CN111627955A - 显示面板 - Google Patents

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CN111627955A CN202010088132.XA CN202010088132A CN111627955A CN 111627955 A CN111627955 A CN 111627955A CN 202010088132 A CN202010088132 A CN 202010088132A CN 111627955 A CN111627955 A CN 111627955A
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李东烨
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Abstract

一种显示面板包括：包括显示区域以及在显示区域中的第一区域的基板；在显示区域中的多个像素，其中多个像素包括与第一区域邻近的第一组第一像素，并且第一像素中的每个第一像素包括第一半导体层，其中第一像素中的每个第一像素的第一半导体层在第一方向上连接到第一像素中的另一个第一像素的第一半导体层，以形成设置在基板上的多个第一行，并且多个第一行连接到在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连接线。

Description

显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年2月27日提交至韩国知识产权局(KIPO)的第10-2019-0023294号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部公开通过引用整体合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种包括显示区域的内部分中的第一区域的显示面板。
背景技术
近来，显示装置已经用于各种目的。另外，由于显示装置的减小的厚度和轻的重量，显示装置已经被更广泛地使用。
随着显示区域占据显示装置的更大部分，附加功能被移植或链接到显示装置。为了在增大显示区域的尺寸的同时增加各种功能，已经研究和学习了包括在其中可以设置有各种合适的部件的显示区域的显示装置。
发明内容
一个或多个实施例的方面涉及具有包括在其中可以设置有各种部件的第一区域的显示区域的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。然而，以上方面是示例性的，并且本公开的范围不受这些方面的限制。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地从描述中可以是显而易见，或者可以通过实施例的实践来习得。
根据一个或多个实施例，显示面板包括：包括显示区域以及在显示区域中的第一区域的基板；以及在显示区域中的多个像素，其中多个像素包括与第一区域邻近的第一像素的第一组，并且第一像素中的每个第一像素包括第一半导体层，其中第一像素中的每个第一像素的第一半导体层在第一方向上连接到第一像素中的另一个第一像素的第一半导体层，以形成设置在基板上的多个第一行，并且其中多个第一行连接到在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连接线。
多个第一行中的每个第一行可以包括与第一区域邻近的第一端部以及与第一端部相对的第二端部，并且第一连接线可以连接到第一端部和第二端部中的至少一个。
多个像素可以包括与第一组邻近的第一邻近像素组，并且第一邻近像素组中的像素中的每个像素可以包括半导体层，其中第一邻近像素组中的像素中的每个像素的半导体层可以在第一方向上连接到第一邻近像素组中的像素中的另一个像素的半导体层，以形成设置在基板上的多个行，并且其中第一连接线连接到第一邻近像素组中的多个行。
第一组中的第一半导体层的总面积与第一邻近像素组中的半导体层的总面积不同。
第一连接线和第一半导体层包括相同的材料。
多个像素可以进一步包括与第一像素的第一组间隔开的第二像素的第二组，而第一区域在第一组与第二组之间，其中第二像素中的每个第二像素包括第二半导体层，并且其中第二像素中的每个第二像素的第二半导体层在第一方向上连接到第二像素中的另一个第二像素的第二半导体层，以形成设置在基板上的多个第二行。
显示面板可以进一步包括在第二方向上延伸的第二连接线，并且多个第二行中的每个第二行可以连接到第二连接线。
多个第二行中的每个第二行可以包括与第一区域邻近的第一端部以及与第一端部相对的第二端部，并且其中第二连接线可以连接到多个第二行中的每个第二行的第一端部和第二端部中的至少一个。
多个像素可以进一步包括与第二组邻近的第二邻近像素组，并且第二邻近像素组中的像素中的每个像素包括半导体层，其中第二邻近像素组中的像素中的每个像素的半导体层可以在第一方向上连接到第二邻近像素组中的像素中的另一个像素的半导体层，以形成设置在基板上的多个行，并且其中第二连接线可以连接到第二邻近像素组中的多个行。
第二连接线和第二半导体层可以包括相同的材料。
根据一个或多个实施例，显示面板包括：包括第一区域和第二区域的基板；在第二区域中的多个第一行，多个第一行中的每个第一行包括在第一方向上彼此连接的多个第一半导体层；在第二区域中的多个第二行，多个第二行中的每个第二行包括在第一方向上彼此连接的多个第二半导体层；以及连接到多个第一行并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连接线。
第一连接线和多个第一半导体层可以包括相同的材料。
多个第一行中的每个第一行可以包括与第一区域邻近的第一端部以及与第一端部相对的第二端部，并且其中第一连接线可以连接到第一端部和第二端部中的至少一个。
显示面板可以进一步包括与多个第一行邻近的多个第一邻近行，多个第一邻近行中的每个第一邻近行包括在所述第一方向上彼此连接的多个半导体层，并且第一连接线连接到多个第一邻近行。
多个第一半导体层和多个半导体层可以在第二方向上分别连接到邻近的第一半导体层或半导体层。
多个第一行和多个第二行可以彼此分离，而第一区域在多个第一行与多个第二行之间。
多个第一半导体层和多个第二半导体层可以被阶梯式设置在与第一区域邻近的区域中。
显示面板可以进一步包括连接到多个第二行并且在第二方向上延伸的第二连接线。
第二连接线和多个第二半导体层可以包括相同的材料。
显示面板可以进一步包括与多个第二行邻近的多个第二邻近行，多个第二邻近行中的每个第二邻近行包括在第一方向上彼此连接的多个半导体层，并且第二连接线连接到多个第二邻近行。
除了描述之外的方面和特征将从附图、权利要求和具体实施方式中显而易见。
附图说明
从以下结合附图的实施例的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更易于理解，在其中：
图1是示出根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2A和图2B是各自示出根据实施例的显示装置的简要剖视图；
图3A至图3D是各自示出根据实施例的显示面板的示意性剖视图；
图4A至图4D是各自示出根据实施例的显示面板的示意性剖视图；
图5是示出根据实施例的显示面板中的任意一个像素的等效电路图；
图6A是根据实施例的显示面板中的第n像素的俯视平面图；
图6B是根据实施例的显示面板中的像素电路中的第n像素电路和第n+1像素电路的俯视平面图的片段；
图7是根据实施例的任意一个像素的剖视图；
图8是示出根据实施例的显示面板的示意性俯视平面图；
图9是根据实施例的包含在设置在显示面板中的第一区域附近的像素中的每个像素中的半导体层的俯视平面图的片段；
图10A和图10B是各自示出根据实施例的显示面板的一部分的俯视平面图；
图11是根据另一实施例的包含在设置在显示面板中的第一区域附近的像素中的每个像素中的半导体层的俯视平面图的片段；
图12A至图12D每个是沿图11所示的线XII-XII’截取的显示面板的剖视图；
图13是示出根据另一实施例的显示面板的示意性俯视平面图；
图14是示出根据另一实施例的包含在设置在显示面板中的第一区域附近的像素中的每个像素中的半导体层的俯视平面图的片段；
图15是示出根据另一实施例的显示面板的俯视平面图；并且
图16是示出根据实施例的设置在显示面板中的第一区域附近的半导体层的俯视平面图。
具体实施方式
由于实施例允许各种合适的改变，因此将在附图中图示并且在书面描述中更加具体地描述特定实施例。参考下文和附图中具体描述的实施例，实施例以及实现实施例的特征可变得显而易见。然而，实施例并不限于本文中阐述的实施例，并且可以以各种形式体现。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。如本文中使用的，术语“和/或”指示关联的所列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“…中的至少一个”的表达，当在元件的列表之后时，修饰整个元件的列表并且不修饰列表中的个别元件。此外，在描述本发明构思的实施例时，“可以”的使用指的是本发明构思的一个或多个实施例。
在下文中，将参考附图更具体地描述实施例。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且它们的重复描述将被省略。
在本文中阐述的实施例中，诸如“第一”、“第二”、“第三”和“第四”的术语不以限制的意义被使用，并且仅用于将一个部件与另一部件相区分。
