像素电极上并包括发射层，并且对电极在中间层上，并且第一折射层可以与覆盖像素电极的边缘的像素限定层至少部分地叠置。
显示设备还可以包括：封装构件，布置在显示元件与折射层之间。
显示设备还可以包括：输入感测层，布置在封装构件与折射层之间，并且包括至少一个导电层和绝缘层。所述至少一个导电层可以包括感测电极或迹线。
第一折射层可以与输入感测层的所述至少一个导电层至少部分地叠置。
第二浓度可以比第一浓度大。
第一浓度可以为约50wt％至约70wt％。
第二浓度可以为约80wt％至约90wt％。
高折射颗粒的平均直径可以为约5nm至约30nm。
第二层的厚度可以为约0.5μm至约1μm。
第一折射层的折射率可以为约1.3至约1.6。
第二折射层的折射率可以为约1.6至约1.9。
第二折射层可以通过喷墨工艺或沉积工艺布置。
第一折射层的厚度可以为约1.5μm至约2.5μm。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考下面的详细描述，将容易获得本公开及其许多附加方面的更完整的理解，同时其变得更好理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的透视图；
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面图；
图4和图5是根据本公开的示例性实施例的显示设备中可以包括的像素的等效电路图；
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的平面图；
图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图8是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图9是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图10是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图11是示出根据第二折射层的折射率的发光效率的曲线图；
图12是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；
图13和图14是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图；以及
图15和图16是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参考在附图中示出的本公开的各种示例性实施例。在本公开和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。在这方面，描述的示例性实施例可以具有不同的形式，并且不必被解释为限于这里阐述的描述。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
还将理解的是，这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除存在或者添加一个或更多个其它特征或元件。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接或者间接地形成在所述另一层、区域或元件上。例如，可以存在中间层、区域或元件。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。
在本说明书中，“A和/或B”表示A或B或者A和B。在本说明书中，“A和B中的至少一个(种/者)”表示A或B或者A和B。
如这里使用的，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，这表示布线在第一方向或第二方向上不仅以直线形状延伸而且还以之字形延伸或以曲线延伸。
在下文中，将参照附图详细地描述实施例。相同的附图标记可以被用于指示相同或相似的元件。
图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，根据本公开的示例性实施例的显示设备1可以包括显示区域DA和外围区域PA。外围区域PA可以布置在显示区域DA的外部，并且可以至少部分地围绕显示区域DA。各种布线和驱动电路可以布置在外围区域PA中，各种布线和驱动电路传输将施加到显示区域DA的电信号。显示设备1可以使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来显示特定图像。显示设备1可以能够弯曲而不会对其造成损坏，并且显示设备1可以在外围区域PA的部分区域中弯曲，该部分区域包括弯曲区域。
显示设备1可以包括诸如有机发光显示器、无机发光显示器和量子点发光显示器的显示设备。在下文中，将有机发光显示设备作为示例进行描述。显示设备1可以结合到诸如移动电话、智能电话、笔记本/膝上型计算机和智能手表的各种电子设备中。
图2是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。在本公开的示例性实施例中，图2与示出沿着图1的线I-I′截取的显示设备1的剖视图对应。
参照图2，显示设备1可以包括在厚度方向(z方向)上顺序地堆叠的基底100、像素层PXL、封装构件300和折射层500。像素层PXL设置在基底100上。封装构件300密封像素层PXL。折射层500设置在封装构件300上。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。根据本公开的示例性实施例，基底100可以包括具有SiO2作为主要成分的玻璃，或者包括各种柔性或可弯曲材料(例如，诸如增强塑料的树脂)。基底100可以在外围区域PA的部分区域中弯曲，例如，基底100可以在弯曲区域中弯曲。
像素层PXL可以布置在基底100上。像素层PXL可以包括显示元件层DPL和像素电路层PCL。显示元件层DPL可以包括针对每个像素布置的显示元件。像素电路层PCL可以包括绝缘层和针对每个像素布置的像素电路。显示元件层DPL可以布置在像素电路层PCL上。多个绝缘层可以布置在像素电路与显示元件之间。像素电路层PCL中的一些布线和绝缘层可以延伸到外围区域PA。
封装构件300可以包括薄膜封装层。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在显示设备1包括包含聚合物树脂的基底100和包含无机封装层和有机封装层的薄膜封装层的封装构件300的情况下，可以使显示设备1更柔性。
折射层500可以调整从显示元件层DPL的显示元件发射的光的路径，并且增大显示设备1的发光效率。如下面描述的，折射层500可以通过改变从显示元件发射的光的路径来增大显示设备1的光提取效率。
