KR20210113535A

KR20210113535A - 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기

Info

Publication number: KR20210113535A
Application number: KR1020200028643A
Authority: KR
Inventors: 이현범
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2020-03-06
Publication date: 2021-09-16

Abstract

본 발명은 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지 표현이 가능하도록 표시 영역이 확장되되, 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서의 광 투과율을 개선하고, 표시 장치의 서브층의 평탄화 정도 및 외광 반사 특성을 개선한 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기를 위하여, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터; 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터 상의 제1평탄화층; 상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1화소전극, 발광층 및 대향전극을 포함하는 제1표시요소; 상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제2트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2화소전극, 발광층, 및 대향전극을 포함하는 제2표시요소; 및 상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 개재되며, 상기 투과영역에 위치하는 개구를 포함하는 복수의 절연층들;을 포함하고, 상기 제1평탄화층의 일부는 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기를 제공한다.

Description

표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기{Display device and electric apparatus including the same}

본 발명은 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기에 관한 것으로서, 더 상세하게는 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지 표현이 가능하도록 표시 영역이 확정된 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.

근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.

표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역 내측에 이미지 디스플레이가 아닌 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.

표시 장치에 다양한 기능을 부가하기 위해 표시 장치의 표시영역에 카메라나 센서와 같은 전자컴포넌트를 배치할 수 있다. 본 발명의 실시예는, 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지 표현이 가능하도록 표시 영역이 확장되는 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터; 상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터 상의 제1평탄화층; 상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1화소전극, 발광층 및 대향전극을 포함하는 제1표시요소; 상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제2트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2화소전극, 발광층, 및 대향전극을 포함하는 제2표시요소; 및 상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 개재되며, 상기 투과영역에 위치하는 개구를 포함하는 복수의 절연층들;을 포함하고, 상기 제1평탄화층의 일부는 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치가 제공된다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1평탄화층과 상기 제1화소전극 사이, 및 상기 제1평탄화층과 상기 제2화소전극 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1평탄화층과 상기 복수의 절연층들 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 하나는 실록산계 수지를 포함하고, 상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 남은 하나는 감광성 유기절연물을 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1배리어층, 제2베이스층 및 제2배리어층을 포함하고, 상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각은, 상기 투과영역에 대응되는 개구를 포함하며, 상기 제1평탄화층의 일부는 상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각의 상기 개구 내에 위치할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1표시요소 및 상기 제2표시요소 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 구비한 박막봉지층을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 박막봉지층의 상기 적어도 하나의 유기층은, 상기 제1평탄화층을 향하는 하면 및 상기 하면의 반대편인 상면을 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기층의 상기 상면은 실질적으로 편평할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 제2평탄화층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하고, 상기 적어도 하나의 유기층의 일부는 상기 제2평탄화층의 상기 개구 내에 위치할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 박막봉지층 상에 배치되며, 유색의 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터; 및 불투명 무기 또는 유기 절연물질을 포함하는 블랙매트릭스;를 구비하는 필터층을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 투과영역을 포함하는 표시영역을 포함하는 표시 장치; 및 적어도 상기 투과영역과 중첩하게 배치된 전자컴포넌트;를 포함하며, 상기 표시 장치는, 기판; 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함하고, 상기 표시영역 상에서 상기 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 제1화소회로 및 제2화소회로; 상기 제1화소회로 및 상기 제2화소회로 상에 배치되는 제1평탄화층; 상기 제1평탄화층 상에 배치되며, 상기 제1평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해 상기 제1화소회로 및 상기 제2화소회로 각각에 전기적으로 연결된 제1화소전극 및 제2화소전극; 상기 제1 및 제2화소전극과 마주보는 대향전극; 상기 제1화소전극과 상기 대향전극 사이, 및 상기 제2화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층; 및 상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 개재되며, 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하는 복수의 절연층들;을 포함하고, 상기 제1평탄화층의 일부는 상기 개구 내에 위치하는, 전자 기기가 제공된다.

본 실시예에 따르면, 상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 하나는 실록산계 수지를 포함하고, 상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 다른 하나는 감광성 유기절연물을 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 대향전극 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 구비한 박막봉지층을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 박막봉지층 상에 배치되며, 유색의 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터; 및 불투명 무기 또는 유기 절연물질을 포함하는 블랙매트릭스;를 구비하는 필터층;을 더 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 전자컴포넌트는 센서 또는 촬상소자일 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지 표현이 가능하도록 표시 영역이 확장되는 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기를 구현할 수 있다. 특히, 전자컴포넌트가 배치되는 영역에서의 광 투과율을 개선하고, 표시 장치의 서브층의 평탄도 및 외광 반사 특성을 개선한 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 유기발광다이오드에 연결된 화소회로를 도시한 등가회로도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 장치의 제2표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널 장치의 제2표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.

x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.

도 1을 참조하면, 전자 기기(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)의 외측에 위치한 주변영역(SA)을 포함할 수 있다. 전자 기기(1)는 표시영역(DA)에 2차원적으로 배열된 복수의 화소(P)들의 어레이를 통해 이미지를 제공할 수 있다. 복수의 화소(P)들은 제1표시영역(DA1) 및 제2표시영역(DA2)에 배치될 수 있고, 제1표시영역(DA1) 및 제2표시영역(DA2)에 배치된 복수의 화소(P)들의 어레이는 서로 상이할 수 있다. 예컨대, 제2표시영역(DA2)에 배치된 복수의 화소(P)들 사이에는 투과영역(TA)이 배치되는 것과 같이, 제2표시영역(DA2)의 화소(P)들의 어레이는, 제1표시영역(DA1)의 화소(P)들의 어레이와 서로 다를 수 있다.

