CN220402266U - 显示装置 - Google Patents

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CN220402266U CN202321646663.1U CN202321646663U CN220402266U CN 220402266 U CN220402266 U CN 220402266U CN 202321646663 U CN202321646663 U CN 202321646663U CN 220402266 U CN220402266 U CN 220402266U
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金恩惠
方琪皓
吕寅赫
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Abstract

提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板；显示部分，在基板上；以及薄膜封装层，被构造为遮蔽显示部分并且包括有机封装层，其中，显示部分包括被构造为控制有机封装层的流动的谷部分，并且谷部分包括：谷，与有机封装层重叠；谷峰，谷峰的至少一部分高于谷的下表面；以及至少一个控制孔，被构造为控制有机封装层的端部的位置，使得有机封装层的端部设置在谷峰上。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求于2022年6月29日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0079989号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括各种有机层并且能够通过调整谷和谷峰的高度来防止溢出的显示装置。
背景技术
基于移动性的电子装置已经被广泛使用。在当代，除了诸如移动电话的小型电子装置之外，平板个人计算机(PC)也已经被广泛用作移动电子装置。
这样的移动电子装置包括支持各种功能并为用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示装置。近来，因为用于驱动显示装置的其它部件已经被小型化，因此显示装置的在电子装置中的比例已经逐渐增大，并且可以从平坦状态弯曲以具有特定角度的结构已经被开发。
实用新型内容
通常，显示装置可以包括各种有机层。在其中各种有机层当中的布置在显示装置的上部分中的上有机层具有不平坦的上表面的情况下，条纹可能在显示装置未操作时是可见的，或者图像可能在显示装置操作时出现失真。一个或多个实施例包括包含均匀的有机层的显示装置。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述且部分地将从描述中是明显的，或者可以通过实践本公开的呈现的实施例来获知。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；显示部分，在基板上；以及薄膜封装层，被构造为遮蔽显示部分并且包括有机封装层，其中，显示部分包括被构造为控制有机封装层的流动的谷部分，并且谷部分包括：谷，与有机封装层重叠；谷峰，谷峰的至少一部分高于谷的下表面；以及至少一个控制孔，被构造为控制有机封装层的端部的位置，使得有机封装层的端部设置在谷峰上。
在本实施例中，谷峰可以包括：第一谷峰；以及第二谷峰，第二谷峰的至少一部分形成为高于第一谷峰。
在本实施例中，至少一个控制孔可以布置在第一谷峰中。
在本实施例中，第二谷峰可以包括沿与第一谷峰的边界具有不平坦形状的峰表面。
在本实施例中，当从上方观察时，峰表面可以包括至少一个锯齿形状。
在本实施例中，至少一个控制孔的至少一部分可以布置在至少一个锯齿形状中的两个邻近的锯齿形状的边缘之间的区中。
在本实施例中，至少一个控制孔可以包括多个控制孔，并且在平面图中，多个控制孔可以在第一方向和第二方向中的至少一个上彼此间隔开。
在本实施例中，第一方向和第二方向可以彼此不垂直。
在本实施例中，显示部分可以包括：第一绝缘层，在基板上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；以及像素限定层，在第二绝缘层上，像素限定层可以布置在谷中，并且第二绝缘层和像素限定层可以布置在谷峰中。
在本实施例中，第二绝缘层可以进一步布置在谷中。
在本实施例中，间隔件可以布置在第二谷峰中。
在本实施例中，显示部分可以包括：第二绝缘层；以及像素限定层，在第二绝缘层上，并且至少一个控制孔可以穿透第二绝缘层和像素限定层中的至少一个的至少一部分。
根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板，包括显示区和非显示区；第一绝缘层，在基板上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；像素限定层，在第二绝缘层上；以及薄膜封装层，覆盖像素限定层并且包括有机封装层，其中，第二绝缘层和像素限定层中的至少一个的一部分可以凹陷为容纳有机封装层，第二绝缘层和像素限定层布置在非显示区中，至少一个控制孔可以布置在第二绝缘层和像素限定层中的至少一个的另一部分中，另一部分高于第二绝缘层和像素限定层中的至少一个的凹陷部分，并且至少一个控制孔可以被构造为控制有机封装层的端部的位置。
在本实施例中，至少一个控制孔中的一个控制孔的平面形状和至少一个控制孔中的另一个控制孔的平面形状可以彼此不同。
在本实施例中，至少一个控制孔中的一个控制孔的截面形状和至少一个控制孔中的另一个控制孔的截面形状可以彼此不同。
在本实施例中，至少一个控制孔的平面形状可以包括多边形、圆形和椭圆形中的一种。
在本实施例中，至少一个控制孔的截面形状的侧表面可以是倾斜的。
在本实施例中，至少一个控制孔的截面形状的侧表面可以是台阶式的。
在本实施例中，至少一个控制孔可以在深度方向上形成在不同的层中。
在本实施例中，至少一个控制孔可以包括多个控制孔，并且在平面图中，多个控制孔可以在第一方向和第二方向中的至少一个上彼此间隔开。
通过本公开的附图、权利要求和具体实施方式，除以上描述的那些之外的其它方面、特征和优点将变得明显。
附图说明
通过结合附图的以下描述，本公开的特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将更明显，在附图中：
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置的透视图；
图2是示意性地图示根据实施例的沿图1的线I-I'截取的显示装置的截面图；
图3是示意性地图示根据实施例的显示面板的平面图；
图4是图示根据实施例的像素的等效电路图；
图5是示意性地图示根据实施例的沿图3的线A-A'截取的显示面板的一部分的截面图；
图6是图5的区域B的放大截面图；
图7A和图7B是示意性地图示图6中示出的谷部分的平面图；