以单数形式使用的表述涵盖复数的表述，除非其在语境中具有明显不同的含义。
在本文中阐述的实施例中，诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语旨在指示说明书中公开的特征或部件的存在，并且不旨在排除一个或多个特征或部件可以存在或可以被添加的可能性。
将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，该层、区域或部件可以直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。即，例如，可以存在中间层、区域或部件。
为便于说明，可以夸大附图中的部件的尺寸。换句话说，由于附图中的部件的尺寸和厚度为了便于说明而被任意地图示，因此实施例不限于此。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在本说明书中，“A和/或B”指示“A”、“B”或“A和B”。在本说明书中，“A和B中的至少一个”指示“A”、“B”或“A和B”。
在本文中阐述的实施例中，当层、区域或部件连接到另一层、区域或部件时，层、区域或部件可以彼此直接连接，并且层、区域或部件也可以间接地彼此连接而另一层、区域或部件在它们之间。例如，在本说明书中，当层、区域或部件电连接到另一层、区域或部件时，层、区域或部件可以彼此直接电连接，并且层、区域或部件也可以间接地彼此电连接而另一层、区域或部件在它们之间。
如本文中使用的，术语“基本上”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑将被本领域普通技术人员所认识到的在测量的或计算的值中的固有偏差。
为了易于描述，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下面的”、“向下”、“上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中所图示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件随之将被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包含上方和下方两种方位。设备可以被另外定位(旋转90度或者以其它方位定位)，并且本文中使用的空间上相对的描述符被相应的解释。
如本文中使用的术语“使用”可被认为与术语“利用”同义。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在通常使用的字典中限定的术语应该被解释为具有与它们在相关技术和/或本说明书的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
图1是示出根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参考图1，显示装置1包括第一区域OA和显示区域(或第二区域)DA。换句话说，第二区域DA至少部分地围绕第一区域OA。显示装置1可以通过使用从设置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。在图1中，一个第一区域OA被设置在显示区域DA的内部分中，并且第一区域OA可以被显示区域DA完全地围绕。第一区域OA可以是在其中设置有稍后要参考图2A和图2B描述的部件的区域。
中间区域(或第三区域)MA可以被设置在第一区域OA与显示区域DA之间，并且显示区域DA可以被外围区域(或第四区域)PA围绕。中间区域MA和外围区域PA可以是在其中未设置有像素的非显示区域。中间区域MA可以被显示区域DA完全地围绕，并且显示区域DA可以被外围区域PA完全地围绕。
在下文中，有机发光显示器被解释为根据实施例的显示装置1的示例，但显示装置1并不限于此。在实施例中，显示装置1可以是无机发光显示器、无机电致发光显示器或量子点发光显示器。例如，在显示装置1中提供的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料或量子点。在一个或多个实施例中，发射层可以包括有机材料和量子点、或无机材料和量子点。
在图1中图示了近似圆形的第一区域OA，但实施例并不限于此。可以存在一个或多个第一区域OA，并且一个或多个第一区域OA中的每个第一区域OA可以是任何合适的形状，例如，圆形、椭圆形、多边形、星形和/或菱形。
图2A和图2B是各自示出根据实施例的显示装置1的简要剖视图，并且可以与沿图1所示的线II-II’截取的显示装置1的截面对应。
参考图2A和图2B，显示装置1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测层40以及光学功能层50。显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以被窗口60覆盖。显示装置1可以包括各种类型的电子设备，诸如移动电话、膝上型计算机或智能手表。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括设置在显示区域DA中的像素。像素可以各自包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管或量子点有机发光二极管等。
输入感测层40可以获取根据外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)以及连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以被设置在显示面板10上。输入感测层40可以通过互容方法(例如，互电容方法)和/或自容方法(例如，自电容方法)来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或单独地形成并且然后通过使用诸如光学透明粘合剂的粘合剂层组合到显示面板10。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成(例如，输入感测层40可以与显示面板10连续地形成)。在此情况下，输入感测层40可以被理解为显示面板10的一部分，并且在输入感测层40与显示面板10之间可以没有粘合剂层。尽管图2A示出了在其中输入感测层40在显示面板10与光学功能层50之间的实施例，但是在另一实施例中，输入感测层40可以被设置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以降低从外部通过窗口60入射在显示面板10上的光(外部光)的反射率(例如，光反射率值)。防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型或液晶涂布型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以包括膜型或液晶涂布型。膜型偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，并且液晶涂布型偏振器可以包括设置成某种排列的液晶。延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。延迟器和偏振器的保护膜可以被限定为防反射层的基底层。
在实施例中，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示面板10的每个像素发射的光的颜色来设置滤色器。滤色器中的每个滤色器可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。可替代地，滤色器中的每个滤色器可以进一步包括除颜料或染料以外的量子点。可替代地，滤色器中的一些滤色器可以包括诸如氧化钛的分散的颗粒，而不是上述的颜料或染料。
在实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别设置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以经历相消干涉。因此，可以降低入射在显示面板10上的外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的发光效率或减少颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层和/或具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括防反射层和/或透镜层。
在实施例中，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续地形成(例如，光学功能层50可以与显示面板10和输入感测层40连续地形成)。在此情况下，粘合层可以不位于光学功能层50与显示面板10和/或输入感测层40之间。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以各自包括开口。就此而言，图2A示出了在其中显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括彼此重叠的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H的实施例。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H被设置成与第一区域OA对应。在实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或多个可以不包括开口。例如，从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中选择的一个或两个部件可以不包括开口。可替代地，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以不包括如图2B所示的开口。