전자 기기(1)는 제1표시영역(DA1)에 배치된 화소(P)들에서 방출되는 광을 이용하여 제1이미지를 제공할 수 있고, 제2표시영역(DA2)에 배치된 화소(P)들에서 방출되는 광을 이용하여 제2이미지를 제공할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1이미지 및 제2이미지는 전자 기기(1)의 표시영역(DA)을 통해 제공하는 어느 하나의 이미지의 일 부분들일 수 있다. 또는, 일부 실시예에서, 전자 기기(1)는 서로 독립적인 제1이미지 및 제2이미지를 제공할 수 있다.

제2표시영역(DA2)은 화소(P)들 사이에 위치하는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 투과영역(TA)은 광이 투과할 수 있는 영역으로, 화소가 배치되지 않는 영역일 수 있다.

주변영역(SA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)을 전체적으로 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 주변영역(SA)에는 화소(P)들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 등이 배치될 수 있다. 주변영역(SA)에는 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드가 배치될 수 있다.

제2표시영역(DA2)은 도 1에 도시된 바와 같이 평면상에서 원형의 형상을 갖거나, 타원형의 형상을 가질 수 있다. 또는, 제2표시영역(DA2)은 사각형 또는 바(bar) 타입과 같은 다각형의 형상을 가질 수 있다.

제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)의 내측에 배치되거나, 제1표시영역(DA1)의 일측에 배치될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 일부 실시예로서, 제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 제2표시영역(DA2)은 제1표시영역(DA1)의 일측 코너 부분에 위치한 채, 제1표시영역(DA1)에 의해 부분적으로 둘러싸일 수 있다.

표시영역(DA)에 대한 제2표시영역(DA2)의 비율은 표시영역(DA)에 대한 제1표시영역(DA1)의 비율 보다 작을 수 있다. 전자 기기(1)는 도 1에 도시된 바와 같이 하나의 제2표시영역(DA2)을 포함하거나, 2 개 또는 그 이상의 제2표시영역(DA2)들을 포함할 수 있다.

전자 기기(1)는 휴대폰(mobile phone), 태블릿 PC, 노트북, 팔목에 차는 스마트 워치나 스마트 밴드 등을 포함할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 포함하는 전자 기기의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 2를 참조하면, 표시 장치(10) 은 기판(100), 기판(100) 상에 배치된 표시층(200), 표시층(200) 상의 박막봉지층(300), 터치입력층(40), 및 필터층(50)과 같은 광학기능층을 포함할 수 있다.

기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.

기판(100)의 전면(前面) 상에는 표시층(200)이 배치되고, 기판(100)의 배면(背面) 상에는 하부보호필름(175)이 배치될 수 있다. 하부보호필름(175)은 기판(100)의 배면에 부착될 수 있다. 하부보호필름(175)과 기판(100) 사이에는 점착층이 개재될 수 있다. 또는, 하부보호필름(175)은 기판(100)의 배면 상에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 하부보호필름(175)과 기판(100) 사이에는 점착층이 개재되지 않는다.

하부보호필름(175)은 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 하부보호필름(175)은 제2표시영역(DA2)에 대응하는 개구(175OP)를 구비할 수 있다. 하부보호필름(175)에 개구(175OP)를 구비함으로써, 제2표시영역(DA2)의 투과율, 예컨대 투과영역(TA)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 하부보호필름(175)은 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate) 또는 폴리이미드(PI, polyimide)를 포함할 수 있다

표시층(200)은 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로층, 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 표시요소층, 및 절연층(IL)을 포함할 수 있다. 제1표시영역(DA1) 및 제2표시영역(DA2)에는 각각 박막트랜지스터(TFT) 및 박막트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다. 제2표시영역(DA2)은 박막트랜지스터(TFT) 및 유기발광다이오드(OLED)가 배치되지 않는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다.

투과영역(TA)은 전자컴포넌트(20)에서 방출되는 및/또는 전자컴포넌트(20)로 향하는 빛이 투과할 수 있는 영역이다. 투과영역(TA)의 투과율은 약 50% 이상이거나, 약 60% 이상이거나, 약 75% 이상이거나, 약 80% 이상이거나, 약 85% 이상이거나, 약 90% 이상일 수 있다.

박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 박막봉지층(300)은 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이의 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.

터치입력층(40)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 터치입력층(40)은 터치전극 및 터치전극과 연결된 트레이스 라인들을 포함할 수 있다. 터치입력층(40)은 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.

터치입력층(40)은 박막봉지층(300) 상에 형성될 수 있다. 또는, 터치입력층(40)은 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제(OCA)와 같은 점착층을 통해 박막봉지층(300) 상에 결합될 수 있다. 일 실시예로서, 도 2에 도시된 바와 같이 터치입력층(40)은 박막봉지층(300) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우 점착층은 터치입력층(40)과 박막봉지층(300) 사이에 개재되지 않을 수 있다.

광학기능층은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 외부에서 표시 장치(10) 을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다.