图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是图示根据其它实施例的图5的区域B的放大截面图；
图9A和图9B是图示根据其它实施例的图5的区域B的放大截面图；并且
图10A、图10B、图10C和图10D是示意性地图示根据其它实施例的图6中示出的谷部分的平面图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例，实施例的示例在附图中图示，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，呈现的实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，实施例仅仅通过参照附图在下面描述以解释本描述的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。
由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此特定实施例将在附图中图示并且在书面描述中详细地描述。本公开的效果和特征以及实现它们的方法将参照以下参照附图详细描述的实施例来阐明。然而，本公开不限于以下实施例并且可以以各种形式来实施。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例，其中，相同或对应的部件始终由相同的附图标记表示并且其重复描述被省略。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用来描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
除非上下文另外明确地指示，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
将理解的是，如在本文中所使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型指明陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或部件的添加。
将理解的是，当层、区域或部件被称为形成在另一层、区域或部件上时，它可以直接或间接形成在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或部件。
在附图中，为了便于描述，部件的尺寸可以被夸大或减小。例如，因为附图中的部件的尺寸和厚度为了便于描述而被任意地图示，所以本公开不限于此。
x方向、y方向和z方向不限于与直角坐标系的三个轴对应的方向并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x方向、y方向和z方向可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当特定实施例可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以与描述的顺序不同地执行。例如，连续描述的两个工艺可以被基本同时地执行，或者可以以与描述的顺序相反的顺序来执行。
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置1的透视图。图2是示意性地图示根据实施例的沿图1的线I-I'截取的显示装置1的截面图。
参照图1和图2，根据实施例的显示装置1可以实现为诸如智能电话、移动电话、智能手表、导航装置、游戏机、电视机(TV)、车辆头部单元、笔记本计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人媒体播放器(PMP)或个人数字助理(PDA)的电子装置。另外，显示装置1可以是柔性装置。
显示装置1可以包括其中图像被显示的显示区DA和布置在显示区DA周围的外围区PA。显示装置1可以通过使用从布置在显示区DA中的多个像素发射的光来提供特定图像。
显示装置1可以具有各种形状，例如，具有彼此平行的两对边的矩形板形状。当显示装置1具有矩形板形状时，两对边当中的一对边可以长于另一对边。在实施例中，为了便于描述，描述显示装置1具有具备一对长边和一对短边的矩形板形状的情况，其中，短边的延伸方向指示为x方向，长边的延伸方向指示为y方向，并且垂直于长边和短边的延伸方向的方向指示为z方向。在另一实施例中，显示装置1可以具有非四边形形状。非四边形形状可以是例如圆形、椭圆形、部分圆形的多边形或者除四边形以外的多边形。
在平面图中，显示区DA可以具有如图1所示的矩形形状。在另一实施例中，显示区DA可以具有诸如三角形、五边形或六边形的多边形形状，或者可以具有圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
外围区PA布置在显示区DA周围，并且可以是其中像素未被布置的一种类型的非显示区。显示区DA可以完全被外围区PA围绕。被构造为将电信号传输到显示区DA的各种布线以及印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片附接到其的焊盘可以布置在外围区PA中。
在下文中，有机发光显示装置描述为根据实施例的显示装置1的示例，但是本公开的显示装置1不限于此。在另一示例中，本公开的显示装置1可以是诸如无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)或量子点发光显示装置的显示装置。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测层40、设置在输入感测层40上的光学功能层50以及设置在光学功能层50上的覆盖窗60。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区DA中的像素。像素可以包括显示元件。显示元件可以连接到像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管或量子点有机发光二极管。
输入感测层40根据例如触摸事件的外部输入来获取坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以设置在显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容法和/或自电容法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独地形成并且然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合剂层联接到显示面板10。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成，并且在这种情况下，输入感测层40可以是显示面板10的一部分，并且粘合剂层可以不布置在输入感测层40与显示面板10之间。尽管图2图示的是输入感测层40布置在显示面板10与光学功能层50之间，但是在另一实施例中，输入感测层40可以布置在光学功能层50之上。