如以上的一个或多个实施例中所述，第一区域OA可以是用于向显示装置1添加各种合适功能的部件20位于其中的这种类型的部件区域(例如，传感器区域、照相机区域和/或扬声器区域等)。部件20可以在第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中，如图2A所示。可替代地，部件20可以被设置在显示面板10下方，如图2B所示。
部件20可以包括电子元件。例如，部件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括输出和/或接收光的传感器(诸如红外线传感器)、接收光并捕获图像的照相机、通过输出和感测光或声音来测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小型灯、输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用具有各种合适波段的光，诸如可见光、红外光、紫外光等。在一个或多个实施例中，第一区域OA可以被理解为传输区域，从部件20输出到外部或者从外部行进到部件20的电子元件的光和/或声音可以通过该传输区域被传输。
在实施例中，当显示装置1用作智能手表或车辆的仪表面板时，部件20可以是诸如手表的指针或指示某些信息(例如，车辆的速度)的针的构件。当显示装置1包括时钟的指针或用于车辆的仪表面板时，部件20可以通过窗口60朝向外部被暴露，并且窗口60可以包括与第一区域OA对应的开口。
如上所述，在一个或多个实施例中，部件20可以包括与显示面板10的功能相关的元件或诸如用于改善显示面板10的美感印象的附件的元件。尽管在图2A和图2B中未示出，但光学透明粘合剂等可以位于窗口60与光学功能层50之间。
图3A至图3D是示出根据实施例的显示面板10的示意性剖视图。
参考图3A，显示面板10包括设置在基板100上的显示层200。基板100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。基板100可以包括单层或多层。例如，如图3A的放大图所示，基板100可以包括第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。
第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚合物树脂。例如，第一基底层101和第二基底层103可以包括高分子量树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。第一基底层101和第二基底层103可以包括透明聚合物树脂。
作为防止外部异物的渗透的阻挡层的第一阻挡层102和第二阻挡层104可以各自包括包含诸如氮化硅或氧化硅的无机材料的单层或多层。
显示层200包括多个像素。显示层200可以包括显示元件层200A和像素电路层200B，显示元件层200A包括设置在每个像素中的显示元件，像素电路层200B包括设置在每个像素中的像素电路和绝缘层。像素电路中的每个像素电路可以包括晶体管和存储电容器，并且可以电连接到显示元件中的每个显示元件。显示元件中的每个显示元件可以各自包括有机发光二极管OLED。
显示层200中的显示元件可以被包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的封装构件(诸如薄膜封装层300)覆盖。当显示面板10包括包含聚合物树脂的基板100以及包含无机封装层和有机封装层的薄膜封装层300时，显示面板10的柔性可以被增强。
显示面板10可以包括贯穿(或延伸穿过)显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以位于第一区域OA中，并且在实施例中，如图3A所示，第一区域OA可以是一种类型的开口区域(或开口)。在图3A中，基板100和薄膜封装层300分别包括与显示面板10的第一开口10H对应的第一穿孔100H和第三穿孔300H。显示层200也可以包括与第一区域OA对应的第二穿孔200H。
在实施例中，如图3B所示，基板100可以不包括与第一区域OA对应的第一穿孔100H。显示层200可以包括与第一区域OA对应的第二穿孔200H。薄膜封装层300可以不包括与第一区域OA对应的第三穿孔300H。在实施例中，如图3C所示，显示层200可以不包括与第一区域OA对应的第二穿孔200H，并且显示元件层200A不位于第一区域OA中。
在图3A至图3C中，显示元件层200A不位于第一区域OA中，但实施例并不限于此。在实施例中，如图3D所示，辅助显示元件层200C可以位于第一区域OA中。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A中的显示元件不同结构和/或以与显示元件层200A中的显示元件不同的方式操作的显示元件。
在实施例中，显示元件层200A中的每个像素可以包括有源矩阵有机发光二极管，并且辅助显示元件层200C可以包括各自包括无源矩阵有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无源矩阵有机发光二极管的显示元件时，包括在像素电路中的元件可以不位于无源矩阵有机发光二极管下方。例如，在像素电路层200B中，在辅助显示元件层200C下方的部分不包括晶体管和存储电容器。
在实施例中，辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A相似类型(例如，相同类型)的显示元件(例如，有源矩阵有机发光二极管)，但在辅助显示元件层200C下方的像素电路的结构可以与在显示元件层200A下方的像素电路的结构不同。例如，在辅助显示元件层200C下方的像素电路(例如，在基板100与晶体管之间具有遮光膜的像素电路)可以包括与在显示元件层200A下方的像素电路的结构不同的结构。可替代地，辅助显示元件层200C中的显示元件可以响应于与施加到显示元件层200A中的显示元件的信号不同的控制信号而操作。不需要相对高的透光率的部件(例如，红外线传感器等)可以被设置于在其中设置有辅助显示元件层200C的第一区域OA中。在此情况下，第一区域OA可以被理解为部件区域和辅助显示区域。
图4A至图4D是各自示出根据另一实施例的显示面板10’的示意性剖视图。与参考图3A至图3D描述的包括薄膜封装层300的显示面板10不同，图4A至图4D所示的显示面板10’可以包括封装基板300A和密封剂340。
如图4A至图4C所示，基板100、显示层200和封装基板300A中的一个或多个可以包括各自与第一区域OA对应的第一穿孔100H、第二穿孔200H和第三穿孔300AH。在实施例中，显示元件层200A可以不被设置在第一区域OA中。在实施例中，辅助显示元件层200C可以被设置在第一区域OA中，如图4D所示。辅助显示元件层200C与以上参照图3D描述的辅助显示元件层200C相同或基本上相似。
图5是示出根据实施例的显示面板中的像素P的等效电路图。
参考图5，像素P包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个晶体管和存储电容器。晶体管和存储电容器可以连接到信号线(例如，第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VIL和驱动电压线PL。
图5示出了在其中每个像素P连接到信号线(第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VIL和驱动电压线PL的实施例，但实施例并不限于此。在实施例中，信号线(第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VIL和驱动电压线PL等中的至少一条可以在邻近像素之间共用。
多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7。这里，多个晶体管中的全部晶体管都是薄膜晶体管。
信号线包括递送扫描信号GW的第一扫描线SWL、将前一扫描信号GI递送到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7的第二扫描线SIL、将发射控制信号EM递送到操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6的发射控制线EL、以及与第一扫描线SWL交叉并且将数据信号Dm递送到开关晶体管T2的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD递送到驱动晶体管T1，并且初始化电压线VIL递送对驱动晶体管T1和像素电极进行初始化的初始化电压Vint。
