KR20210070461A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210070461A
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는, 표시요소; 상기 표시요소 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되는 센싱전극들; 상기 센싱전극들 상에 상기 센싱전극들에 대응하여 배치된 차광층을 포함하고, 상기 봉지층은, 상기 발광층에 대응하는 제1 개구를 포함하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층을 커버하는 제1 굴절층을 포함할 수 있다. 그 외에 다양한 실시예들이 가능하다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 다양한 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 표시 장치는 두께가 얇아지고 무게가 가벼워져 사용 범위가 광범위해지고 있는 추세이며, 표시 장치가 다양한 분야에 활용됨에 따라 고품질의 이미지를 제공하는 표시 장치의 수요가 증가하고 있다.
표시 장치는 외부에 이미지를 출력하기 위하여 소정의 색상의 빛을 방출하는 화소들을 포함할 수 있다. 표시 장치는 화소의 주요 구성을 보호하거나 표시 장치에 소정의 기능을 부가하기 위하여 일부 구성요소들을 구비할 수 있으며, 그에 따라 각 화소로부터 방출된 빛은 그 효율이 저하될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들은 출광 효율이 개선된 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는, 표시요소; 상기 표시요소 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되는 센싱전극들; 상기 센싱전극들 상에 상기 센싱전극들에 대응하여 배치된 차광층을 포함하고, 상기 봉지층은, 상기 발광층에 대응하는 제1 개구를 포함하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층을 커버하는 제1 굴절층을 포함할 수 있다.
상기 제1 굴절층은 상기 제1 유기층보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
상기 봉지층은, 제1 무기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하고, 상기 제1 유기층 및 상기 제1 굴절층은, 상기 제1 무기봉지층과 상기 제2 무기봉지층 사이에 개재될 수 있다.
상기 제1 개구는, 상기 제1 무기봉지층의 상면에 대해 경사진 측면을 포함할 수 있다.
상기 제1 굴절층은 유기봉지층을 포함할 수 있다.
상기 차광층 상에, 상기 발광층이 방출하는 빛의 파장대역에 대응하는 컬러필터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 굴절층은 상기 발광층이 방출하는 빛의 파장대역에 대응하는 컬러필터를 포함할 수 있다.
상기 차광층은 블랙 안료를 포함할 수 있다.
상기 화소전극의 에지를 커버하며, 상기 화소전극과 중첩하는 제2 개구를 갖는 화소정의막을 더 포함하고, 상기 제1 개구의 폭은 상기 제2 개구의 폭보다 크거나 같을 수 있다.
상기 제1 개구는 상기 제1 유기층의 저면과 상면을 관통할 수 있다.
상기 제1 유기층은, 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.7 이상 1.9 이하일 수 있다.
상기 센싱전극들의 상부 또는 하부에 배치되며, 상기 발광층에 대응하는 제3 개구를 포함하는 제2 유기층; 및 상기 차광층과 상기 제2 유기층을 커버하는 제2 굴절층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 굴절층은 상기 제2 유기층보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
상기 제2 굴절층은 컬러필터를 포함할 수 있다.
상기 제3 개구의 폭은 상기 제1 개구의 폭보다 크거나 같을 수 있다.
상기 제2 유기층은 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상기 센싱전극들은 메쉬 형상을 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 적어도 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 기판; 상기 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소; 상기 표시요소를 커버하는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되며, 센싱전극들을 포함하는 입력감지층; 상기 입력감지층 상에 배치된 차광층; 및 상기 표시요소와 상기 입력감지층 사이에 개재된 광학층을 포함하고, 상기 광학층은, 상면에 상기 발광층에 대응하여 오목한 면을 포함하는 제1 유기층; 및 상기 제1 유기층을 커버하며 상기 제1 유기층보다 큰 굴절률을 갖는 제1 굴절층을 포함할 수 있다.