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的平面图。
参照图3，基底100可以包括显示区域DA和外围区域PA。外围区域PA可以布置在显示区域DA的外部，并且可以至少部分地围绕显示区域DA。
多个像素PX可以设置在基底100的显示区域DA中。多个像素PX可以在第一方向(x方向、行方向)和第二方向(y方向、列方向)上以特定图案布置。
扫描驱动器1100、数据驱动器1200和主电力布线可以布置在基底100的外围区域PA中。扫描驱动器1100可以向每个像素PX提供扫描信号。数据驱动器1200可以向每个像素PX提供数据信号。主电力布线可以提供第一电力电压ELVDD(也被称为驱动电压)(见图4和图5)和第二电力电压ELVSS(也被称为共电压)(见图4和图5)。垫(pad，又被称为“焊盘”)部分140可以布置在基底100的外围区域PA中。多个信号垫SP可以连接到布置在垫部分140中的数据线DL。
扫描驱动器1100可以包括氧化物半导体TFT栅极驱动器电路(OSG)或非晶硅TFT栅极驱动器电路(ASG)。在本公开的示例性实施例中，扫描驱动器1100可以与基底100的一侧相邻，或者扫描驱动器1100可以分别与基底100的彼此面对的两侧相邻。
图3示出了通过膜上芯片(COF)方法布置在电连接到布置在基底100上的信号垫SP的膜1300上的数据驱动器1200。根据本公开的示例性实施例，数据驱动器1200可以通过玻璃上芯片(COG)方法或塑料上芯片(COP)方法直接布置在基底100上。数据驱动器1200可以电连接到柔性印刷电路板(FPCB)。
参照图4，像素PX包括像素电路PC和显示元件，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL，并且显示元件连接到像素电路PC。像素电路PC可以包括至少一个薄膜晶体管和存储电容器。显示元件可以包括有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素PX可以从有机发光二极管OLED发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2可以均为晶体管。
第二薄膜晶体管T2可以是开关晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以根据从扫描线SL输入的扫描信号将从数据线DL输入的数据信号传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和电力电压线(也被称为驱动电压线)PL，并且可以存储与对应于从第二薄膜晶体管T2传输的数据信号的电压和被供应到电力电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管，并且连接到电力电压线PL和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管T1可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从电力电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled。
有机发光二极管OLED可以根据驱动电流Ioled发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED可以包括像素电极、对电极和中间层，中间层包括在像素电极与对电极之间的发射层。有机发光二极管OLED的对电极可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管在图4中描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本发明不必限于此。可以根据像素电路PC的设计而不同地改变薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。
根据本公开的示例性实施例，参照图5，像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
如图5中所示，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst。多个薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2和驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL，扫描线SL传输扫描信号Sn，前一扫描线SL-1将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4，后一扫描线SL+1将扫描信号Sn传输到第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，并且数据线DL与扫描线SL相交，并且数据线DL传输数据信号Dm。驱动电压线PL可以被构造为将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以被构造为将初始化电压Vint传输到第一初始化薄膜晶体管T4，第二初始化电压线VL2可以被构造为将初始化电压Vint传输到第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的底部电极Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流Ioled供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，同时通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并且同时通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的底部电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，以通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1电连接到驱动漏电极D1来二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第一初始化电压线VL1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的底部电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来执行使驱动薄膜晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En，操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6同时导通，驱动电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，驱动电流Ioled流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到后一扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第二初始化电压线VL2。
