JP2019046175A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光取り出し効率の向上を目的とする。【解決手段】本開示にかかる表示装置は、第1の基板と、前記第1の基板の上方に配置された発光素子と、前記第1の基板の上方において前記発光素子の側方に配置されたバンクと、前記発光素子の上方に配置され、平面視において前記発光素子と重なる第1の絶縁層と、前記バンクの上方に配置され、平面視において前記バンクと重なり、前記第1の絶縁層の屈折率よりも低い屈折率を有する第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層の上方に配置され、平面視において前記第2の絶縁層と重なる電極を有するタッチセンサとを含む。【選択図】図2
Description
本発明は、表示装置に関する。
下記特許文献1は、表示装置を含んだモジュールを有する電子機器であって、当該表示装置の上方にタッチセンサを備える構造を開示している。
このようなタッチセンサには、一般的にタッチセンサ用電極として、酸化インジウムスズが使用されるが、抵抗値が大きく、タッチセンサの大型化につれて電極間の電流伝達速度が遅くなってしまう。そのため、抵抗値が小さい金属薄膜を微細加工し、金属細線により電極を構成する、所謂メタルメッシュ電極の開発が期待されている。
上記従来の構成においては、光の取り出し効率が悪いことが問題となっていた。即ち、タッチセンサに設けられた電極が、発光素子から発せられた光を遮ってしまうため、光の取り出し効率が悪くなってしまっていた。
(1)本開示に係る表示装置は、第1の基板と、前記第1の基板の上方に配置された発光素子と、前記第1の基板の上方において前記発光素子の側方に配置されたバンクと、前記発光素子の上方に配置され、平面視において前記発光素子と重なる第1の絶縁層と、前記バンクの上方に配置され、平面視において前記バンクと重なり、前記第1の絶縁層の屈折率よりも低い屈折率を有する第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層の上方に配置され、平面視において前記第2の絶縁層と重なる電極を有するタッチセンサと、を含む。
(2)上記(1)における表示装置において、前記電極が、平面視において前記第1の絶縁層と重ならない構成としてもよい。
(3)上記(1)〜(2)における表示装置において、前記電極の幅が、前記第2の絶縁層の幅以下である構成としてもよい。
(4)上記(1)〜(3)における表示装置において、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層は同一層内において形成された構成としてもよい。
(5)上記(4)における表示装置において、前記第1の絶縁層と前記発光素子との間、及び前記第2の絶縁層と前記バンクとの間には、第1の無機絶縁層が配置された構成としてもよい。
(6)上記(4)〜(5)における表示装置において、前記第1の絶縁層と前記タッチセンサとの間、及び前記第2の絶縁層と前記タッチセンサとの間には、第2の無機絶縁層が配置された構成としてもよい。
(7)上記(1)〜(6)における表示装置において、前記電極の断面形状は、略台形形状である構成としてもよい。
(8)上記(1)〜(7)における表示装置において、第1の絶縁層の屈折率と第2の絶縁層の屈折率との差が0.3より大きい構成としてもよい。
(9)上記(1)〜(8)における表示装置において、前記第2の絶縁層の比誘電率が3より小さい構成としてもよい。
(10)上記(1)〜(9)における表示装置において、前記第1の絶縁層の屈折率が1.75より大きい構成としてもよい。
以下、本実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」、「上方に」、「下に」、「下方に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図1は、本実施形態に係る表示装置100の斜視図である。表示装置100として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置100は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置100は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域DAを有する。また、表示装置100はタッチセンサ54を有し、タッチセンサ54は表示領域DAを覆うように設けられる。表示装置100は、第1の基板10を有する。第1の基板10には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ12が搭載され、外部との電気的接続のために図示しないフレキシブルプリント基板を接続してもよい。