驱动晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一电容板CE1；驱动晶体管T1的驱动源电极S1通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL；并且驱动晶体管T1的驱动漏电极D1通过发射控制晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动晶体管T1响应于开关晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供给到有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2的开关栅电极G2连接到第一扫描线SWL；开关晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL；开关晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动晶体管T1的驱动源电极S1，并且还通过操作控制晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关晶体管T2响应于通过第一扫描线SWL递送的扫描信号GW而被导通，并执行将通过数据线DL递送的数据信号Dm递送到驱动晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的补偿栅电极G3连接到第一扫描线SWL；补偿晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动晶体管T1的驱动漏电极D1，并且同时也通过发射控制晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极；补偿晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一电容板CE1、第一初始化晶体管T4的第一初始化漏电极D4以及驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿晶体管T3响应于通过第一扫描线SWL接收的扫描信号GW而被导通，以电连接驱动晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1，从而使驱动晶体管T1具有二极管连接。
第一初始化晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到第二扫描线SIL；第一初始化晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VIL；并且第一初始化晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一电容板CE1、补偿晶体管T3的补偿漏电极D3以及驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化晶体管T4响应于通过第二扫描线SIL接收的前一扫描信号GI而被导通，并且将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的驱动栅电极G1，从而执行初始化操作，以初始化驱动晶体管T1的驱动栅电极G1的电压。
操作控制晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL；操作控制晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL；操作控制晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动晶体管T1的驱动源电极S1和开关晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL；发射控制晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM并发地(例如，同时地)被导通，使得驱动电压ELVDD被递送到有机发光二极管OLED，并且驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到第二扫描线SIL；第二初始化晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极；并且第二初始化晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VIL。第二初始化晶体管T7响应于通过第二扫描线SIL递送的前一扫描信号GI而被导通，并且对有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化。
图5示出了在其中第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7连接到第二扫描线SIL的实施例，但实施例并不限于此。作为另一实施例，第一初始化晶体管T4可以连接到第二扫描线SIL并且响应于前一扫描信号GI而被驱动，并且第二初始化晶体管T7可以连接到设置在前一行或下一行中的像素的第一扫描线或第二扫描线。
存储电容器Cst的第二电容板CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以通过接收来自驱动晶体管T1的驱动电流IOLED并发光来显示图像。
在图5中，补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4各自包括双栅电极，但补偿晶体管T3和第一初始化晶体管T4可以各自包括一个栅电极。
参考图5描述了包括七个晶体管T1至T7和一个存储电容器Cst的像素电路PC，但实施例并不限于此。在一个或多个实施例中，根据像素电路PC的设计，晶体管T1至T7的数量可以被适当地修改为例如小于或等于六，或者等于或大于八。在一个或多个实施例中，根据像素电路PC的设计，存储电容器Cst的数量可以被适当地修改为例如等于或大于二。
图6A是根据实施例的显示面板中的第n像素的俯视平面图，并且图6B是根据实施例的从显示面板中的像素电路中选择的第n像素电路和第n+1像素电路的俯视平面图的片段。
参考图6A，驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7沿半导体层1130被设置。
半导体层1130的部分各自与驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7中的每个的半导体层对应。换句话说，可以理解，驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、第一初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发射控制晶体管T6和第二初始化晶体管T7的半导体层彼此连接并且被弯曲成各种合适的形状。
半导体层1130包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区在沟道区中的每个沟道区的相应侧，其中源区和漏区可以被理解为相关晶体管的源电极和漏电极。在下文中，为了方便起见，源区和漏区分别被称为源电极和漏电极。
驱动晶体管T1包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区的两侧的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区可以通过具有类似欧米茄形状的弯曲形状在狭窄区域中形成大的沟道长度。当驱动沟道区长时，栅电压的驱动范围增大。因此，可以更精巧地控制从有机发光二极管OLED发射的光的等级，并且可以提高显示的质量。
开关晶体管T2包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2、开关源电极S2和开关漏电极D2。开关源电极S2和开关漏电极D2在开关沟道区的两侧。开关漏电极D2可以连接到驱动源电极S1。
可以是双晶体管(例如，双栅晶体管)的补偿晶体管T3可以包括与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3，并且还可以包括位于补偿沟道区的两侧的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿晶体管T3可以通过可以稍后描述的节点连接线1174连接到驱动晶体管T1的驱动栅电极G1。
可以是双晶体管(例如，双栅晶体管)的第一初始化晶体管T4可以包括与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4，并且还可以包括位于第一初始化沟道区的两侧的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
操作控制晶体管T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5，并且可以包括位于操作控制沟道区的两侧的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发射控制晶体管T6可以包括与发射控制沟道区重叠的发射控制栅电极G6，并且可以包括位于发射控制沟道区的两侧的发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6。发射控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。