由于扫描线SL电连接到后一扫描线SL+1，因此同一扫描信号Sn可以施加到扫描线SL和后一扫描线SL+1。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过后一扫描线SL+1传输的扫描信号Sn而导通，并且可以执行使有机发光二极管OLED的像素电极初始化的操作。
存储电容器Cst的顶部电极Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的共电极连接到共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流Ioled并发光来显示图像。
尽管在图5中示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4均具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
此外，尽管图5描述了一个像素电路PC的结构，但是可以布置均具有相同像素电路PC的多个像素PX，以构成多个行。在这种情况下，第一初始化电压线VL1、前一扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可以被相邻像素共享。
根据本公开的示例性实施例，第一初始化电压线VLl和前一扫描线SL-1可以电连接到布置在第二方向(y方向)上的另一像素电路的第二初始化薄膜晶体管。因此，施加到前一扫描线SL-1的前一扫描信号可以作为后一扫描信号被传输到另一像素电路的第二初始化薄膜晶体管。同样，第二初始化电压线VL2和后一扫描线SL+1可以电连接到在附图中的第二方向(y方向)上相邻的另一像素电路的第一初始化薄膜晶体管，以传输前一扫描信号和初始化电压。
图6是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的平面图，图7是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。图6是示出显示设备1的像素布置的示例的平面图，图7与示出沿着图6的线II-II′截取的显示设备1的剖视图对应。
参照图6和图7，多个像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3可以根据特定图案在列方向和行方向上重复地布置。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个可以包括像素电路和电连接到像素电路的有机发光二极管200。每个像素PX的有机发光二极管200可以恰当地布置在所述像素电路上，以与所述像素电路至少部分地叠置，或者布置为与偏离于所述像素电路并与所述像素电路相邻的行或列上的像素PX的像素电路至少部分地叠置。像素PX的布置可以包括第一像素PXl、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个的有机发光二极管200的布置或构成有机发光二极管200的像素电极211的布置。
在各个行R1、R2、……上，第一像素PXl的像素电极211、第二像素PX2的像素电极211、第三像素PX3的像素电极211和第二像素PX2的像素电极211可以彼此间隔开，并且以之字形交替地布置。第一像素PX1的像素电极211可以与第三像素PX3的像素电极211间隔开，并且在第一方向(x方向)上交替地布置在第一虚拟直线IL1上。第二像素PX2的像素电极211可以在第一方向(x方向)与第二方向(y方向)之间的方向上从第一像素PX1的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211偏移，并且在第一方向(x方向)上重复地布置在第二虚拟直线IL2上。
在第一列C1上，第一像素PX1的像素电极211可以与第三像素PX3的像素电极211间隔开，并且在第二方向(y方向)上交替地布置在第三虚拟直线IL3上。在与第一列C1相邻的第二列C2上，第二像素PX2的像素电极211可以彼此间隔开，并且在第二方向(y方向)上重复地布置在第四虚拟直线IL4上。在与第二列C2相邻并与第一列C1相对的第三列C3上，第三像素PX3的像素电极211可以与第一像素PXl的像素电极211间隔开，并且在第二方向(y方向)上交替地布置在第五虚拟直线IL5上。
第一像素PXl的像素电极211、第二像素PX2的像素电极211和第三像素PX3的像素电极211可以分别具有不同的尺寸。在本公开的示例性实施例中，第三像素PX3的像素电极211可以具有比相邻的第一像素PX1的像素电极211大的面积。此外，第三像素PX3的像素电极211可以具有比相邻的第二像素PX2的像素电极211大的面积。第一像素PX1的像素电极211可以具有比相邻的第二像素PX2的像素电极211大的面积。在本公开的示例性实施例中，第三像素PX3的像素电极211可以具有与第一像素PX1的像素电极211相同的面积。像素电极211可以具有包括多边形(诸如四边形和八边形)、圆形和椭圆形的形状。多边形可以包括具有圆形顶点的多边形。
在本公开的示例性实施例中，第一像素PX1可以包括发射红光的红色像素，第二像素PX2可以包括发射绿光的绿色像素，第三像素PX3可以包括发射蓝光的蓝色像素。在本公开的示例性实施例中，第一像素PX1可以包括红色像素，第二像素PX2可以包括蓝色像素，第三像素PX3可以包括绿色像素。可以进行各种修改。
基底100的显示区域DA可以包括第一区域A1和至少部分地围绕第一区域A1的第二区域A2。第一区域A1可以包括其中布置有第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的有机发光二极管200的区域。像素电极211布置在第一区域A1中。第一区域A1的面积可以比像素电极211的面积小。第二区域A2可以包括围绕第一区域A1的区域。第二区域A2可以包括布置在多个第一区域A1之间的区域。像素限定层117可以布置在第二区域A2中。第一区域A1可以与像素电极211的通过像素限定层117的第一开口117OP暴露的区域对应。第二区域A2可以与其中在像素电极211之间布置有像素限定层117的区域对应。因此，基底100的第一区域A1和第二区域A2可以分别被理解为像素PX的第一区域A1和第二区域A2。如这里描述的，第一区域A1可以被限定为在示出第一开口117OP的俯视图中与第一开口117OP的具有最小面积的底表面对应的区域。在图6中，第一开口117OP的底表面的轮廓通过实线示出，像素电极211的轮廓通过虚线示出。