일부 실시예에서, 반사 방지층은 도 2에 도시된 바와 같이 블랙매트릭스(530)와 컬러필터(520)들을 포함하는 필터층(50)을 포함할 수 있다. 필터층(50)은 필터베이스층(510), 필터베이스층(510) 상의 컬러필터(520)들, 블랙매트릭스(530), 및 오버코트층(540)을 포함할 수 있다.

컬러필터(520)들은 표시 장치(10) 의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 예컨대, 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 색상에 따라 컬러필터(520)는 적색, 녹색, 또는 청색을 가질 수 있다. 투과영역(TA)에는 컬러필터(520) 및 블랙매트릭스(530)가 존재하지 않을 수 있다. 예컨대, 컬러필터(520) 및 블랙매트릭스(530)를 포함하는 층은 투과영역(TA)에 해당하는 개구(530OP)를 포함할 수 있으며, 개구(530OP)에는 오버코트층(540)의 일부가 적어도 부분적으로 채워질 수 있다. 오버코트층(540)은 수지와 같은 유기물을 포함할 수 있으며, 전술한 유기물은 투명할 수 있다.

일부 실시예에서, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 수 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.

전자컴포넌트(20)는 제2표시영역(DA2)에 위치할 수 있다. 전자컴포넌트(20)는 빛 또는 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 근접센서와 같이 거리를 측정하는 센서, 사용자의 신체의 일부(예, 지문, 홍채, 얼굴 등)을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 화상을 촬상하는 이미지 센서(예, 카메라) 등일 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 음향을 이용하는 전자요소는, 초음파 또는 다른 주파수 대역의 음향을 이용할 수 있다.

제2표시영역(DA2)에는 하나의 전자컴포넌트(20)가 배치되거나, 복수의 전자컴포넌트(20)들이 배치될 수 있다. 전자 기기(1)가 복수의 전자컴포넌트(20)들을 포함하는 경우, 전자 기기(1)는 전자컴포넌트(20)들의 개수에 대응하는 개수의 제2표시영역(DA2)들을 포함할 수 있다. 예컨대, 전자 기기(1)는 상호 이격된 복수의 제2표시영역(DA2)들을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 전자컴포넌트(20)들은 하나의 제2표시영역(DA2)에 배치될 수 있다. 예컨대, 전자 기기(1)는 바 타입의 제2표시영역(DA2)을 포함할 수 있으며, 제2표시영역(DA2)의 길이 방향을 따라 복수의 전자컴포넌트(20)들이 상호 이격되어 배치될 수 있다.

일부 실시예에서, 전자컴포넌트(20)는 발광부와 수광부를 포함할 수 있다. 발광부와 수광부는 일체화된 구조이거나, 물리적으로 분리된 구조로 한 쌍의 발광부와 수광부가 하나의 전자컴포넌트(20)를 이룰 수 있다.

도 2에서는 표시 장치(10)가 표시요소로서, 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 것을 설명하지만, 본 발명의 표시 장치(10)는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 표시 장치(10)는 마이크로 LED와 같은 무기을 포함하는 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL 표시 장치)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예컨대, 표시 장치(10)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 유기발광다이오드에 연결된 화소회로를 도시한 등가회로도이다.

도 3을 참조하면, 표시 장치(10)는 복수의 박막트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cap)를 포함하는 화소회로(PC)를 구비한다. 그리고, 표시 장치(10)는 발광요소로서 화소회로(PC)를 통해 구동 전압을 전달받아 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 구비할 수 있다.

화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터들은 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6), 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.

구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cap)의 전극에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(Id)를 공급한다.

스위칭 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극은 제1스캔라인(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 데이터라인(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 구동전압선(PL)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 제1스캔라인(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터라인(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.

보상 박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 제1스캔라인(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 스토리지 커패시터(Cap)의 전극, 제1초기화 박막트랜지스터(T4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 제1스캔라인(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극(G1)과 소스전극 및 드레인전극 중 하나(예, 드레인전극)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.

제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 게이트전극은 제2스캔라인(SL-1)에 연결되어 있고, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 제1초기화전압선(VL1)에 연결되어 있으며, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 스토리지 커패시터(Cap)의 전극, 보상 박막트랜지스터(T3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)에 연결되어 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 제2스캔라인(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 게이트전극의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.

동작제어 박막트랜지스터(T5)의 게이트전극은 발광제어라인(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 구동전압선(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 구동 박막트랜지스터(T1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)와 연결되어 있다.

발광제어 박막트랜지스터(T6)의 게이트전극은 발광제어라인(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 구동 박막트랜지스터(T1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 제2초기화 박막트랜지스터(T7) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.

동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광제어라인(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 유기발광다이오드(OLED)에 전달되어 유기발광다이오드(OLED)에 구동전류(Id)가 흐르도록 한다.

제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 게이트전극은 해당하는 화소(PX)의 이후 행에 배치된 화소의 제3스캔라인(SL+1)에 연결될 수 있다. 또한, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 소스전극 및 드레인전극 중 하나는 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나는 제2초기화전압선(VL2)에 연결되어 있다.

한편, 제1스캔라인(SL)과 제3스캔라인(SL+1)은 서로 전기적으로 연결됨으로써, 동일한 스캔신호(Sn)가 인가될 수 있다. 따라서, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 제3스캔라인(SL+1)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시키는 동작을 수행할 수 있다.