第二初始化晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7，并且可以包括位于第二初始化沟道区的两侧的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1可以被设置在半导体层1130上，而绝缘层在第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1与半导体层1130之间。
第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL可以各自在第一方向(x方向)上延伸。第一扫描线SWL的部分可以分别与开关栅电极G2和补偿栅电极G3对应。第二扫描线SIL的部分可以分别与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7对应。发射控制线EL的部分可以分别与操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6对应。
可以是岛电极的驱动栅电极G1可以通过节点连接线1174连接到补偿晶体管T3。
电极电压线HL可以被设置在第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1上方，而绝缘层在电极电压线HL与第一扫描线SWL、第二扫描线SIL、发射控制线EL和驱动栅电极G1之间。
电极电压线HL可以在第一方向上延伸，以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分。例如，电极电压线HL的一部分可以与驱动栅电极G1重叠，并且可以与驱动栅电极G1一起形成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一电容板CE1，并且电极电压线HL的一部分可以是存储电容器Cst的第二电容板CE2。
存储电容器Cst的第二电容板CE2电连接到可以稍后描述的驱动电压线PL。就此而言，电极电压线HL可以通过接触孔CNT与设置在电极电压线HL上方的驱动电压线PL接触。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL的电压电平相同或基本上相似的电压电平(例如，正电压)。电极电压线HL可以被理解为横向驱动电压线。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以被设置在电极电压线HL上方，而绝缘层在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174与电极电压线HL之间。
数据线DL和驱动电压线PL可以在第二方向(y方向)上延伸。数据线DL可以通过接触孔1154与开关晶体管T2的开关源电极S2接触。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极S2。
驱动电压线PL通过接触孔CNT与电极电压线HL接触。驱动电压线PL也可以通过接触孔1155连接到操作控制晶体管T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155与操作控制源电极S5接触。
初始化连接线1173的端部可以通过接触孔1152连接到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7，并且初始化连接线1173的另一端部可以通过接触孔1151连接到可以稍后描述的初始化电压线VIL。
节点连接线1174的端部可以通过接触孔1156连接到补偿漏电极D3，并且节点连接线1174的另一端部可以经由接触孔1157与驱动栅电极G1接触。
初始化电压线VIL可以被设置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上，而绝缘层在初始化电压线VIL与数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174之间。
初始化电压线VIL可以在第一方向(x方向)上延伸。初始化电压线VIL可以通过初始化连接线1173连接到第一初始化晶体管T4和第二初始化晶体管T7。
初始化电压线VIL可以与有机发光二极管OLED的像素电极210设置在同一层上，并且可以包括与有机发光二极管OLED的像素电极210相同的材料。像素电极210可以连接到发射控制晶体管T6。像素电极210可以通过接触孔1163与接触金属1175接触，并且接触金属1175可以通过接触孔1153与发射控制漏电极D6接触。图6A示出了初始化电压线VIL被设置在与像素电极210(参见图7)的层相同的层上。然而，在另一实施例中，初始化电压线VIL可以被设置在与电极电压线HL的层相同的层上。
在图6A中，第二初始化晶体管T7电连接到第二扫描线SIL，然而，作为另一实施例，第二初始化晶体管T7可以连接到包括在第n-1像素的像素电路中的第一扫描线或第二扫描线，或者可以连接到包括在第n+1像素的像素电路中的第一扫描线或第二扫描线。
参考图6B，第n像素中的半导体层1130n可以连接到第n+1像素中的半导体层1130n+1。在此情况下，邻近的像素电路(例如，第n像素的像素电路和第n+1像素的像素电路)可以共用一条或多条信号线，并且像素电路可以被有效地设置在小范围的区域(例如，相对小的区域)中。
图7是根据实施例的像素的剖视图；图7是沿图6A所示的线I-I’和II-II’截取的第n像素的俯视平面图的剖视图。
如上所述，基板100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。位于基板100上的缓冲层111可以减少或防止异物、湿气或外部空气从基板100的下部分渗透，并且在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以包括无机材料和/或有机材料的单层或多层。
半导体层1130a和1130b可以包括多晶硅。在实施例中，半导体层1130a和1130b可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。图7所示的半导体层1130a和1130b是参考图6A描述的半导体层1130的部分。
驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6分别被设置在半导体层1130a和1130b上，而第一栅绝缘层112在驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6与半导体层1130a和1130b之间。驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6中的每个可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)，并且可以包括单层或多层。例如，驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6中的每个可以包括Mo的单层。第一扫描线SWL、第二扫描线SIL和发射控制线EL(参见图6A)可以形成在与驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6的层相同的层。也就是说，驱动栅电极G1、发射控制栅电极G6、第一扫描线SWL、第二扫描线SIL和发射控制线EL(参见图6A)可以被设置在第一栅绝缘层112上。
第一栅绝缘层112可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
第二栅绝缘层113可以被提供以覆盖驱动栅电极G1和发射控制栅电极G6。第二栅绝缘层113可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
存储电容器Cst的第一电容板CE1可以与驱动晶体管T1的驱动栅电极G1一体地形成。也就是说，驱动晶体管T1的驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一电容板CE1。
存储电容器Cst的第二电容板CE2与第一电容板CE1重叠，而第二栅绝缘层113在第二电容板CE2和第一电容板CE1之间。在此情形下，第二栅绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。第二电容板CE2可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。例如，第二电容板CE2可以包括Mo的单层或诸如Mo/Al/Mo的多层。
尽管存储电容器Cst被示出为与驱动晶体管T1重叠，但实施例并不限于此。存储电容器Cst的布置可以进行各种改变，例如，在一个或多个实施例中，存储电容器Cst可以被设置为与驱动晶体管T1不重叠。
第二电容板CE2可以用作电极电压线HL。例如，电极电压线HL的一部分可以是存储电容器Cst的第二电容板CE2。
层间绝缘层115可以被提供以覆盖第二电容板CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锌。
