KR20210130902A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20210130902A
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thin film
line
film transistor
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KR1020200048860A
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김성환
박진우
심정훈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 메인 부화소들을 포함하는 제1 표시영역; 서로 이격된 화소그룹들과 상기 화소그룹들 사이의 투과부를 포함하며, 상기 제1 표시영역과 상이한 해상도를 가지는 제2 표시영역; 및 상기 화소그룹들 중 제1 방향을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹들 사이에 배치되고, 기 제1 방향을 따라 연장된 연장배선들;을 포함하고, 상기 화소그룹들 각각은, 복수의 보조 부화소들 및 상기 복수의 보조 부화소들과 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 가로배선들을 포함하고, 상기 연장배선들은 상기 두 개의 화소그룹들 각각에 포함된 상기 가로배선들과 전기적으로 연결되며, 상기 연장배선들의 개수는 상기 가로배선들의 개수보다 적은 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 지닌 다양한 평판 디스플레이 장치들이 소개되고 있다. 또한, 최근에는 디스플레이 장치의 전면에 물리적 버튼 등이 제거되고 이미지가 표시되는 표시영역이 확장된 디스플레이 장치가 소개되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 카메라, 센서 등과 같은 전자요소가 배치되는 영역에서도 이미지를 디스플레이할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치는, 메인 부화소들을 포함하는 제1 표시영역; 서로 이격된 화소그룹들과 상기 화소그룹들 사이의 투과부를 포함하며, 상기 제1 표시영역과 상이한 해상도를 가지는 제2 표시영역; 및 상기 화소그룹들 중 제1 방향을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹들 사이에 배치되고, 기 제1 방향을 따라 연장된 연장배선들;을 포함하고, 상기 화소그룹들 각각은, 복수의 보조 부화소들 및 상기 복수의 보조 부화소들과 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 가로배선들을 포함하고, 상기 연장배선들은 상기 두 개의 화소그룹들 각각에 포함된 상기 가로배선들과 전기적으로 연결되며, 상기 연장배선들의 개수는 상기 가로배선들의 개수보다 적을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연장배선들 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면상에서, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따른 상기 연장배선들이 배치된 영역의 폭은 상기 제2 방향을 따른 상기 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 보조 부화소들 각각은, 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 포함하고, 상기 화소회로는, 상기 디스플레이 소자로 구동전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 제1 초기화 박막 트랜지스터 및 상기 디스플레이 소자의 화소전극을 초기화시키는 제2 초기화 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 전달하는 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화 박막 트랜지스터로 상기 초기화전압을 전달하는 제2 초기화전압선을 포함하고, 상기 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화전압선은 제1 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소회로는, 데이터신호를 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 소스전극으로 전달하는 스위칭 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막트랜지스터에 이전 스캔신호를 전달하는 제1 스캔선, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 스위칭 게이트전극에 전기적으로 연결된 제2 스캔선 및 상기 제2 초기화 박막트랜지스터의 제2 초기화 게이트전극에 전기적으로 연결된 제3 스캔선을 더 포함하고, 상기 제2 스캔선과 상기 제3 스캔선은 제2 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결되어 동일한 스캔신호가 인가될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 연결선 및 상기 제2 연결선 중 적어도 어느 하나는 상기 가로배선들과 상이한 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소그룹들 각각은, 상기 복수의 보조 부화소들이 상기 제1 방향을 따라 배열된 제1 행과 제2 행을 포함하고, 상기 제1 행에 포함된 제1 보조 부화소와 상기 제2 행에 포함된 제2 보조 부화소는 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 인접하게 배치되며, 상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에서 공유될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제2 보조 부화소의 제1 초기화 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가로배선들은, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르고, 상기 제2 보조 부화소의 제2 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 인가하는 제3 초기화전압선을 더 포함하고, 상기 제3 초기화전압선은 상기 제1 연결선과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가로배선들은, 상기 제1 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제1 발광 제어선과, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제2 발광 제어선을 더 포함하고, 상기 제1 발광 제어선과 상기 제2 발광 제어선은 서로 전기적으로 연결되어 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에는 동일한 발광제어신호가 전달될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 표시영역은 상기 제1 표시영역에 의해 둘러싸일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 디스플레이 장치는, 서로 해상도가 상이한 제1 표시영역과 제2 표시영역을 구비하는 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널의 상기 제2 표시영역에 대응하도록 배치된 전자요소;를 포함하고, 상기 디스플레이 패널은, 기판; 상기 제1 표시영역에서, 상기 기판 상에 배치된 메인 부화소들; 상기 제2 표시영역에서, 상기 기판 상에 배치되고 서로 이격된 화소그룹들; 및 상기 화소그룹들 중 제1 방향을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹들 사이에 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 연장된 연장배선들;을 포함하고, 상기 화소그룹들 각각은, 복수의 보조 부화소들 및 상기 복수의 보조 부화소들과 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 가로배선들을 포함하고, 상기 연장배선들은, 상기 두 개의 화소그룹들 각각에 포함된 상기 가로배선들과 전기적으로 연결되며, 평면상에서, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따른 상기 연장배선들이 배치된 영역의 폭은 상기 제2 방향을 따른 상기 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연장배선들 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 보조 부화소들 각각은, 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 포함하고, 상기 화소회로는, 상기 디스플레이 소자로 구동전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 제1 초기화 박막 트랜지스터 및 상기 디스플레이 소자의 화소전극을 초기화시키는 제2 초기화 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 전달하는 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화 박막 트랜지스터로 상기 초기화전압을 전달하는 제2 초기화전압선을 포함하고, 상기 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화전압선은 제1 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소회로는, 데이터신호를 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 소스전극으로 전달하는 스위칭 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막트랜지스터에 이전 스캔신호를 전달하는 제1 스캔선, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 스위칭 게이트전극에 전기적으로 연결된 제2 스캔선 및 상기 제2 초기화 박막트랜지스터의 제2 초기화 게이트전극에 전기적으로 연결된 제3 스캔선을 더 포함하고, 상기 제2 스캔선과 상기 제3 스캔선은 제2 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결되어 동일한 스캔신호가 인가될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소그룹들 각각은, 상기 복수의 보조 부화소들이 상기 제1 방향을 따라 배열된 제1 행과 제2 행을 포함하고, 상기 제1 행에 포함된 제1 보조 부화소와 상기 제2 행에 포함된 제2 보조 부화소는 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 인접하게 배치되며, 상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제2 보조 부화소의 제1 초기화 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가로배선들은, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르고, 상기 제2 보조 부화소의 제2 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 인가하는 제3 초기화전압선을 더 포함하고, 상기 제3 초기화전압선은 상기 제1 연결선과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가로배선들은, 상기 제1 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제1 발광 제어선과, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제2 발광 제어선을 더 포함하고, 상기 제1 발광 제어선과 상기 제2 발광 제어선은 서로 전기적으로 연결되어 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에는 동일한 발광제어신호가 전달될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 연장배선들의 개수는 상기 가로배선들의 개수보다 적을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 전자요소는 촬상소자를 구비할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 전자요소가 배치되는 영역에서도 이미지를 디스플레이함으로써 표시영역이 확장되며, 전자요소가 배치되는 제2 표시영역의 투과부에 배치된 연장배선들의 개수가 감소하여 투과부의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 디스플레이 패널의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 변형예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 또 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들 및 투과부의 배열의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8의 하나의 부화소의 등가 회로도이다.
도 10은 도 8의 하나의 부화소의 화소회로부의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 도 8의 하나의 화소그룹을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 12는 도 11의 III-III' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들 및 투과부의 배열의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 14 및 도 15는 도 13의 하나의 화소그룹을 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 16은 도 14의 C 부분의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 17은 도 14의 IV-IV'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 18과 도 20은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 19는 도 18의 V-V'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 21은 도 20의 VI-VI'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 22 및 도 23은 도 4의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 24 및 도 25는 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 26 및 도 27은 도 4의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 28 내지 도 30은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 이미지를 구현하는 제1 표시영역(DA1)과 이미지를 구현하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 디스플레이 장치(1)는 제1 표시영역(DA1)에 배치된 복수의 메인 부화소(Pm, main sub-pixel)들에서 방출되는 빛을 이용하여 메인 이미지를 제공할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 부화소는 적색, 녹색, 청색, 백색 등 하나의 색상이 방출될 수 있는 영역으로, 이미지를 이루는 최소의 단위를 일컫는다.
디스플레이 장치(1)는 제2 표시영역(DA2)을 포함한다. 제2 표시영역(DA2)은 가시광선, 적외선, 음향 등을 이용하는 센서 및/또는 카메라 등과 같은 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 제2 표시영역(DA2)은 컴포넌트로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과부(TA)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 제2 표시영역(DA2)을 통해 광이 투과하는 경우, 광 투과율은 약 30% 이상, 보다 바람직하게 50% 이상이거나, 75% 이상이거나 80% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다.
본 실시예에서, 제2 표시영역(DA2)에는 복수의 보조 부화소(Pa)들이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 보조 부화소(Pa)들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 제2 표시영역(DA2)에서 제공되는 이미지는 보조 이미지로 제1 표시영역(DA1)에서 제공하는 이미지에 비해서 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 제2 표시영역(DA2)은 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과부(TA)를 구비하는 바, 단위 면적 당 배치될 수 있는 보조 부화소(Pa)들의 수가 제1 표시영역(DA1)에 단위 면적 당 배치되는 메인 부화소(Pm)들의 수에 비해 적을 수 있다.