参照图7，缓冲层111可以布置在基底100上，形成缓冲层111以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层132中。
基底100可以包括各种材料(诸如玻璃、金属和/或塑料)。在本公开的示例性实施例中，基底100可以包括柔性基底，并且可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素)。
缓冲层111可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)，并且可以包括单层或多层。阻挡层可以进一步布置在基底100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或者减少杂质从基底100等渗透到半导体层中。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料，并且可以包括包含无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst和有机发光二极管200可以布置在基底100上方，有机发光二极管200电连接到薄膜晶体管TFT。有机发光二极管200与薄膜晶体管TFT的电连接可以理解为像素电极211与薄膜晶体管TFT的电连接。薄膜晶体管TFT可以包括图4和图5的驱动薄膜晶体管T1。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层132、栅电极134、源电极136S和漏电极136D。半导体层132可以包括氧化物半导体材料。半导体层132可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。栅电极134可以包括例如铝(A1)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且通过考虑与相邻的层的粘附性、堆叠的层的表面平坦度以及可加工性而可以包括单层或多层。
第一绝缘层112可以布置在半导体层132与栅电极134之间，第一绝缘层112包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。第二绝缘层113和第三绝缘层114可以布置在栅电极134与源电极136S和漏电极136D之间，第二绝缘层113和第三绝缘层114均包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。源电极136S和漏电极136D可以通过形成在第二绝缘层113和第三绝缘层114中的接触孔电连接到半导体层132。
源电极136S和漏电极136D可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括单层或多层。根据本公开的示例性实施例，源电极136S和漏电极136D可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
存储电容器Cst可以包括彼此叠置的第一电极CE1和第二电极CE2，且第二绝缘层113设置在第一电极CE1与第二电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT至少部分地叠置。图7中示出了薄膜晶体管TFT的栅电极134用作存储电容器Cst的第一电极CE1。在本公开的示例性实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。例如，存储电容器Cst的第一电极CE1可以在第一绝缘层112上布置为与薄膜晶体管TFT的栅电极134分离的元件。存储电容器Cst可以被第三绝缘层114覆盖。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路可以被第一平坦化层115和第二平坦化层116覆盖。第一平坦化层115和第二平坦化层116用作平坦化绝缘层，并且可以包括有机绝缘层。第一平坦化层115和第二平坦化层116可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。在本公开的示例性实施例中，第一平坦化层115和第二平坦化层116可以包括聚酰亚胺。
显示元件(例如，有机发光二极管200)可以布置在第二平坦化层116上。有机发光二极管200可以包括像素电极211、中间层231和对电极251。
像素电极211可以布置在第二平坦化层116上，并且通过第一平坦化层115上的连接电极181连接到薄膜晶体管TFT。布线183(诸如数据线DL和驱动电压线PL)可以布置在第一平坦化层115上。
像素电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在本公开的示例性实施例中，像素电极211可以包括反射层，该反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物(或混合物)。在本公开的示例性实施例中，像素电极211还可以包括在反射层上/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。根据本公开的示例性实施例，像素电极211可以具有堆叠的ITO/Ag/ITO的结构。
像素限定层117可以布置在第二平坦化层116上。像素限定层117可以至少部分地覆盖像素电极211的边缘，并且通过包括暴露像素电极211的一部分的第一开口117OP来限定像素PX。第一开口117OP可以对应于图6的第一区域A1。像素限定层117可以通过增大像素电极211的边缘与对电极251的边缘之间的距离来防止在像素电极211的边缘处产生电弧等。像素限定层117可以包括诸如聚酰亚胺(PI)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
中间层231可以包括发射层。发射层可以包括发射具有特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在本公开的示例性实施例中，中间层231可以包括在发射层下方的第一功能层和/或在发射层上的第二功能层。第一功能层和/或第二功能层可以包括在多个像素电极211上方的一体的层，或者可以包括被图案化为分别与多个像素电极211对应的层。