光学功能层50可以包括颜色转换层和抗反射层。颜色转换层可以将从显示面板10发射的光转换成特定波段的光。在这种情况下，颜色转换层可以包括量子点层、透光层和堤层。这里，堤层是阻光层，并且可以采用包括染料等的树脂的形式。抗反射层可以减小从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑从显示面板10的像素中的每个发射的光的颜色来布置。
图3是示意性地图示根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图3，构成显示面板10的各种部件设置在基板100之上。基板100包括显示区DA和围绕显示区DA的外围区PA。
多个像素P和信号线可以布置在显示区DA中，信号线被构造为将电信号施加到像素P。像素P中的每个可以实现为诸如有机发光二极管的显示元件。每个像素P可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。显示区DA可以覆盖有封装构件并且被保护免受外部空气或湿气的影响。
可以将电信号施加到多个像素P的信号线可以包括多条扫描线SL和多条数据线DL。多条扫描线SL中的每条可以在x方向上延伸，并且多条数据线DL中的每条可以在y方向上延伸。多条扫描线SL可以布置为例如多个行以将扫描信号传输到像素P。多条数据线DL可以布置为例如多个列以将数据信号传输到像素P。多个像素P中的每个可以连接到多条扫描线SL当中的与其对应的至少一条扫描线SL以及多条数据线DL当中的与其对应的至少一条数据线DL。
信号线可以进一步包括多条驱动电压线PL和多条发射控制线EL。多条发射控制线EL中的每条可以在x方向上延伸，并且多条驱动电压线PL中的每条可以在y方向上延伸。多条发射控制线EL可以布置为例如多个行以将发射控制信号传输到像素P。多条驱动电压线PL可以布置为例如多个列以将驱动电压信号(驱动电压)传输到像素P。
驱动像素P的像素电路中的每个可以电连接到布置在外围区PA中的外电路。外围区PA是其中像素P未被布置的区。各种电子元件或印刷电路板可以电附接到外围区PA，并且被构造为供应电力以驱动像素P的电压线可以布置在外围区PA中。例如，第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD和电力供应线可以布置在外围区PA中。电力供应线可以包括驱动电压供应线11和公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDRV1可以通过扫描线SL将扫描信号施加到驱动像素P的像素电路中的每个。第二扫描驱动电路SDRV2可以通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可以布置在显示区DA的相反侧，并且可以近似平行于第一扫描驱动电路SDRV1。
端子部分PAD可以布置在基板100的一侧。端子部分PAD被暴露而未被绝缘层覆盖，并且连接到显示电路板30。显示驱动器32可以设置在显示电路板30上。
显示驱动器32可以生成要传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以生成数据信号，并且生成的数据信号可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL传输到像素P的像素电路。扇出线FW可以在y方向上延伸。
显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD(参见图4)供应到驱动电压供应线11，并且可以将公共电压ELVSS(参见图4)供应到公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到像素P的像素电路。公共电压ELVSS可以通过公共电压供应线13施加到显示元件的对电极。
驱动电压供应线11可以连接到端子部分PAD，并且可以在显示区DA的下侧在x方向上延伸。公共电压供应线13可以连接到端子部分PAD，可以具有其中一侧(例如，显示区DA的下侧)敞开的环形状，并且可以部分地围绕显示区DA。公共电压供应线13可以在显示区DA的左侧和右侧在y方向上延伸，并且可以在显示区DA的上侧在x方向上延伸。
图4是图示根据实施例的像素的等效电路图。
参照图4，像素电路PC可以包括第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，并且根据晶体管类型(p型或n型)和/或操作条件，第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的第一端子可以是源极端子或漏极端子，并且其第二端子可以是不同于第一端子的端子。例如，当第一端子是源极端子时，第二端子可以是漏极端子。
像素电路PC可以连接到被构造为传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL、被构造为传输第二扫描信号Sn-1的第二扫描线SL-1、被构造为传输第三扫描信号Sn+1的第三扫描线SL+1、被构造为传输发射控制信号En的发射控制线EL、被构造为传输数据信号DATA的数据线DL、被构造为传输驱动电压ELVDD的驱动电压线PL以及被构造为传输初始化电压Vint的初始化电压线VL。
第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅端子、连接到第一节点N1的第一端子和连接到第三节点N3的第二端子。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并且根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA以将驱动电流供应到发光元件。发光元件可以是有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2(开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅端子、连接到数据线DL的第一端子以及连接到第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可以根据通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通以执行将传输到数据线DL的数据信号DATA传输到第一节点N1的开关操作。
第三晶体管T3(补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅端子、连接到第二节点N2(或第一晶体管T1的栅端子)的第一端子以及连接到第三节点N3(或第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可以根据通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通以二极管连接第一晶体管T1。第三晶体管T3可以具有其中两个或更多个晶体管被串联连接的结构。