図2は、図1に示す表示装置100のII−II線断面を一部省略して示す拡大図である。第1の基板10は、樹脂又はガラスからなり、ポリイミドやポリエチレンテレフタレート等の可撓性を有するフィルムであってもよい。第1の基板10には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなるアンダーコート層14が形成される。アンダーコート層14は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜等からなり、それらの積層構造であっても良い。アンダーコート層14の上には半導体層16が形成されている。半導体層16の上には半導体層16を覆うようにゲート絶縁膜22が形成されている。ゲート絶縁膜22の上にはゲート電極24が形成され、ゲート電極24を覆うよう層間絶縁膜26が形成されている。ソース電極18及びドレイン電極20は、ゲート絶縁膜22及び層間絶縁膜26を貫通し、半導体層16に電気的に接続されている。半導体層16、ソース電極18、ドレイン電極20及びゲート電極24によって薄膜トランジスタ28が構成される。薄膜トランジスタ28を覆うようにパッシベーション膜30が設けられている。
パッシベーション膜30の上には、平坦化層32が設けられている。平坦化層32の上には、複数の単位画素(サブピクセル)それぞれに対応するように構成された複数の画素電極34が設けられている。本実施形態においては、この複数の画素電極34が陰極(カソード)として構成されている。平坦化層32は、少なくとも画素電極34が設けられる面が平坦になるように形成される。平坦化層32としては、感光性アクリル樹脂等の有機材料が多く用いられる。画素電極34は、平坦化層32及びパッシベーション膜30を貫通するコンタクトホール36によって、半導体層16上のソース電極18及びドレイン電極20の一方に電気的に接続している。
平坦化層32及び画素電極34の上に、絶縁層38が形成されている。絶縁層38は、画素電極34の周縁部に載置され、画素電極34の一部(例えば中央部)を開口させるように形成されている。絶縁層38によって、画素電極34の一部を囲むバンクが形成される。
画素電極34上に発光層40が設けられている。発光層40は、画素電極34ごとに別々に分離して設けられ、その一部が絶縁層38の上にも載置されるよう設けられている。本実施形態においては、各画素に対応する青色、赤色、緑色のいずれか1色を、複数の発光層40のそれぞれが発光する構成としている。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄色、白色等が含まれてもよい。発光層40は、例えば、蒸着により形成される。なお、発光層40は、図1に示した表示領域DAを覆う全面に、複数の画素に亘るように形成してもよい。つまり、発光層40を絶縁層38の上で連続するように形成してもよい。発光層40を複数の画素に亘るように形成する場合は、全サブピクセルにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成になる。この場合、発光層40は溶媒分散による塗布により形成することが可能である。
発光層40の上には、対向電極42が設けられている。本実施形態において、対向電極42は陽極(アノード)であり、複数の単位画素にまたがる共通電極として構成されている。対向電極42は、バンクとなる絶縁層38の上にも配置される。発光層40並びに発光層40を挟む画素電極34及び対向電極42を含む発光素子44が構成される。複数の単位画素のそれぞれが発光素子44を有する。発光層40は、画素電極34及び対向電極42に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。図2において、平面視で、画素電極34、発光層40及び対向電極42が重なる部位が発光領域45となる。バンクの設けられた領域は非発光領域となる。発光層40と画素電極34との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層40と対向電極42との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。
発光素子44は、対向電極42に積層する封止層46によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層46は、一層で構成されていてもよく、複数層からなる積層構造であってもよい。本実施形態において、封止層46は、例えば、図2に示すように、窒化シリコン等からなる一対の第1の無機絶縁層48、第2の無機絶縁層50と、この第1の無機絶縁層48、第2の無機絶縁層50の間に設けられた、樹脂などの有機物からなる第1の絶縁層51、第2の絶縁層52を含む積層構造である。封止層46は、図1に示した表示領域DAを覆う。
ここで、第1の絶縁層51と第2の絶縁層52の配置関係について説明する。第1の絶縁層51は、発光素子44の上方に配置され、平面視において発光素子44と重なるよう配置されている。第2の絶縁層52は、発光素子44の側方に配置されたバンク38の上方に配置され、平面視においてバンク38と重なるよう配置されている。本実施形態において、第1の絶縁層51と第2の絶縁層52とは同一層内に形成されているが、第2の絶縁層52がバンク38の上方に形成されている分、第1の絶縁層51よりも厚みが薄くなっており、第2の絶縁層52の側面が、第1の絶縁層51の側面の一部と接している。
ここで、第1の絶縁層51の屈折率よりも、第2の絶縁層52の屈折率を低くしている。このような構成とすることにより、発光領域45において発光素子44から発せられた光の内、斜め方向に放射された光は、第1の絶縁層51と第2の絶縁層52との界面において反射されるため、バンク38の上方からではなく、発光素子44の上方から取り出される。
