CN111668260A - 显示面板 - Google Patents

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CN111668260A
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region
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conductive layer
dummy
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罗志洙
金阳完
边敏雨
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示面板。所述显示面板包括：基底，包括第一区域、第二区域、围绕第一区域和第二区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域；多个像素，位于显示区域中；多条布线，被构造为向多个像素供应信号；负载匹配区域，连接到布线中的第一布线，负载匹配区域包括非显示区域中的负载单元；以及虚设区域，包括在非显示区域中与负载单元间隔开的多个虚设单元，其中，负载单元中的每个包括彼此至少部分地叠置的负载半导体层、第一负载导电层和第二负载导电层，绝缘层在负载半导体层、第一负载导电层以及第二负载导电层之间，并且负载半导体层经由第一接触孔连接到第二负载导电层。

Description

显示面板
本申请要求于2019年3月8日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0027015号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的本公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示面板。
背景技术
显示装置的应用近来已经多样化。此外，由于它们相对小的厚度和轻的重量，它们的应用范围已经增加。
考虑到出于各种原因使用显示装置，各种方法可以被用于设计显示装置的形状，并且可以应用于显示装置或链接到显示装置的功能可以被增加。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解并且因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或更多个示例实施例提供了增加可以连接到或链接到显示装置的功能的方法、包括其中可以在显示区域内部布置照相机、传感器等的区域的显示面板以及包括该显示面板的装置。
然而，所述一个或更多个实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过提供的实施例的实践而获知。
根据一些示例实施例，一种显示面板包括：基底，包括第一区域、第二区域、围绕第一区域和第二区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域；多个像素，布置在显示区域中；布线，向多个像素供应信号；负载匹配区域，连接到布线中的第一布线，负载匹配区域包括布置在非显示区域中的负载单元；以及虚设区域，包括在非显示区域中与负载单元间隔开的虚设单元，其中，负载单元中的每个包括彼此至少部分地叠置的负载半导体层、第一负载导电层和第二负载导电层，绝缘层在负载半导体层、第一负载导电层以及第二负载导电层之间，并且负载半导体层经由第一接触孔连接到第二负载导电层。
根据一些示例实施例，第一布线可以延伸到非显示区域并且连接到第一负载导电层。
根据一些示例实施例，虚设单元中的每个可以包括彼此至少部分地叠置的虚设半导体层、第一虚设导电层和第二虚设导电层，绝缘层位于虚设半导体层、第一虚设导电层以及第二虚设导电层之间，并且虚设半导体层和第一虚设导电层可以分别经由第二接触孔和第三接触孔连接到第二虚设导电层。
根据一些示例实施例，第一区域和第二区域可以在第一方向上从左至右布置，其中，负载匹配区域可以包括设置在第一区域的左侧上的第一负载匹配区域和设置在第二区域的右侧上的第二负载匹配区域。
根据一些示例实施例，第一负载匹配区域可以在与第一方向相反的方向上具有凸起形状。
根据一些示例实施例，负载匹配区域还可以包括设置在第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和设置在第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
根据一些示例实施例，第三负载匹配区域可以包括在垂直于第一方向的第二方向上布置的上区域和下区域，并且上区域和下区域的在第一方向上的宽度可以在第二方向上逐渐增大然后减小。
根据一些示例实施例，第一负载匹配区域的负载单元可以通过绕过第一区域的布线连接到第三负载匹配区域的负载单元。
根据一些示例实施例，虚设区域可以设置在第一区域与第二区域之间。
根据一些示例实施例，第一区域和第二区域可以在第一方向上从左至右布置，其中，负载匹配区域可以包括设置在第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和设置在第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
根据一些示例实施例，连接到第三负载匹配区域的第一布线可以绕过第一区域。
根据一些示例实施例，一种显示面板包括：基底，包括第一区域、第二区域、围绕第一区域和第二区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域；多个像素，布置在显示区域中；扫描线，连接到多个像素，扫描线在第一方向上延伸；数据线，连接到多个像素，数据线在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及负载匹配区域，连接到扫描线中的第一扫描线，负载匹配区域包括布置在非显示区域中的负载单元，其中，负载单元中的每个包括彼此至少部分地叠置的负载半导体层、第一负载导电层和第二负载导电层，绝缘层在负载半导体层、第一负载导电层以及第二负载导电层之间，并且负载半导体层电连接到第二负载导电层，其中，负载单元与数据线中的一些数据线叠置。
根据一些示例实施例，数据线中的所述一些数据线中的一些与第二负载导电层位于同一层上并且与第二负载导电层分隔开。
根据一些示例实施例，第一负载导电层可以与数据线中的一些数据线叠置。
根据一些示例实施例，数据线可以包括布置在不同层上的第一数据线和第二数据线，其中，第二数据线可以在第一区域和第二区域周围的区域中与第一数据线交替。
根据一些示例实施例，显示面板还可以包括：虚设区域，设置在第一区域与第二区域之间，虚设区域包括虚设单元，其中，虚设单元可以包括彼此至少部分地叠置的虚设半导体层、第一虚设导电层和第二虚设导电层，绝缘层在虚设半导体层、第一虚设导电层以及第二虚设导电层之间，并且虚设半导体层和第一虚设导电层可以分别经由第二接触孔和第三接触孔连接到第二虚设导电层。
根据一些示例实施例，第一区域和第二区域可以在第一方向上从左至右布置，其中，负载匹配区域可以包括设置在第一区域的左侧上的第一负载匹配区域和设置在第二区域的右侧上的第二负载匹配区域。
根据一些示例实施例，负载匹配区域还可以包括设置在第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和设置在第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
根据一些示例实施例，第一区域和第二区域可以在第一方向上从左至右布置，其中，负载匹配区域可以包括设置在第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和设置在第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
根据一些示例实施例，显示面板还可以包括：第三区域，设置在第一区域与第二区域之间，其中，第一区域、第三区域和第二区域可以在第一方向上从左至右布置，其中，负载匹配区域可以包括设置在第一区域的左侧上的第一负载匹配区域和设置在第二区域的右侧上的第二负载匹配区域。
根据一些示例实施例，显示面板还可以包括向多个像素施加驱动电压的驱动电压线，其中，第二负载导电层可以连接到驱动电压线。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更容易理解，在附图中：