상기 제1 굴절층은 컬러필터를 포함할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따르면, 출광 효율이 개선된 표시 장치를 제공할 수 있으며, 특히 표시 장치의 공정을 단순화하여 제조 비용을 절감하거나 보다 슬림한 형태로 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 화소에 구비된 표시요소 및 그에 연결된 화소회로를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기능층의 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 VI 부분을 확대한 평면도이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 "A"이거나, "B"이거나, "A 및 B"인 경우를 포함할 수 있다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 "A"이거나, "B"이거나, "A 및 B"인 경우를 포함할 수 있다. 또한, "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"는 "A"이거나, "B"이거나, "C"이거나, "A 및 B 중 적어도 하나"이거나, "A 및 C 중 적어도 하나"이거나, "B 및 C 중 적어도 하나"이거나, "A, B, 및 C"인 경우를 포함할 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있다.
제1 영역(A1)은 화소들이 배치된 영역으로 정의될 수 있다. 표시 장치(10)는 제1 영역(A1)에 배치된 복수의 화소들로부터 방출되는 빛을 이용하여, 소정의 이미지 정보를 제공할 수 있다. 예컨대 제1 영역(A1)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 적어도 둘러싸는 형태로 배치될 수 있다. 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)에 배치된 화소들에 전기적 신호를 제공하는 회로 구성들이 배치된 영역을 포함할 수 있다.
도 1에서는 제1 영역(A1)이 실질적으로 사각형 형태인 제2 영역(A2)의 일측(우상측)에 배치된 것을 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다.
예컨대 다른 실시예로서, 표시 장치(10)는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL 표시 장치)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다.
예를 들어, 표시 장치(10)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 또는 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
전술한 표시 장치(10)는 휴대폰(mobile phone), 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 종류의 전자 기기일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 제1 영역(A1)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함할 수 있다.
화소(P)는 외부로 빛을 방출할 수 있는 표시요소를 포함하며, 표시요소는 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2는 표시 장치(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있으며, 본 발명에서 기판(100)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
제2 영역(A2)에는 스캔라인(SL)을 통해 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 구동회로(1100), 데이터라인(DL)을 통해 각 화소(P)에 구비된 표시요소에 데이터신호를 제공하는 데이터 구동회로(1200)가 배치될 수 있다. 도 2에는 도시되지 않았지만, 제2 영역(A2)에는 제1 및 제2 전원전압을 제공하기 위한 제1 및 제2 전원배선들이 배치되며, 각 화소(P)들과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 데이터 구동회로(1200)가 기판(100) 상에 배치된 구조를 도시하나, 다른 실시예로서 데이터 구동회로(1200)는 표시 장치(10)의 일 측에 별도로 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 화소(P)에 구비된 표시요소 및 그에 연결된 화소회로(PC)를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 표시요소로서 도시된 유기발광다이오드(OLED)는, 화소회로(PC)에 연결될 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 3은 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 또는 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 2의 IV- IV'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에는 표시층(200)이 배치되며, 표시층(200) 상에는 표시층(200)을 커버하는 봉지층(300)이 배치될 수 있다. 또한, 봉지층(300) 상에는 기능층(400)이 배치될 수 있다.
기판(100)은 고분자 수지 또는 글래스재를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 표시층(200)은 복수의 표시요소들을 포함하는 표시요소층(220) 및 표시요소들 각각에 연결된 화소회로들을 포함하는 화소회로층(210)을 포함할 수 있다.
표시요소층(220)에 구비된 각각의 표시요소는 화소를 정의할 수 있다.
화소회로층(210)은 복수의 트랜지스터들 및 스토리지 커패시터들을 포함할 수 있다.
봉지층(300)은 표시층(200) 상에 배치된다. 봉지층(300)은 표시요소들이 수분과 같은 외부 이물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 광학층을 포함할 수 있다. 예컨대 봉지층(300)은 제1 무기봉지층, 제2 무기봉지층, 및 이들 사이에 개재된 광학층을 포함할 수 있다.