第一功能层可以包括单层或多层。根据本公开的示例性实施例，在第一功能层包括聚合物有机材料的情况下，第一功能层可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层包括低分子量有机材料的情况下，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
可以省略第二功能层。根据本公开的示例性实施例，在第一功能层和发射层包括聚合物有机材料的情况下，第二功能层可以优选地形成为支持有机发光二极管200的特性。第二功能层可以包括单层或多层。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极251可以面对像素电极211，且中间层231位于对电极251与像素电极211之间。对电极251可以包括具有低逸出功的导电材料。根据本公开的示例性实施例，对电极251可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。可选地，对电极251还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的层，该层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。
对电极251可以布置在中间层231和像素限定层117上。遍及显示区域DA中的多个有机发光二极管200，对电极251可以形成为一体，以面对多个像素电极211。
图8是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。
参照图8，薄膜封装层可以在对电极251上布置为封装构件300。薄膜封装层可以保护有机发光二极管200免受外部湿气或氧等的影响。薄膜封装层可以具有多层结构。薄膜封装层可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。由于薄膜封装层具有多层结构，因此即使当薄膜封装层内部发生裂纹时，裂纹也不会在第一无机封装层310与有机封装层320之间或有机封装层320与第二无机封装层330之间连接。通过该构造，可以防止或者减少外部湿气或氧通过其渗透到显示区域DA中的路径的形成。在本公开的示例性实施例中，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量以及堆叠顺序。
第一无机封装层310可以至少部分地覆盖对电极251，并且可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一个无机绝缘材料。由于第一无机封装层310沿着其下方的结构形成，因此第一无机封装层310的顶表面可以不是平坦的。
有机封装层320可以至少部分地覆盖第一无机封装层310，并且可以具有足以阻挡杂质的厚度。遍及整个显示区域DA，有机封装层320的顶表面可以是基本平坦的。有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任意组合。
第二无机封装层330可以至少部分地覆盖有机封装层320，并且可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。第二无机封装层330可以通过延伸到有机封装层320的外部并在外围区域PA中接触第一无机封装层310来防止有机封装层320暴露于外部。
在形成薄膜封装层的工艺期间，薄膜封装层下方的结构可能被损坏。根据本公开的示例性实施例，在形成第一无机封装层310的工艺期间，第一无机封装层310正下方的层可能被损坏。因此，为了防止薄膜封装层下方的结构在形成薄膜封装层的工艺期间被损坏，至少一个覆盖层和/或至少一个保护层可以布置在对电极251与薄膜封装层之间。覆盖层和/或保护层可以包括无机材料。
折射层500可以布置在有机发光二极管200上方(例如，布置在封装构件300上)。折射层500可以调整从有机发光二极管200的发射层发射的光的路径，并且用作聚光透镜。折射层500可以改变从有机发光二极管200的发射层发射的光之中的在横向方向(例如，除第三方向(z方向)之外的方向)上行进的光的路径，以使光在近似前方向的第三方向(z方向)上行进。折射层500可以包括第一折射层510和第二折射层520。
第一折射层510可以布置为与基底100的第二区域A2对应，并且可以包括第二开口510OP，第二开口510OP暴露封装构件300的与基底100的第一区域A1对应的最上表面。例如，第一折射层510可以包括具有格子结构的多个第二开口510OP。可以通过使用光刻工艺使构成第一折射层510的材料图案化来形成第一折射层510的第二开口510OP。第一折射层510的第二开口510OP可以至少部分地围绕像素限定层117的第一开口117OP，并且可以与像素限定层117的第一开口117OP至少部分地叠置。第一折射层510的第二开口510OP可以比像素限定层117的第一开口117OP大。第一折射层510的第二开口510OP的形状可以与像素限定层117的第一开口117OP的形状相同。
在本公开的示例性实施例中，第一折射层510的第二开口510OP可以对应于其下方的多个显示元件(例如，多个有机发光二极管200)。
第一折射层510可以具有第一折射率。在本公开的示例性实施例中，第一折射层510的第一折射率可以为约1.3至约1.5、约1.3至约1.6、或约1.3至约1.4。可以进行各种修改。
第一折射层510可以包括具有低折射率的透光无机或有机材料。根据本公开的示例性实施例，无机材料可以包括氧化硅和氟化镁。有机材料可以包括压克力(acryl)、聚酰亚胺、聚酰胺和/或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
第二折射层520可以至少部分地填充第一折射层510的第二开口510OP，并且布置在第一折射层510上。根据本公开的示例性实施例，第二折射层520可以至少部分地覆盖第一折射层510。第二折射层520可以覆盖基底100的整个顶表面，并且第二折射层520的顶表面可以近似平坦。可以通过喷墨工艺或沉积工艺形成第二折射层520。
第二折射层520可以包括具有高折射率的透光无机或有机材料。在本公开的示例性实施例中，第二折射层520可以包括分散在第二折射层520中的高折射颗粒530。高折射颗粒530可以包括氧化锌、氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化硅、氮化铟和/或氮化镓。根据本公开的示例性实施例，高折射颗粒530可以包括氧化锆。