第四晶体管T4(第一初始化晶体管)包括连接到第二扫描线SL-1的栅端子、连接到初始化电压线VL的第一端子以及连接到第二节点N2的第二端子。第四晶体管T4可以根据通过第二扫描线SL-1接收的第二扫描信号Sn-1而导通以通过将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅端子来初始化第一晶体管T1的栅电压。第四晶体管T4可以具有其中两个或更多个晶体管被串联连接的结构。
第五晶体管T5(第一发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅端子、连接到驱动电压线PL的第一端子以及连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(第二发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅端子、连接到第三节点N3的第一端子以及连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，并且因此，电流在有机发光二极管OLED中流动。
第七晶体管T7(第二初始化晶体管)包括连接到第三扫描线SL+1的栅端子、连接第六晶体管T6的第二端子和有机发光二极管OLED的像素电极的第一端子以及连接到初始化电压线VL的第二端子。第七晶体管T7可以根据通过第三扫描线SL+1接收的第三扫描信号Sn+1而导通以通过将初始化电压Vint传输到有机发光二极管OLED的像素电极来初始化有机发光二极管OLED的像素电极的电压。第七晶体管T7可以被省略。
电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到驱动电压线PL的第二电极。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和面对像素电极的对电极，并且对电极可以接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从第一晶体管T1接收驱动电流并以特定颜色发射光从而显示图像。对电极可以被公共地提供，也就是说，作为单体整体地提供到多个像素。
图4图示第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到第二扫描线SL-1和第三扫描线SL+1的情况，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第四晶体管T4和第七晶体管T7两者可以连接到第二扫描线SL-1以根据第二扫描信号Sn-1来驱动。
图5是示意性地图示根据实施例的沿图3的线A-A'截取的显示面板的一部分的截面图。
参照图5，在制造显示面板10时，各种层可以顺序地形成在基板100上。
详细地，像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以布置在基板100的显示区DA中。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管TFT1和电容器Cst。
基板100可以包括诸如金属材料或塑料材料的各种材料。在实施例中，基板100可以是柔性基板，并且基板100可以包括顺序堆叠的第一基底层、第一阻挡层、第二基底层和第二阻挡层。第一基底层和第二基底层中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基底层和第二基底层中的每个可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。聚合物树脂可以是透明的。第一阻挡层和第二阻挡层中的每个可以是防止异物的渗透的层，并且可以是包括诸如非晶硅、氮化硅和/或氧化硅的无机材料的单层或多层。
显示部分DS可以设置在基板100上。显示部分DS可以包括缓冲层110、第一栅绝缘层111、第二栅绝缘层112、层间绝缘层113、第一绝缘层115、第二绝缘层118、像素限定层116、间隔件SPC和盖层230。
缓冲层110可以设置在基板100上。缓冲层110可以阻挡渗透通过基板100的异物或湿气。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，并且可以是单层或多层。
第一薄膜晶体管TFT1可以是参照图4描述的晶体管中的一个，例如，作为驱动晶体管的第一晶体管T1。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层ACT可以包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料或有机半导体材料。半导体层ACT可以包括沟道区CN、源区和漏区，沟道区CN与栅电极GE重叠，并且源区和漏区布置在沟道区CN的两侧并且包括杂质。这里，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区中的每个可以分别是第一薄膜晶体管TFT1的源电极SE和漏电极DE。
考虑与邻近层的粘合力、堆叠的层的表面平坦度以及加工性等，栅电极GE可以是包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。第一栅绝缘层111可以布置在半导体层ACT与栅电极GE之间。
电容器Cst包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，第二栅绝缘层112设置在其间。电容器Cst可以在z方向(厚度方向)上与第一薄膜晶体管TFT1重叠。图5图示的是第一薄膜晶体管TFT1的栅电极GE是电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。
第一栅绝缘层111和第二栅绝缘层112中的每个可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一栅绝缘层111和第二栅绝缘层112中的每个可以是包括以上描述的材料的单层或多层。
电容器Cst可以覆盖有层间绝缘层113。层间绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。层间绝缘层113可以是包括以上描述的材料的单层或多层。
驱动电压线PL和第一连接电极CM1可以设置在层间绝缘层113上。驱动电压线PL和第一连接电极CM1中的每个可以形成为包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。在实施例中，驱动电压线PL和第一连接电极CM1中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。