数据线DL、驱动电压线PL和接触金属1175可以被设置在层间绝缘层115上。数据线DL、驱动电压线PL和接触金属1175可以各自包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。例如，数据线DL、驱动电压线PL和接触金属1175可以包括诸如Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL和驱动电压线PL可以分别将信号和电压递送到每个像素。数据线DL和驱动电压线PL的比电阻(例如，特定电阻)可以小于第二电容板CE2的比电阻或电极电压线HL的比电阻。在一个或多个实施例中，数据线DL和驱动电压线PL的比电阻可以为第二电容板CE2的比电阻或电极电压线HL的比电阻的大约十分之一(大约十分之一)。
存储电容器Cst的第二电容板CE2可以通过限定在层间绝缘层115中的接触孔CNT与驱动电压线PL接触。这可以指示电极电压线HL通过接触孔CNT与驱动电压线PL接触。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL的电压电平相同或基本上相似的电压电平(例如，正电压)。
接触金属1175通过贯穿(或延伸穿过)层间绝缘层115、第二栅绝缘层113和第一栅绝缘层112的接触孔1153与发射控制晶体管T6的半导体层1130b接触。发射控制晶体管T6可以通过接触金属1175电连接到有机发光二极管OLED的像素电极210。
平坦化层117可以位于数据线DL、驱动电压线PL和接触金属1175上，并且有机发光二极管OLED可以位于平坦化层117上。
平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得像素电极210被形成为平坦的形状。平坦化层117可以包括包含由有机材料形成的膜的单层或多层。平坦化层117可以包括如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS)的通用商业聚合物，具有苯酚基的通用商业聚合物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟化聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的共混物。在实施例中，平坦化层117可以包括诸如氮化硅和/或氧化硅的无机材料，并且当平坦化层117包括无机材料时，可以根据需要执行化学极化抛光操作。在实施例中，平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
暴露接触金属1175的接触孔1163在平坦化层117中，并且像素电极210通过接触孔1163与接触金属1175接触。
像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。在一个或多个实施例中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或它们的组合的反射膜，并且也可以包括形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在一个或多个实施例中，像素电极210可以包括堆叠结构(例如，ITO/Ag/ITO)。
像素限定层119可以被设置在平坦化层117上，并且像素限定层119可以通过具有暴露像素电极210的中心部分的开口119OP来限定像素的发射区域。另外，像素限定层119可以通过增大像素电极210的边缘与在像素电极210的上部分处的对电极230之间的距离来防止或基本上防止像素电极210的一个或多个边缘处的电弧等。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以使用旋涂法等形成。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以可替代地并且附加地被设置在有机发射层下方和上方。中间层220可以被设置成与多个像素电极210中的每个像素电极210对应。然而，中间层220并不限于此。中间层220可以被适当地修改，例如，在一个或多个实施例中，中间层220包括跨越多个像素电极210而一体地形成的层。
对电极230可以是透光电极或反射电极。在一个或多个实施例中，对电极230可以包括透明或半透明电极，并且可以包括金属薄膜，该金属薄膜包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的组合并且具有小的逸出功。包括ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步被设置在金属薄膜上。对电极230可以被设置成跨越显示区域DA和外围区域PA，并且可以被设置在中间层220和像素限定层119上。对电极230可以相对于多个有机发光二极管OLED形成为单体，以与多个像素电极210对应。
当像素电极210为反射电极并且对电极230为透射电极时，从中间层220发射的光朝向对电极230发射，并且因此显示装置可以是顶发射型。当像素电极210包括透明或半透明电极并且对电极230包括反射电极时，从中间层220发射的光朝向基板100发射，并且因此显示装置可以是底发射型。然而，实施例并不限于此。本实施例中的显示装置可以是在两个方向(例如，朝向顶部和朝向底部)上发光的双发射型。
图8是根据实施例的显示面板10的示意性俯视平面图，并且图9是根据实施例的包括设置在显示面板10中的第一区域周围的像素的所选择的半导体层的俯视平面图的片段。
参考图8，显示面板10可以包括第一区域OA、围绕第一区域OA的显示区域DA、位于第一区域OA与显示区域DA之间的中间区域MA、以及围绕显示区域DA的外围区域PA。图8可以被理解为图示显示面板10中的基板100。例如，可以理解，显示面板10的基板100包括第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
显示区域DA是在其中设置有多个像素的区域。在下文中，为便于说明，显示区域DA被描述为包括多个子显示区域。例如，在图8的俯视平面图中，显示区域DA的相对于第一区域OA位于上方、下方、左侧和右侧的部分分别被称为第一子显示区域SDA1、第二子显示区域SDA2、第三子显示区域SDA3和第四子显示区域SDA4。
多个像素可以包括设置在第一子显示区域SDA1中的第一像素P1、设置在第二子显示区域SDA2中的第二像素P2、设置在第三子显示区域SDA3中的第三像素P3、以及设置在第四子显示区域SDA4中的第四像素P4。第一像素P1的第一组可以被设置在第一子显示区域SDA1中；第二像素P2的第二组可以被设置在第二子显示区域SDA2中；第三像素P3的第三组可以被设置在第三子显示区域SDA3中；并且第四像素P4的第四组可以被设置在第四子显示区域SDA4中。
第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以各自包括上面参考图6A描述的像素电路，并且每个像素可以包括如图9所示的半导体层1130。在第一区域OA周围，半导体层1130可以具有阶梯式配置。包括在邻近像素中的半导体层1130可以在第一方向(即，y方向)上彼此连接，如图9所示。
参考图8和图9，第一子显示区域SDA1中的第一像素P1中的每个第一像素P1包括半导体层1130，并且如图9所示，包括在第一像素P1中的半导体层1130可以在y方向上彼此连接并且形成多个第一行R1。也就是说，第一行R1中的每个第一行R1包括在y方向上彼此连接的多个半导体层1130。
类似地，第二子显示区域SDA2中的第二像素P2中的每个第二像素P2包括半导体层1130，并且如图9所示，第二像素P2中的半导体层1130可以在y方向上彼此连接并且形成多个第二行R2。第二行R2中的每个第二行R2包括在y方向上彼此连接的多个半导体层1130。
分别设置在第三子显示区域SDA3和第四子显示区域SDA4中的第三像素P3和第四像素P4也各自包括半导体层1130。第三像素P3中的半导体层1130可以在y方向上彼此连接并且形成多个第三行R3，并且第四像素P4中的半导体层1130可以在y方向上彼此连接并且形成多个第四行R4。第三行R3和第四行R4分别包括在y方向上彼此连接的多个半导体层1130。
也就是说，位于显示区域DA中的半导体层1130在y方向上延伸并且形成多个行(例如，第一行R1、第二行R2、第三行R3和第四行R4)，其中第一行R1和第二行R2彼此隔开(或间隔开)，并且第一区域OA可以在第一行R1与第二行R2之间。第三行R3和第四行R4可以分别在跨越显示区域DA的y方向上延伸(例如，连续地延伸)，如图9所示。由于第一区域OA被提供在第一行R1与第二行R2之间，因此第一行R1和第二行R2中的每个的长度(例如，在y方向上的长度)可以小于第三行R3或第四行R4的长度。第一行R1的总范围或面积可以小于第三行R3或第四行R4的总范围或面积。同样地，第二行R2的总范围或面积可以小于第三行R3或第四行R4的总范围或面积。
根据上述结构差异，在显示区域DA的每个部分中引起负载偏差，并且由于负载偏差，可能在显示区域DA的每个部分中引起亮度不均匀性。例如，在在其中设置有相对短的半导体层的行的部分(例如，图8所示的第一子显示区域SDA1)中，亮度不均匀性可能是显著的。然而，根据实施例的显示面板10可以包括连接设置在第一区域OA周围的半导体层的行的连接线，从而减小负载偏差并防止或降低亮度不均匀性。
在实施例中，分别在第一方向(例如，y方向)上延伸的第一行R1可以连接到第一连接线，该第一连接线在与第一行R1延伸的方向相交或交叉的第二方向(例如，x方向)上延伸。就此而言，图9示出了在其中将第一行R1彼此连接的第一连接线包括第一-第一连接线CAL1-1和第一-第二连接线CAL1-2的实施例。在一个或多个实施例中，第一-第一连接线CAL1-1和第一-第二连接线CAL1-2可以包括与半导体层1130的材料相同的材料，并且可以在形成半导体层1130的工艺期间与半导体层1130并发地(例如，同时地)形成。第一连接线可以与第一行R1一体地形成。