제2 표시영역(DA2)은 제1 표시영역(DA1)의 일측에 배치될 수 있다. 일 실시예로서 도 1은 제2 표시영역(DA2)은 제1 표시영역(DA1)의 상측에 배치되어, 제2 표시영역(DA2)이 비표시영역(NDA)과 제1 표시영역(DA1) 사이에 배치되는 것을 도시한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 표시영역(DA1)의 형상은 원형, 타원, 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있으며, 제2 표시영역(DA2)은 제1 표시영역(DA1)의 내측에 배치되어 제1 표시영역(DA1)에 의해 둘러싸일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display Apparatus), 퀀텀닷 발광 표시 장치 (Quantum dot Light Emitting Display Apparatus) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 표시요소를 포함하는 디스플레이 패널(10), 및 제2 표시영역(DA2)에 대응하는 컴포넌트(20)를 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치된 표시요소층(200), 상기 표시요소층(200)을 밀봉하는 밀봉부재로써 봉지층(300)을 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 패널(10)은 기판(100)에 하부에 배치된 하부보호필름(175)을 더 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelene napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트, 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
표시요소층(200)은 박막트랜지스터(TFT, TFT')를 포함하는 회로층, 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED), 및 이들 사이의 절연층(IL, IL')을 포함할 수 있다.
제1 표시영역(DA1)에는 제1 박막트랜지스터(TFT) 및 이와 연결된 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함하는 메인 부화소(Pm)가 배치되며, 제2 표시영역(DA2)에는 제2 박막트랜지스터(TFT') 및 이와 연결된 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함하는 보조 부화소(Pa)가 배치될 수 있다.
또한, 제2 표시영역(DA2)에는 표시요소가 배치되지 않는 투과부(TA)가 배치될 수 있다. 컴포넌트(20)로부터 방출되는 빛 또는 신호는 투과부(TA)를 통해 외부로 송신될 수 있고, 외부의 빛 또는 신호는 투과부(TA)를 통해 컴포넌트(20)로 수신될 수 있다.
컴포넌트(20)는 제2 표시영역(DA2)에 위치할 수 있다. 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 적외선 또는 가시광선 등을 이용하는 카메라로서 촬상소자를 구비할 수 있다. 또한, 컴포넌트(20)는 적외선 센서와 같이 광을 수광하여 이용하는 센서, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다.
컴포넌트(20)가 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있음은 물론이다. 제2 표시영역(DA2)에 배치된 컴포넌트(20)의 수는 복수로 구비될 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)로써 발광소자 및 수광소자가 하나의 제2 표시영역(DA2)에 함께 구비될 수 있다. 또는, 하나의 컴포넌트(20)에 발광부 및 수광부가 동시에 구비될 수 있다.
제2 표시영역(DA2)에는 하부전극층(BSM)이 배치될 수 있다. 하부전극층(BSM)은 제2 박막트랜지스터(TFT')의 하부에 대응하도록 배치될 수 있다. 이러한 하부전극층(BSM)은 외부 광이 제2 박막트랜지스터(TFT') 등이 포함된 보조 부화소(Pa)에 도달하는 것을 차단할 수 있다. 예컨대, 하부전극층(BSM)은 컴포넌트(20)로부터 출사되는 광이 보조 부화소(Pa)에 도달하는 것을 차단할 수 있다.
일부 실시예에서, 하부전극층(BSM)에는 정전압 또는 신호가 인가되어, 정전기 방전에 의한 화소회로의 손상을 방지할 수 있다.
봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 2는 제1 및 제2 무기봉지층(310, 330)과 이들 사이의 유기봉지층(320)을 나타낸다.
제1 및 제2 무기봉지층(310, 330)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
하부보호필름(175)은 기판(100)의 하부에 부착되어, 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 하부보호필름(175)는 제2 표시영역(DA2)에 대응하는 개구(175OP)를 구비할 수 있다. 하부보호필름(175)에 개구(175OP)를 구비함으로써, 제2 표시영역(DA2)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 하부보호필름(175)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyeleneterepthalate, PET) 또는 폴리이미드(polyimide, PI)를 포함하여 구비될 수 있다.
제2 표시영역(DA2)의 면적은 컴포넌트(20)가 배치되는 면적에 비해서 크게 구비될 수 있다. 이에 따라, 하부보호필름(175)에 구비된 개구(175OP)의 면적은 상기 제2 표시영역(DA2)의 면적과 일치하지 않을 수 있다. 예컨대, 개구(175OP)의 면적은 제2 표시영역(DA2)의 면적에 비해 작게 구비될 수 있다. 다른 예로, 하부보호필름(175)에는 개구(1750P)가 형성되지 않고, 컴포넌트(20)는 하부보호필름(175)에 위치하여, 컴포넌트(20)에 의해 기판(100)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2 표시영역(DA2)에는 복수의 컴포넌트(20)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 컴포넌트(20)는 서로 기능을 달리할 수 있다. 예컨대, 복수의 컴포넌트(20) 중 하나는 카메라 일 수 있고, 다른 하나는 적외선 센서일 수 있다.
도시되지는 않았으나, 디스플레이 패널(10) 상에는 터치입력을 감지하는 입력감지부재, 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소가 더 배치될 수 있다.
한편, 본 실시예에서 표시요소층(200)을 밀봉하는 봉지부재로 봉지층(300)을 이용한 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 표시요소층(200)을 밀봉하는 부재로써, 실런트 또는 프릿에 의해서 기판(100)과 합착되는 밀봉기판을 이용할 수도 있다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 디스플레이 패널의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 변형예를 개략적으로 도시한 평면도이다.
먼저 도 3을 참조하면, 디스플레이 패널(10)은 제1 표시영역(DA1)에 배치된 복수의 메인 부화소(Pm)들을 포함한다. 메인 부화소(Pm)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소로 구현될 수 있다. 각 메인 부화소(Pm)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출할 수 있다. 제1 표시영역(DA1)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 봉지부재로 커버되어 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
제2 표시영역(DA2)은 제1 표시영역(DA1)의 일측에 배치될 수 있으며, 제2 표시영역(DA2)에는 복수의 보조 부화소(Pa)들이 배치된다. 보조 부화소(Pa)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소로 구현될 수 있다. 각 보조 부화소(Pa)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출할 수 있다. 한편, 제2 표시영역(DA2)에는 보조 부화소(Pa)들 사이에 배치되는 투과부(TA)가 배치될 수 있다. 디스플레이 패널(10)의 제2 표시영역(DA2)의 하부 대응하여 적어도 하나의 컴포넌트(20)가 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 하나의 메인 부화소(Pm)와 하나의 보조 부화소(Pa)는 동일한 구성을 가지는 화소 회로에 의해서 각각 구동될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 메인 부화소(Pm)에 포함되는 화소 회로와 보조 부화소(Pa)를 구동하는 화소 회로는 서로 다를 수 있음은 물론이다. 한편, 제2 표시영역(DA2)은 투과부(TA)를 구비하고 있는 바, 제2 표시영역(DA2)의 해상도는 제1 표시영역(DA1) 보다 작을 수 있다.
각 부화소(Pm, Pa)를 구동하는 화소 회로는 비표시영역(DNA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 제1 스캔 구동회로(110), 제2 스캔 구동회로(120), 단자(140), 데이터 구동회로(150), 제1 전원공급배선(160), 및 제2 전원공급배선(170)이 배치될 수 있다.
제1 스캔 구동회로(110)는 스캔선(SL)을 통해 각 화소 회로에 스캔 신호를 제공할 수 있다. 제1 스캔 구동회로(110)는 발광 제어선(EL)을 통해 각 화소 회로에 발광 제어 신호를 제공할 수 있다. 제2 스캔 구동회로(120)는 제1 표시영역(DA1)을 사이에 두고 제1 스캔 구동회로(110)와 나란하게 배치될 수 있다. 제1 표시영역(DA1)에 배치된 부화소(Pm, Pa)들의 화소 회로 중 일부는 제1 스캔 구동회로(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2 스캔 구동회로(120)에 연결될 수 있다. 다른 실시예로, 제2 스캔 구동회로(120)는 생략될 수 있다.
단자(140)는 기판(100)의 일 측에 배치될 수 있다. 단자(140)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)의 단자(PCB-P)는 디스플레이 패널(10)의 단자(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)은 제어부(미도시)의 신호 또는 전원을 디스플레이 패널(10)로 전달한다. 제어부에서 생성된 제어 신호는 인쇄회로기판(PCB)을 통해 제1 및 제2 스캔 구동회로(110, 120)에 각각 전달될 수 있다. 제어부는 제1 및 제2 연결배선(161, 171)을 통해 제1 및 제2 전원공급배선(160, 170)에 각각 제1 및 제2 전원(ELVDD, ELVSS, 후술할 도 4a, 4b 참조)을 제공할 수 있다. 제1 전원전압(ELVDD)은 제1 전원공급배선(160)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 각 부화소(Pm, Pa)를 구동하는 화소 회로에 제공되고, 제2 전원전압(ELVSS)은 제2 전원공급배선(170)과 연결된 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극에 제공될 수 있다.
데이터 구동회로(150)는 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된다. 데이터 구동회로(150)의 데이터 신호는 단자(140)에 연결된 연결배선(151) 및 연결배선(151)과 연결된 데이터선(DL)을 통해 각 부화소(Pm, Pa)를 구동하는 화소회로에 제공될 수 있다. 도 3은 데이터 구동회로(150)가 인쇄회로기판(PCB)에 배치된 것을 도시하지만, 다른 실시예로, 데이터 구동회로(150)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 데이터 구동회로(150)는 단자(140)와 제1 전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다.
제1 전원공급배선(160, first power supply line)은 제1 표시영역(DA1)을 사이에 두고 x방향을 따라 나란하게 연장된 제1 서브배선(162) 및 제2 서브배선(163)을 포함할 수 있다. 제2 전원공급배선(170, second power supply line)은 일측이 개방된 루프 형상으로 제1 표시영역(DA1)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
한편, 도 3에서는 제2 표시영역(DA2)이 제1 표시영역(DA1)에 일측에 배치된 것으로 도시되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이 제2 표시영역(DA2)은 그 하부에 배치되는 컴포넌트에 대응되는 영역으로 구비될 수 있다. 이 경우, 제2 표시영역(DA2)는 제1 표시영역(DA1)의 내측에 배치되어, 제1 표시영역(DA1)으로 둘러싸일 수 있다.