第一绝缘层115可以设置在驱动电压线PL和第一连接电极CM1上。数据线DL和第二连接电极CM2可以设置在第一绝缘层115上。数据线DL和第二连接电极CM2中的每个可以包括与驱动电压线PL的材料相同的材料。例如，数据线DL和第二连接电极CM2中的每个可以是包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。在实施例中，数据线DL和第二连接电极CM2中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。数据线DL和第二连接电极CM2可以覆盖有第二绝缘层118。如图5中所示，数据线DL可以在z方向上与驱动电压线PL至少部分地重叠。在另一实施例中，数据线DL可以不与驱动电压线PL重叠。
在图5的实施例中，数据线DL设置在驱动电压线PL的上层上。然而，在另一实施例中，数据线DL可以设置在层间绝缘层113上，或者驱动电压线PL可以设置在第一绝缘层115上，使得数据线DL和驱动电压线PL可以布置在同一层上。在另一实施例中，驱动电压线PL可以具有包括下驱动电压线和上驱动电压线的双层结构，下驱动电压线设置在层间绝缘层113上，并且上驱动电压线设置在第一绝缘层115上并且电连接到下驱动电压线。
第一绝缘层115和第二绝缘层118是平坦化绝缘层，并且可以是有机绝缘层。例如，第一绝缘层115和第二绝缘层118中的每个可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物的有机绝缘材料。在实施例中，第一绝缘层115和/或第二绝缘层118可以是包括PI的有机绝缘层，或者可以是包括硅氧烷的有机绝缘层。
显示元件(例如，第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3)可以在显示区DA中设置在第二绝缘层118之上。在这种情况下，第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3可以彼此间隔开，并且可以包括发射不同颜色的光的第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以发射不同颜色的光，或者可以发射相同颜色的光。第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3中的每个可以包括像素电极221、中间层222和对电极223。在下文中，为了便于描述，主要详细描述第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3发射不同颜色的光的情况。
第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3的像素电极221可以设置在第二绝缘层118上，并且可以通过设置在层间绝缘层113上的第一连接电极CM1和设置在第一绝缘层115上的第二连接电极CM2连接到第一薄膜晶体管TFT1。
像素电极221可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层。在另一实施例中，像素电极221可以进一步包括在以上描述的反射层上/之下的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层116可以设置在第二绝缘层118上。像素限定层116可以在显示区DA中包括与像素中的每个对应的开口，也就是说，像素电极221的一部分通过其暴露的开口。像素限定层116的开口可以限定像素的发射区。发射区可以是其中发射层被布置并且光被发射的区。也就是说，像素限定层116可以布置为与除发射区外的其余区(也就是说，非发射区)对应。发射区的尺寸可以根据由像素发射的光的颜色而变化。
另外，像素限定层116可以通过增大像素电极221的边缘与像素电极221之上的对电极223之间的距离来防止电弧等出现在像素电极221的边缘处。像素限定层116可以包括例如有机材料(诸如PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO))。
中间层222包括发射层。发射层可以包括发射特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在实施例中，中间层222可以包括第一功能层和/或第二功能层，第一功能层设置在发射层之下，并且第二功能层设置在发射层上。第一功能层和/或第二功能层可以包括遍及多个像素电极221整体形成为单体的层，或者可以包括图案化为与多个像素电极221中的每个对应的层。在以上情况下，发射层可以布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个中。这里，分别布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的发射层可以包括不同的材料。在另一实施例中，单个发射层可以遍及第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3来布置。在这种情况下，布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的发射层中的每个可以包括相同的材料，并且可以遍及整个显示区DA来布置。这里，发射层可以具有其中多个不同的发射层被堆叠的结构。
第一功能层可以是单层或多层。例如，当第一功能层包括聚合物材料时，第一功能层可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层包括低分子量材料时，第一功能层可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层可以不总是被提供。例如，当第一功能层和发射层包括聚合物材料时，第二功能层可以被形成以改善有机发光二极管的特性。第二功能层可以是单层或多层。
第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极223布置为面对像素电极221，中间层222在其间。对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的(半)透明层。可替代地，对电极223可以进一步包括在包含以上描述的材料的(半)透明层上的诸如ITO层、IZO层、ZnO层或In2O3层的层。
对电极223可以在显示区DA中在第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3中整体形成为单体，并且可以设置在中间层222和像素限定层116上以面对多个像素电极221。
多个间隔件SPC可以进一步布置在显示区DA的非发射区中。间隔件SPC可以布置在像素电极221周围，也就是说，在像素电极221之间。间隔件SPC可以设置在像素限定层116上。间隔件SPC可以是具有岛形状的绝缘图案。间隔件SPC可以具有诸如三角形和正方形的多边形形状、圆形或椭圆形。间隔件SPC可以包括诸如PI的有机绝缘材料。可替代地，间隔件SPC可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。间隔件SPC可以包括与像素限定层116的材料不同的材料。可替代地，间隔件SPC可以与第一绝缘层115、第二绝缘层118和像素限定层116中的一个包括相同的材料。对电极223可以设置在间隔件SPC上。