기능층(400)은 봉지층(300) 상에 배치될 수 있다. 기능층(400)은 터치 입력을 센싱하는 입력감지층을 포함하며, 기능층(400)에 포함된 절연층들은 표시요소들에서 방출된 빛의 출광 효율을 향상시키기 위한 구조를 포함할 수 있다. 기능층(400)은 터치 입력을 센싱하기 위하여 센싱전극들을 구비할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기능층(400)의 평면도로서, 기능층에 포함된 터치 전극들을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5의 VI 부분을 확대한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 기능층(400)은 제1방향(예: x방향)을 따라 배열된 복수의 제1센싱전극(SP1)들, 및 제1방향에 교차하는 제2방향(예: y방향)을 따라 배열된 복수의 제2센싱전극(SP2)들을 포함할 수 있다. 예컨대 제1방향과 제2방향은 수직으로 교차할 수 있다.
이웃하는 제1센싱전극(SP1)들은 제1연결전극(CP1)을 통해 서로 전기적으로 연결되며, 이웃하는 제2센싱전극(SP2)들은 제2연결전극(CP2)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1센싱전극(SP1)들 및 제2센싱전극(SP2)들은 도전층을 포함할 수 있다. 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 예를 들어 금속층은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그 밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 탄소 나노튜브, 그래핀(graphene) 등을 포함할 수 있다.
제1연결전극(CP1)들 및 제2연결전극(CP2)들은 전술한 금속층 또는 투명도전층과 같은, 도전층을 포함할 수 있다. 제1연결전극(CP1)들 및 제2연결전극(CP2)들은 제1센싱전극(SP1)들 및 제2센싱전극(SP2)들과 동일 재료로 구성될 수 있다.
센싱전극들, 예컨대 제1센싱전극(SP1) 및 제2센싱전극(SP2)들은, 각각 복수의 개구들을 포함하는 메쉬 구조를 가질 수 있다. 예컨대 도 6a 또는 도 6b에서, 도전층(CTL)은 제1센싱전극(SP1)을 구성하는 요소일 수 있다.
도전층(CTL)은, 복수의 개구(CTL-OP)들과, 상기 개구(CTL-OP)들을 적어도 부분적으로 둘러싸며 각각의 개구(CTL-OP)를 정의하는 바디 부분들을 포함할 수 있다. 바디 부분들의 연결 구조는 메쉬 구조를 형성할 수 있다.
제2센싱전극(SP2), 제1연결전극(CP1), 및 제2연결전극(CP2) 역시, 도 6a 또는 도 6b에 도시된 제1센싱전극(SP1)과 유사하게 메쉬 구조를 가질 수 있다.
도 6a 또는 도 6b에 도시된 바와 같이, 도전층(CTL)의 각 개구(CTL-OP)는 각 화소(예: 도 2의 화소(P))의 발광영역과 중첩할 수 있다. 예컨대, 각각의 개구(CTL-OP)는 적색의 빛이 방출되는 발광영역(EA-R), 녹색의 빛이 방출되는 발광영역(EA-G), 또는 청색의 빛이 방출되는 발광영역(EA-B)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
개구(CTL-OP)는 도 6a에 도시된 바와 같이 도전층(CTL)의 바디 부분에 의해 전체적으로 둘러싸여 주변의 다른 개구(CTL-OP)들과 공간적으로 연결되어 있지 않을 수 있다. 반면, 도 6b에 도시된 바와 같이, 다른 실시예로서 복수의 개구(CTL-OP)들 중 적어도 일부는 도전층(CTL)의 바디 부분에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있으며, 이 경우 이웃하는 개구(CTL-OP)들은 서로 공간적으로 연결될 수도 있다.
기능층(400)은, 도전층(CTL)의 위 및/또는 아래에 배치되는 절연층(420)을 포함할 수 있다. 도 6a 또는 도 6b에 도시된 바와 같이 절연층(420)은 도전층(CTL)과 중첩할 수 있다. 절연층(420)은 유기층을 포함할 수 있다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 화소를 도시한 단면도로서, 도 6a의 VII-VII'선을 따라 절개한 단면에 대응할 수 있다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(100) 상에 배치된 화소를 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스재의 단일층일 수 있다. 또는 기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)과 게이트전극(GE)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연층(203)이 반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에 개재될 수 있다. 아울러 게이트전극(GE)의 상부에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 층간절연층(205)이 배치될 수 있으며, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전술한 층간절연층(205) 상에 배치될 수 있다. 무기물을 포함하는 절연층은 CVD 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다.