如这里使用的，“高折射率”被理解为折射率为1.5或更大，并且“高折射颗粒”被理解为具有1.5或更大的折射率的颗粒。
在本公开的示例性实施例中，高折射颗粒530可以是球形或无定形的，并且分散在第二折射层520中。在高折射颗粒530分散在第二折射层520中的情况下，高折射颗粒530的平均直径可以为约5nm至约30nm。
由于第二折射层520包括分散在其中的高折射颗粒530，因此第二折射层520可以具有比第一折射层510的第一折射率大的第二折射率。第二折射层520的第二折射率可以为约1.6至约1.8、约1.6至约1.9、或约1.6至约2。可以进行各种修改。在本公开的示例性实施例中，第一折射层510和第二折射层520可以具有在约0.1至约0.3范围内的折射率差。
第二折射层520可以包括第一层521和第二层522，第一层521包括以第一浓度分散的高折射颗粒530，第二层522包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒530。这将参照图10更详细地描述。
在本公开的示例性实施例中，第二折射层520可以包括能够使施加到其的光散射的散射颗粒。散射颗粒可以具有纳米尺寸。根据本公开的示例性实施例，散射颗粒的直径可以在约50nm与约1000nm之间的范围内。在本公开的示例性实施例中，散射颗粒可以包括无机颗粒。根据本公开的示例性实施例，散射颗粒可以包括二氧化硅、ZrO2、TiO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2和Sb2O3。在本公开的示例性实施例中，散射颗粒可以包括有机颗粒。根据本公开的示例性实施例，散射颗粒可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、压克力-苯乙烯共聚物、三聚氰胺和聚碳酸酯。散射颗粒可以包括上述材料中的一种或更多种。由于第二折射层520包括散射颗粒，因此可以减小以各种角度发射的光之间的色偏(color shift)。
图9是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。例如，图9是示出根据本公开的示例性实施例的折射层500的光提取的剖视图。
参照图9，有机发光二极管200可以布置在绝缘表面上。根据本公开的示例性实施例，有机发光二极管200可以布置在第二平坦化层116上。
第二开口510OP的底表面的第二宽度W2可以比第一开口117OP的底表面的第一宽度Wl大。这里，宽度可以是底表面的最大宽度。针对每个像素PX，第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW可以不同。根据本公开的示例性实施例，第三像素PX3中的第二宽度W2与第一宽度Wl之间的差ΔW可以比第一像素PXl中的第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW大，并且比第二像素PX2中的第二宽度W2与第一宽度W1之间的差ΔW小。尽管在图9中示出了第二开口510OP的第二宽度W2与像素电极211的宽度相同，但是在本公开的示例性实施例中，第二开口510OP的第二宽度W2可以比像素电极211的宽度小。
从有机发光二极管200发射的光可以包括光L1和光L2，光L1朝向第一折射层510的侧表面倾斜地入射，光L2穿过第二折射层520并且在近似第三方向(z方向)上被提取，而没有方向改变。此外，从有机发光二极管200发射的光还可以包括光L3，光L3在近似第三方向(z方向)上朝向第二折射层520入射并且在近似第三方向(z方向)上被提取，而没有方向改变。
在光L1和光L2之中，入射到第一折射层510的倾斜的侧表面的光L1被第一折射层510与第二折射层520之间的界面全反射，因此光路被改变，并且全反射的光L2可以在近似第三方向(z方向)上被提取。因此，在前虚拟区域中生成的像素的发射图案区域可以被扩宽。前光提取效率可以通过具有第一折射率的第一折射层510与具有比第一折射率大的第二折射率的第二折射层520之间的界面处的全反射来增大。因此，可以增大前可见性。
图10是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。例如，图10与示出图8的区域A的放大图对应。
参照图8和图10，折射层500可以包括第一折射层510和第二折射层520。第二折射层520可以包括第一层521和第二层522，第一层521包括以第一浓度分散的高折射颗粒530，第二层522包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒530。在本公开的示例性实施例中，包括以第一浓度分散的高折射颗粒530的第一层521可以在第三方向(z方向)上布置在第二折射层520的底部中，包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒530的第二层522可以布置在第二折射层520的顶部中。在这种情况下，第二浓度可以比第一浓度大。
在本公开的示例性实施例中，包括以第一浓度分散的高折射颗粒530的第一层521可以在第三方向(z方向)上布置在第二折射层520的顶部中，包括以不同于第一浓度的第二浓度分散的高折射颗粒530的第二层522可以布置在第二折射层520的底部中。在这种情况下，第二浓度可以比第一浓度大。
在本公开的示例性实施例中，分散在第二层522中的高折射颗粒530的第二浓度可以为约75wt％至约95wt％、约80wt％至约95wt％、或约75wt％至约90wt％。可以进行各种修改。根据本公开的示例性实施例，分散在第二层522中的高折射颗粒530的第二浓度可以为约80wt％至约90wt％。此外，分散在第一层521中的高折射颗粒530的第一浓度可以是约45wt％至约75wt％、约45wt％至约70wt％、或约50wt％至约75wt％。可以进行各种修改。根据本公开的示例性实施例，分散在第一层521中的高折射颗粒530的第一浓度可以为约50wt％至约70wt％。分散在第二层522中的高折射颗粒530的第二浓度可以比分散在第一层521中的高折射颗粒530的第一浓度大。
在第二折射层520的第二层522的厚度为薄或厚的情况下，发光效率可能降低。因此，在本公开的示例性实施例中，包括以高浓度分散的高折射颗粒530的第二层522可以具有距第一层521的顶表面的第一厚度T1。在这种情况下，第一厚度T1可以为约0.5μm至约1μm、约0.6μμm至约1μm、或约0.7μm至约1μm。可以进行各种修改。根据本公开的示例性实施例，第一厚度T1可以为约0.8μm至约1μm。