도 5는 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 기판(100) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(111)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNx)으로 구비될 수 있다. 버퍼층(111)은 제1 버퍼층(111a) 및 제2 버퍼층(111b)이 적층되도록 구비될 수 있다. 이때 제1 버퍼층(111a)과 제2 버퍼층(111b)은 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다. 예컨데, 제1 버퍼층(111a)은 실리콘 질화물을 함유할 수 있고, 제2 버퍼층(111b)은 실리콘 산화물을 함유할 수 있다.
제2 표시영역(DA2)에서, 제1 버퍼층(111a)과 제2 버퍼층(111b) 사이에는 하부전극층(BSM)이 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 하부전극층(BSM)은 기판(100)과 제1 버퍼층(111a) 사이에 배치될 수도 있다. 하부전극층(BSM)은 제2 박막트랜지스터(TFT')의 하부에 배치되어, 컴포넌트(20) 등으로부터 방출되는 빛에 의해서 제2 박막트랜지스터(TFT')의 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 하부전극층(BSM)은 다른 층에 배치된 배선(GCL)과 콘택홀을 통해 연결될 수 있다. 하부전극층(BSM)은 상기 배선(GCL)으로부터 정전압 또는 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 하부전극층(BSM)은 구동전압(ELVDD) 또는 스캔 신호를 제공받을 수 있다. 하부전극층(BSM)은 정전압 또는 신호를 제공받음에 따라 정전기 방전이 발생될 확률을 현저히 줄일 수 있다. 하부전극층(BSM)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 하부전극층(BSM)은 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
버퍼층(111) 상부에는 제1 박막트랜지스터(TFT) 및 제2 박막트랜지스터(TFT')가 배치될 수 있다. 제1 박막트랜지스터(TFT)는 제1 반도체층(A1), 제1 게이트전극(G1), 제1 소스전극(S1), 제1 드레인전극(D1)을 포함하고, 제2 박막트랜지스터(TFT) 제2 반도체층(A2), 제2 게이트전극(G2), 제2 소스전극(S2), 제2 드레인전극(D2)을 포함한다. 제1 박막트랜지스터(TFT)는 제1 표시영역(DA1)의 메인 유기발광다이오드(OLED)와 연결되어 메인 유기발광다이오드(OLED)를 구동할 수 있다. 제2 박막트랜지스터(TFT')는 제2 표시영역(DA2)의 보조 유기발광다이오드(OLED')와 연결되어 보조 유기발광다이오드(OLED')를 구동할 수 있다.
제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)은 상기 버퍼층(111) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(A1)은 상기 제2 버퍼층(111b)을 사이에 두고 하부전극층(BSM)과 중첩할 수 있다. 일 실시예로서, 제1 반도체층(A1)의 폭은 하부전극층(BSM)의 폭 보다 작게 형성될 수 있으며, 따라서 기판(100)에 수직한 방향에서 사영하였을 때 제1 반도체층(A1)은 전체적으로 하부전극층(BSM)과 중첩할 수 있다.
제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)을 덮도록 제1 게이트절연층(112)이 구비될 수 있다. 제1 게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 게이트절연층(112)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1 게이트절연층(112) 상부에는 상기 제1 반도체층(A1) 및 제2 반도체층(A2)과 각각 중첩되도록 제1 게이트전극(G1) 및 제2 게이트전극(G2)이 배치된다. 제1 게이트전극(G1) 및 제2 게이트전극(G2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1 게이트전극(G1) 및 제2 게이트전극(G2)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2 게이트절연층(113)은 상기 제1 게이트전극(G1) 및 제2 게이트전극(G2)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2 게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2 게이트절연층(113)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2 게이트절연층(113) 상부에는 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 상부 전극(CE2) 및 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 제2상부 전극(CE2')이 배치될 수 있다.
제1 표시영역(DA1)에서 제1 상부 전극(CE2)은 그 아래의 제1 게이트전극(G1)과 중첩할 수 있다. 제2 게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 제1 게이트전극(G1) 및 제1 상부 전극(CE2)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 제1 게이트전극(G1)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 하부 전극(CE1)일 수 있다.
제2 표시영역(DA2)에서 제2 상부 전극(CE2')은 그 아래의 제2 게이트전극(G2)과 중첩할 수 있다. 제2 게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 제2 게이트전극(G2) 및 제2 상부 전극(CE2')은 보조 스토리지 커패시터(Cst')를 이룰 수 있다. 제1 게이트전극(G1)은 보조 스토리지 커패시터(Cst')의 제2 하부 전극(CE1')일 수 있다.
제1 상부 전극(CE2) 및 제2 상부 전극(CE2')은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(115)은 상기 제1 상부 전극(CE2) 및 제2 상부 전극(CE2')을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다.
제1 게이트절연층(112), 제2 게이트절연층(113), 및 층간절연층(115)을 통칭하여 무기절연층(IL)이라 하면, 기판(100) 상에 무기절연층(IL)이 적층된 구조는 적외선 파장에 대해서 약 90% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 예컨대, 기판(100) 및 무기절연층(IL)을 통과하는 900 nm 내지 1100 nm 의 파장의 광은 약 90% 투과율을 가질 수 있다.
소스전극(S1, S2) 및 드레인전극(D1, D2)은 층간절연층(115) 상에 배치된다. 소스전극(S1, S2) 및 드레인전극(D1, D2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(S1, S2)과 드레인전극(D1, D2)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
소스전극(S1, S2)과 드레인전극(D1, D2)를 덮도록 평탄화층(117)이 배치될 수 있다. 평탄화층(117)은 그 상부에 배치되는 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
평탄화층(117)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 평탄화층(117)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
평탄화층(117)에는 제1 박막트랜지스터(TFT)의 제1 소스전극(S1) 및 제1 드레인전극(D1) 중 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 제1 화소전극(221)은 상기 개구부를 통해 제1 소스전극(S1) 또는 제1 드레인전극(D1)과 콘택하여 제1 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 평탄화층(117)에는 제2 박막트랜지스터(TFT')의 제2 소스전극(S2) 및 제2 드레인전극(D2) 중 어느 하나를 노출시키는 개구부를 포함하여, 제2 화소전극(221')은 상기 개구부를 통해 제2 소스전극(S2) 또는 제2 드레인전극(D2)과 콘택하여 제2 박막트랜지스터(TFT')와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
화소정의막(119)은 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221') 각각의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(119)은 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221') 각각에 중첩하며, 부화소의 발광영역을 정의하는 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)를 포함한다. 화소정의막(119)은 화소전극(221, 221')의 가장자리와 화소전극(221, 221') 상부의 대향전극(223)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(221, 221')의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
평탄화층(117) 및 화소정의막(119)를 유기절연층(OL)이라 하면, 유기절연층(OL)은 적외선 파장에 대해서 약 90% 이상의 투과율을 가질 수 있다. 예컨대, 유기절연층(OL)을 통과하는 900 nm 내지 1100 nm 의 파장의 광은 약 90% 투과율을 가질 수 있다.
화소정의막(119)의 제1 개구(OP1) 및 제2 개구(OP2)의 내부에는 제1 화소전극(221) 및 제2 화소전극(221')에 각각 대응되도록 형성된 제1 발광층(221b) 및 제2 발광층(222b')이 배치된다. 제1 발광층(222b)과 제2 발광층(222b')은 고분자 물질 또는 저분자 물질을 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제1 발광층(222b)과 제2 발광층(222b')의 상부 및/또는 하부에는 유기 기능층(222e)이 배치될 수 있다. 유기 기능층(222e)은 제1 기능층(222a) 및/또는 제2 기능층(222c)를 포함할 수 있다. 제1 기능층(222a) 또는 제2 기능층(222c)는 생략될 수 있다.
제1 기능층(222a)은 제1 발광층(222b)과 제2 발광층(222b')의 하부에 배치될 수 있다. 제1 기능층(222a)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제1 기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)일 수 있다. 또는, 제1 기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제1 기능층(222a)은 제1 표시영역(DA1)와 제2 표시영역(DA2)에 포함된 메인 부화소(Pm)들과 보조 부화소(Pa)들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 기능층(222a)은 투과부(TA)에 대응하여 배치될 수 있다.
제2 기능층(222c)은 상기 제1 발광층(222b) 및 제2 발광층(222b') 상부에 배치될 수 있다. 제2 기능층(222c)은 유기물로 구비된 단층 또는 다층일 수 있다. 제2 기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2 기능층(222c)은 제1 표시영역(DA1)와 제2 표시영역(DA2)에 포함된 메인 부화소(Pm)들과 보조 부화소(Pa)들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 기능층(222c)은 투과부(TA)에 대응하여 배치될 수 있다.
제2 기능층(222c) 상부에는 대향전극(223)이 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(223)은 제1 표시영역(DA1)와 제2 표시영역(DA2)에 포함된 메인 부화소(Pm)들과 보조 부화소(Pa)들에 대응되도록 일체로 형성될 수 있다.
제1 표시영역(DA1)에 형성된 제1 화소전극(221)으로부터 대향전극(223)까지의 층들은 메인 유기발광다이오드(OLED)를 이룰 수 있다. 제2 표시영역(DA2)에 형성된 제2 화소전극(221')으로부터 대향전극(223)까지의 층들은 보조 유기발광다이오드(OLED')를 이룰 수 있다.
대향전극(223) 상에는 유기물질을 포함하는 상부층(250)이 형성될 수 있다. 상부층(250)은 대향전극(223)을 보호하는 동시에 광추출 효율을 높이기 위해서 마련된 층일 수 있다. 상부층(250)은 대향전극(223) 보다 굴절률이 높은 유기물질을 포함할 수 있다. 또는, 상부층(250)은 굴절률이 서로 다른층들이 적층되어 구비될 수 있다. 예컨대, 상부층(250)은 고굴절률층/저굴절률층/고굴절률층이 적층되어 구비될 수 있다. 이 때, 고굴절률층의 굴절률은 1.7이상 일 수 있으며, 저굴절률층의 굴절률은 1.3이하 일 수 있다.