게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴 또는 알루미늄을 포함할 수 있고, 필요하다면 다층구조를 취할 수도 있다. 예컨대 게이트전극(GE)은 몰리브덴의 단일층이거나, 몰리브덴층, 알루미늄층 및 몰리브덴층을 포함하는 3층 구조일 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄 또는 알루미늄을 포함할 수 있고, 필요하다면 다층 구조를 취할 수도 있다. 예컨대 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄층, 알루미늄층 및 티타늄층을 포함하는 3층 구조일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)와 기판(100) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 버퍼층(201)이 개재될 수 있다. 버퍼층(201)은 기판(100)의 상면의 평활성을 높이거나 기판(100) 등으로부터의 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 상에는 평탄화절연층(207)이 배치될 수 있다. 평탄화절연층(207)은 예컨대 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 도 7에서는 평탄화절연층(207)이 단층으로 도시되어 있으나, 평탄화절연층(207)은 다층일 수 있다.
화소전극(221)은 평탄화절연층(207) 상에 배치될 수 있다. 화소전극(221)은 각각의 화소마다 배치될 수 있다. 예컨대 이웃한 화소들 각각에 대응하는 화소전극(221)들은 상호 이격되어 배치될 수 있다.
화소전극(221)은 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(221)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(221)은 ITO층, Ag층, ITO층의 3층 구조일 수 있다.
화소전극(221) 상에는 화소정의막(209)이 배치될 수 있다. 화소정의막(209)은 각 화소전극(221)의 중심부분을 노출하는 제2 개구(209OP)를 가질 수 있다. 화소정의막(209)은 화소전극(221)의 에지를 커버하며 화소전극(221)의 에지와 대향전극(223) 사이의 거리를 증가시켜, 화소전극(221)의 에지에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(209)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 또는, 화소정의막(209)은 무기 절연 물질로 형성될 수 있다. 또는, 화소정의막(209)은 무기 절연 물질과 유기 절연 물질을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
도시되지 않았지만, 화소정의막(209) 상에는 스페이서가 더 포함될 수 있다. 예를 들어 스페이서는 발광층(222b)을 형성하는 공정에서 사용되는 마스크에 의해 기판(100)과 스페이서 사이에 개재되는 층들이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 스페이서는 화소정의막(209)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
화소정의막(209)의 제2 개구(209OP)에는 발광층(222b)이 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 적색, 녹색 또는 적색의 빛을 방출할 수 있는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 전술한 유기물은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다.
발광층(222b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)이 배치될 수 있다. 제1기능층(222a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(222c)은 발광층(222b) 위에 배치되는 구성요소로서, 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(222c)은 선택적(optional)인 구성으로 예컨대 일부 실시예에서 제2기능층(222c)은 구비되지 않을 수 있다.
발광층(222b)이 화소정의막(209)의 제2 개구(209OP)에 대응하도록 각 화소마다 배치되는데 반해, 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)은 각각 후술할 대향전극(223)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록, 일체로 형성될 수 있다.
대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금을 포함할 수 있다.
봉지층(300)은, 적어도 하나의 무기봉지층 및 광학층을 포함할 수 있다. 예컨대 봉지층(300)은 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330)을 포함할 수 있으며, 이들 사이에 개재된 광학층을 포함할 수 있다. 봉지층(300)은 표시요소(OLED) 상에서 표시요소(OLED)를 커버하도록 배치될 수 있다.
광학층은, 발광층(222b)에 대응하여 제1 개구를 갖는 제1 유기층과 제1 유기층 상의 제1 굴절층을 포함할 수 있다. 제1 굴절층은 제1 유기층보다 상대적으로 큰 굴절률을 가질 수 있으며, 제1 유기층의 제1 개구를 채우며 제1 유기층 상에 배치될 수 있다.