图1是根据一些示例实施例的显示装置的示意透视图；
图2是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；
图3是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；
图4是根据一些示例实施例的显示面板的示意平面图；
图5A和图5B是根据一些示例实施例的可以被使用的像素的等效电路图；
图6是图4的区域III的放大平面图；
图7是图6的区域IV的放大平面图；
图8是沿着图6的线A-A'和图7的线B-B'和线C-C'截取的显示面板的剖视图；
图9是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的剖视图；
图10是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图；
图11是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图；
图12是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图；并且
图13是根据一些示例实施例的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和许多实施例，一些示例实施例的方面将在附图中被示出并且在书面描述中更详细地被描述。在下文中，将参照附图更全面地描述本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法，在附图中示出了本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施并且不应该被解释为限于在此所阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述本公开的一个或更多个示例实施例。不管图号是多少，相同或对应的那些组件可以被赋予相同的附图标记，并且省略冗余解释。
将理解的是，尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该限于这些术语。这些组件仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
除非上下文另外清楚地指出，否则如在此使用的，单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中元件的尺寸。换句话说，由于为了便于解释而任意地示出了附图中组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当某一实施例可以不同地被实现时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”或“结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接到或结合到所述另一层、区域或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接到或直接电结合到所述另一层、区域或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。
如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个/种/者”的表达在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰列表中的个别元件。
图1是根据一些示例实施例的显示装置1的示意透视图。
参照图1，显示装置1包括发射光的显示区域DA和不发射光的非显示区域NDA。
显示装置1可以通过显示区域DA提供图像。显示装置1可以包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或者阴极射线显示器。
尽管有机发光显示器现在将被示出并且描述为根据一些示例实施例的显示装置1，但是本公开不限于此，并且可以使用各种类型的显示装置。
显示装置1包括第一区域R1和第二区域R2。在第一区域R1和第二区域R2中，电子元件被布置为正如稍后将参照图2等来描述的。第一区域R1和第二区域R2可以被理解为能够传输光或/和声音的开口区域或透射区域，所述光或/和声音从电子元件输出到外部或者从外部朝着电子元件行进。尽管在图1中，开口区域或透射区域是第一区域R1和第二区域R2，但是本公开不限于此，并且可以包括三个或更多个开口区域或透射区域。
根据一些示例实施例，当光穿过第一区域R1和第二区域R2时，透光率可以是大约50％或更大、大约70％或更大、大约80％或更大或者大约85％或更大。
非显示区域NDA可以包括围绕第一区域R1和第二区域R2的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全围绕第一区域R1和第二区域R2，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
尽管第一区域R1和第二区域R2在图1中设置在显示区域DA的右上侧上，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，第一区域R1和第二区域R2的位置可以变化。
图2是根据一些示例实施例的显示装置1的剖视图，并且可以与沿着图1的线II-II'截取的剖面对应。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和分别与显示面板10的第一区域R1和第二区域R2对应的第一电子元件20和第二电子元件30。根据一些示例实施例，诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器的抗反射构件或者滤色器和黑矩阵的(多个)组件和透明窗可以布置在显示面板10上。
显示面板10可以包括基底100、面向基底100的作为封装构件的封装基底400A以及在基底100与封装基底400A之间的密封构件450。
基底100可以包括玻璃或者聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或者可弯曲的。基底100可以具有包括包含前述聚合物树脂和无机层(未示出)的层的多层结构。封装基底400A可以包括玻璃或者前述聚合物树脂。
薄膜晶体管TFT和作为连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的有机发光二极管OLED布置在基底100的显示区域DA中。信号线SGL和虚设薄膜晶体管TFT'布置在基底100的第一非显示区域NDA1中。
根据一些示例实施例，信号线SGL可以向关于第一区域R1和第二区域R2在y方向上彼此间隔开的显示元件提供某一信号(例如，数据信号和扫描信号)。
显示面板10可以包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔。例如，基底100和封装基底400A可以分别包括通孔100H和通孔400AH，其中，通孔100H与第一区域R1和第二区域R2对应，通孔400AH与第一区域R1和第二区域R2对应，并且基底100与封装基底400A之间的绝缘层IL或元件的部分(即，与第一区域R1和第二区域R2对应的部分)可以全部被去除。
图2示出了密封构件450布置在第一区域R1和第二区域R2的两侧上，但是，当从垂直于基底100的主表面的方向观看时，第一区域R1和第二区域R2可以被理解为被密封构件450完全地围绕。
第一电子元件20和第二电子元件30可以分别设置在第一区域R1和第二区域R2中。第一电子元件20和第二电子元件30可以是利用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是接收并利用光的传感器(如红外传感器)、接收光并捕获图像的照相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。利用光的电子元件可以利用各种波段的光(诸如可见光、红外光和紫外光)。
在其中如图2中显示面板10包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔的情况下，可以更有效地利用被第一电子元件20和第二电子元件30输出或接收的光或声音。