상부층(250)은 추가적으로 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 상부층(250)은 추가적으로 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx)와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 상부층(250)은 투과부(TA)에 대응하는 개구영역(TAH)을 구비할 수 있다. 즉, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 상부층(250) 각각이 투과부(TA)에 대응하는 개구들을 가질 수 있다. 이러한 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 상부층(250)의 개구들은 레이저(laser)에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시에에서, 개구영역(TAH)을 형성하는 개구들의 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)의 개구의 폭은 개구영역(TAH)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 상부층(250)은 생략될 수 있다. 이 경우, 대향전극(223)의 개구가 개구영역(TAH)이 될 수 있다.
이러한 개구영역(TAH)이 투과부(TA)에 대응한다는 것은, 개구영역(TAH)이 투과부(TA)와 중첩함을 의미할 수 있다. 이 때, 개구영역(TAH)의 면적은 무기절연층(IL)에 형성된 제1 홀(H1)의 면적보다 작게 구비될 수 있다. 이를 위해, 도 5에서는 개구영역(TAH)의 폭(Wt)이 제1 홀(H1)의 폭(W1)보다 작은 것으로 도시하고 있다. 여기서, 개구영역(TAH)의 면적 및 제1 홀(H1)의 면적은 가장 좁은 면적의 개구의 면적으로 정의될 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 홀(H1), 제2 홀(H2), 및 제3 홀(H3)의 측면에는 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 대향전극(223), 및 상부층(250)이 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 홀(H1), 제2 홀(H2), 및 제3 홀(H3) 측면의 기판(100)의 상면에 대한 기울기는 개구영역(TAH) 측면의 기판(100)의 상면에 대한 기울기보다 완만할 수 있다.
개구영역(TAH)이 형성된다는 것은, 투과부(TA)에서 대향전극(223) 등의 부재가 제거되는 것을 의미하는 바, 투과부(TA)에서의 광 투과율은 현저히 증가될 수 있다.
메인 유기발광다이오드(OLED)와 보조 유기발광다이오드(OLED')는 봉지층(300)에 의해서 밀봉될 수 있다. 봉지층(300)은 상부층(250) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(300)은 외부의 수분이나 이물질이 메인 유기발광다이오드(OLED)와 보조 유기발광다이오드(OLED')로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있으며, 이와 관련하여 도 5에서는 봉지층(300)이 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2 무기봉지층(330)이 적층된 구조를 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 또는 실리콘산질화물과 같은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2 무기봉지층(330)은 표시영역(DA) 및 센서영역(SA)을 커버하도록 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2 무기봉지층(330)은 개구영역(TAH) 내부에 배치될 수 있다.
다른 실시예에서, 유기봉지층(320)은 표시영역(DA) 및 센서영역(SA)을 커버하도록 일체로 형성되되, 투과부(TA)에는 존재하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 유기봉지층(320)은 투과부(TA)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 개구영역(TAH) 내부에서 서로 접촉할 수 있다.
도 6은 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 6에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략하고 차이점만을 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 상부층(250) 중 적어도 하나는 투과부(TA)에 대응되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 기능층(222a), 제2 기능층(222c), 및 상부층(250) 중 적어도 하나는 개구영역(TAH) 내부에 배치될 수 있다.
한편, 대향전극(223)은 투과부(TA)에 대응하는 개구를 구비하며, 상기 개구는 개구영역(TAH)의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다. 이 경우, 대향전극(223)은 투과부(TA)를 가리는 가림막이 구비된 마스크를 이용하여 형성된 것일 수 있다.
도 7은 도 3의 I-I' 단면 및 II-II' 단면의 또 다른 예를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 7에 있어서, 도 5와 동일한 참조부호는 동일 부재를 일컫는 바, 이들의 중복 설명은 생략하고 차이점만을 설명하도록 한다.
도 7을 참조하면, 메인 유기발광다이오드(OLED)와 보조 유기발광다이오드(OLED')는 봉지 기판(300')으로 커버될 수 있다. 봉지 기판(300')은 투명한 소재를 포함한다. 예컨대, 봉지 기판(300')은 글래스재를 포함할 수 있다. 또는, 봉지 기판(300')은 고분자 수지 등을 포함할 수 있다. 봉지 기판(300')은 외부의 수분이나 이물질이 메인 유기발광다이오드(OLED)와 보조 유기발광다이오드(OLED')로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
메인 유기발광다이오드(OLED)와 보조 유기발광다이오드(OLED')가 형성된 기판(100)과 봉지 기판(300') 사이에는 실런트와 같은 실링재가 배치될 수 있다. 실링재는 기판(100)과 봉지 기판(300') 사이를 통해 침투할 수 있는 외부의 수분이나 이물질을 차단할 수 있다.
도 8은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들 및 투과부의 배열의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도, 도 9는 도 8의 하나의 부화소의 등가 회로도, 도 10은 도 8의 하나의 부화소의 화소회로부의 구조를 개략적으로 도시한 평면도, 도 11은 도 8의 하나의 화소그룹을 개략적으로 도시한 평면도, 그리고 도 12는 도 11의 III-III' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
먼저, 도 8을 참조하면, 제2 표시영역(DA2)은 복수개의 보조 부화소(Pa)를 포함하는 화소그룹(PG)과 화소그룹(PG) 주변의 투과부(TA)를 가질 수 있다. 화소그룹(PG)은 복수개의 보조 부화소(Pa)들을 사전 설정된 단위로 묶은 부화소 집합체로 서로 이격되어 위치할 수 있으며, 투과부(TA)는 화소그룹(PG)들 사이의 영역으로 정의할 수 있다.
복수개의 보조 부화소(Pa)들 각각은 유기발광소자(OLED)와 같은 디스플레이 소자를 포함할 수 있다. 보조 부화소(Pa)들 각각은 적색, 녹색, 청색 및 백색 중 어느 하나의 광을 방출할 수 있다. 도 8에서는 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 행에 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)를 포함하고, 화소그룹(PG)들은 제1 방향(x) 및 제2 방향(y)을 따라 서로 이격된 것으로 도시하고 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 화소그룹(PG)에 포함된 보조 부화소(Pa)의 개수나 배열 방식은 제2 표시영역(DA2)의 해상도에 따라 변형 설계될 수 있다.
투과부(TA)는 제2 표시영역(DA2) 내에서 보조 부화소(Pa)가 배치되지 않은 부분이다. 즉, 투과부(TA)에는 유기발광소자(OLED)를 구성하는 화소전극, 발광층을 포함하는 중간층 및 대향전극과, 그러한 유기발광소자(OLED)에 전기적으로 연결되는 화소회로가 배치되지 않을 수 있다. 물론, 제2 표시영역(DA2)에 위치한 보조 부화소(Pa)에 신호를 공급하기 위해 연결된 신호선들 중 일부는 투과부(TA)를 가로지르도록 배치될 수 있다.
이하에서는 도 9를 참조하여, 하나의 보조 부화소(Pa)에 대하여 보다 자세히 설명한다. 도 9를 참조하면, 하나의 부화소(Pa)는 화소회로부(PC) 및 화소회로부(PC)에 전기적으로 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다.
일 예로, 화소회로부(PC)는, 복수의 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터들(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 방향(도 10의 x)으로 연장된 배선들(SL-1, SL, SL+1, EL, VL1, VL2, HL) 및 제1 방향(도 10의 x)과 수직한 제2 방향(도 10의 y)으로 연장된 데이터선(DL)과 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
제1 방향으로 연장된 배선들(SL-1, SL, SL+1, EL, VL1, VL2, HL)은, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 제1 스캔선(SL-1), 스캔신호(Sn)를 전달하는 제2 스캔선(SL), 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)에 스캔신호(Sn)를 전달하는 제3 스캔선(SL+1), 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광 제어선(EL), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)에 초기화전압(Vint)을 전달하는 제1 초기화전압선(VL1), 제2 초기화 박막 트랜지스터(T7)에 초기화전압(Vint)을 전달하는 제2 초기화전압선(VL2)과 스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)을 이루는 전극전압라인(HL)을 포함할 수 있다.
데이터선(DL)은 제2 스캔선(SL)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달 스위칭 박막트랜지스터(T2)로 전달하며, 구동전압선(PL)은 전극전압라인(HL)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달한다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(G2)은 제2 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압선(PL)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 제2 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 제2 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 제2 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 게이트전극(G4)은 제1 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 소스전극(S4)은 제1 초기화전압선(VL1)에 연결되어 있으며, 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1 초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 제1 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 구동전압선(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7) 및 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 메인 유기발광소자(OLED)에 전달되어 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 한다.
제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 게이트전극(G7)은 제3 스캔선(SL+1)에 연결되어 있고, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 메인 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2 초기화 드레인전극(D7)은 제2 초기화전압선(VL2)에 연결되어 있다. 한편, 제1 초기화전압선(VL1)과 제2 초기화전압선(VL2)은 제1 연결선(CL1)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 동일한 초기화전압(Vint)이 인가될 수 있다.
한편, 제2 스캔선(SL)과 제3 스캔선(SL+1)은 제2 연결선(CL2)에 의해 서로 전기적으로 연결됨으로써, 동일한 스캔신호(Sn)가 인가될 수 있다. 따라서, 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)는 제3 스캔선(SL+1)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시키는 동작을 수행할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)은 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광소자(OLED)의 공통전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광소자(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
한편, 도 9에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1 초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다.
이하에서는 도 10을 참조하여 화소회로(PC)의 구조를 보다 상세히 설명한다.
구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)는 반도체층(1130)을 따라 배치되며, 반도체층(1130)의 일부 영역들은, 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)의 반도체층들을 이룰 수 있다.
반도체층(1130) 상에는 제1 게이트절연층(도 5의 112)이 위치하며, 제1 게이트절연층(도 5의 112) 상에는 제1 스캔선(SL-1), 제2 스캔선(SL), 제3 스캔선(SL+1) 및 발광 제어선(EL)이 위치할 수 있다.