图11是示出根据第二折射层520的折射率的发光效率的曲线图。例如，图11是示出根据这样的结构中的第二折射层520的折射率的发光效率的曲线图：在这样的结构中，折射层500包括第一折射层510和第二折射层520，并且第二折射层520包括第一层521和第二层522，第一层521包括以约50wt％至约70wt％的浓度分散的高折射颗粒530，第二层522包括以约80wt％至约90wt％的浓度分散的高折射颗粒530。在这种情况下，第二层522的厚度可以为约0.5μm至约1μm。
在图11中，“a”对应于在红光的情况下根据折射率的发光效率，“b”对应于在绿光的情况下根据折射率的发光效率，“c”对应于在蓝光的情况下根据折射率的发光效率。此外，发光效率表示包括折射层的结构相较于不包括折射层的结构的效率。
参照图11，在第二折射层520的折射率具有从约1.55至约2的范围内的值的情况下，知晓的是，红光、绿光和蓝光中的全部的发光效率超过约100％。特别地，在第二折射层520的折射率具有约1.6至约1.95范围内的值的情况下，知晓的是，红光、绿光和蓝光中的全部的发光效率超过约110％。
通常，在发光效率超过约110％的情况下，可以认为发光效率已经增大。因此，在显示设备1中，根据本公开的示例性实施例，在折射层500包括第一折射层510和第二折射层520并且第二折射层520包括第一层521和第二层522，第一层521包括以约50wt％至约70wt％的浓度分散的高折射颗粒530，第二层522包括以约80wt％至约90wt％的浓度分散的高折射颗粒530的情况下，可以增大显示设备1的发光效率。
图12是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。例如，图12与示出图8的区域B的放大图对应。
参照图12，如上面参照图9所描述的，为了使入射到第一折射层510的光L1在第一折射层510与第二折射层520之间的界面处发生全反射，入射到第一折射层510的光L1的入射角应大于临界角。为了该目的，第一折射层510的侧表面可以具有约70°的斜率θ。可以通过光刻工艺在封装构件300上使构成第一折射层510的材料图案化来形成第一折射层510。为了使第二开口510OP的内壁在光刻工艺之后具有约70°的斜率θ，第一折射层510可以具有约1.5μm至约2.5μm的厚度T2。
图13和图14是根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。参照图13和图14，基底100、像素层PXL、封装构件300和折射层500的结构与上面参照图2和图8描述的结构相同。在下文中，省略了与上述构造相同的构造的描述，并且对于已经省略的元件的描述的程度上，可以假设那些元件至少类似于已经在本公开中其它地方描述的对应元件。
在本公开的示例性实施例中，显示设备1还可以包括布置在封装构件300与折射层500之间的输入感测层400。
输入感测层400可以感测外部触摸并从其获得坐标信息，例如，诸如手指或手写笔的对象的触摸事件。输入感测层400可以包括感测电极和/或迹线。输入感测层400可以通过互电容方法或自电容方法感测外部输入。
输入感测层400可以包括第一导电层MTL1和第二导电层MTL2，第一导电层MTLl和第二导电层MTL2均包括感测电极和/或迹线。第一触摸绝缘层410可以布置在封装构件300与第一导电层MTLl之间。第二触摸绝缘层420可以布置在第一导电层MTLl与第二导电层MTL2之间。
第一导电层MTLl和第二导电层MTL2均可以包括导电材料。导电材料可以包括钼(Mo)、铝(A1)、铜(Cu)和钛(Ti)，并且可以包括包括上述材料的单层或多层。在本公开的示例性实施例中，第一导电层MTLl和第二导电层MTL2均可以具有顺序地堆叠的Ti层/Al层/Ti层的结构。
第一触摸绝缘层410和第二触摸绝缘层420均可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅。有机绝缘材料可以包括丙烯酰类有机材料和酰亚胺类有机材料。
折射层500的第一折射层510可以布置在第二导电层MTL2和第二触摸绝缘层420上。第一折射层510可以包括使输入感测层400的导电层(例如，第二导电层MTL2)钝化的保护层。因此，第二导电层MTL2可以与折射层500的第一折射层510至少部分地叠置。
第一折射层510可以布置为与基底100的第二区域A2对应，并且可以包括第二开口510OP，第二开口510OP暴露输入感测层400的第二触摸绝缘层420的与基底100的第一区域A1对应的最上表面。可以通过使用光刻工艺在输入感测层400上使构成第一折射层510的材料图案化来形成第一折射层510的第二开口510OP。
在显示设备1包括输入感测层400的情况下，第一折射层510可以具有距第二触摸绝缘层420的顶表面约1.5μm至约2.5μm的厚度。
第二折射层520可以至少部分地填充第一折射层510的第二开口510OP并且布置在第一折射层510上。根据本公开的示例性实施例，第二折射层520可以至少部分地覆盖第一折射层510。第二折射层520可以覆盖基底100的整个顶表面。顶表面可以基本平坦。可以通过喷墨工艺或沉积工艺形成第二折射层520。
第二折射层520的至少一部分可以布置在暴露输入感测层400的第二触摸绝缘层420的最上表面的第二开口510OP中。根据本公开的示例性实施例，第二折射层520的至少一部分可以直接布置在输入感测层400的第二触摸绝缘层420上。
图15和图16是根据本公开的示例性实施例的显示设备1的剖视图。参照图15和图16，基底100、像素层PXL、封装构件300、输入感测层400和折射层500的结构与上述结构相同。在下文中，省略了与上述构造相同的构造的描述。
在本公开的示例性实施例中，显示设备1还可以包括顺序地布置在折射层500上的偏振层600、粘合层700和窗800。
偏振层600可以仅透射从显示元件层DPL的显示元件发射的光之中的具有相同偏振轴的光，并且吸收或者反射在其它方向上偏振的光。偏振层600可以包括延迟器和/或偏振器。此外，偏振层600可以包括黑矩阵和/或滤色器。折射层500和偏振层600可以通过粘合剂(诸如光学透明粘合剂OCA)附接。
窗800可以布置在偏振层600上方。粘合层700可以布置在窗800与偏振层600之间。
根据本公开的示例性实施例的显示设备包括包含低折射层和高折射层的折射层，以增大提取到显示设备的前方的光的效率。在本公开的示例性实施例中，折射层可以包括低折射层和高折射层。高折射层可以包括第一层和第二层，第一层包括以约50wt％至约70wt％的浓度分散的高折射颗粒，第二层包括以约80wt％至约90wt％的浓度分散的高折射颗粒。因此，可以增大提取到显示设备的前面的光的效率。
根据本公开的示例性实施例，可以增大显示设备的光提取效率。