이와 관련하여 도 7 및 도 8에서는, 일 실시예에 따른 광학층이 제1 유기층으로서 유기막층(510)을 포함하고 제1 굴절층으로서 유기봉지층(320)을 포함하는 구조를 도시하며, 도 9 및 도 10에서는 다른 실시예에 따른 광학층이 제1 유기층으로서 유기봉지층(320)을 포함하고, 제1 굴절층으로서 컬러필터층(460)을 포함하는 구조를 도시한다.
제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 선택된 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(310) 및 제2 무기봉지층(330)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 봉지층(300)은, 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330) 사이에 유기막층(510)과 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.
유기막층(510)은 발광층(222b)에 대응하는 위치에 제1 개구(510OP)를 포함할 수 있다. 유기막층(510)은 광 투과성 물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 유기물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium] 등으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
유기막층(510)은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 유기막층(510)의 상면에 구비된 제1 개구(510OP)는 포토 식각 공정을 통해 유기막층(510)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
제1 개구(510OP)는 제1 무기봉지층(310)의 상면에 대해 경사진 측면을 포함할 수 있다. 상기 측면은 제1 무기봉지층(310)의 상면에 대해 순방향으로 테이퍼진 경사면을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 무기봉지층(310)의 상면과 유기막층(510)의 측면 사이의 열각(minor angle, θ, 이하 경사각이라 함)은 적어도 70도 이상일 수 있다. 예컨대, 경사각(θ)은 70≤ θ <90 일 수 있다. 또는, 경사각(θ)은 70≤ θ ≤ 87 이거나, 70≤ θ ≤ 85 이거나, 70≤ θ ≤ 83 이거나, 70≤ θ ≤ 80 일 수 있다.
일 실시예에서, 유기막층(510)은 상면이 오목하게 라운드진 부분을 포함하는 오목면을 가질 수 있다. 제1 개구(510OP)는 유기막층(510) 상면의 오목면과 중첩될 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 개구(510OP)는 유기막층(510)의 저면과 상면을 관통하여 형성될 수 있다. 이 경우 유기막층(510)의 제1 개구(510OP)의 상면의 폭은 제1 개구(510OP)의 저면의 폭보다 작을 수 있다.
제1 개구(510OP)의 폭(W510)은 화소정의막(209)에 구비된 제2 개구(209OP)의 폭(W209)보다 크거나 같을 수 있다. 상기 제1 개구(510OP)의 폭(W510)은 유기막층(510)의 저면의 제1 개구(510OP)의 폭으로 정의될 수 있다. 또한 상기 제2 개구(209OP)의 폭(W209)은 화소에서 빛이 방출되는 발광 영역의 폭에 해당할 수 있다.
도시되지 않았으나, 다른 실시예에서 유기막층(510)은 유기막층(510)의 저면과 상면을 관통하는 제1 개구(510OP)를 구비하는 대신, 유기막층(510)의 저면을 관통하지 않을 수도 있다.
유기봉지층(320)은 제1 개구(510OP)를 채우며 유기막층(510) 상에 배치될 수 있다. 유기봉지층(320)은 유기막층(510)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기막층(510)의 굴절률은 1.3 이상 1.6 이하이고, 유기봉지층(320)의 굴절률은 1.7 이상 1.9 이하일 수 있다.
유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1 무기봉지층(310) 및/또는 제2 무기봉지층(330)의 내부 스트레스를 완화시킬 수 있다.
유기봉지층(320)은 고굴절 특성을 갖는 광 투과성 물질 또는 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 유기물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](TPBI), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8에서 광학층을 구성하는 유기막층(510) 및 유기봉지층(320)은, 발광층(222b)에서 방출되는 빛 중 측방향(예를 들어, z 방향 이외의 방향)으로 진행하는 빛의 경로를 변경하여, 대략적으로 전방인 z 방향으로 방출되도록 집광 역할을 할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 다른 실시예에 따른 봉지층(300)은, 제1 무기봉지층(310)과 제2 무기봉지층(330) 사이에 광학층으로서 유기봉지층(320)과 컬러필터층(460)을 포함할 수 있다.