다른 예로, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 제2스캔라인(SL-1)에 함께 연결될 수 있다.

스토리지 커패시터(Cap)의 하나의 전극은 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(Id)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.

도 3은 화소회로(PC)가 7개의 박막트랜지스터(T1 내지 T7)와 1개의 스토리지 커패시터(Cap)를 포함하는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 디자인에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 장치의 제2표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이며, 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널 장치의 제2표시영역에서의 화소들의 배치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 4a를 참조하면, 제1표시영역(DA1)에는 화소(P)들이 배치된다. 화소(P)들은 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 일부 실시예로, 도 4에 도시된 바와 같이 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)는 펜타일 타입으로 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)는 스트라이프 타입으로 배치될 수 있다.

적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)는 서로 다른 크기(또는 폭)를 가질 수 있다. 예컨대, 청색의 화소(Pb)는 적색의 화소(Pr), 및 녹색의 화소(Pg) 보다 크고, 적색의 화소(Pr)는 녹색의 화소(Pg) 보다 클 수 있다. 일부 실시예에서 녹색의 화소(Pg)는 직사각형의 형상을 가질 수 있으며, 이웃한 녹색의 화소(Pg)들은 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다.

도 4b를 참조하면, 제2표시영역(DA2)은 반복 배열된 표시단위(DU)를 포함할 수 있다. 제2표시영역(DA2)에서 표시단위(DU)가 x방향 및/또는 y방향으로 반복 배열됨에 따라 화소 어레이를 형성할 수 있다.

표시단위(DU)는 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 일부 실시예로, 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)는 펜타일 타입으로 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb)는 스트라이프 타입으로 배치될 수 있다. 적색의 화소(Pr), 녹색의 화소(Pg), 및 청색의 화소(Pb) 각각의 구조는 도 5a 및 도 5b를 참조하여 후술할 단면구조와 대응할 수 있다.

또한, 제2표시영역(DA2)의 표시단위(DU)는 투과영역(TA)들을 포함한다. 제2표시영역(DA2)에서 투과영역(TA)은 화소(P)들과 인접하게 배치될 수 있다. 예컨대, 화소(P)들 사이에 투과영역(TA)이 배치될 수 있다. 제2표시영역(DA2)에 배치되는 화소(P)들은 투과영역(TA)을 사이에 두고 상호 이격되는 제1화소(P1)들 및 제2화소(P2)들을 포함할 수 있다. 설명을 위해, 도 4b에는 x방향을 따라 배치되는 두 화소(P)들을 각각 제1화소(P1) 및 제2화소(P2)로 도시하였으나, 투과영역(TA)을 사이에 두고 y방향을 따라 배치되는 두 화소(P)들을 제1화소(P1) 및 제2화소(P2)로 지칭할 수 있다.

일 예로, 제2표시영역(DA2)에서 8개의 화소(P)들이 하나의 화소세트를 이루고, 이웃하는 화소세트들이 투과영역(TA)을 사이에 두고 배치될 수 있다. 도 4a에서는 하나의 화소세트와 그 주위에 L자형으로 배치된 세 개의 투과영역(TA)로 형성된 표시단위(DU)가 도시되어있어 있으나, 표시단위(DU)는 투과영역(TA)들이 서로 인접한 복수의 화소세트들 전체를 둘러싸도록 배치되어 형성될 수 있다. 또한, 표시단위(DU)는 복수의 투과영역(TA)들과 복수의 화소세트(PS)들이 격자 형상으로 엇갈려 배치되어 형성될 수도 있다.

도 4c를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제2표시영역(DA2)에 포함되는 하나의 표시단위(DU)가 도시되어 있다. 표시단위(DU)의 각 화소(P)들은 투과영역(TA)을 사이에 두고 배치될 수 있다. 화소(P)들 각각은 투과영역(TA)들에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 일 예로, 표시단위(DU)는 8개의 화소(P)들 및 8개의 투과영역(TA)을 포함하며, 상기한 바와 같이 방향 및/또는 y방향으로 반복 배열됨에 따라 화소 어레이를 형성할 수 있다.

도 4b 및 도 4c에서 표시단위(DU)가 8개의 화소(P)들을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 표시단위(DU)에 포함된 화소(P)의 개수는 제2표시영역(DA2)의 해상도에 따라 변형 설계될 수 있다. 한편, 동일한 면적 당 제1표시영역(DA1)에서의 화소(P)들의 개수는 제2표시영역(DA2)에서의 화소(P)들의 개수 보다 많을 수 있다.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 5a을 참조하면, 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층 및 무기층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층과 무기절연층의 배리어층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된 제1베이스층(101), 제1배리어층(102), 제2베이스층(103), 및 제2배리어층(104)을 포함할 수 있다. 제1베이스층(101)과 제2베이스층(103)은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다. 제1배리어층(102)과 제2배리어층(104)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및/또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.

기판(100) 상에는 버퍼층(111)이 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다.