한편, 제2 스캔선(SL) 중 스위칭 및 보상 박막트랜지스터(T2, T3)의 채널영역들과 중첩하는 영역은 각각 스위칭 및 보상 게이트전극(G2, G3)이 되고, 제1 스캔선(SL-1) 중 제1 초기화 구동 박막트랜지스터(T4)의 채널영역들과 중첩하는 영역이 제1 초기화 게이트전극(G4)이 되며, 제3 스캔선(SL+1) 중 제2 초기화 구동 박막트랜지스터(T7)의 채널영역과 중첩하는 영역이 제2 초기화 게이트전극(G7)이 되고, 발광 제어라인(EL) 중 동작제어 및 발광제어 구동박막트랜지스터(T5, T6)의 채널영역들과 중첩하는 영역이 각각 동작제어 및 발광제어 게이트전극(G5, G6)일 수 있다.
제1 스캔선(SL-1), 제2 스캔선(SL), 제3 스캔선(SL+1) 및 발광 제어선(EL) 상에는 제2 게이트절연층(도 5의 113)이 구비되고, 제2 게이트절연층(도 5의 113) 상에는 전극전압라인(HL), 제1 초기화전압선(VL1) 및 제2 초기화전압선(VL2)이 배치될 수 있다. 전극전압라인(HL)은 구동 게이트전극(G1)의 적어도 일부를 커버하며, 구동 게이트전극(G1)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)과 일체(一體)로 형성될 수 있다. 예컨대, 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)으로의 기능을 수행할 수 있다. 전극전압라인(HL) 중 구동 게이트전극(G1)과 중첩하는 영역은 스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)이 될 수 있다. 따라서, 제2 게이트절연층(도 5의 113)은 스토리지 커패시터(Cst)의 유전체층의 기능을 할 수 있다.
전극전압라인(HL), 제1 초기화전압선(VL1) 및 제2 초기화전압선(VL2) 상에는 층간절연층(도 5의 115)이 위치하며, 층간절연층(도 5의 115) 상에는 데이터선(DL), 구동전압선(PL), 제1,2 초기화연결선들(1173a, 1173b), 노드연결선(1174) 및 접속메탈(1175)이 배치될 수 있다. 데이터선(DL), 구동전압선(PL), 노드연결선(1174) 및 접속메탈(1175)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 데이터선(DL), 구동전압선(PL), 노드연결선(1174) 및 접속메탈(1175)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
데이터선(DL)은 콘택홀(1154)을 통해 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스영역(S2)에 접속될 수 있다.
구동전압선(PL)은 층간절연층(도 5의 115)에 형성된 콘택홀(1158)을 통해 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)과 접속될 수 있다. 따라서, 전극전압라인(HL)은 구동전압선(PL)과 동일한 전압 레벨(정전압)을 가질 수 있다. 또한, 구동전압선(PL)은 콘택홀(1155)을 통해 동작제어 드레인전극(D5)에 접속될 수 있다.
제1 초기화전압선(VL1)은 제1 초기화연결선(1173a)을 통해 제1 초기화 구동 박막트랜지스터(T4)에 연결되고, 제2 초기화전압선(VL2)은 제2 초기화연결선(1173b)을 통해 제2 초기화 구동 박막트랜지스터(T7)에 연결될 수 있다. 한편, 도 9에서 설명한 바와 같이 제1 초기화전압선(VL1)과 제2 초기화전압선(VL2)은 제1 연결선(CL1)에 의해 서로 전기적으로 연결되고 정전압(예컨대, -2V 등)을 가질 수 있다.
노드연결선(1174)의 일단은 콘택홀(1156)을 통해 보상 드레인전극(D3)에 연결되고, 타단은 콘택홀(1157)을 통해 구동 게이트전극(G1)에 접속할 수 있다.
접속메탈(1175)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 반도체층(A6)과 접속된다. 접속메탈(1175)을 통해서 발광제어 박막트랜지스터(T6)은 유기발광다이오드(도 9의 OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터선(DL), 구동전압선(PL), 제1,2 초기화연결선(1173a, 1173b), 노드연결선(1174) 및 접속메탈(1175) 상에는 평탄화층(도 5의 117)이 위치하며, 평탄화층(117) 상에 유기발광다이오드(도 9의 OLED)가 위치할 수 있다.
한편, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 연장된 배선들(SL-1, SL, SL+1, EL, VL1, VL2, HL, 이하 '제1 가로 배선들'이라고 한다)은 하나의 화소그룹(PG)을 가로지르며, 화소그룹(PG)에 포함된 복수의 보조 부화소(Pa)들에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(x)을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹(PG)들에 각각 포함된 제1 가로 배선들은, 두 개의 화소그룹(PG)들 사이에 배치되고 제1 방향(x)을 따라 연장된 연장배선들(1000)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 연장배선들(1000)의 개수는 제1 가로 배선들의 개수보다 적을 수 있다. 따라서, 인접한 화소그룹(PG)들 사이에서 제1 가로 배선들이 투과부(TA)를 가로지를 때보다 투과부(TA)에 배치된 배선의 개수가 감소하므로 투과부(TA)의 투과율이 향상될 수 있다. 연장배선들(1000)은 제1 가로 배선들 중 일부와 일체적으로 형성될 수 있다.
일 예로, 제1 가로 배선들 중 제1 초기화전압선(VL1)과 제2 초기화전압선(VL2)은 제1 연결선(CL1)에 의해 연결될 수 있다. 제1 연결선(CL1)은 제1 가로 배선들과 상이한 층에 위치할 수 있다. 일 예로, 제1 연결선(CL1)은 데이터선(DL) 및 구동전압선(PL)과 동일한 층에 위치할 수 있다. 제1 초기화전압선(VL1)과 제2 초기화전압선(VL2) 중 제2 초기화전압선(VL2)만 투과부(TA)로 연장되어 제4 연장배선(1004)을 이루게 된다. 한편, 도 11에서는 제1 연결선(CL1)이, 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 좌측에 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 연결선(CL1)은 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 우측에 위치하거나, 화소그룹(PG)의 좌측 및 우측에 배치될 수도 있다.
또한, 제2 스캔선(SL)과 제3 스캔선(SL+1)은 제2 연결선(CL2)에 의해 연결되어 동일한 스캔 신호를 인가 받을 수 있으며, 제3 스캔선(SL+1)만 투과부(TA)로 연장되어 제5 연장배선(1005)을 이룰 수 있다. 일 예로, 제2 연결선(CL2)은 제1 연결선(CL1)과 동일한 층 또는 상이한 층에 위치하되, 제1 연결선(CL1)과 제2 연결선(CL2)은 화소그룹(PG)을 기준으로 서로 반대측에 배치될 수 있다. 다른 예로, 제2 연결선(CL2)은 제1 연결선(CL1)과 동일한 측에 위치하거나, 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 양측에 배치될 수 있다.
따라서, 제1 연결선(CL1) 및 제2 연결선(CL2)의 위치에 따라, 도면을 기준으로, 화소그룹(PG)의 양측에서 연장배선들(1000)이 접속되는 콘택홀의 개수에 차이가 있을 수 있다.
한편, 제1 연장배선(1001)은 제1 스캔선(SL-1)과 일체적으로 형성되고, 제2 연장배선(1002)은 전극전압라인(HL)과 일체적으로 형성되며, 제3 연장배선(1003)은 발광 제어선(EL)과 일체적으로 형성될 수 있다. 따라서, 하나의 화소그룹(PG)을 가로지르는 7개의 제1 가로 배선들이 5개의 연장배선들(1000)과 연결되므로, 투과부(TA)에 배치되는 배선의 개수가 감소하여 투과부(TA)의 투과율이 향상될 수 있다.
한편, 연장배선들(1000)은 투과부(TA)에서 서로 인접하여 위치할 수 있다. 즉, 제2 방향(y)에 따른 연장배선들(1000)이 배치된 영역의 폭은 제2 방향(y)에 따른 제1 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작다. 따라서, 연장배선들(1000)이 투과부(TA)에서 넓게 분포된 경우에 비해, 컴포넌트(도 5의 20)에서 신호를 송수신할 때 연장배선들(1000)에 의한 간섭을 최소화할 수 있다.
또한, 도 12에 도시하는 바와 같이 연장배선들(1000) 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 연장배선(1001), 제3 연장배선(1003) 및 제5 연장배선(1005)은 제1 게이트절연층(112) 상에 위치하고, 제2 연장배선(1002)과 제4 연장배선(1004)은 제2 게이트절연층(113) 상에 위치할 수 있다. 또한, 인접한 연장배선들의 적어도 일부는 수직방향으로 서로 중첩하도록 위치할 수 있다. 따라서, 평면상에서 연장배선들(1000) 간의 간격이 감소하여, 투과부(TA)의 투과율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 연장배선들(1000) 중 어느 하나 이상은 층간절연층(115) 상 등과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다. 일 예로, 연장배선들(1000) 중 가운데 위치한 제3 연장배선(1003)은 층간절연층(115) 상에 위치하고, 콘택홀을 통해 발광 제어선(EL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 의해, 연장배선들(1000)이 배치된 영역이 더욱 감소함으로써, 투과부(TA)의 투과율은 더욱 향상될 수 있다.
한편, 제1 연장배선(1001)은 제1 스캔선(SL-1)과 일체적으로 형성되고, 제2 연장배선(1002)은 전극전압라인(HL)과 일체적으로 형성되며, 제3 연장배선(1003)은 발광 제어선(EL)과 일체적으로 형성될 수 있다. 제1 연장배선(1001)은 제1 스캔선(SL-1)과 다른 층에 위치하고, 콘택홀을 통해 제1 스캔선(SL-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 13은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들 및 투과부의 배열의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도, 도 14 및 도 15는 도 13의 하나의 화소그룹을 개략적으로 도시한 평면도들, 도 16은 도 14의 C 부분의 단면도, 그리고 도 17은 도 14의 IV-IV'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 제2 표시영역(DA2)은 복수의 화소그룹(PG)과 투과부(TA)를 포함할 수 있다.