尽管图2中的显示面板10包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，封装基底400A可以包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔400AH而基底100可以不包括通孔。根据一些示例实施例，在显示面板10中的封装基底400A和基底100两者可以不包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔。即使基底100和封装基底400A不包括通孔，也可以去除在基底100与封装基底400A之间的绝缘层IL或元件的部分(即，与第一区域R1和第二区域R2对应的部分)，因此可以确保第一电子元件20和第二电子元件30的透光率。
图3是根据一些示例实施例的显示装置1的剖视图，并且可以与沿着图1的线II-II'截取的剖面对应。
与上方参照图2描述的显示装置1类似，图3的显示装置1可以包括包含显示元件的显示面板10和分别与显示面板10的第一区域R1和第二区域R2对应的第一电子元件20和第二电子元件30。根据一些示例实施例，显示装置1还可以包括布置在显示面板10上用于感测触摸输入的输入感测构件、抗反射构件、透明窗等。
与上方参照图2描述的包括封装基底400A和密封构件450作为封装构件的显示面板10不同，根据一些示例实施例的显示面板10可以包括薄膜封装层400B。在这种情况下，显示面板10可以具有更加改善的柔性。在下文中，为了便于描述，将主要描述它们之间的差异。
薄膜封装层400B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这点，图3示出了第一无机封装层410和第二无机封装层430以及在第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括至少一种无机绝缘材料(诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅)。有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
显示面板10可以包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔。例如，基底100和薄膜封装层400B可以分别包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔100H和与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔400BH。如上方描述的，利用光或声音的第一电子元件20和第二电子元件30可以分别布置在第一区域R1和第二区域R2中。
与其中显示面板10包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔的图3不同，显示面板10可以不包括通孔。例如，薄膜封装层400B可以包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔400BH而基底100可以不包括通孔。根据一些示例实施例，薄膜封装层400B和基底100两者可以不包括与第一区域R1和第二区域R2对应的通孔。即使基底100不包括通孔100H，也可以去除基底100与薄膜封装层400B之间的绝缘层IL或元件的部分(即，与第一区域R1和第二区域R2对应的部分)，因此可以确保第一电子元件20和第二电子元件30的透光率。
图4是根据一些示例实施例的显示面板10的示意平面图。
参照图4，显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。多个像素P可以连接到在第一方向(x方向)上延伸的扫描线SLa和SLb以及均在与第一方向相交的第二方向(y方向)上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
像素P中的每个可以包括显示元件(诸如有机发光二极管)。像素P可以经由有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在此使用的像素P可以被理解为如上方描述的发射红光、绿光、蓝光和白光中的一种的像素。显示区域DA可以通过被上方参照图2和图3描述的封装构件覆盖而被保护免受外部空气或湿气的影响。
第一非显示区域NDA1围绕第一区域R1和第二区域R2。第一非显示区域NDA1是其中不显示图像的区域。向第一区域R1和第二区域R2周围的像素P提供信号的信号线可以布置在第一非显示区域NDA1中。
用于向像素P提供扫描信号的第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以布置在第二非显示区域NDA2中。第一扫描驱动器1100可以被设置为与显示区域DA的左侧对应，第二扫描驱动器1200可以被设置为与显示区域DA的右侧对应。
由第一扫描驱动器1100产生的扫描信号可以被提供给一些像素P并且由第二扫描驱动器1200产生的扫描信号可以被提供给剩余的像素P。
第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以分别布置在显示区域DA的两侧上并且可以执行双重扫描。例如，第一扫描驱动器1100可以产生扫描信号并将所产生的扫描信号传输到来自于包括在显示区域DA中的像素P之中的一些像素P，第二扫描驱动器1200可以产生扫描信号并将所产生的扫描信号传输到来自于包括在显示区域DA中的像素P之中的剩余的像素P。第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以通过同步时钟信号同步。
根据一些示例实施例，布置在第一非显示区域NDA1的左侧上的像素P可以接收由第一扫描驱动器1100产生的扫描信号，布置在第一非显示区域NDA1的右侧上的像素P可以接收由第二扫描驱动器1200产生的扫描信号。
用于向像素P和虚设像素提供数据信号的数据驱动器2000、用于提供驱动电压和共电压的主电源线等可以布置在第二非显示区域NDA2中。
图5A和图5B是根据一些示例实施例的显示面板10的像素P的等效电路图。
参照图5A，每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。开关TFT T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动TFT T1。
存储电容器Cst连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电源电压(或驱动电压)ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管在图5A中示出了其中像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器的情况，但是本公开不限于此。如图5B中所示，像素电路PC可以包括七个TFT和一个存储电容器。
参照图5B，每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个TFT和存储电容器Cst。TFT和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
尽管在图5B中每个像素P连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，初始化电压线VL、驱动电压线PL以及信号线SL、SL-1、EL和DL中的至少一条信号线可以由相邻像素P共用。
多个TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、光发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线SL、SL-1、EL和DL可以包括传输扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线SL-1、将光发射控制信号En传输到操作控制TFT T5和光发射控制TFT T6的光发射控制线EL以及与扫描线SL相交并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动TFT T1，并且初始化电压线VL传输使驱动TFT T1和有机发光二极管OLED的像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1包括：驱动栅电极G1，连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1(CE1)；驱动源电极S1，经由操作控制TFT T5连接到作为下驱动电压线的驱动电压线PL；以及驱动漏电极D1，经由光发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应给有机发光二极管OLED。