버퍼층(111) 상에는 제1화소회로(PC1)와 제2화소회로(PC2)가 배치될 수 있다. 제1화소회로(PC1)와 제2화소회로(PC2)는 각각 앞서 도 3을 참조하여 설명한 화소회로(PC)에 해당할 수 있다. 각각의 제1화소회로(PC1)와 제2화소회로(PC2)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cap)를 포함하며, 제1화소회로(PC1)와 제2화소회로(PC2)는 서로 동일한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 표시 장치(10)는 제2표시영역(DA2)에서 기판(100) 상에 배치되되, 투과영역(TA)을 사이에 두고 상호 이격된 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 각각 포함하는 제1화소회로(PC1)들 및 제2화소회로(PC2)들을 구비할 수 있다. 또한, 표시 장치(10)는 후술하는 바와 같이 제1화소회로(PC1)의 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1화소전극(210-1)을 구비한 제1표시요소 및 제2화소회로(PC2)의 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2화소전극(210-2)을 구비한 제2표시요소를 포함할 수 있다.

박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 반도체층(Act)의 채널영역과 중첩하는 게이트전극(GE), 및 반도체층(Act)의 소스영역 및 드레인영역에 각각 연결된 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 제1게이트절연층(112)이 개재되고, 게이트전극(GE)과 소스전극(SE), 또는 게이트전극(GE)과 드레인전극(DE) 사이에는 제2게이트절연층(113) 및 층간절연층(114)이 배치될 수 있다.

스토리지 커패시터(Cap)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하여 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cap)는 서로 중첩하는 제1축전판(CE1)과 제2축전판(CE2)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE1)이 스토리지 커패시터(Cap)의 제1축전판(CE1)을 포함할 수 있다. 제1축전판(CE1)과 제2축전판(CE2) 사이에 제2게이트절연층(113)이 배치될 수 있다.

반도체층(Act1)은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act1)은 비정질 실리콘(amorphous SL-1icon)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act1)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(Act1)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.

제1게이트절연층(112)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

게이트전극(GE1) 또는 제1축전판(CE1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti)과 같은 저저항의 도전 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 물질로 이루어진 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

제2게이트절연층(113)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

제2축전판(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

층간절연층(114)은 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

소스전극(SE1) 또는 드레인전극(DE1)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다. 예컨대, 소스전극(SE1) 또는 드레인전극(DE1)은 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조일 수 있다.

전술한 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cap)를 포함하는 화소회로(PC)는 화소전극(210)에 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예로, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1화소회로(PC1)와 제1화소전극(210-1)은 콘택메탈(CM)에 의해 전기적으로 연결되고, 제2화소회로(PC2)와 제2화소전극(210-2)은 콘택메탈(CM)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.

콘택메탈(CM)은 제1평탄화층(115) 상에 배치되며, 제1평탄화층(115)에 형성된 콘택홀을 통해 화소회로(PC)에 접속될 수 있다. 콘택메탈(CM)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.

제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113) 및 층간절연층(114) 상에는 제1평탄화층(115)이 배치될 수 있다. 제1평탄화층(115)은 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(TFT) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1평탄화층(115)은 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극(210) 사이에 배치될 수 있다. 제1평탄화층(115)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 제1평탄화층(115)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(HexamethyldiSL-1oxane) 등의 유기 절연물을 포함할 수 있다. 제1평탄화층(115)의 유기절연물은 감광성 유기절연물일 수 있다. 또는, 제1평탄화층(115)은 실록산(siloxane)계 수지, 예컨대, 투과율이 높은 Si, O, C계열의 실록산 소재를 포함할 수 있다.

제2평탄화층(117)은 제1평탄화층(115)과 화소전극(210) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 제2평탄화층(117)은 제1평탄화층(115)과 제1화소전극(210-1) 사이, 및 제1평탄화층(115)과 제2화소전극(210-2) 사이에 위치할 수 있다. 제2평탄화층(117)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 제2평탄화층(117)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 또는 HMDSO(HexamethyldiSL-1oxane) 등의 유기 절연물을 포함할 수 있다. 제2평탄화층(117)의 유기절연물은 감광성 유기절연물일 수 있다. . 또는, 제1평탄화층(115)은 실록산(siloxane)계 수지, 예컨대, 투과율이 높은 Si, O, C계열의 실록산 소재를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 제1평탄화층(115)과 상기 제2평탄화층(117)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1평탄화층(115)과 제2평탄화층(117) 중 하나는 실록산계 수지를 포함하고, 제1평탄화층(115)과 제2평탄화층(117) 중 남은 하나는 감광성 유기절연물을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1평탄화층(115)은 실록산계 수지를 포함하고, 제2평탄화층(117)은 감광성 유기절연물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1평탄화층(115)과 제2평탄화층(117)은 모두 감광성 유기절연물을 포함할 수 있다.

화소전극(210)은 제2평탄화층(117) 상에 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 제2평탄화층(117)의 콘택홀을 통해 콘택메탈(CM)에 접속될 수 있다.

화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 화소전극(210)은 전술한 물질을 포함하는 반사막, 및 반사막의 위 또는/및 아래에 배치된 투명도전막을 포함할 수 있다. 투명도전막은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소전극(210)은 순차적으로 적층된, ITO층/Ag층/ITO층의 3층 구조를 가질 수 있다.

화소전극(210) 상에는 화소정의막(119)이 배치될 수 있다. 화소정의막(119)은 화소전극(210)의 가장자리를 커버하며 화소전극(210)의 중심 부분에 중첩하는 개구(119OP)를 포함할 수 있다.