유기봉지층(320)은 발광층(222b)에 대응하는 위치에 제1' 개구(320OP)를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 광 투과성 물질 또는 유기물질을 포함할 수 있으며, 상기 유기물질은 아크릴(acrylic), 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 및 Alq3[Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium] 등으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
유기봉지층(320)은 포토레지스트를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 포토 식각 공정을 통해, 제1' 개구(320OP)를 형성할 수 있다.
일 예로, 유기봉지층(320)은 상면에 순방향으로 테이퍼진 경사면을 포함할 수 있다. 제1' 개구(320OP)는 상기 유기봉지층(320) 상면에 구비된 경사면과 중첩할 수 있다.
다른 예로, 유기봉지층(320)은 상면에 오목하게 라운드진 부분을 포함하는 오목면을 포함할 수 있다. 제1' 개구(320OP)는 유기봉지층(320) 상면의 오목면과 중첩할 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 제1' 개구(320OP)는 유기봉지층(320)의 저면을 관통하지 않을 수 있다.
예컨대 제1' 개구(320OP)의 저면의 폭에 의해 정의되는 제1' 개구(320OP)의 폭(W320)은, 화소정의막(209)의 제2 개구(209OP)의 폭(W209)보다 크거나 같을 수 있다. 즉, 제1' 개구(320OP)의 폭(W320)은 발광 영역의 폭보다 크거나 같을 수 있다.
도 9 및 도 10에서, 유기봉지층(320) 상에는 컬러필터층(460)이 배치될 수 있다. 컬러필터층(460)은 제1' 개구(320OP)를 채우며 유기봉지층(320)을 커버할 수 있다.
상기 컬러필터층(460)은 유기봉지층(320)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어 유기봉지층(320)의 굴절률은 1.3 이상 1.6 이하일 수 있으며, 컬러필터층(460)의 굴절률은 1.7 이상 1.9 이하일 수 있다.
컬러필터층(460)은 발광층(222b)을 통해 방출되는 빛의 파장대역에 대응하는 컬러필터를 포함할 수 있다. 예를 들어 발광층(222b)에서 방출하는 빛이 적색광일 경우, 상기 발광층(222b)에 대응하여 형성된 제1' 개구(320OP)를 덮는 컬러필터층(460)은, 적색 컬러필터를 포함할 수 있다.
이러한 컬러필터층(460)은 전방인 z 방향으로 빛이 집광되도록 기능할 뿐 아니라, 방출되는 빛의 선명도를 향상시킬 수 있다.
컬러필터층(460)은, 예컨대, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-비스(2-메틸페닐)-아미노]-벤젠(o-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-벤젠(m-MTDAB), 1,3,5-트리스[N,N-비스(4-메틸페닐)-아미노]-벤젠(p-MTDAB), 4,4'－비스[N,N-비스(3-메틸페닐)-아미노]-디페닐메탄(BPPM), 4,4'－디카르바졸릴-1,1'－비페닐(CBP), 4,4',4''-트리스(N-카르바졸)트리페닐아민(TCTA), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠톨릴)트리스-[1-페닐-1H-벤조이미다졸](TPBI), 및 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-t-부틸페닐-1,2,4-트리아졸(TAZ)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다시, 도 7 내지 도 10을 참조하면, 봉지층(300) 상에는 기능층(400)이 더 배치될 수 있다.
기능층(400)은, 센싱전극들을 포함하는 도전층(CTL) 및 상기 도전층(CTL)의 상부 또는 하부에 배치된 절연층(420)을 포함하는, 입력감지층을 포함할 수 있다. 입력감지층은, 외부의 입력, 예를 들어 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층은, 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
도 7 내지 도 10에서는 도전층(CTL)이 절연층(420) 상에 배치된 구조가 도시되어 있으나, 도전층(CTL)은 절연층(420) 아래에도 배치될 수 있다. 예컨대 절연층(420) 아래의 도전층(CTL)은 절연층(420)에 형성된 콘택홀을 통해 절연층(420) 상의 도전층(CTL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도전층(CTL)과 봉지층(300) 사이에는 베이스층(410)이 개재될 수 있다. 베이스층(410)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있다. 다른 실시예에서, 베이스층(410)은 생략되고 도전층(CML)은 봉지층(300) 위에 바로 위치할 수 있다. 또한 다른 실시예로서, 베이스층(410)은 유기절연층일 수 있다.