开关TFT T2包括：开关栅电极G2，连接到扫描线SL；开关源电极S2，连接到数据线DL；以及开关漏电极D2，连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且还经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL。开关TFT T2根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通并且执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3包括：补偿栅电极G3，连接到扫描线SL；补偿源电极S3，连接到驱动TFTT1的驱动漏电极D1并且还经由光发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极；以及补偿漏电极D3，连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且将驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，使得驱动TFT T1被二极管连接。
第一初始化TFT T4包括：第一初始化栅电极G4，连接到前一扫描线SL-1；第一初始化源电极S4，连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL；以及第一初始化漏电极D4，连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4根据经由前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1，从而使驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压初始化。
操作控制TFT T5包括：操作控制栅电极G5，连接到光发射控制线EL；操作控制源电极S5，连接到驱动电压线PL；以及操作控制漏电极D5，连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
光发射控制TFT T6包括：光发射控制栅电极G6，连接到光发射控制线EL；光发射控制源电极S6，连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3；以及光发射控制漏电极D6，电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和光发射控制TFT T6根据经由光发射控制线EL接收的光发射控制信号En而同时导通，因此将驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，使得驱动电流IOLED可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化TFT T7包括：第二初始化栅电极G7，连接到前一扫描线SL-1；第二初始化源电极S7，连接到光发射控制TFT T6的光发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极；以及第二初始化漏电极D7，连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化TFT T7根据经由前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
尽管在图5B中第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线SL-1，但是本公开不限于此。根据一些示例实施例，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线SL-1并根据前一扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)并根据传输到单独的信号线的信号而操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2(CE2)连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED并发射光，从而显示图像。
尽管在图5B中补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个具有双栅电极，但是补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个可以具有单个栅电极。
图6是图4的区域III的放大平面图，图7是图6的区域IV的放大平面图，图8是沿着图6的线A-A'以及图7的线B-B'和线C-C'截取的显示面板10的剖视图。
参照图6，第一区域R1和第二区域R2在第一方向上布置，第一非显示区域NDA1围绕第一区域R1和第二区域R2，并且显示区域DA围绕第一非显示区域NDA1。
多个像素P可以布置在显示区域DA中，并且第一负载匹配区域LMA1、第二负载匹配区域LMA2和虚设区域DMA可以布置在第一非显示区域NDA1中。
可以布置多条信号线以电连接多个像素P。关于这点，图6示出了均在第一方向(x方向)上延伸的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb连接显示区域DA中的像素P，并且数据线DLa和数据线DLb沿与第一方向相交的第二方向(y方向)连接像素P。
根据一些示例实施例，第一扫描线SLa和第二扫描线SLb中的第一扫描线SLa均可以在第一方向(x方向)上延伸，但是可以在第一非显示区域NDA1中被断开。
远离第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2布置的第二扫描线SLb或者不横穿第一非显示区域NDA1的第二扫描线SLb可以在第一方向上延伸以横穿显示区域DA而不被断开。在这种情况下，横穿第一非显示区域NDA1的第二扫描线SLb中的一些第二扫描线SLb可以被布置为绕过第一区域R1和第二区域R2而不被断开。
如果横穿第一非显示区域NDA1的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb被布置为绕过第一区域R1和第二区域R2而不被断开，则由于扫描线SLa和SLb的绕行，第一非显示区域NDA1的空间会需要更多。
根据一些示例实施例，横穿第一非显示区域NDA1的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb中的第一扫描线SLa在第一非显示区域NDA1中被断开，因此，第一非显示区域NDA1的空间(例如，第一非显示区域NDA1的上区域或下区域)可以减小。
第一扫描线SLa的长度比第二扫描线SLb的长度短，并且连接到第一扫描线SLa的像素P的数量比连接到第二扫描线SLb的像素P的数量少，因此，连接到第一扫描线SLa的负载可以与连接到第二扫描线SLb的负载不同。
因此，根据一些示例实施例，设置了其中负载单元连接到第一扫描线SLa以将连接到第一扫描线SLa的负载与连接到第二扫描线SLb的负载匹配的负载匹配区域。
另外，根据一些示例实施例，用于匹配图案密度的虚设区域DMA可以位于其中没有布置负载匹配区域LMA1和LMA2的第一非显示区域NDA1中。
负载匹配区域可以包括第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2。第一负载匹配区域LMA1可以设置在第一区域R1的左侧上，并且连接到设置在第一区域R1的左侧上的第一扫描线SLa。第二负载匹配区域LMA2可以设置在第二区域R2的右侧上并且连接到设置在第二区域R2的右侧上的第一扫描线SLa。