화소정의막(119)은 화소전극(210)의 가장자리와 화소전극(210) 상부의 대향전극(230)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldiSL-1oxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.

화소정의막(119) 상부에는 화소전극(210)에 대응되도록 형성된 중간층(220)이 배치된다. 중간층(220)은 소정의 색상의 광을 방출하는 고분자 유기물 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.

중간층(220) 상부에는 대향전극(230)이 배치된다. 대향전극(230)은 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 대향전극(230)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함할 수 있다. 대향전극(230)은 제1및 제2표시영역(도 1의 DA1, DA2)을 전체적으로 커버하도록 일체로 형성될 수 있다.

순차적으로 적층된 화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)의 적층 구조는 발광 다이오드, 예컨대 유기발광다이오드(OLED)를 형성할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 방출할 수 있으며, 각 유기발광다이오드(OLED)의 발광영역이 화소(P)에 해당한다. 화소정의막(119)의 개구(119OP)가 발광영역의 크기 및/또는 폭을 정의하기에, 화소(P)의 크기 및/또는 폭은 해당하는 화소정의막(119)의 개구(119OP)의 크기 및/또는 폭에 의존할 수 있다.

대향전극(230) 상에는 캡핑층(250)이 형성될 수 있다. 캡핑층(250)(capping layer)은 LiF를 포함할 수 있다. 또는, 캡핑층(250)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함하거나, 및/또는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 캡핑층(250)은 생략될 수 있다.

캡핑층(250) 상에는 박막봉지층(300)이 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300)은 제1및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이의 유기봉지층(320)을 포함할 수 있다.

제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 제1및 제2무기봉지층(310, 330)은 화학기상증착법을 통해 형성될 수 있다.

유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 아크릴계 수지, 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 모노머를 경화하거나, 폴리머를 도포하여 형성할 수 있다.

박막봉지층(300) 상에는 터치입력층(40)이 배치될 수 있다. 터치입력층(40)은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴(Mo), 멘델레븀(Mb), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그 밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그래핀(graphene) 등을 포함할 수 있다. 또한, 박막봉지층(300)은 무기절연물 또는/및 유기절연물을 포함할 수 있다. 무기절연물은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함할 수 있고, 유기절연물은 고분자 유기물을 포함할 수 있다.

터치입력층(40) 상에는 반사 방지층으로서 필터층(50)이 배치될 수 있다. 필터층(50)은 필터베이스층(510), 필터베이스층(510) 상의 컬러필터(520)들, 블랙매트릭스(530), 및 오버코트층(540)을 포함할 수 있다.

필터베이스층(510)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 필터베이스층(510)은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다.

컬러필터(520)들은 표시 장치(10)의 화소(P)들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터(520)들 각각은 소정의 피크 파장을 갖는 가시광만을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 컬러필터(520)들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터(520)들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터(520)들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.

블랙매트릭스(530)는 빛샘을 방지함과 아울러 외광을 흡수하여 콘트라스트를 높이고 반사 특성을 개선하는 역할을 한다. 블랙매트릭스(530)는 불투명 무기 또는 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 블랙매트릭스(530)는 크로뮴(Cr), 크로뮴 산화막(CrOx) 또는 수지 재질의 유기 블랙매트릭스로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 유기 블랙매트릭스은 카본 블랙(carbon black)이나 흑색 안료 중 어느 하나를 포함한 아크릴(Acryl), 에폭시(Epoxy) 또는 폴리이미드(Polyimide) 수지 등의 착색된 유기계 수지 등을 적용할 수 있다.

오버코트층(540)은 컬러필터(520)가 형성된 필터층(50)을 평탄화하고 안료 이온의 용출을 막기 위해 절연 특성을 가지는 투명한 수지로 형성할 수 있다. 예컨대, 오버코트층(540)은 아크릴(Acryl)계 수지 또는 에폭시(epoxy)계 수지로 형성할 수 있다.

필터층(50)은 투과영역에 대응하는 홀(50OP)을 포함할 수 있다. 상기 홀(50OP)의 폭은 투과영역(TA)의 폭보다 크거나 같을 수 있다. 필터층(50)은 홀(50OP)을 구비함으로써, 투과영역(TA)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.

기판(100)의 서브층들은 각각 투과영역(TA)에 대응하여 형성된 개구를 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)의 제2베이스층(103) 및 제2배리어층(104) 각각은, 투과영역(TA)에 위치하며 서로 중첩하는 제1 및 제2개구(103OP, 104OP)를 포함할 수 있다. 또한, 기판(100) 상에 배치된 버퍼층(111)은 투과영역(TA)에 대응하여 형성된 제3개구(111OP)를 포함할 수 있다. 또한, 기판(100)과 제1 및 제2화소전극(210-1, 210-2) 사이에 개재된 복수의 절연층들은 각각 투과영역(TA)에 대응하여 형성된 개구를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 층간절연층(114) 각각은 투과영역(TA)에 위치하며 서로 중첩하는 제4 내지 제6개구(112OP, 113OP, 114OP)를 포함할 수 있다. 또한, 화소전극(210) 상에 배치된 화소정의막(119), 대향전극(230), 캡핑층(250) 및 박막봉지층(300)의 서브층들은 각각 투과영역(TA)에 대응하여 형성된 개구를 포함할 수 있다. 예컨대, 화소정의막(119), 대향전극(230), 캡핑층(250) 및 제1무기봉지층(310) 각각은 투과영역(TA)에 위치하며 서로 중첩하는 제7 내지 제9개구(119OP, 230OP, 250OP)를 포함할 수 있다. 또한, 제1평탄화층(115) 상에 배치되는 제2평탄화층(117)은 투과영역(TA)에 대응하여 형성된 개구(117OP)를 포함할 수 있다.