도 13에서는 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg), 청색 부화소(Pb) 및 녹색 부화소(Pg)와, 이와 행(row)을 달리하여 평행하게 제1 방향(x)을 따라 배열된 청색 부화소(Pb), 녹색 부화소(Pg), 적색 부화소(Pr) 및 녹색 부화소(Pg)를 포함하여 보조 부화소(Pa)들이 펜타일형(pentile type)으로 배치된 것을 도시하고 있지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 화소그룹(PG)에 포함된 보조 부화소(Pa)의 개수나 배열 방식은 제2 표시영역(DA2)의 해상도에 따라 변형 설계될 수 있다.
투과영역(TA)은 화소그룹(PG)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 화소그룹(PG)들은 격자 형상으로 엇갈려 배치되고 화소그룹(PG)들 사이에 투과영역(TA)이 위치할 수도 있다.
투과영역(TA)에는 화소그룹(PG)들 사이에 위치하고 제1 방향(x)으로 연장된 복수의 연장배선들(1001 내지 1007)이 위치할 수 있다. 복수의 연장배선들(1001 내지 1007)은 하나의 화소그룹(PG)을 제1 방향(x)으로 가로지르는 제2 가로 배선들과 전기적으로 연결될 수 있다.
보조 부화소(Pa)들이 도 13에 도시된 펜타일형(pentile type)으로 배치된 경우, 제1 초기화전압선(VL1), 제1 스캔선(SL-1), 제2 스캔선(SL), 제1 전극전압라인(HL1), 제1 발광 제어선(EL1), 제2 초기화전압선(VL2) 및 제3 스캔선(SL+1)은 제1 행에 포함된 제1 보조 부화소(Pa1)를 제1 방향(x)으로 가로지르면서 제1 보조 부화소(Pa1)와 전기적으로 연결되고, 제2 초기화전압선(VL2), 제3 스캔선(SL+1), 제4 스캔선(SL+2), 제2 전극전압라인(HL2), 제2 발광 제어선(EL2), 제3 초기화전압선(VL3) 및 제4 스캔선(SL+3)은 제2 행에 포함된 제2 보조 부화소(Pa2)를 제1 방향(x)으로 가로지르면서 제2 보조 부화소(Pa2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 보조 부화소(Pa2)는 제2 방향(y)으로 제1 보조 부화소(Pa1)와 인접하게 배치될 수 있다.
한편, 제2 초기화전압선(VL2)과 제3 스캔선(SL+1)은 제1 보조 부화소(Pa1)와 제2 보조 부화소(Pa2)에 공유될 수 있다.
따라서, 제2 초기화전압선(VL2)은 제1 보조 부화소(Pa1)의 제2 초기화 박막 트랜지스터(도 9의 T7) 및 제2 보조 부화소(Pa2)의 제1 초기화 박막 트랜지스터(도 9의 T4)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제3 스캔선(SL+1)은 제2 보조 부화소(Pa2)의 제1 초기화 박막 트랜지스터(도 9의 T4)에 전기적으로 연결되어, 제3 스캔선(SL+1)으로 인가되는 스캔신호는 제2 보조 부화소(Pa2)의 제1 초기화 박막트랜지스터(도 9의 T4)에 이전 스캔신호로서 전달될 수 있다.
즉, 도 14에 있어서, 제1 방향(x)으로 연장되고 하나의 화소그룹(PG)을 가로지르는 제2 가로 배선들은 12개의 제1 초기화전압선(VL1), 제1 스캔선(SL-1), 제2 스캔선(SL), 제1 전극전압라인(HL1), 제1 발광 제어선(EL1), 제2 초기화전압선(VL2), 제3 스캔선(SL+1), 제4 스캔선(SL+2), 제2 전극전압라인(HL2), 제2 발광 제어선(EL2), 제3 초기화전압선(VL3) 및 제4 스캔선(SL+3)을 포함할 수 있다.
한편, 화소그룹(PG)들에 각각 포함된 제2 가로 배선들은 투과부(TA)에서 제1 방향(x)으로 연장된 연결배선들(1001 내지 1007)에 의해 전기적으로 연결되는데, 연장배선들(1001 내지 1007)의 개수는 제2 가로 배선들의 개수보다 적을 수 있으며, 연장배선들(1001 내지 1007)은 제1 가로 배선들 중 일부와 일체적으로 형성될 수 있다.
일 예로, 제2 가로 배선들 중, 앞서 설명한 제1 초기화전압선(VL1)과 제2 초기화전압선(VL2)은, 제1 연결선(CL1)에 의해 제2 행을 제1 방향(x)으로 가로지르는 제3 초기화전압선(VL3)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 초기화전압선(VL3)은 제2 보조 부화소(Pa2)의 제2 초기화 박막트랜지스터(도 9의 T7)으로 초기화전압을 인가할 수 있다. 한편, 일 예로, 제1 초기화전압선(VL1), 제2 초기화전압선(VL2) 및 제3 초기화전압선(VL3) 중 제2 초기화전압선(VL2)만 투과부(TA)로 연장되어 제4 연장배선(1004)을 이룰 수 있다. 한편, 도 14에서는 제1 연결선(CL1)이, 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 좌측에 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 도 15에서 도시하는 바와 같이, 도면을 기준으로 제1 연결선(CL1)은 화소그룹(PG)의 우측에 위치할 수 있다. 또한, 제1 연결선(CL1)은 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 양측에 배치될 수도 있다.
한편, 제1 연결선(CL1)은 제1 초기화전압선(VL1), 제2 초기화전압선(VL2) 및 제3 초기화전압선(VL3)과 다른 층 또는 같은 층에서 서로 접할 수 있다. 일 예로, 도 16은 도 14에서 제1 연결선(CL1)과 제1 초기화전압선(VL1)의 콘택부분(C)의 단면을 개략적으로 도시하는데, 도 16에서 도시하는 바와 같이, 제1 초기화전압선(VL1)은 제2 게이트절연층(113) 상에 위치하고, 제1 연결선(CL1)은 층간절연층(115) 상에 위치할 수 있다.
또한, 제2 스캔선(SL)과 제3 스캔선(SL+1)은 제2 연결선(CL2)에 의해 연결되어 동일한 스캔 신호를 인가 받을 수 있으며, 제3 스캔선(SL+1)만 투과부(TA)로 연장되어 제5 연장배선(1005)을 이룰 수 있다.
또한, 제2 행을 제1 방향(x)으로 가로지르는 제4 스캔선(SL+2)과 제5 스캔선(SL+3)은 제3 연결선(CL3)에 의해 연결되고, 제4 스캔선(SL+2)만 투과부(TA)로 연장되어 제7 연장배선(1007)을 이룰 수 있다.
한편, 도 14 및 도 15에서는 제2 연결선(CL2)과 제3 연결선(CL3)이, 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 우측에 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제2 연결선(CL2)과 제3 연결선(CL3)은 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 좌측에 위치하거나, 제2 연결선(CL2) 및 제3 연결선(CL3) 중 적어도 어느 하나는 화소그룹(PG)의 좌측 및 우측에 배치될 수도 있다.
또한, 제1 행을 제1 방향(x)으로 가로지르는 제1 발광 제어선(EL1)과 제2 행을 제1 방향(x)으로 가로지르는 제2 발광 제어선(EL2)은 제4 연결선(CL4)에 의해 연결되고, 제3 연장배선(1003)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 보조 부화소(Pa2)와 제2 보조 부화소(Pa2)에는 동일한 발광제어신호가 전달될 수 있다. 한편, 제3 연장배선(1003)은 제1 발광 제어선(EL1)이 연장되어 형성되거나, 또는 제1 발광 제어선(EL1)과 다른 층에 배치된 별도의 배선으로 구성될 수 있다. 한편, 도 14 및 도 15에서는 제4 연결선(CL4)이, 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 좌측에 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제4 연결선(CL4)은 도면을 기준으로 화소그룹(PG)의 우측에 위치하거나, 화소그룹(PG)의 양측에 배치될 수도 있다.
상술한 제1 연결선(CL1), 제2 연결선(CL2), 제3 연결선(CL3) 및 제4 연결선(CL4)은 제2 가로 배선들과 상이한 층에 위치할 수 있다. 일 예로, 제1 연결선(CL1), 제2 연결선(CL2), 제3 연결선(CL3) 및 제4 연결선(CL4)은 층간절연층(115) 상에 위치할 수 있다.
한편, 제1 연장배선(1001)은 제1 스캔선(SL-1)과 일체적으로 형성되고, 제2 연장배선(1002)은 제1 전극전압라인(HL1)과 일체적으로 형성되며, 제6 연장배선(1006)은 제2 전극전압라인(HL2)과 일체적으로 형성될 수 있다.
따라서, 하나의 화소그룹(PG)을 가로지르는 12개의 제2 가로 배선들이 7개의 연장배선들(1001 내지 1007)과 연결되므로, 투과부(TA)에 배치되는 배선의 개수가 감소하여 투과부(TA)의 투과율이 향상될 수 있다. 또한, 연장배선들(1001 내지 1007)은 화소그룹(PG)의 중앙부분에서 서로 인접하여 위치할 수 있다. 즉, 평면상에서, 제2 방향(y)을 따른 연장배선들(1001 내지 1007)이 배치된 영역의 폭은 제2 방향(y)을 따른 제2 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작으며, 그 결과 연장배선들(1001 내지 1007)이 투과부(TA)에서 넓게 분포된 경우에 비해, 컴포넌트(도 5의 20)에서 신호를 송수신할 때 연장배선들(1001 내지 1007)에 의한 간섭을 최소화할 수 있다.