第一负载匹配区域LMA1可以在第一方向(-x方向)上具有凸起形状。可以理解的是，第一负载匹配区域LMA1的在第一方向上的宽度在第二方向上逐渐增大，然后减小。可选地，第一负载匹配区域LMA1可以具有月牙形形状。
第二负载匹配区域LMA2可以在第一方向(+x方向)上具有凸起形状。可以理解的是，第二负载匹配区域LMA2的在第一方向上的宽度在第二方向上逐渐增大，然后减小。可选地，第二负载匹配区域LMA2可以具有月牙形形状。
然而，根据本公开的一些示例实施例，第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2的形状不限于此。第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2可以具有诸如多边形形状、圆形形状和椭圆形形状的各种形状。
虚设区域DMA可以设置在第一区域R1与第二区域R2之间。虚设区域DMA可以设置在第一负载匹配区域LMA1与第二负载匹配区域LMA2之间，并且与第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2间隔开。
横穿第一非显示区域NDA1的数据线DLa和数据线DLb可以在第二方向上延伸以横穿第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2以及虚设区域DMA。即，数据线DLa和数据线DLb可以与第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2和/或虚设区域DMA至少部分地叠置。
参照图7和图8，第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2包括多个负载单元LU。负载单元LU中的每个可以包括负载半导体层L10、第一负载导电层L20和第二负载导电层L30，负载半导体层L10、第一负载导电层L20和第二负载导电层L30彼此至少部分地叠置，绝缘层112、113和115在它们之间。
因为负载单元LU中的负载半导体层L10、第一负载导电层L20和第二负载导电层L30彼此至少部分地叠置，所以可以形成电容并且电容用作负载。
第一负载导电层L20可以在第一方向上延伸。第一负载导电层L20可以与第一扫描线SLa设置在同一层上，并且可以与第一扫描线SLa一体地形成。然而，本公开不限于此。第一负载导电层L20可以设置在与第一扫描线SLa不同的层上，并且可以通过接触孔连接到第一扫描线SLa。
根据一些示例实施例，第一负载导电层L20的宽度W1可以比第一扫描线SLa的宽度W2大。第一负载导电层L20的宽度W1可以根据负载的尺寸进行各种改变。
第二负载导电层L30可以在第二方向上延伸。第二负载导电层L30可以与用于将驱动电压ELVDD传递到像素P的驱动电压线PL一体地形成。即，第二负载导电层L30可以接收驱动电压ELVDD。第二负载导电层L30可以通过第一接触孔CNT1连接到负载半导体层L10。因此，负载半导体层L10可以与第二负载导电层L30具有相同的电压电平。负载半导体层L10可以在第一非显示区域NDA1中具有岛形状。
负载单元LU的第一负载导电层L20可以电连接到第一扫描线SLa，并且第二负载导电层L30和负载半导体层L10可以电连接到驱动电压线PL。
虚设区域DMA包括多个虚设单元DU。虚设单元DU中的每个包括虚设半导体层D10、第一虚设导电层D20和第二虚设导电层D30，虚设半导体层D10、第一虚设导电层D20和第二虚设导电层D30彼此至少部分地叠置，绝缘层112、113和115在它们之间。
虚设单元DU可以设置在第一非显示区域NDA1中的其中没有设置负载单元LU的区域中。可以设置虚设单元DU以调节图案密度以减少工艺缺陷。因此，虚设单元DU可以被设置为与负载单元LU分开。即，第一虚设导电层D20可以在第一方向上延伸，并且第一虚设导电层D20的端部可以与第一负载导电层L20的端部间隔开。
第二虚设导电层D30可以在第二方向上延伸。第二虚设导电层D30可以与用于将驱动电压ELVDD传递到像素P的驱动电压线PL一体地形成。即，第二虚设导电层D30可以接收驱动电压ELVDD。第二虚设导电层D30可以通过第二接触孔CNT2连接到虚设半导体层D10。另外，第二虚设导电层D30可以通过第三接触孔CNT3连接到第一虚设导电层D20。
因此，虚设半导体层D10和第一虚设导电层D20可以与第二虚设导电层D30具有相同的电压电平。虚设半导体层D10和第一虚设导电层D20可以在第一非显示区域NDA1中具有岛形状。由于静电放电引起的损坏可以由于虚设半导体层D10和第一虚设导电层D20接收电压而减小。
第一数据线DL1和第二数据线DL2可以布置在第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2以及虚设区域DMA中。第一数据线DL1和第二数据线DL2可以与负载单元LU和/或虚设单元DU叠置。例如，第一数据线DL1和第二数据线DL2可以与负载单元LU的第一负载导电层L20叠置。第一数据线DL1和第二数据线DL2可以不与负载单元LU的负载半导体层L10和第二负载导电层L30叠置。在一些实施例中，第一数据线DL1可以设置为与第二负载导电层L30在同一层上并且与第二负载导电层L30分开。第二数据线DL2可以设置在与第一数据线DL1不同的层上。布置在不同层中的第一数据线DL1和第二数据线DL2可以交替地布置，以减小第一数据线DL1和第二数据线DL2之间的间隔。
现在将参照图8以堆叠顺序描述像素P、负载单元LU和虚设单元DU的结构。
基底100可以包括玻璃材料、金属材料或柔性的或可弯曲的材料。当基底100是柔性的或可弯曲的时，基底100可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素)。基底100可以具有任何前述材料的单层或多层的结构。多层结构还可以包括无机层。在一些实施例中，基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111可以设置在基底100上，并且可以减少或防止异物、湿气或环境空气从基底100下方的渗入，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机无机复合物，并且可以形成为无机材料和/或有机材料的单层或多层。
根据一些示例实施例，可以在基底100与缓冲层111之间进一步包括阻挡层。阻挡层可以防止或减少杂质从基底100等渗入到半导体层(即，薄膜晶体管TFT的半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10)中。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机无机复合物，并且可以形成为无机材料和/或有机材料的单层或多层。
薄膜晶体管TFT的半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以布置在缓冲层111上。半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以包括非晶硅或多晶硅。根据一些示例实施例，半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)组成的组中的至少一种的氧化物。根据一些示例实施例，半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以包括作为Zn氧化物基材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物等。在其它实施例中，半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以是在ZnO中包含金属(诸如In、Ga和/或Sn)的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧上的源区和漏区。半导体层A、负载半导体层L10和虚设半导体层D10中的每个可以形成为单层或多层。
栅电极G设置在薄膜晶体管TFT的半导体层A上，第一栅极绝缘层112在栅电极G与薄膜晶体管TFT的半导体层A之间，使得栅电极G与半导体层A至少部分地叠置。栅电极G可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极G可以包括Mo的单层。