薄膜封装层300可以遮蔽显示部分DS。薄膜封装层300可以设置在对电极223上以保护显示面板10免受外部的异物或湿气的影响。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图5图示的是薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在其间的有机封装层320。在另一实施例中，有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序可以被改变。
在另一情况下，包括盖层230的多个层可以布置在第一无机封装层310与对电极223之间。尽管图5图示盖层230被提供的情况，但是在另一实施例中，盖层230可以被省略。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括PET、PEN、聚碳酸酯、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、PAR、HMDSO、丙烯酰类树脂(例如，PMMA、聚丙烯酸等)或其任意组合。因为第一无机封装层310沿其之下的结构形成，所以第一无机封装层310的上表面可能不是平坦的。有机封装层320可以覆盖第一无机封装层310并且具有足够的厚度。有机封装层320的上表面可以是基本平坦的。第二无机封装层330可以在有机封装层320外部延伸为与第一无机封装层310接触，由此防止有机封装层320暴露于外部。
接下来，描述外围区PA。图5的外围区PA可以与图3中示出的显示区DA的下侧的一部分对应。外围区PA可以包括第一子外围区SPA1和第二子外围区SPA2，第一子外围区SPA1与显示区DA相对邻近，并且第二子外围区SPA2与基板100的在第一子外围区SPA1外部的边缘相对邻近。第一绝缘层115、第二绝缘层118和像素限定层116可以从显示区DA延伸并且布置在第一子外围区SPA1中。谷部分V可以布置在第二子外围区SPA2中。在这种情况下，谷部分V可以设置在无机层之上。例如，谷部分V可以设置在包括缓冲层110、第一栅绝缘层111、第二栅绝缘层112和层间绝缘层113中的至少一个的无机绝缘层之上。
如图3中所示，驱动电压供应线11可以布置在显示区DA的下侧的外围区PA中。驱动电压供应线11可以布置在第一子外围区SPA1和第二子外围区SPA2中。驱动电压供应线11可以在第一子外围区SPA1中布置在第一绝缘层115与第二绝缘层118之间，并且可以在第二子外围区SPA2中设置在第一绝缘层115之上。
多个孔11H可以限定在布置在第一子外围区SPA1中的驱动电压供应线11中。孔11H可以用作用于将从第一绝缘层115生成的气体排放到外部的除气通道，并且因此，能够防止或减少由于湿气或在第一绝缘层115中生成的气体渗透到显示区DA中而导致的实现在显示装置中的图像的质量的劣化。驱动电压供应线11可以与在显示区DA中布置在第一绝缘层115与第二绝缘层118之间的布线中的一条包括相同的材料。例如，驱动电压供应线11可以包括与设置在显示区DA的第一绝缘层115上的数据线DL的材料相同的材料。
至少一条布线可以进一步提供在第一子外围区SPA1中，该至少一条布线布置在层间绝缘层113与第一绝缘层115之间并且与驱动电压供应线11重叠。该至少一条布线可以与在显示区DA中布置在层间绝缘层113与第一绝缘层115之间的布线中的一条包括相同的材料。例如，该至少一条布线可以包括与设置在显示区DA的层间绝缘层113上的驱动电压线PL的材料相同的材料。
多条扇出线FW可以布置在显示区DA的下侧的外围区PA中。在实施例中，如图5中所示，扇出线FW可以布置在不同的层上，至少一个绝缘层在其间。例如，第一栅绝缘层111上的第一扇出线FW1和第二栅绝缘层112上的第二扇出线FW2可以被交替地布置。相应地，邻近的一对扇出线FW之间的间隔可以被减小。在另一实施例中，扇出线FW可以布置在同一层上。例如，扇出线FW可以设置在第一栅绝缘层111上，或者可以设置在第二栅绝缘层112上。扇出线FW可以布置在第一子外围区SPA1和第二子外围区SPA2中。
第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可以布置在第一子外围区SPA1中。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以布置为覆盖谷部分V。有机封装层320的位置受谷部分V限制，并且因此，可以防止用于形成有机封装层320的材料溢出到谷部分V的外部。输入感测层(未示出)可以设置在薄膜封装层300上。输入感测层可以包括触摸感测层TSL。在这种情况下，触摸感测层TSL可以具有其中第一触摸导电层TCL1、第一触摸绝缘层TNS1、第二触摸导电层TCL2和第二触摸绝缘层TNS2在z方向上顺序地堆叠的结构。触摸感测层TSL可以进一步包括设置在薄膜封装层300上的触摸缓冲层TBF。
在一些实施例中，第二触摸导电层TCL2可以用作用于感测接触或非接触的触摸电极，并且第一触摸导电层TCL1可以用作用于在一个方向上连接被图案化的第二触摸导电层TCL2的连接器。
在一些实施例中，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2两者可以用作触摸电极。例如，第一触摸绝缘层TNS1可以包括暴露第一触摸导电层TCL1的上表面的通孔，并且第一触摸导电层TCL1可以通过通孔连接到第二触摸导电层TCL2。如此，由于第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2的使用，触摸电极的电阻可以减小，并且因此，触摸感测层TSL的响应速度可以被改善。
在一些实施例中，触摸电极可以具有从第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3发射的光可以穿过其的网格结构。相应地，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以布置为不与第一至第三有机发光二极管OLED1、OLED2和OLED3的发射区重叠。
第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以是包括具有高导电率的导电材料的单层或多层。例如，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以是单层或包括透明导电层以及包含Al、Cu、Mo和/或Ti的导电材料的多层。透明导电层可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。另外，透明导电层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯。在一些实施例中，第一触摸导电层TCL1可以包括Mo，并且第二触摸导电层TCL2可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