每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可以用于其它实施例中的其它类似特征或方面。因此，在不脱离本公开的范围的情况下，这里描述的所有特征和结构可以以任何可行的组合混合并匹配。虽然已经参照附图描述了本公开的示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在这里进行形式和细节上的各种改变。

Claims (30)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
像素层，设置在所述基底上，并且包括多个显示元件；
封装构件，密封所述像素层；以及
折射层，设置在所述封装构件上，并且包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层包括与所述多个显示元件对应的开口，并且所述第二折射层包括多个高折射颗粒，
其中，所述第二折射层包括第一层和第二层，所述第一层包括第一浓度的多个高折射颗粒，并且所述第二层包括与所述第一浓度不同的第二浓度的多个高折射颗粒。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二浓度比所述第一浓度大。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一浓度为50wt％至70wt％。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二浓度为80wt％至90wt％。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二折射层至少部分地覆盖所述第一折射层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个高折射颗粒中的每个高折射颗粒的平均直径为5nm至30nm。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二层的厚度为0.5μm至1μm。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二折射层具有比所述第一折射层的折射率大的折射率。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一折射层的折射率为1.3至1.5。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第二折射层的折射率为1.6至1.9。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二折射层通过喷墨工艺或沉积工艺设置。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述开口中的每个开口的内壁包括倾斜的表面。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一折射层的厚度为1.5μm至2.5μm。
14.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：输入感测层，设置在所述封装构件与所述折射层之间，并且包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一折射层与所述输入感测层的所述至少一个导电层至少部分地叠置。
16.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：偏振层，设置在所述折射层上。
17.一种显示设备，所述显示设备包括：
显示元件，被构造为发射光；
折射层，设置在所述显示元件上，并且包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层包括与所述显示元件对应的开口，并且所述第二折射层具有与所述第一折射层的折射率不同的折射率；以及
偏振层，设置在所述折射层上，
其中，所述第二折射层包括第一层和第二层，所述第一层包括第一浓度的高折射颗粒，并且所述第二层包括不同于所述第一浓度的第二浓度的高折射颗粒，并且
其中，从所述显示元件发射的光的一部分被所述开口的内壁与所述第二折射层之间的界面全反射，从而光路被改变。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述显示元件包括像素电极、中间层和对电极，所述中间层设置在所述像素电极上并包括发射层，并且所述对电极设置在所述中间层上，并且
其中，所述第一折射层与覆盖所述像素电极的边缘的像素限定层至少部分地叠置。
19.根据权利要求17所述的显示设备，所述显示设备还包括：封装构件，设置在所述显示元件与所述折射层之间。
20.根据权利要求19所述的显示设备，所述显示设备还包括：输入感测层，设置在所述封装构件与所述折射层之间，并且包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述第一折射层与所述输入感测层的所述至少一个导电层至少部分地叠置。
22.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二浓度比所述第一浓度大。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述第一浓度为50wt％至70wt％。
24.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述第二浓度为80wt％至90wt％。
25.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述高折射颗粒中的每个高折射颗粒的平均直径为5nm至30nm。
26.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二层的厚度为0.5μm至1μm。
27.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一折射层的折射率为1.3至1.6。
28.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二折射层的折射率为1.6至1.9。
29.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第二折射层通过喷墨工艺或沉积工艺布置。
30.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一折射层的厚度为1.5μm至2.5μm。
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