第一负载导电层L20可以在第一栅极绝缘层112上以与负载半导体层L10至少部分地叠置。第一负载导电层L20可以与栅电极G形成在同一层上并且包括与栅电极G相同的材料。
第一虚设导电层D20可以在第一栅极绝缘层112上以与虚设半导体层D10至少部分地叠置。第一虚设导电层D20可以与栅电极G形成在同一层中，并且包括与栅电极G相同的材料。
第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
可以包括第二栅极绝缘层113，使得第二栅极绝缘层113覆盖栅电极G、第一负载导电层L20和第一虚设导电层D20。第二栅极绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1可以与薄膜晶体管TFT叠置。例如，薄膜晶体管TFT的栅电极G可以用作存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2与第一存储电容器板CE1叠置，第二栅极绝缘层113在第二存储电容器板CE2与第一存储电容器板CE1之间。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。第二存储电容器板CE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以形成为包括前述材料的多层或单层。例如，第二存储电容器板CE2可以包括Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
尽管在附图中存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT叠置，但是本公开不限于此。存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。以这种方式，可以进行各种修改。
可以包括层间绝缘层115以覆盖存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D可以布置在层间绝缘层115上。源电极S和漏电极D中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。例如，源电极S和漏电极D中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。
第二负载导电层L30、第二虚设导电层D30和第一数据线DL1可以布置在层间绝缘层115上。层间绝缘层115上的第二负载导电层L30可以与负载半导体层L10和第一负载导电层L20至少部分地叠置。第二负载导电层L30可以通过穿透层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的第一接触孔CNT1电连接到负载半导体层L10。
在层间绝缘层115上的第二虚设导电层D30可以与虚设半导体层D10和第一虚设导电层D20至少部分地叠置。第二虚设导电层D30可以通过穿透层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的第二接触孔CNT2电连接到虚设半导体层D10。另外，第二虚设导电层D30可以通过穿透层间绝缘层115和第二栅极绝缘层113的第三接触孔CNT3连接到第一虚设导电层D20。
第一数据线DL1是用于将数据信号Dm传递到像素P的布线，并且可以设置为与第二负载导电层L30和第二虚设导电层D30分开。
过孔层117和附加过孔层118可以设置在源电极S、漏电极D、第二负载导电层L30、第二虚设导电层D30和第一数据线DL1上，并且有机发光二极管OLED可以设置在像素P的位于附加过孔层118上的区域中。根据一些示例实施例，可以省略附加过孔层118。
过孔层117和附加过孔层118可以具有平坦的上表面，使得像素电极310可以形成为平坦的。过孔层117和附加过孔层118均可以形成为包括有机材料的单层或形成为均包括有机材料的多层。过孔层117和附加过孔层118可以包括商用聚合物(诸如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物等。过孔层117和附加过孔层118可以包括无机材料。过孔层117和附加过孔层118可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。当过孔层117和附加过孔层118包括无机材料时，可以进行化学平坦化抛光。过孔层117可以包括有机材料和无机材料两者。
第二数据线DL2可以设置在过孔层117与附加过孔层118之间。第二数据线DL2是用于将数据信号Dm传递到像素P的布线，并且可以在绕过第一区域R1和第二区域R2的区域中与第一数据线DL1交替。
在基底100的显示区域DA中，有机发光二极管OLED设置在附加过孔层118上。有机发光二极管OLED包括像素电极310、对电极330和包括有机发射层321的中间层320。
薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D中的一个经由其而暴露的过孔形成在过孔层117和附加过孔层118中，并且像素电极310经由过孔与源电极S或漏电极D接触并且电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极310可以是(半)透光电极或反射电极。根据一些示例实施例，像素电极310可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中的至少一种。根据一些示例实施例，像素电极310可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以设置在附加过孔层118上。像素限定层119可以通过在显示区域DA中包括分别与像素电极310对应的开口(即，像素电极310的至少中心部分经由其而暴露的开口OP)来限定像素P的光发射区域。像素限定层119可以通过增加像素电极310的边缘与设置在像素电极310上的对电极330之间的距离来防止或减少在像素电极310的边缘上出现电弧等的情况。像素限定层119可以经由旋涂等由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料来形成。
像素P(即，像素P的光发射区域)可以由像素限定层119的开口OP限定。换句话说，像素P的边缘可以意味着像素限定层119的开口OP的边缘。像素限定层119的开口OP的边缘可以意味着像素电极310的经由开口OP暴露的边界。
有机发光二极管OLED的中间层320可以包括有机发射层321以及可以分别设置在有机发射层321的底部和顶部上的第一公共层322和第二公共层323。
有机发射层321可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发射层321可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。
第一公共层322可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二公共层323可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层320可以布置为与多个像素电极310中的每个对应。然而，本公开不限于此。中间层320可以包括在多个像素电极310之上延伸的单层(即，第一公共层322和/或第二公共层323)。以这种方式，可以进行各种修改。可以省略第一公共层322和/或第二公共层323。
对电极330可以包括透光电极或反射电极。根据一些示例实施例，对电极330可以包括透明或半透明电极，并且可以包括包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的混合物的具有小逸出功的金属薄膜。可以在金属薄膜上进一步设置包括透明导电氧化物(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3))的TCO层。对电极330可以在显示区域DA和非显示区域NDA两者之上延伸，并且可以布置在中间层320和像素限定层119上。对电极330可以形成为构成多个有机发光二极管OLED的单个主体，因此可以与多个像素电极310对应。