第2の絶縁層52としては、例えばポリイミドや、ポリノルボルネン、ポリアリルエーテルなど、比誘電率が3より小さい材料を用いることが望ましい。第1の絶縁層51としては、屈折率が1.75より大きい、光透過性の有機化合物を用いることが望ましく、第1の絶縁層51の屈折率と第2の絶縁層52の屈折率との差が、0.3より大きいことが望ましい。発光素子44から発せられた光の内、斜め方向に放射された光を、第1の絶縁層51と第2の絶縁層52との界面において反射させるためである。
このような第1の絶縁層51と第2の絶縁層52とを製造する方法としては、例えば、発光素子44を形成した後に、第1の無機絶縁層48の上面全体に第2の絶縁層52をインクジェットプリンティングにより形成する。その後、平面視において発光素子44と重なる領域のみ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチングにより第2の絶縁層52を除去する。その後、再度インクジェットプリンティングにより、第2の絶縁層52よりも高い屈折率を有する第1の絶縁層51を形成する。その後、CVD法などを用いて、第2の無機絶縁層50を形成する。
第1の絶縁層51、第2の絶縁層52の上方においては、タッチセンサ54を配置している。タッチセンサ54は、タッチセンサ基材90と電極56A、56Bを含んでおり、電極56A、56Bの間にタッチセンサ基材90が介在している。
タッチセンサ基材90は、樹脂、ガラス、シリコン等、絶縁性を有し、且つ透光性が高い材料からなる。樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVA、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂等を用いることができる。
電極56A、56Bには、例えば金、銅、銀、ニッケル、アルミ、モリブデンの群より選ばれた金属又は合金からなる金属細線を用いることができ、そのような金属細線により網目構造が形成されて、電極56A、56Bが構成されている。なお、タッチセンサ54の検出方式としては、例えば静電容量方式を採用することができ、電極56A、56Bを含む構成であれば、特に限定されない。
電極56A、56Bは、平面視において第2の絶縁層52と重なるように配置されている。なお、図3に示す例においては、電極56A、56Bの幅が、第2の絶縁層52の幅と同じとなる構成を示しているが、この電極56A、56Bの幅が、第2の絶縁層52の幅以下であればよい。即ち、電極56A、56Bが、平面視において第1の絶縁層51と重ならない構成としている。電極56Aと電極56Bのいずれか一方のみがある構成でも良く、また、電極56A,56Bが重なって配置されていなくても良い。
図4は、本実施形態に係る表示装置の、電極56、発光素子44、第1の絶縁層51、及び第2の絶縁層52の配置関係を示す平面図である。
図4に示す例においては、発光色がそれぞれ赤色、緑色、青色である3つの発光素子44をセットにして一つの画素を構成する。平面視において、この3つの発光素子44のそれぞれの発光領域45と重なるように第1の絶縁層51が形成されている。複数の画素間においては、図示されないバンクが形成されており、平面視において、バンクと重なるように第2の絶縁層52が形成されている。更に、この第2の絶縁層52と重なるように、電極56が配置されている。電極56は、各画素間において配置されており、電極56に囲われた一つの矩形状の領域内に、一つの画素が配置される構成としている。
このような構成とすることにより、光取り出し効率を向上させることができる。即ち、上述した通り、第2の絶縁層52の屈折率が第1の絶縁層51の屈折率よりも低いため、発光素子44から発せられた光の内、斜め方向に放射された光は、第1の絶縁層51と第2の絶縁層52との界面において反射される。そのため、電極56が配置されているバンク38の上方ではなく、電極56が配置されていない発光素子44の上方から光を取り出すことができる。その結果として、発光素子44からの光路が電極56により阻害されることを抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。また、光視野角における色差の発生を抑制することができる。
更に、第2の絶縁層52の屈折率と第1の絶縁層51との屈折率との関係から、必然的に、第2の絶縁層52の比誘電率は、第1の絶縁層51の比誘電率よりも低くなっている。その結果として、電極56と発光素子44における対向電極42との間において発生する寄生容量を小さくすることができる。
また、本実施形態においては、図2に示すように、電極56の断面形状を、上底が下底よりも短い略台形形状としてもよい。このような形状とすることにより、第1の絶縁層51の上面から斜め方向に出射した光が、電極56の上底にて遮られる可能性をより低くすることができる。
なお、図3に示すように、第1の絶縁層51の上面形状を、上方に凸となるよう湾曲させ、第1の絶縁層51がマイクロレンズ構造を有する構成としてもよい。このような構成とすることにより、より高いアウトカップリング効率を得ることができ、光取り出し効率を更に向上させることができる。また、光視野角における色差の発生を抑制することができる。このようなマイクロレンズ構造は、上述したインクジェットプリンティング工程において形成することが可能である。