第一触摸导电层TCL1或第二触摸导电层TCL2可以连接到穿过外围区PA的触摸布线CNM。在这种情况下，触摸布线CNM可以连接到图3中示出的端子部分PAD。
第一触摸绝缘层TNS1和第二触摸绝缘层TNS2中的每个可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可以包括丙烯酰类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂。
在实施例中，第二触摸绝缘层TNS2可以遍及整个显示区DA来布置。在这种情况下，诸如滤色器或偏光膜的光学功能膜可以设置在第二触摸绝缘层TNS2上。
在另一实施例中，滤色器可以设置在第二触摸绝缘层TNS2上，或者量子点层、透光层和滤色器可以设置在第二触摸绝缘层TNS2上。在下文中，为了便于描述，主要详细描述量子点层、透光层和滤色器设置在第二触摸绝缘层TNS2上的情况。
第二触摸绝缘层TNS2可以具有图案形状。例如，第二触摸绝缘层TNS2可以完全遮蔽第二触摸导电层TCL2。高折射率层700可以设置在第二触摸绝缘层TNS2上。高折射率层700可以遍及整个显示区DA来布置。
第二触摸绝缘层TNS2和高折射率层700可以具有不同的折射率。例如，第二触摸绝缘层TNS2的折射率可以小于高折射率层700的折射率。详细地，第二触摸绝缘层TNS2的折射率可以是从约1.3至约1.6，并且高折射率层700的折射率可以从约1.7至约1.9。
高折射率层700可以包括丙烯酰类或硅氧烷类有机材料。在一些实施例中，高折射率层700可以包括聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷。在实施例中，高折射率层700可以通过由喷墨印刷工艺施加以上描述的材料并且然后硬化该材料来形成。在另一实施例中，高折射率层700可以通过蒸镀工艺来形成。
在实施例中，诸如氧化锌(ZnO)颗粒、氧化钛(TiO2)颗粒、氧化锆(ZrO2)颗粒或钛酸钡(BaTiO3)颗粒的金属氧化物颗粒可以分散在高折射率层700中。在实施例中，高折射率层700可以通过由喷墨印刷施加包括金属氧化物颗粒的有机材料来形成。触摸缓冲层TBF可以进一步布置在薄膜封装层300与触摸感测层TSL之间。触摸缓冲层TBF可以直接形成在薄膜封装层300上。触摸缓冲层TBF可以防止对薄膜封装层300造成损坏，并且可以阻挡在触摸感测层TSL被驱动时可能生成的干扰信号。触摸缓冲层TBF可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
尽管未在附图中示出，但是量子点层和透光层可以在与每个像素对应的位置处设置在触摸感测层TSL上。
第一滤色器层可以布置为与第一有机发光二极管OLED1对应，第二滤色器层可以布置为与第二有机发光二极管OLED2对应，并且第三滤色器层可以布置为与第三有机发光二极管OLED3对应。
第一滤色器层可以仅透射范围从约450nm至约495nm的波长的光，第二滤色器层可以仅透射范围从约495nm至约570nm的波长的光，并且第三滤色器层可以仅透射范围从约630nm至约780nm的波长的光。第一滤色器层至第三滤色器层可以减少显示装置中的外部光反射。
例如，当外部光到达第一滤色器层时，仅以上描述的预设波长的光穿过第一滤色器层，并且其它波长的光被第一滤色器层吸收。相应地，在入射在显示装置上的外部光当中，仅以上描述的预设波长的光穿过第一滤色器层，并且该光的一部分被对电极223或其之下的第一像素电极反射并发射到外部。以上的描述可以应用于第二滤色器层和第三滤色器层。
尽管图5图示像素电路PC的晶体管是P型晶体管的情况，但是本公开的实施例不限于此。例如，像素电路PC的晶体管可以是N型晶体管，或者晶体管中的一些可以是P型晶体管且其余的晶体管可以是N型晶体管，并且其它各种实施例也是可能的。
图6是图示图5的区域B的放大截面图，并且图7A和图7B是示意性地图示图6中示出的谷部分V的平面图。
参照图6、图7A和图7B，谷部分V可以包括谷VA、谷峰VP和控制孔CH。
谷VA可以容纳有机封装层320。谷峰VP可以布置在谷VA外部，并且谷峰VP的至少一部分可以高于谷VA的下表面。谷峰VP可以包括第一谷峰VP1和第二谷峰VP2。第二谷峰VP2可以布置在第一谷峰VP1外部，并且第二谷峰VP2的至少一部分可以形成为高于第一谷峰VP1。在这种结构中，谷VA、第一谷峰VP1和第二谷峰VP2可以在图6中在与y方向相反的方向上顺序地布置，并且谷部分V的上表面的高度可以增大。控制孔CH可以布置在谷峰VP中。控制孔CH可以从第一谷峰VP1的上表面在向下的方向上凹陷。
布置在谷峰VP处的控制孔CH可以限制有机封装层320的流动。控制孔CH可以控制有机封装层320的端部320L的位置。例如，控制孔CH可以布置在第一谷峰VP1中。相应地，在其中谷VA与有机封装层320重叠的状态下，有机封装层320的端部320L可以设置在第一谷峰VP1上。在这种情况下，第二谷峰VP2可以防止有机封装层320溢出到第二谷峰VP2的外部。
第二谷峰VP2可以包括沿与第一谷峰VP1的边界形成的峰表面PS。例如，峰表面PS可以包括不平坦的形状。因为峰表面PS包括不平坦的形状，所以当如图7A中所示从上方观察时，峰表面PS的面积可以增大。相应地，可以有效地防止有机封装层320溢出到第二谷峰VP2的外部。当如图7A中所示从上方观察时，峰表面PS可以包括至少一个锯齿(之字形)形状。至少一个锯齿形状可以布置为在y方向上突出。然而，图7A中示出的实施例仅仅是示例，并且峰表面PS的形状不限于此。例如，如图7B中所示，峰表面PS可以具有线性形状。
有机封装层320可以通过由喷墨法将有机材料供应到第一无机封装层310上来形成。这里，有机封装层320可以在第一无机封装层310的一个表面上流动。这里，如上所述的多个控制孔CH可以阻碍有机封装层320的流动。在这种情况下，如图5中所示，有机封装层320的最高点320-2和最低点320-1可以出现，其中，在有机封装层320的端部320L附近从基板100的下表面到有机封装层320的上表面测量的高度在最高点320-2处最大并且在最低点320-1处最小。平坦表面可以相对于有机封装层320的最低点320-1沿y方向来提供。在这种结构中，有机封装层320的平坦表面的面积与有机封装层320的总面积的比率可以增大。相应地，外围区PA的面积可以被减小。另外，可以防止有机封装层320的最低点320-1由于有机封装层320的最低点320-1的高度与有机封装层320的平坦表面的高度之间的差异而是可见的。