当像素电极310包括反射电极并且对电极330包括透光电极时，由中间层320发射的光朝着对电极330发射，因此显示装置1可以是顶部发射型。当像素电极310包括透明或半透明电极并且对电极330包括反射电极时，由中间层320发射的光朝着基底100发射，因此显示装置1可以是底部发射型。然而，实施例不限于此。根据一些示例实施例的显示装置1可以是在两个方向上(即，朝着显示装置1的顶表面和底表面)发射光的双发射型。
盖层340可以布置在对电极330上。盖层340可以具有与对电极330的折射率不同的折射率(比对电极330的折射率低或高的折射率)，并且可以通过增加由包括有机发射层321的中间层320产生的光被全反射和发射到外部的百分比来改善发光效率。
例如，盖层340可以包括有机材料，诸如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(或PEDOT)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4',4"-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)-氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-苯(m-MTDAT)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)-氨基]-苯(p-MTDAB)、4,4'-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-二苯基甲烷(BPPM)、4,4'-二咔唑基-1,1'-联苯(CBP)、4,4',4"-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)。
可选地，盖层340可以包括无机材料(诸如氧化锌、氧化钛、氧化锆、氮化硅、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化铟和氮化镓)。用于形成盖层340的材料不限于此，并且可以使用各种其它材料。
根据一些示例实施例，可以在盖层340上布置覆盖层。覆盖层保护有机发光二极管OLED免受在使用等离子体等的后续工艺期间会发生的损坏。覆盖层可以包括LiF。
图9是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的剖视图。在图9中，与图8中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，将省略对其的重复描述。
参照图9，负载单元LU包括负载半导体层L10、第一负载导电层L20和第二负载导电层L30，负载半导体层L10、第一负载导电层L20和第二负载导电层L30与绝缘层(即，第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115)彼此至少部分地叠置，并且负载半导体层L10经由第一接触孔CNT1连接到第二负载导电层L30。
虚设单元DU包括虚设半导体层D10、第一虚设导电层D20和第二虚设导电层D30，虚设半导体层D10、第一虚设导电层D20和第二虚设导电层D30与第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115彼此至少部分地叠置，并且虚设半导体层D10和第一虚设导电层D20分别经由第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3电连接到第二虚设导电层D30。
根据一些示例实施例，第一负载导电层L20和/或第一虚设导电层D20可以设置在第二栅极绝缘层113上。即，第一负载导电层L20和/或第一虚设导电层D20可以与第二存储电容器板CE2形成在同一层中，并且包括与第二存储电容器板CE2相同的材料。因此，第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113设置在第一负载导电层L20与负载半导体层L10之间，因此，第一负载导电层L20与负载半导体层L10之间的距离可以被增加并且因此可以减小由静电放电引起的损坏。
图10是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的平面图。在图10中，与图6中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，将省略对其的重复描述。
参照图10，第一区域R1和第二区域R2布置在第一方向上，并且第一非显示区域NDA1围绕第一区域R1和第二区域R2并且显示区域DA围绕第一非显示区域NDA1。
多个像素P可以布置在显示区域DA中，第三负载匹配区域LMA3、第四负载匹配区域LMA4和虚设区域DMA可以布置在第一非显示区域NDA1中。
根据一些示例实施例，第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4可以布置在第一区域R1与第二区域R2之间。即，第三负载匹配区域LMA3可以位于第一区域R1的右侧上，并且第四负载匹配区域LMA4可以位于第二区域R2的左侧上。
第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4的位置可以考虑无效空间区域的尺寸来设置。例如，当需要在第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4中包括的大量负载单元LU时，第一区域R1的左侧上的非显示区域的空间会不足。因此，第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4可以设置在第一区域R1与第二区域R2之间，以有效地使用第一非显示区域NDA1中的空间。
当第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4设置在第一区域R1与第二区域R2之间时，连接到第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4的负载单元LU的第一扫描线SLa可以绕过第一区域R1或第二区域R2。
第一扫描线SLa中的一些第一扫描线SLa可以绕过第一区域R1的上部，并且其余的第一扫描线SLa可以绕过第一区域R1的下部。因此，第三负载匹配区域LMA3可以被划分为上负载区域LMA3-1和下负载区域LMA3-2。
根据一些示例实施例，上负载区域LMA3-1和下负载区域LMA3-2的在第一方向上的宽度可以在第二方向上逐渐增大然后减小。同样地，第四负载匹配区域LMA4可以被划分为上负载区域LMA4-1和下负载区域LMA4-2。
虚设区域DMA可以在第三负载匹配区域LMA3与第四负载匹配区域LMA4之间，并且可以被设置为与第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4分开。
在第二方向上延伸的数据线DLa和DLb可以布置为与第三负载匹配区域LMA3、第四负载匹配区域LMA4和虚设区域DMA叠置。
包括在第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4中的每个中的负载单元LU可以具有参照图7至图9描述的负载单元LU的结构。包括在虚设区域DMA中的虚设单元DU可以具有参照图7至图9描述的虚设单元DU的结构。
图11至图13是根据一些示例实施例的显示面板10的一部分的平面图。在图11至图13中，与图6和图10中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，将省略对其的一些重复描述。
参照图11，第一区域R1和第二区域R2布置在第一方向上，第一非显示区域NDA1围绕第一区域R1和第二区域R2并且显示区域DA围绕第一非显示区域NDA1。
多个像素P可以布置在显示区域DA中，并且第一负载匹配区域LMA1至第四负载匹配区域LMA4以及虚设区域DMA可以布置在第一非显示区域NDA1中。
第一负载匹配区域LMA1可以设置在第一区域R1的左侧上，第二负载匹配区域LMA2可以设置在第二区域R2的右侧上。第三负载匹配区域LMA3和第四负载匹配区域LMA4可以布置在第一区域R1与第二区域R2之间。即，第三负载匹配区域LMA3可以设置在第一区域R1的右侧上，第四负载匹配区域LMA4可以设置在第二区域R2的左侧上。