또한, 도 15에 도시하는 바와 같이 연장배선들(1001 내지 1007) 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 연장배선(1001), 제3 연장배선(1003), 제5 연장배선(1005) 및 제7 연장배선(1007)은 제1게이트절연층(112) 상에 위치하고, 제2 연장배선(1002), 제4 연장배선(1004) 및 제6 연장배선(1006)은 제2게이트절연층(113) 상에 위치할 수 있다. 또한, 인접한 연장배선들의 적어도 일부는 수직방향으로 중첩하도록 위치할 수 있다. 따라서, 평면상에서 연장배선들(1001 내지 1007) 간의 간격이 감소하여, 투과부(TA)의 투과율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 연장배선들(1001 내지 1007) 중 어느 하나 이상은 층간절연층(115) 상 등과 같이 다양한 위치에 배치되어 다른 연장배선들(1001 내지 1007)과 중첩하여 위치할 수 있다.일 예로, 연장배선들(1001 내지 1007) 중 중앙부에 위치한 제3 연장배선(1003)은 층간절연층(115) 상에 위치하고, 콘택홀을 통해 제1 발광 제어선(EL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제3 연장배선(1003)은 인접한 다른 연장배선 예를 들어, 제1 연장배선(1001) 또는 제5 연장배선(1005)과도 중첩하여 위치할 수 있으므로, 연장배선들(1001 내지 1007)의 배치 영역이 더욱 감소할 수 있고, 그 결과 투과부(TA)의 투과율은 더욱 향상될 수 있다.
도 18과 도 20은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이고, 도 19는 도 18의 V-V'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 21은 도 20의 VI-VI'단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 18은 도 1의 제2 표시영역(도 1의 DA2)에 배치된 복수개의 보조 부화소(Pa)를 포함하는 하나의 화소그룹(PG)의 일 예를 도시하고 있다. 도 18을 참조하면, 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 행에 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)를 포함하고, 이들 보조 부화소(Pa)에는 각각 제2 방향(y)으로 연장된 데이터선(DL)과 연결될 수 있다.
데이터선(DL)은 서로 다른 높이에 위치하는 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)을 포함할 수 있다. 예를 들어 도 19에 도시된 바와 같이, 제1 데이터선(DL1)은 층간절연층(115) 상에 위치할 수 있다. 한편, 앞서 설명한 평탄화층(도 5의 117)은 제1 평탄화층(117a)과 제2 평탄화층(117b)을 포함할 수 있는데, 제1 평탄화층(117a)은 제1 데이터선(DL1)을 덮을 수 있다. 제2 데이터선(DL2)은 제1 평탄화층(117a) 상에 위치하며, 제2 평탄화층(117b)에 의해 덮일 수 있다. 이때, 앞서 설명한 화소전극(도 5의 221)은 제2 평탄화층(117b) 상에 위치할 수 있다.
이처럼, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)이 서로 다른 높이에 위치함에 따라, 평면상에서, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2) 간의 간격이 감소하고 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)이 조밀하게 배치될 수 있으므로, 제2 표시영역(도 1의 DA2)의 투과율이 향상될 수 있다.
도 20은 도 18과 동일하게 도 1의 제2 표시영역(도 1의 DA2)에 배치된 복수개의 보조 부화소(Pa)를 포함하는 하나의 화소그룹(PG)의 일 예를 도시하고 있다. 도 20을 참조하면, 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 행에 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)를 포함하고, 이들 보조 부화소(Pa)에는 각각 제2 방향(y)으로 연장된 데이터선(DL)이 연결될 수 있는데, 데이터선(DL)은 서로 다른 높이에 위치하는 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)을 포함할 수 있다. 일 예로, 도 21에 도시하는 바와 같이, 제1 데이터선(DL1)은 제1 게이트절연층(112) 상에 위치하고, 제2 데이터선(DL2)은 제2 게이트절연층(113) 상에 위치할 수 있다.
한편, 적색 부화소(Pr) 내의 데이터선(DLr), 녹색 부화소(Pg) 내의 데이터선(DLg) 및 청색 부화소(Pb) 내의 데이터선(DLb)은 층간절연층(115) 상에 위치하며, 이들은 콘택홀을 통해 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 22 및 도 23은 도 4의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 22를 참조하면, 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 행에 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)를 포함하고, 이들 보조 부화소(Pa)에는 각각 제2 방향(y)으로 연장된 데이터선(DL)과 연결될 수 있다.
데이터선(DL)은 서로 다른 높이에 위치하는 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)을 포함할 수 있고, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 도 18에서 도시하고 설명한 바와 같이 서로 다른 높이에 위치할 수 있다.
한편, 도 4에서 제2 표시영역(도 4의 DA2)은 제1 표시영역(도 4의 DA1)의 내측에 배치되는바, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에는 각각 메인 부화소들이 조밀하게 배치된다. 따라서, 도 22를 도 18과 비교할 때, 제1 데이터선(DL1) 및/또는 제2 데이터선(DL2) 중 일부는, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에 배치된 메인 부화소와 연결되기 위해 화소그룹(PG)을 우회하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 22에 도시하는 바와 같이, 도면을 기준으로 좌측부터 제1 데이터선(DL1), 제2 데이터선(DL2) 및 제1 데이터선(DL1)은 하나의 화소그룹(PG)에 포함된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)에 각각 전기적으로 연결되고, 다른 하나의 제2 데이터선(DL2)은 화소그룹(PG)을 우회하도록 형성될 수 있다.
도 23은 도 22와 동일하게 제2 표시영역(도 4의 DA2)이 제1 표시영역(도 4의 DA1)의 내측에 위치할 때의 제2 표시영역(도 4의 DA2)에 배치된 데이터선(DL)을 도시하고 있다. 도 23은 도 20과 동일하게 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)이 서로 다른 높이에 위치하고, 각각 콘택홀을 통해 적색 부화소(Pr) 내의 데이터선(DLr), 녹색 부화소(Pg) 내의 데이터선(DLg) 및 청색 부화소(Pb) 내의 데이터선(DLb)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 화소그룹(PG)에 연결되지 않은 추가의 제2 데이터선(DL2)은 화소그룹(PG)을 우회하도록 배치되어, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에 배치된 메인 부화소와 연결될 수 있다.
한편, 화소그룹(PG)을 우회하는 제2 데이터선(DL2)은 콘택홀을 통해 연결데이터선(DLe)와 연결될 수 있다. 연결데이터선(DLe)은 일 예로, 층간절연층(도 21의 115) 상에 위치할 수 있다. 이때, 연결데이터선(DLe)은 제1 연결선(도 11의 CL1), 제2 연결선(도 11의 CL2) 등과 중첩하지 않도록 배열될 수 있다.
도 24 및 도 25는 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들, 그리고 도 26 및 도 27은 도 4의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 일 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 24 내지 도 27은 각각 도 13과 동일하게 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg), 청색 부화소(Pb) 및 녹색 부화소(Pg)와, 이와 행(row)을 달리하여 평행하게 제1 방향(x)을 따라 배열된 청색 부화소(Pb), 녹색 부화소(Pg), 적색 부화소(Pr) 및 녹색 부화소(Pg)를 포함하여 보조 부화소(Pa)들이 펜타일형(pentile type)으로 배치된 것을 도시하고 있다.
이중 도 24와 도 25는 각각 도 18 및 도 20과 동일하게 화소그룹(PG)이 도 1의 제2 표시영역(도 1의 DA2)에 배치된 예를 도시한다.
도 24를 참조하면, 데이터선(DL)은 서로 다른 높이에 위치하고 서로 교번적으로 배치된 제1 데이터선(DL1), 제2 데이터선(DL2), 제1 데이터선(DL1) 및 제2 데이터선(DL2)이 제2 방향(y방향)으로 연장될 수 있다. 따라서, 평면상에서, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2) 간의 간격이 감소하고 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)이 조밀하게 배치될 수 있으므로, 제2 표시영역(도 1의 DA2)의 투과율이 향상될 수 있다.
도 25는 도 20과 동일하게 데이터선(DL)은 서로 다른 높이에 위치하는 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)을 포함하는데, 이들 데이터선(DL)은 콘택홀을 통해 화소그룹(PG) 내부의 데이터선들과 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 화소그룹(PG) 내부의 데이터선들은 층간절연층(도 21의 115) 상에 위치하고, 제1 데이터선(DL1)은 제1 게이트절연층(도 21의 112) 상에 위치하며, 제2 데이터선(DL2)은 제2 게이트절연층(도 21의 113) 상에 위치할 수 있다.
도 26과 도 27은 각각 도 22 및 도 23과 동일하게 화소그룹(PG)이 도 4의 제2 표시영역(도 4의 DA2)에 배치된 예를 도시한다. 즉, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에는 각각 메인 부화소들이 조밀하게 배치된다.
따라서, 도 26은 도 24에 비해, 제1 데이터선(DL1) 및/또는 제2 데이터선(DL2)이, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에 배치된 메인 부화소와 연결하기 위해 화소그룹(PG)을 우회하도록 추가적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 데이터선(DL) 중 네 개의 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 화소그룹(PG)에 전기적으로 연결되고, 나머지 네 개의 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 화소그룹(PG)을 우회하도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 서로 다른 높이에서 교번적으로 배치됨은 앞서 설명한 바와 동일하다.
도 27은 도 25에 비해, 제1 데이터선(DL1) 및/또는 제2 데이터선(DL2)이, 도면을 기준으로, 제2 표시영역(도 4의 DA2)의 상부와 하부에 배치된 메인 부화소와 연결되기 위해 화소그룹(PG)을 우회하도록 추가적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 데이터선(DL) 중 네 개의 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 화소그룹(PG)에 전기적으로 연결된다. 이때, 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 서로 다른 높이에서 교번적으로 배치되며, 콘택홀을 통해 화소그룹(PG) 내부의 데이터선들과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 일 예로, 화소그룹(PG) 내부의 데이터선들은 층간절연층(도 21의 115) 상에 위치하고, 제1 데이터선(DL1)은 제1 게이트절연층(도 21의 112) 상에 위치하며, 제2 데이터선(DL2)은 제2 게이트절연층(도 21의 113) 상에 위치할 수 있다.
도 27에서 화소그룹(PG)을 우회하는 나머지 네 개의 제1 데이터선(DL1)과 제2 데이터선(DL2)은 각각 제1 연결데이터선(DLe1)과 제2 연결데이터선(DLe2)에 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 제1 연결데이터선(DLe1)과 제2 연결데이터선(DLe2)은 층간절연층(도 21의 115) 상에 위치할 수 있으며, 제1 연결데이터선(DLe1)과 제2 연결데이터선(DLe2)은 제1 연결선(도 14의 CL1) 내지 제4 연결선(도 14의 CL4) 등과 중첩하지 않도록 배치될 수 있다.