なお、図4に示した例においては、電極56に囲われた一つの矩形状の領域内に、一つの画素が配置される構成を例に挙げて説明したが、図5に示すように、電極56に囲われた一つの矩形状の領域内に、複数の画素が配置される構成としても構わない。各画素の構成領域においては第1の絶縁層51が形成されており、各画素間においては、第2の絶縁層52が形成されている。このような構成とすることにより、限られた面積内において多数の発光素子44を配置することが可能となる。
また、発光素子44の形状は長方形状に限られず、多角形上でもよく、図6、図7に示すように、円形状であっても構わない。
図6に示す例においては、二つの発光素子44がセットとなっており、平面視においてこの一つのセットの形成領域に重なるように第1の絶縁層51が形成されている。複数のセットの間においては、図示しないバンクが形成されており、平面視において、この複数のセット間に重なるように第2の絶縁層52が配置されている。更に、この第2の絶縁層52と重なるように、電極56が配置されている。電極56に囲われた一つの矩形状の領域内に、発光素子44のセットが配置される構成としている。
また、図7に示す例においては、4つの発光素子44がセットとなっており、平面視においてこの一つのセットの形成領域に重なるように第1の絶縁層51が形成されている。複数のセットの間においては、図示しないバンクが形成されており、平面視において、この複数のセット間に重なるように第2の絶縁層52が配置されている。更に、この第2の絶縁層52と重なるように、電極56が配置されている。図7に示す例においては、電極56に囲われた一つの領域が平行四辺形をしており、この領域内に、発光素子44のセットが配置される構成としている。
タッチセンサ54の上面には、図2、3に示すように、第2の基板70が貼り付けられている。第2の基板70は、樹脂やガラスなど、可視光領域に対する透過率が高い材料からなり、例えば、カバーガラスや偏光板、保護フィルムなどを含んでもよく、第1の基板10と同様に、可撓性を有するフィルムであってもよい。第2の基板70の貼り付けには、図示しない粘着材を使用する。
なお、表示装置100は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置あってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 第1の基板、12 集積回路チップ、14 アンダーコート層、16 半導体層、18 ソース電極、20 ドレイン電極、22 ゲート絶縁膜、24 ゲート電極、26 層間絶縁膜、28 薄膜トランジスタ、30 パッシベーション膜、32 平坦化層、34 画素電極、36 コンタクトホール、38 絶縁層、40 発光層、42 対向電極、44 発光素子、45 発光領域、46 封止層、48 第1の無機絶縁層、50 第2の無機絶縁層、51 第1の絶縁層、52 第2の絶縁層、54 タッチセンサ、56 電極、70 第2の基板、90 タッチセンサ基材、100 表示装置。
Claims (10)
- 第1の基板と、
前記第1の基板の上方に配置された発光素子と、
前記第1の基板の上方において前記発光素子の側方に配置されたバンクと、
前記発光素子の上方に配置され、平面視において前記発光素子と重なる第1の絶縁層と、
前記バンクの上方に配置され、平面視において前記バンクと重なり、前記第1の絶縁層の屈折率よりも低い屈折率を有する第2の絶縁層と、
前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層の上方に配置され、平面視において前記第2の絶縁層と重なる電極を有するタッチセンサと、を含む、
表示装置。 - 前記電極が、平面視において前記第1の絶縁層と重ならない、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記電極の幅が、前記第2の絶縁層の幅以下である、
請求項1又は2に記載の表示装置。 - 前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層は同一層内において形成された、
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第1の絶縁層と前記発光素子との間、及び前記第2の絶縁層と前記バンクとの間には、第1の無機絶縁層が配置された、
請求項4に記載の表示装置。 - 前記第1の絶縁層と前記タッチセンサとの間、及び前記第2の絶縁層と前記タッチセンサとの間には、第2の無機絶縁層が配置された、
請求項4又は5に記載の表示装置。 - 前記電極の断面形状は、略台形形状である、
請求項1乃至6のいずれか一つに記載の表示装置。 - 第1の絶縁層の屈折率と第2の絶縁層の屈折率との差が0.3より大きい、
請求項1乃至7のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第2の絶縁層の比誘電率が3より小さい、
請求項1乃至8のいずれか一つに記載の表示装置。 - 前記第1の絶縁層の屈折率が1.75より大きい、
請求項1乃至9のいずれか一つに記載の表示装置。
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