作为另一实施例，分别在第一方向(例如，y方向)上延伸的第二行R2可以连接到第二连接线，该第二连接线在与第二行R2延伸的方向交叉的第二方向(例如，x方向)上延伸。就此而言，图9示出了将第二行R2彼此连接的第二连接线包括第二-第一连接线CAL2-1和第二-第二连接线CAL2-2。在一个或多个实施例中，第二-第一连接线CAL2-1和第二-第二连接线CAL2-2可以包括与半导体层1130的材料相同的材料，并且可以在形成半导体层1130的工艺期间与半导体层1130并发地(例如，同时地)形成。第二连接线可以与第二行R2一体地形成。
当显示面板10包括图8和图9中的第一连接线和第二连接线两者时，在一个或多个实施例中，第一连接线或第二连接线可以被省略。
第一连接线可以连接到第一行R1的端部。例如，第一行R1可以分别包括第一端部以及与第一端部相对的第二端部。第一-第一连接线CAL1-1可以连接到第一行R1的第一端部中的每个第一端部，并且第一-第二连接线CAL1-2可以连接到第一行R1的第二端部中的每个第二端部。第一-第一连接线CAL1-1可以被定位为相对邻近第一区域OA，并且第一-第二连接线CAL1-2可以被定位为相对远离(例如，不直接邻近)第一区域OA。
第一-第一连接线CAL1-1和第一-第二连接线CAL1-2分别连接到第一行R1，并且第一-第二连接线CAL1-2可以在第二方向(例如，x方向)上进一步延伸，以连接到被定位为邻近第一行R1的另一半导体层中的行。例如，如图8和图9所示，第一-第二连接线CAL1-2可以连接到第三行R3和/或第四行R4中的每个的一个端部。
在图8和图9中，第一连接线包括第一-第一连接线CAL1-1和第一-第二连接线CAL1-2两者，但实施例并不限于此。在一个或多个实施例中，第一连接线可以仅包括第一-第一连接线CAL1-1或仅包括第一-第二连接线CAL1-2。然而，当第一连接线包括第一-第一连接线CAL1-1和第一-第二连接线CAL1-2两者时，可以更有效地减小负载偏差。
类似地，第二行R2可以分别包括第一端部以及与第一端部相对的第二端部，第二-第一连接线CAL2-1可以连接到第二行R2的第一端部中的每个第一端部，并且第二-第二连接线CAL2-2可以连接到第二行R2的第二端部中的每个第二端部。第二-第一连接线CAL2-1可以被定位为相对邻近第一区域OA，并且第二-第二连接线CAL2-2可以被定位为与第一区域OA相对分离(例如，不直接邻近第一区域OA)。
第二-第一连接线CAL2-1和第二-第二连接线CAL2-2分别连接到第二行R2，并且第二-第二连接线CAL2-2可以在第二方向(例如，x方向)上进一步延伸，以连接到被定位为邻近第二行R2的另一半导体层中的行。例如，如图8和图9所示，第二-第二连接线CAL2-2可以连接到第三行R3和/或第四行R4中的每个中的另一端部。
在图8和图9中，第二连接线包括第二-第一连接线CAL2-1和第二-第二连接线CAL2-2两者，但实施例并不限于此。在一个或多个实施例中，第二连接线可以仅包括第二-第一连接线CAL2-1或仅包括第二-第二连接线CAL2-2。在减小负载偏差方面，可以优选的是，第二连接线包括第二-第一连接线CAL2-1和第二-第二连接线CAL2-2。
图10A和图10B是各自示出根据实施例的显示面板10的一部分并且与图8所示的X部分的放大图对应的俯视平面图。
参考图8、图10A和图10B，显示区域DA的拐角部分可以是圆角的(参见图8)，并且拐角部分处的半导体层1130具有阶梯配置(参见图10A和图10B)。
多个半导体层可以被设置在显示区域DA中，在其中每行中的每个半导体层可以是有效半导体层。这里，有效半导体层指示在其上形成有用于操作每个像素的晶体管的半导体层，即，在其中形成有像素电路的半导体层。在实施例中，设置在行中的半导体层中的一些可以是虚设半导体层1130D。例如，如图10B所示，第一行R1中的每个第一行R1包括位于第一行R1的端部的一侧的虚设半导体层1130D，并且第三行R3中的每个第三行R3可以包括位于第三行R3的端部的一侧的虚设半导体层1130D。
图11是根据实施例的包括在设置在显示面板10中的第一区域周围的像素中的每个像素中的半导体层的俯视平面图，并且图12A至图12D各自是沿图11所示的线XII-XII’截取的显示面板10’的剖视图。
显示面板10’可以包括多个第一区域。就此而言，图11示出了两个第一区域OA1和OA2。由于除了第一区域OA1和OA2的数量之外的其他特征与参考图8和图9描述的显示面板10的其他特征相同，因此可以在下文中描述显示面板10与显示面板10’之间的不同之处。
参考图12A，显示面板10’可以包括位于第一区域OA1和OA2中的每个中的第一开口10H。在实施例中，如图12B所示，显示面板10’可以包括位于第一区域OA1和OA2中的一个中的第一开口10H，并且在第一区域OA1和OA2中的另一个中可以不提供开口。在实施例中，如图12C所示，显示面板10’可以不包括与第一区域OA1和OA2对应的开口。
第一区域OA1和OA2中的每个可以是部件位于其中的区域。就此而言，图12A至图12C示出了第一部件21和第二部件22。第一部件21和第二部件22可以分别包括不同的元件。例如，第一部件21和第二部件22中的一个可以包括照相机、扬声器等，并且第一部件21和第二部件22中的另一个可以包括传感器。在实施例中，第一部件21和第二部件22可包括相同的部件。在实施例中，如图12D所示，一个部件20可以被定位为与多个第一区域(例如，第一区域OA1和OA2)重叠。
图13是根据实施例的显示面板10”的示意性俯视平面图，并且图14是根据实施例的包含在设置在显示面板10”中的第一区域周围的像素中的每个像素中的所选择的半导体层的俯视平面图的片段。
根据参考图8至图11描述的实施例，半导体层在y方向上彼此连接，但实施例并不限于此。如图13和图14所示，半导体层可以在x方向上彼此连接。
参考图13，多个像素被设置在显示区域DA中。多个像素可以包括设置在第一子显示区域SDA1’中的第一像素P1、设置在第二子显示区域SDA2’中的第二像素P2、设置在第三子显示区域SDA3’中的第三像素P3以及设置在第四子显示区域SDA4’中的第四像素P4。第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4可以各自包括上面参考图6A描述的像素电路，并且半导体层可以如图14所示在x方向上彼此连接。
参考图13和图14，与第一子显示区域SDA1’对应的第一像素P1中的每个第一像素P1可以包括半导体层1130’，并且如图14所示，第一像素P1中的半导体层1130’可以在x方向上彼此连接并且形成多个第一行R1’。也就是说，第一行R1’中的每个第一行R1’包括在x方向上彼此连接的多个半导体层1130’。同样地，第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4各自包括半导体层1130’，并且如图14所示，半导体层1130’可以在x方向上彼此连接，并且形成第二行R2’、第三行R3’和第四行R4’。
第三行R3’和第四行R4’中的每个在跨越显示区域DA的x方向上延伸(例如，连续地延伸)，如图14所示。相反，第一行R1’和第二行’R2被设置成彼此隔开(例如，间隔开)，第一区域OA在第一行R1’和第二行’R2之间，并且因此，第一行R1’和第二行R2’中的每个的长度(例如，在x方向上)可以小于第三行R3’或第四行R4’的长度。为了根据结构差异减小负载偏差，显示面板10”可以包括连接半导体层中的行的连接线。就此而言，图14示出了将第一行R1’彼此连接的第一连接线以及将第二行R2’彼此连接的第二连接线。
第一连接线可以包括连接到第一行R1’中的每个第一行R1’的第一端部的第一-第一连接线CAL1-1’和/或连接到第一行R1’中的每个第一行R1’的第二端部的第一-第二连接线CAL1-2’。第一-第一连接线CAL1-1’可以被定位为相对邻近第一区域OA，并且第一-第二连接线CAL1-2’可以被定位为与第一区域OA相对分离(例如，不直接邻近第一区域OA)。与参考图9描述的第一-第二连接线CAL1-2类似，第一-第二连接线CAL1-2’可以连接到包括在与第一像素P1邻近设置的其他组(例如，第三像素P3的组和/或第四像素P4的组)中的半导体层中的行。例如，如图13和图14所示，第一-第二连接线CAL1-2’可以在第二方向(例如，y方向)上延伸，并且连接到第三行R3’和第四行R4’中的每个的一个端部。
第二连接线可以包括连接到第二行R2’中的每个第二行R2’的第一端部的第二-第一连接线CAL2-1’和/或连接到第二行R2’中的每个第二行R2’的第二端部的第二-第二连接线CAL2-2’。第二-第一连接线CAL2-1’可以被定位为相对邻近第一区域OA，并且第二-第二连接线CAL2-2’可以被定位为与第一区域OA相对分离(例如，不直接邻近第一区域OA)。与上面参考图9描述的第二-第二连接线CAL2-2一样，第二-第二连接线CAL2-2’可以连接到包括在与第一像素P1邻近设置的其他组(例如，第三像素P3的组和/或第四像素P4的组)中的半导体层中的行。例如，如图13和图14所示，第二-第二连接线CAL2-2’可以连接到第三行R3’和/或第四行R4’中的每个中的另一端部。
在图13和图14中，显示面板10”包括第一连接线和第二连接线，但实施例并不限于此。在实施例中，第一连接线和第二连接线中的仅一个可以被提供在显示面板10”中。