전술한 도전층(CTL) 및 절연층(420)을 포함하는 입력감지층 상에는, 차광층(470)이 배치될 수 있다. 차광층(470)은 도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이 도전층(CTL), 예컨대 센싱전극들이 배치된 위치에 대응하여 도전층(CTL)을 적어도 일부 커버하도록 배치될 수 있다.
차광층(470)은 블랙 안료를 포함하며, 외광 또는 내부 반사광을 적어도 부분적으로 흡수하여 외광에 따른 표시 품질 저하를 방지할 수 있다. 표시 장치(10)는 차광층(470) 및/또는 컬러필터층(460)을 구비함에 따라 편광판을 생략할 수 있으며, 그에 따라 제조 비용을 절감하거나 표시 장치(10)의 두께를 축소할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 표시 장치(10)는 차광층(470) 상에 컬러필터층(460)을 더 포함할 수 있다.
컬러필터층(460)은 각 발광층(222b)에 대응하는 컬러필터를 포함할 수 있다. 예컨대 발광층(222b)은 각각 청색, 녹색, 또는 적색 중 어느 하나의 빛을 방출할 수 있으며, 컬러필터층(460)은 각 화소의 발광층(222b)이 방출하는 빛의 색에 따라, 청색, 녹색, 또는 적색 컬러필터를 포함할 수 있다. 예를 들어 특정 발광층(222b)에서 방출하는 빛의 색이 적색광일 경우, 상기 발광층(222b) 상의 컬러필터는 적색 파장대역에서 투과율이 높은 적색 컬러필터일 수 있다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 봉지층(300)에 컬러필터층(460)이 구비된 경우에는 차광층(470) 상에는 컬러필터층이 구비되지 않을 수 있다.
다시 도 7 내지 도 10에서, 차광층(470) 상에는 평탄화층(480)이 배치될 수 있다. 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 실시예와 같이 차광층(470) 상에 컬러필터층(460)이 배치될 경우 평탄화층(480)은 컬러필터층(460)의 상에서 컬러필터층(460)을 커버하도록 배치될 수 있다.
평탄화층(480)은 상면이 대략 평탄할 수 있으며, 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물을 포함할 수 있다.
도 8 및 도 10을 참조하면, 봉지층(300) 상에는, 발광층(222b)에 대응하여 제3 개구(420OP)를 갖는 제2 유기층과, 제2 유기층 상의 제2 굴절층을 포함하는 제2 광학층이 배치될 수 있다. 상기 제2 굴절층은 제2 유기층보다 큰 굴절률을 가질 수 있으며, 제2 유기층의 제3 개구(420OP)를 채우며 제2 유기층 상에 위치할 수 있다.
예컨대 도 8에서, 제2 유기층으로서 절연층(420)이 구비되고, 제2 굴절층으로서 컬러필터층(460)이 구비될 수 있다. 도 10에서는 제2 유기층으로서 절연층(420)이 구비되고, 제2 굴절층으로서 평탄화층(480)이 구비될 수 있다.
제3 개구(420OP)는 발광층(222b)이 배치된 위치에 대응하는 위치에 형성될 수 있으며, 제3 개구(420OP)의 폭(W420)은 화소정의막(209)의 제2 개구(209OP)의 폭(W209)보다 크거나 같을 수 있다.
한편 제3 개구(420OP)의 폭(W420)은, 제1 유기층으로서 도 8에 도시된 유기막층(510)의 제1 개구(510OP)의 폭(W510)보다 크거나 같을 수 있다. 또한, 제3 개구(420OP)의 폭(W420)은, 제1 유기층으로서 도 10에 도시된 유기봉지층(320)의 제1' 개구(320OP)의 폭(W320)보다 크거나 같을 수 있다.