由于第一负载匹配区域LMA1至第四负载匹配区域LMA4布置在第一区域R1和第二区域R2的左侧和右侧上，连接到第一负载匹配区域LMA1至第四负载匹配区域LMA4的第一扫描线SLa中的一些第一扫描线SLa可以绕过第一区域R1或第二区域R2，并且其余的第一扫描线SLa可以不绕过第一区域R1或第二区域R2。
第一负载匹配区域LMA1至第四负载匹配区域LMA4的位置可以考虑无效空间区域的尺寸来设置。即，第一扫描线SLa中的一些第一扫描线SLa可以连接到第一区域R1的左侧上的第一负载匹配区域LMA1并且第一扫描线SLa中的一些第一扫描线SLa可以连接到第一区域R1的右侧上的第三负载匹配区域LMA3，因此，第一负载匹配区域LMA1至第四负载匹配区域LMA4可以有效地分布在第一非显示区域NDA1中。
根据一些示例实施例，作为示例已经描述了其中设置两个透射区域的情况。然而，本公开不限于此。本公开还可以应用于其中设置三个或四个或更多个透射区域的情况。
如图12中所示，作为透射区域的第三区域R3可以设置在第一区域R1与第二区域R2之间。即，第一区域R1、第三区域R3和第二区域R2可以在第一方向上并排布置。可选地，如图13中所示，作为透射区域的第三区域R3和第四区域R4可以布置在第一区域R1与第二区域R2之间。即，第一区域R1、第三区域R3、第四区域R4和第二区域R2可以在第一方向上并排布置。
在第一方向上延伸的第一扫描线SLa和第二扫描线SLb中的第一扫描线SLa可以在第一区域R1的左侧上和第二区域R2的右侧上被断开。第一扫描线SLa可以连接到第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2的负载单元LU。
虚设区域DMA可以设置在其中未布置第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2的第一非显示区域NDA1中，并且可以与第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2间隔开。
在第二方向上延伸的数据线DLa和DLb可以布置为与第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2或虚设区域DMA叠置。
第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2的位置可以进行各种修改。第一负载匹配区域LMA1和第二负载匹配区域LMA2可以布置为与第一区域R1至第四区域R4的上部或下部对应。例如，如图13中所示，第五负载匹配区域LMA5和第六负载匹配区域LMA6可以布置在第一非显示区域NDA1的中部的上部和下部处。
根据一些示例实施例，负载匹配区域设置在与诸如传感器和照相机的电子元件对应的区域附近，从而提供一种其中由于负载的差异而导致的亮度偏差减小的显示面板。此外，虚设区域设置在负载匹配区域之间，因此，可以使图案密度均匀并且可以提供高质量的显示面板。
应该理解的是，在此描述的实施例应该仅以描述性意义来考虑而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在此进行形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括：第一区域；第二区域；围绕所述第一区域和所述第二区域的非显示区域；以及围绕所述非显示区域的显示区域；
多个像素，位于所述显示区域中；
多条布线，被构造为向所述多个像素供应信号；
负载匹配区域，连接到所述多条布线中的第一布线，所述负载匹配区域包括所述非显示区域中的负载单元；以及
虚设区域，包括在所述非显示区域中与所述负载单元间隔开的多个虚设单元，
其中，所述负载单元中的每个包括彼此至少部分地叠置的负载半导体层、第一负载导电层和第二负载导电层，绝缘层位于所述负载半导体层、所述第一负载导电层以及所述第二负载导电层之间，并且所述负载半导体层经由第一接触孔连接到所述第二负载导电层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一布线延伸到所述非显示区域并且连接到所述第一负载导电层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述虚设单元中的每个包括：
虚设半导体层；
第一虚设导电层；以及
第二虚设导电层，所述虚设半导体层、所述第一虚设导电层和所述第二虚设导电层彼此至少部分地叠置，绝缘层位于所述虚设半导体层、所述第一虚设导电层以及所述第二虚设导电层之间，其中，所述虚设半导体层和所述第一虚设导电层分别经由第二接触孔和第三接触孔连接到所述第二虚设导电层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域和所述第二区域在第一方向上从左至右布置，
其中，所述负载匹配区域包括位于所述第一区域的左侧上的第一负载匹配区域和位于所述第二区域的右侧上的第二负载匹配区域。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述第一负载匹配区域在与所述第一方向相反的方向上具有凸起形状。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述负载匹配区域还包括位于所述第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和位于所述第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第三负载匹配区域包括在垂直于所述第一方向的第二方向上布置的上区域和下区域，并且所述上区域和所述下区域的在所述第一方向上的宽度在所述第二方向上逐渐增大然后减小。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第一负载匹配区域的负载单元通过绕过所述第一区域的布线连接到所述第三负载匹配区域的负载单元。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述虚设区域位于所述第一区域与所述第二区域之间。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一区域和所述第二区域在第一方向上从左至右布置，
其中，所述负载匹配区域包括位于所述第一区域的右侧上的第三负载匹配区域和位于所述第二区域的左侧上的第四负载匹配区域。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，连接到所述第三负载匹配区域的所述第一布线绕过所述第一区域。
12.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括：第一区域；第二区域；围绕所述第一区域和所述第二区域的非显示区域；以及围绕所述非显示区域的显示区域；
多个像素，位于所述显示区域中；
多条扫描线，连接到所述多个像素，所述多条扫描线在第一方向上延伸；
多条数据线，连接到所述多个像素，所述多条数据线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及
负载匹配区域，连接到所述多条扫描线中的第一扫描线，所述负载匹配区域包括布置在所述非显示区域中的负载单元，
其中，所述负载单元中的每个包括：负载半导体层；第一负载导电层；以及第二负载导电层，所述负载半导体层、所述第一负载导电层和所述第二负载导电层彼此至少部分地叠置，绝缘层位于所述负载半导体层、所述第一负载导电层以及所述第二负载导电层之间，并且所述负载半导体层电连接到所述第二负载导电层，
其中，所述负载单元与所述多条数据线中的一些数据线叠置。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述多条数据线中的所述一些数据线中的一些与所述第二负载导电层位于同一层上并且与所述第二负载导电层分隔开。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一负载导电层与所述多条数据线中的一些数据线叠置。
15.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述多条数据线包括位于不同层上的第一数据线和第二数据线，
其中，所述第二数据线在所述第一区域和所述第二区域周围的区域中与所述第一数据线交替。
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