상기 제1 내지 제9개구(103OP, 104OP, 111OP, 112OP, 113OP, 114OP, 119OP, 230OP, 250OP)들 및 제2평탄화층(117)의 개구(117OP)는 서로 중첩할 수 있고, 이를 통해 투과영역(TA)에서의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.

표시 장치(10)에 포함되는 서브층들의 평탄도는 표시 장치(10)의 외광 반사 특성에 영향을 줄 수 있다. 예컨대, 박막봉지층(300)의 평탄도는 표시 장치(10)의 외광 반사 특성에 영향을 줄 수 있다. 박막봉지층(300)은 제1평탄화층(115)을 향하는 하면 및 상기 하면의 반대편인 상면을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)의 상면이 평탄하지 않은 경우, 예컨대 상기 상면에 단차 또는 요철이 존재하는 경우, 박막봉지층(300) 상에 배치되는 터치입력층(40) 및 필터층(50)의 평탄도에도 영향을 미칠 수 있다. 표시 장치(10)로 입사되는 외광은 평탄하지 않은 박막봉지층(300), 터치입력층(40) 및 필터층(50) 등에서 난반사되고, 반사광 중 특정 파장대역의 가시광들이 사용자들에게 시인될 수 있다. 이는 표시 장치(10)의 표시 품질을 저하시키는 원인이 될 수 있다.

비교예로서 하나의 평탄화층만을 구비하는 경우에 비해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)와 같이 제1평탄화층(115) 및 제2평탄화층(117)을 구비하는 경우, 평탄화층들의 평탄도를 향상시킬 수 있고, 따라서 그 상부에 배치되는 표시 장치(10)의 서브층들의 평탄도를 개선시킬 수 있다.

한편, 표시 장치(10)의 투과영역(TA)에 배치된 상기 개구들에 의해, 박막봉지층(300)의 적어도 하나의 유기층(예컨대, 유기봉지층(320))은 화소(P)가 배치되는 영역과 투과영역(TA) 사이에 그 두께 차이가 발생할 수 있다. 이러한 두께 차이는 유기봉지층(320)의 형성 과정에서 유기봉지층(320)의 상면(320US)에서 단차 또는 요철을 유발할 수 있고, 박막봉지층(300)의 평탄도와 나아가 외광 반사 특성에 영향을 줄 수 있다.

일 실시예로서, 제1평탄화층(115)의 일부는 제1 내지 제6개구(103OP, 104OP, 111OP, 112OP, 113OP, 114OP) 내에 위치할 수 있다. 또한, 박막봉지층(300)의 서브층, 예컨대 유기봉지층(320)의 일부는 제2평탄화층(117)의 개구(117OP) 및 제7 내지 제9개구(119OP, 230OP, 250OP) 내에 위치할 수 있다.

비교예로서 제1평탄화층(115)의 일부가 제1 내지 제6개구(103OP, 104OP, 111OP, 112OP, 113OP, 114OP) 내에 위치하지 않아 제1 내지 제9개구(103OP, 104OP, 111OP, 112OP, 113OP, 114OP, 119OP, 230OP, 250OP) 모두에 박막봉지층(300)의 일부가 채워지는 경우와 비교할 때, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 제1 내지 제9개구(103OP, 104OP, 111OP, 112OP, 113OP, 114OP, 119OP, 230OP, 250OP) 내에서 박막봉지층(300)이 채워져야 하는 높이가 줄어들기 때문에, 화소(P)가 배치되는 영역과 투과영역(TA) 사이에 유기봉지층(320)의 두께 차이를 줄일 수 있다. 상기 두 영역들 사이에서의 유기봉지층(320)의 두께 차이 감소는 유기봉지층(320)의 상면의 평탄도를 개선시킬 수 있다. 이를 통해, 유기봉지층(320)의 상면(320US)은 실질적으로 편평하도록 형성될 수 있고, 표시 품질의 저하를 방지하거나 최소화할 수 있다.

일 실시예에서, 제1평탄화층(115)은 투과율이 높은 실록산계 수지를 포함하므로, 제1평탄화층(115)이 투과영역(TA)에 배치되더라도 투과영역(TA)에서의 광 투과율 저하를 최소화할 수 있다.

도 5b를 참조하면, 제2평탄화층(117)은 제1평탄화층(115) 아래에 배치될 수 있다. 제2평탄화층(117)은 제1평탄화층(115)과 층간절연층(114) 사이에 위치할 수 있다. 제2평탄화층(117)은 제1평탄화층(115)과 제1화소회로(PC1)의 트랜지스터 사이, 및 제1평탄화층(115)과 제2화소회로(PC2)의 트랜지스터 사이에 위치할 수 있다.