제3 개구(420OP)는 포토 식각 공정을 통해 형성될 수 있으며, 제3 개구(420OP)의 형상은 제1 개구(510OP) 또는 제1' 개구(320OP)의 형상과 실질적으로 유사한 형태일 수 있다.
제2 굴절층, 예컨대 도 8의 컬러필터층(460) 또는 도 10의 평탄화층(480)은, 1.7 이상 1.9 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 제2 굴절층 아래의 제2 유기층, 예컨대 절연층(420)은 1.3 이상 1.6 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
도 8 및 도 10의 실시예에서 표시 장치(10)는 표시요소(OLED) 상에 둘 이상의 광학층을 포함함으로써 전방의 광 추출 효율을 보다 증대시킬 수 있으며, 전면 시인성이 향상될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 장치
100: 기판
200: 표시층
209OP: 제2 개구
209: 화소정의막
221: 화소전극
222b: 발광층
223: 대향전극
300: 봉지층
310: 제1 무기봉지층
320: 유기봉지층
320OP: 제1' 개구
330: 제2 무기봉지층
420OP: 제3 개구
460: 컬러필터층
470: 차광층
510OP: 제1 개구

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는, 표시요소;
    상기 표시요소 상에 배치되는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되는 센싱전극들;
    상기 센싱전극들 상에 상기 센싱전극들에 대응하여 배치된 차광층을 포함하고,
    상기 봉지층은,
    상기 발광층에 대응하는 제1 개구를 포함하는 제1 유기층, 및
    상기 제1 유기층을 커버하는 제1 굴절층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 상기 제1 유기층보다 큰 굴절률을 갖는, 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층은, 제1 무기봉지층 및 제2 무기봉지층을 포함하고,
    상기 제1 유기층 및 상기 제1 굴절층은, 상기 제1 무기봉지층과 상기 제2 무기봉지층 사이에 개재된, 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 개구는, 상기 제1 무기봉지층의 상면에 대해 경사진 측면을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 유기봉지층을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 차광층 상에, 상기 발광층이 방출하는 빛의 파장대역에 대응하는 컬러필터를 더 포함하는, 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 상기 발광층이 방출하는 빛의 파장대역에 대응하는 컬러필터를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광층은 블랙 안료를 포함하는, 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극의 에지를 커버하며, 상기 화소전극과 중첩하는 제2 개구를 갖는 화소정의막을 더 포함하고,
    상기 제1 개구의 폭은 상기 제2 개구의 폭보다 크거나 같은, 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 개구는 상기 제1 유기층의 저면과 상면을 관통하는, 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 유기층은, 포토레지스트를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 굴절층의 굴절률은 1.7 이상 1.9 이하인, 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱전극들의 상부 또는 하부에 배치되며, 상기 발광층에 대응하는 제3 개구를 포함하는 제2 유기층; 및
    상기 차광층과 상기 제2 유기층을 커버하는 제2 굴절층을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 상기 제2 유기층보다 큰 굴절률을 갖는, 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 굴절층은 컬러필터를 포함하는, 표시 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제3 개구의 폭은 상기 제1 개구의 폭보다 크거나 같은, 표시 장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 제2 유기층은 포토레지스트를 포함하는, 표시 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 센싱전극들은 메쉬 형상을 갖는, 표시 장치.
  19. 제1 영역 및 상기 제1 영역을 적어도 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 기판;
    상기 기판 상의 상기 제1 영역에 배치되며, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 발광층을 포함하는 표시요소;
    상기 표시요소를 커버하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되며, 센싱전극들을 포함하는 입력감지층;
    상기 입력감지층 상에 배치된 차광층; 및
    상기 표시요소와 상기 입력감지층 사이에 개재된 광학층을 포함하고,
    상기 광학층은,
    상면에 상기 발광층에 대응하여 오목한 면을 포함하는 제1 유기층; 및
    상기 제1 유기층을 커버하며 상기 제1 유기층보다 큰 굴절률을 갖는 제1 굴절층을 포함하는, 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 컬러필터를 포함하는, 표시 장치.
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