도 28 내지 도 30은 도 1의 제2 표시영역에 배치된 부화소들의 배치의 예를 개략적으로 도시한 평면도들이다.
도 28을 참조하면, 복수의 화소그룹(Pg)들 사이에 투과부(TA)가 배치될 수 있고, 투과부(TA)는 일체로 연결된 구조를 가질 수 있다. 복수의 화소그룹(Pg)들 각각은 제1 방향(x)을 따라 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg), 청색 부화소(Pb) 및 녹색 부화소(Pg)와, 이와 행(row)을 달리하여 평행하게 제1 방향(x)을 따라 배열된 청색 부화소(Pb), 녹색 부화소(Pg), 적색 부화소(Pr) 및 녹색 부화소(Pg)를 포함하여 보조 부화소(Pa)들을 포함할 수 있다.
제2 표시영역(DA2)이 도 28의 화소 배치를 갖는 경우, 제2 표시영역(DA2)의 해상도는 제1 표시영역(도 1의 DA1)의 1/4일 수 있다.
한편, 서로 이격되어 배치된 복수의 화소그룹(Pg)들은 제1 방향(x방향)으로 연장된 연장배선들(1000)과 제2 방향(y방향)으로 연장된 데이터선(DL)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 연장배선들(1000)은 화소그룹(PG)의 중앙부분에서 서로 밀집하여 위치하고, 데이터선(DL)들 역시 조밀하게 배치될 수 있다. 그 결과 연장배선들(1000)과 데이터선(DL)들이 투과부(TA)에서 넓게 분포된 경우에 비해, 투과부(TA)의 투과율이 향상되며 컴포넌트(도 5의 20)에서 신호를 송수신할 때 연장배선들(1000) 및 데이터선(DL)들에 의한 간섭을 최소화할 수 있다.
도 29 및 도 30은 각각 하나의 화소그룹(PG)이 제1 방향(x)을 따라 하나의 행에 배열된 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg) 및 청색 부화소(Pb)를 포함하고, 이들 화소그룹(PG)들은 제1 방향(x방향)으로 연장된 연장배선들(1000)과 제2 방향(y)으로 연장된 데이터선(DL)들에 의해 전기적으로 연결된 예를 도시하고 있다. 이때, 연장배선들(1000)과 데이터선(DL)들이 조밀하게 배치되어 제2 표시영역(DA2)의 투과율이 향상될 수 있다. 한편, 도 29는 화소그룹(PG)들이 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)을 따라 이격되되, 격자 패턴을 이루는 예를 도시하고 있고, 도 30은 화소그룹(PG)들이 제1 방향(x방향) 및 제2 방향(y방향)을 따라 이격되지만, 제1 방향(x방향)을 따라 지그재그 패턴을 가지는 예를 도시하고 있지만, 도 29 및 도 30의 화소 배치를 갖는 경우, 제2 표시영역(DA2)의 해상도는 제1 표시영역(도 1의 DA1)의 3/8일 수 있다.
이 외에, 제2 표시영역(DA2)에는 다양한 방식으로 화소들이 배치될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 메인 부화소들을 포함하는 제1 표시영역;
    서로 이격된 화소그룹들과 상기 화소그룹들 사이의 투과부를 포함하며, 상기 제1 표시영역과 상이한 해상도를 가지는 제2 표시영역; 및
    상기 화소그룹들 중 제1 방향을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹들 사이에 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 연장된 연장배선들;을 포함하고,
    상기 화소그룹들 각각은, 복수의 보조 부화소들 및 상기 복수의 보조 부화소들과 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 가로배선들을 포함하고,
    상기 연장배선들은, 상기 두 개의 화소그룹들 각각에 포함된 상기 가로배선들과 전기적으로 연결되며, 상기 연장배선들의 개수는 상기 가로배선들의 개수보다 적은 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연장배선들 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치하는 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    평면상에서, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따른 상기 연장배선들이 배치된 영역의 폭은 상기 제2 방향을 따른 상기 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작은 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 보조 부화소들 각각은, 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 포함하고,
    상기 화소회로는, 상기 디스플레이 소자로 구동전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 제1 초기화 박막 트랜지스터 및 상기 디스플레이 소자의 화소전극을 초기화시키는 제2 초기화 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 전달하는 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화 박막 트랜지스터로 상기 초기화전압을 전달하는 제2 초기화전압선을 포함하고,
    상기 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화전압선은 제1 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화소회로는, 데이터신호를 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 소스전극으로 전달하는 스위칭 박막트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막트랜지스터에 이전 스캔신호를 전달하는 제1 스캔선, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 스위칭 게이트전극에 전기적으로 연결된 제2 스캔선 및 상기 제2 초기화 박막트랜지스터의 제2 초기화 게이트전극에 전기적으로 연결된 제3 스캔선을 더 포함하고,
    상기 제2 스캔선과 상기 제3 스캔선은 제2 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결되어 동일한 스캔신호가 인가되는 디스플레이 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 연결선 및 상기 제2 연결선 중 적어도 어느 하나는 상기 가로배선들과 상이한 층에 위치한 디스플레이 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 화소그룹들 각각은, 상기 복수의 보조 부화소들이 상기 제1 방향을 따라 배열된 제1 행과 제2 행을 포함하고,
    상기 제1 행에 포함된 제1 보조 부화소와 상기 제2 행에 포함된 제2 보조 부화소는 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 인접하게 배치되며,
    상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에서 공유되는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제2 보조 부화소의 제1 초기화 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 가로배선들은, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르고, 상기 제2 보조 부화소의 제2 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 인가하는 제3 초기화전압선을 더 포함하고,
    상기 제3 초기화전압선은 상기 제1 연결선과 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제1 발광 제어선과, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제2 발광 제어선을 더 포함하고,
    상기 제1 발광 제어선과 상기 제2 발광 제어선은 서로 전기적으로 연결되어 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에는 동일한 발광제어신호가 전달되는 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표시영역은 상기 제1 표시영역에 의해 둘러싸인 디스플레이 장치.
  12. 서로 해상도가 상이한 제1 표시영역과 제2 표시영역을 구비하는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 패널의 상기 제2 표시영역에 대응하도록 배치된 전자요소;를 포함하고,
    상기 디스플레이 패널은,
    기판;
    상기 제1 표시영역에서, 상기 기판 상에 배치된 메인 부화소들;
    상기 제2 표시영역에서, 상기 기판 상에 배치되고 서로 이격된 화소그룹들; 및
    상기 화소그룹들 중 제1 방향을 따라 서로 인접한 두 개의 화소그룹들 사이에 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 연장된 연장배선들;을 포함하고,
    상기 화소그룹들 각각은, 복수의 보조 부화소들 및 상기 복수의 보조 부화소들과 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 가로배선들을 포함하고,
    상기 연장배선들은, 상기 두 개의 화소그룹들 각각에 포함된 상기 가로배선들과 전기적으로 연결되며,
    평면상에서, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따른 상기 연장배선들이 배치된 영역의 폭은 상기 제2 방향을 따른 상기 가로배선들이 배치된 영역의 폭보다 작은 디스플레이 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 연장배선들 중 인접한 두 개의 연장배선들은 서로 다른 층에 위치하는 디스플레이 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 보조 부화소들 각각은, 화소회로 및 상기 화소회로와 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 포함하고,
    상기 화소회로는, 상기 디스플레이 소자로 구동전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 게이트전극의 전압을 초기화시키는 제1 초기화 박막 트랜지스터 및 상기 디스플레이 소자의 화소전극을 초기화시키는 제2 초기화 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 전달하는 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화 박막 트랜지스터로 상기 초기화전압을 전달하는 제2 초기화전압선을 포함하고,
    상기 제1 초기화전압선과 상기 제2 초기화전압선은 제1 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 화소회로는, 데이터신호를 상기 구동 박막트랜지스터의 구동 소스전극으로 전달하는 스위칭 박막트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 초기화 박막트랜지스터에 이전 스캔신호를 전달하는 제1 스캔선, 상기 스위칭 박막트랜지스터의 스위칭 게이트전극에 전기적으로 연결된 제2 스캔선 및 상기 제2 초기화 박막트랜지스터의 제2 초기화 게이트전극에 전기적으로 연결된 제3 스캔선을 더 포함하고,
    상기 제2 스캔선과 상기 제3 스캔선은 제2 연결선에 의해 서로 전기적으로 연결되어 동일한 스캔신호가 인가되는 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 화소그룹들 각각은, 상기 복수의 보조 부화소들이 상기 제1 방향을 따라 배열된 제1 행과 제2 행을 포함하고,
    상기 제1 행에 포함된 제1 보조 부화소와 상기 제2 행에 포함된 제2 보조 부화소는 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 서로 인접하게 배치되며,
    상기 제2 초기화전압선과 상기 제3 스캔선은, 상기 제2 보조 부화소의 제1 초기화 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 가로배선들은, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르고, 상기 제2 보조 부화소의 제2 초기화 박막 트랜지스터로 초기화전압을 인가하는 제3 초기화전압선을 더 포함하고,
    상기 제3 초기화전압선은 상기 제1 연결선과 전기적으로 연결된 디스플레이 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 가로배선들은, 상기 제1 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제1 발광 제어선과, 상기 제2 행을 상기 제1 방향으로 가로지르는 제2 발광 제어선을 더 포함하고,
    상기 제1 발광 제어선과 상기 제2 발광 제어선은 서로 전기적으로 연결되어 상기 제1 보조 부화소와 상기 제2 보조 부화소에는 동일한 발광제어신호가 전달되는 디스플레이 장치.
  19. 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연장배선들의 개수는 상기 가로배선들의 개수보다 적은 디스플레이 장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 전자요소는 촬상소자를 구비하는 디스플레이 장치.
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