제1평탄화층(115)과 제2평탄화층(117)의 적층 순서를 바꿈으로써, 제1 내지 제6개구 내에 위치되는 제1평탄화층(115)의 일부의 두께를 늘릴 수 있다. 이를 통해, 화소(P)가 배치되는 영역과 투과영역(TA) 사이에서의 유기봉지층(320)의 두께 차이를 더 줄일 수 있으며, 유기봉지층(320)의 상면의 평탄도를 더 개선시키고 표시 품질의 저하를 방지하거나 최소화할 수 있다.

지금까지는 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기를 제조하기 위한 제조 방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.

1 전자 기기
10 표시 장치
20 전자컴포넌트
40 터치입력층
50 필터층
100 기판
115 제1평탄층
117 제2평탄층
210 화소전극
220 중간층
230 대향전극
300 박막봉지층
DA1 제1표시영역
DA2 제2표시영역
SA 주변영역
P 화소
PC 화소회로
TA 투과영역
TFT 박막트랜지스터

Claims

기판;
상기 기판 상에 배치되며, 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터;
상기 제1트랜지스터 및 상기 제2트랜지스터 상의 제1평탄화층;
상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제1트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1화소전극, 발광층 및 대향전극을 포함하는 제1표시요소;
상기 제1평탄화층 상에 배치되고, 상기 제2트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제2화소전극, 발광층, 및 대향전극을 포함하는 제2표시요소; 및
상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 개재되며, 상기 투과영역에 위치하는 개구를 포함하는 복수의 절연층들;을 포함하고,
상기 제1평탄화층의 일부는 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제1화소전극 사이, 및 상기 제1평탄화층과 상기 제2화소전극 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함하는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 복수의 절연층들 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함하는, 표시 장치.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층은 서로 다른 물질을 포함하는, 표시 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 하나는 실록산계 수지를 포함하고,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 남은 하나는 감광성 유기절연물을 포함하는, 표시 장치.
제4항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1배리어층, 제2베이스층 및 제2배리어층을 포함하고,
상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각은, 상기 투과영역에 대응되는 개구를 포함하며,
상기 제1평탄화층의 일부는 상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각의 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1표시요소 및 상기 제2표시요소 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 구비한 박막봉지층을 더 포함하는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 박막봉지층의 상기 적어도 하나의 유기층은, 상기 제1평탄화층을 향하는 하면 및 상기 하면의 반대편인 상면을 포함하고,
상기 적어도 하나의 유기층의 상기 상면은 실질적으로 편평한, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제2평탄화층은 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하고,
상기 적어도 하나의 유기층의 일부는 상기 제2평탄화층의 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 박막봉지층 상에 배치되며,
유색의 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터; 및
불투명 무기 또는 유기 절연물질을 포함하는 블랙매트릭스;를 구비하는 필터층을 더 포함하는, 표시 장치.
투과영역을 포함하는 표시영역을 포함하는 표시 장치; 및
적어도 상기 투과영역과 중첩하게 배치된 전자컴포넌트;
를 포함하며,
상기 표시 장치는,
기판;
박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함하고, 상기 표시영역 상에서 상기 투과영역을 사이에 두고 상호 이격된 제1화소회로 및 제2화소회로;
상기 제1화소회로 및 상기 제2화소회로 상에 배치되는 제1평탄화층;
상기 제1평탄화층 상에 배치되며, 상기 제1평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해 상기 제1화소회로 및 상기 제2화소회로 각각에 전기적으로 연결된 제1화소전극 및 제2화소전극;
상기 제1 및 제2화소전극과 마주보는 대향전극;
상기 제1화소전극과 상기 대향전극 사이, 및 상기 제2화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층; 및
상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 개재되며, 상기 투과영역에 대응하는 개구를 포함하는 복수의 절연층들;을 포함하고,
상기 제1평탄화층의 일부는 상기 개구 내에 위치하는, 전자 기기.
제11항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제1화소전극 사이, 및 상기 제1평탄화층과 상기 제2화소전극 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함하는, 전자 기기.
제11항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 복수의 절연층들 사이에 위치하는 제2평탄화층을 더 포함하는, 전자 기기.
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층은 서로 다른 물질을 포함하는, 전자 기기.
제14항에 있어서,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 하나는 실록산계 수지를 포함하고,
상기 제1평탄화층과 상기 제2평탄화층 중 다른 하나는 감광성 유기절연물을 포함하는, 전자 기기.
제14항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1배리어층, 제2베이스층 및 제2배리어층을 포함하고,
상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각은, 상기 투과영역에 대응되는 개구를 포함하며,
상기 제1평탄화층의 일부는 상기 제2베이스층 및 상기 제2배리어층 각각의 상기 개구 내에 위치하는, 전자 기기.
제14항에 있어서,
상기 대향전극 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 구비한 박막봉지층을 더 포함하는, 전자 기기.
제17항에 있어서,
상기 박막봉지층의 상기 적어도 하나의 유기층은, 상기 제1평탄화층을 향하는 하면 및 상기 하면의 반대편인 상면을 포함하고,
상기 적어도 하나의 유기층의 상기 상면은 실질적으로 편평한, 전자 기기.
제18항에 있어서,
상기 박막봉지층 상에 배치되며,
유색의 안료 또는 염료를 포함하는 컬러필터; 및
불투명 무기 또는 유기 절연물질을 포함하는 블랙매트릭스;를 구비하는 필터층;을 더 포함하는, 전자 기기.
제18항에 있어서,
상기 전자컴포넌트는 센서 또는 촬상소자인, 전자 기기.