在图13和图14中，第一连接线包括第一-第一连接线CAL1-1’和第一-第二连接线CAL1-2’，然而，在一个或多个实施例中，显示面板10”可以包括第一-第一连接线CAL1-1’和第一-第二连接线CAL1-2’中的一个。类似地，图13和图14示出了第二连接线包括第二-第一连接线CAL2-1’和第二-第二连接线CAL2-2’。然而，在一个或多个实施例中，显示面板10”可以包括第二-第一连接线CAL2-1’和第二-第二连接线CAL2-2’中的一个。
图15是示出根据实施例的显示面板10”’的俯视平面图，并且图16是示出根据实施例的设置在显示面板10”’中的第一区域周围的半导体层的俯视平面图。
参考图15，显示面板10”’可以包括第一-第一连接线CAL1-1”、第一-第二连接线CAL1-2”、第二-第一连接线CAL2-1”和/或第二-第二连接线CAL2-2”。第一-第二连接线CAL1-2”和第二-第二连接线CAL2-2”分别与参考图8和图9描述的第一-第二连接线CAL1-2和第二-第二连接线CAL2-2相同或基本上相似，并且可以在下文中描述它们的不同之处。
第一-第一连接线CAL1-1”不仅可以连接到设置在第一子显示区域SDA1中的半导体层的第一行R1”，而且还可以连接到设置在与第一子显示区域SDA1邻近的第三子显示区域SDA3中的半导体层的第三行R3”和/或设置在第四子显示区域SDA4中的半导体层的第四行R4”。同样地，第二-第一连接线CAL2-1”不仅可以连接到设置在第二子显示区域SDA2中的半导体层的第二行R2”，而且还可以连接到设置在与第二子显示区域SDA2邻近的第三子显示区域SDA3中的半导体层的第三行R3”和/或设置在第四子显示区域SDA4中的半导体层的第四行R4”。
半导体层中的第一行R1”中的每个第一行R1”可以在y方向上延伸，并且在x方向上连接到邻近的行。例如，如图16所示，第一行R1”中的任一个第一行R1”可以连接到邻近的第一行R1”，或者连接到与第一行R1”邻近的第三行R3”或第四行R4”。同样地，第二行R2”、第二行R3”和第四行R4”可以各自在y方向上延伸，并且在x方向上连接到邻近的行。如上所述，当第一行R1”、第二行R2”、第三行R3”和第四行R4”中的每个连接到邻近的行时，半导体层可以在x方向或y方向上彼此连接。
显示面板10”’可以进一步包括在y方向上延伸的第三连接线CAL3和/或第四连接线CAL4，并且第三连接线CAL3和第四连接线CAL4可以分别连接到第三行R3”和第四行R4”。
图15和图16示出了在其中半导体层在y方向上彼此连接以形成行并且邻近的行在x方向上彼此连接的结构，即，在其中半导体层在y方向和x方向上连接的结构，但实施例并不限于此。例如，参考图15和图16描述的第一-第一连接线CAL1-1”和第二-第一连接线CAL2-1”的特征也可以应用于上面参考图8和图9描述的显示面板10。
根据实施例，在包括显示区域的内部分中的第一区域的显示面板中的显示区域的每个部分中出现的亮度不均匀性可以被防止或降低。
应理解，本文中描述的实施例应被视为是描述性的而非限制目的。每个实施例中的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在实施例中进行形式上和细节上的各种适当的修改。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
基板，包括显示区域以及在所述显示区域中的第一区域；和
在所述显示区域中的多个像素，
其中所述多个像素包括与所述第一区域邻近的第一像素的第一组，并且所述第一像素中的每个第一像素包括第一半导体层，
其中所述第一像素中的每个第一像素的所述第一半导体层在第一方向上连接到所述第一像素中的另一个第一像素的所述第一半导体层，以形成设置在所述基板上的多个第一行，并且
其中所述多个第一行连接到在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连接线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个第一行中的每个第一行包括与所述第一区域邻近的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，并且
所述第一连接线连接到所述第一端部和所述第二端部中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个像素包括与所述第一组邻近的第一邻近像素组，并且所述第一邻近像素组中的所述像素中的每个像素包括半导体层，
其中所述第一邻近像素组中的所述像素中的每个像素的所述半导体层在所述第一方向上连接到所述第一邻近像素组中的所述像素中的另一个像素的所述半导体层，以形成设置在所述基板上的多个行，并且
其中所述第一连接线连接到所述第一邻近像素组中的所述多个行。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一组中的所述第一半导体层的总面积与所述第一邻近像素组中的所述半导体层的总面积不同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一连接线和所述第一半导体层包括相同的材料。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个像素进一步包括与所述第一像素的所述第一组间隔开的第二像素的第二组，而所述第一区域在所述第一组与所述第二组之间，
其中所述第二像素中的每个第二像素包括第二半导体层，并且
其中所述第二像素中的每个第二像素的所述第二半导体层在所述第一方向上连接到所述第二像素中的另一个第二像素的所述第二半导体层，以形成设置在所述基板上的多个第二行。
7.根据权利要求6所述的显示面板，进一步包括：在所述第二方向上延伸的第二连接线，并且所述多个第二行中的每个第二行连接到所述第二连接线。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述多个第二行中的每个第二行包括与所述第一区域邻近的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，并且
其中所述第二连接线连接到所述多个第二行中的每个第二行的所述第一端部和所述第二端部中的至少一个。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述多个像素进一步包括与所述第二组邻近的第二邻近像素组，并且所述第二邻近像素组中的所述像素中的每个像素包括半导体层，
其中所述第二邻近像素组中的所述像素中的每个像素的所述半导体层在所述第一方向上连接到所述第二邻近像素组中的所述像素中的另一个像素的所述半导体层，以形成设置在所述基板上的多个行，并且
其中所述第二连接线连接到所述第二邻近像素组中的所述多个行。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第二连接线和所述第二半导体层包括相同的材料。
11.一种显示面板，包括：
基板，包括第一区域和第二区域；
在所述第二区域中的多个第一行，所述多个第一行中的每个第一行包括在第一方向上彼此连接的多个第一半导体层；
在所述第二区域中的多个第二行，所述多个第二行中的每个第二行包括在所述第一方向上彼此连接的多个第二半导体层；以及
第一连接线，连接到所述多个第一行并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一连接线和所述多个第一半导体层包括相同的材料。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述多个第一行中的每个第一行包括与所述第一区域邻近的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部，并且
其中所述第一连接线连接到所述第一端部和所述第二端部中的至少一个。
14.根据权利要求11所述的显示面板，进一步包括：与所述多个第一行邻近的多个第一邻近行，所述多个第一邻近行中的每个第一邻近行包括在所述第一方向上彼此连接的多个半导体层，并且
所述第一连接线连接到所述多个第一邻近行。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述多个第一半导体层和所述多个半导体层在所述第二方向上分别连接到邻近的第一半导体层或半导体层。
16.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述多个第一行和所述多个第二行彼此分离，而所述第一区域在所述多个第一行与所述多个第二行之间。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层被阶梯式设置在与所述第一区域邻近的区域中。
18.根据权利要求11所述的显示面板，进一步包括：连接到所述多个第二行并且在所述第二方向上延伸的第二连接线。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述第二连接线和所述多个第二半导体层包括相同的材料。
20.根据权利要求18所述的显示面板，进一步包括：与所述多个第二行邻近的多个第二邻近行，所述多个第二邻近行中的每个第二邻近行包括在所述第一方向上彼此连接的多个半导体层，并且
所述第二连接线连接到所述多个第二邻近行。
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