详细地，当有机封装层320流动到多个控制孔CH中并与多个控制孔CH的边缘相遇时，有机封装层320的移动可以被阻碍。也就是说，通过使有机封装层320的表面接触角大于控制孔CH未被提供的情况下的表面接触角，每个控制孔CH可以阻碍有机封装层320的移动。在这种情况下，有机封装层320的最高点320-2的高度(其从基板100的下表面到有机封装层320的上表面测量)可以形成为大于在控制孔CH未被提供的情况下的高度，并且因此，与在控制孔CH被提供之前相比，有机封装层320的最低点320-1的高度可以维持为更大。结果，有机封装层320的最低点320-1的高度和有机封装层320的平坦部分的高度可以维持为彼此基本相同。
在以上情况下，当控制孔CH被提供时，与控制孔CH未被提供的情况相比，从特定参考点到有机封装层320的端部320L的距离可以减小约10％。
像素限定层116的一部分可以布置在谷VA中，并且像素限定层116的覆盖第二绝缘层118的另一部分可以布置在谷峰VP中。与在谷VA中不同，第二绝缘层118附加地布置在谷峰VP中，并且因此，谷峰VP的至少一部分可以高于谷VA的下表面。也就是说，像素限定层116的一部分可以凹陷为容纳有机封装层320。谷VA与谷峰VP之间的高度差可以通过调整第二绝缘层118的高度来确定。
布置在第二谷峰VP2中的第二绝缘层118的高度可以大于布置在第一谷峰VP1中的第二绝缘层118的高度。在这种结构中，第二谷峰VP2的高度可以大于第一谷峰VP1的高度。第一谷峰VP1与第二谷峰VP2之间的高度差可以通过调整第二绝缘层118的高度来确定。
控制孔CH可以布置在像素限定层116的高于像素限定层116的凹陷部分的另一部分中。控制孔CH可以从第一谷峰VP1的上表面在向下的方向上凹陷。控制孔CH可以穿过像素限定层116。
薄膜封装层300可以遮蔽谷部分V。也就是说，第一无机封装层310可以覆盖谷部分V，并且有机封装层320可以设置在第一无机封装层310上，使得端部320L设置在第一谷峰VP1上。另外，第二无机封装层330可以覆盖第一无机封装层310和有机封装层320。
在如图7A中所示的平面图中，控制孔CH的至少一部分可以布置在两个邻近的锯齿形状的边缘之间的区PSA中。因为控制孔CH的至少一部分布置在两个邻近的锯齿形状的边缘之间的区PSA中，所以控制孔CH的相对于空间的数量可以增大。
多个控制孔CH可以被提供，并且多个控制孔CH可以在如图7A中所示的平面图中在第一方向D1和第二方向D2中的至少一个上彼此间隔开。在如图7A中所示的平面图中，第一方向D1可以是与x方向相反的方向，并且第二方向D2可以是不垂直于第一方向D1的方向。多个控制孔CH可以布置为在x方向上形成行。例如，多个控制孔CH可以布置为在x方向上形成第一行M1、第二行M2和第三行M3，第一行M1与峰表面PS邻近，第二行M2向内布置并且与第一行M1邻近，并且第三行M3向内布置并且与第二行M2邻近。因为多个控制孔CH布置为使得第一方向D1和第二方向D2彼此不垂直，所以构成第一行M1的控制孔CH和构成第二行M2的控制孔CH可以布置为彼此偏移。在这种结构中，多个控制孔CH可以更密集地布置在第一谷峰VP1中。
在如图7A中所示的平面图中，控制孔CH的平面形状可以是多边形。例如，控制孔CH的平面形状可以是菱形。在这种形状中，菱形的顶点中的一个可以布置在两个邻近的锯齿形状的边缘之间的区PSA中。
图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是图示根据其它实施例的图5的区域B的放大截面图。
参照图6以及图8A、图8B、图8C、图8D和图8E，第二绝缘层118、像素限定层116和间隔件SPC中的至少一个可以布置在谷部分V中。控制孔CH可以在深度方向上形成在不同的层中。控制孔CH可以穿透第二绝缘层118和像素限定层116中的至少一个的至少一部分。
在根据图8A的实施例的谷部分V中，与参照图6描述的谷VA不同，第二绝缘层118可以附加地布置在谷VA中。也就是说，第二绝缘层118和覆盖第二绝缘层118的像素限定层116可以布置在谷VA中。在这种结构中，布置在谷VA中的第二绝缘层118和布置在谷峰VP中的第二绝缘层118可以整体形成为单体。谷VA与谷峰VP之间的高度差可以通过调整第二绝缘层118的高度来确定。
在根据图8B的实施例的谷部分V中，与参照图6描述的谷峰VP不同，布置在谷峰VP中的第二绝缘层118可以整体形成为单体。在这种情况下，控制孔CH可以从像素限定层116的上表面穿过像素限定层116凹陷到第二绝缘层118的上表面。在这种结构中，控制孔CH的深度可以通过调整将第一谷峰VP1连接到第二谷峰VP2的第二绝缘层118的高度来确定。
在根据图8C的实施例的谷部分V中，与参照图6描述的控制孔CH不同，控制孔CH可以形成为不完全穿透像素限定层116。也就是说，像素限定层116可以设置在第二绝缘层118上，并且控制孔CH可以设置在像素限定层116上。在这种结构中，像素限定层116可以贯穿谷部分V整体形成为单体。
在根据图8D的实施例的谷部分V中，与参照图6描述的第二谷峰VP2不同，间隔件SPC可以布置在第二谷峰VP2中。第二绝缘层118、像素限定层116和间隔件SPC可以布置在第二谷峰VP2中，像素限定层116设置在第二绝缘层118上，并且间隔件SPC设置在像素限定层116上。在这种结构中，第一谷峰VP1与第二谷峰VP2之间的高度差可以通过调整间隔件SPC的高度来确定。
在根据图8E的实施例的谷部分V中，与参照图6描述的谷VA不同，第二绝缘层118可以布置在谷VA中并且像素限定层116可以不布置在谷VA中。也就是说，第二绝缘层118可以布置在谷VA中，并且第二绝缘层118和覆盖第二绝缘层118的像素限定层116可以布置在谷峰VP中。在这种结构中，布置在谷VA中的第二绝缘层118和布置在谷峰VP中的第二绝缘层118可以整体形成为单体。谷VA与谷峰VP之间的高度差可以通过调整第二绝缘层118的高度来确定。
图9A和图9B是图示根据其它实施例的图5的区域B的放大截面图。
参照图6、图9A和图9B，控制孔CH的截面可以具有各种形状。
例如，如图6中所示，控制孔CH的截面可以具有矩形形状。在这种情况下，控制孔CH的形成在y方向上的表面可以垂直于控制孔CH的形成在z方向上的表面。
在另一实施例中，控制孔CH的截面形状可以是如图9A中所示的梯形。在这种情况下，控制孔CH的截面形状的侧表面可以是倾斜的。也就是说，控制孔CH的形成在y方向上的表面可以不垂直于控制孔CH的形成在z方向上的表面。
在另一实施例中，控制孔CH的截面形状可以如图9B中所示是台阶式的。在这种情况下，在控制孔CH的侧表面当中，形成在y方向上的表面可以是平坦的，并且形成在z方向上的表面可以是倾斜的或笔直的。另外，控制孔CH的侧表面的形成在y方向上的表面连接到其的部分可以是尖锐的或圆形的。
在以上情况下，当控制孔CH的侧表面是台阶式的时，控制孔CH的平面形状可以在保留相同的形状的同时具有较小的尺寸。例如，当控制孔CH的平面形状是圆形的时，具有最大直径的第一圆可以变成控制孔CH的最上表面的平面形状，并且在控制孔CH的上表面上的在深度方向(例如，z方向)上设置在第一圆之下的第二圆可以具有比第一圆的直径小的直径。这种关系可以在控制孔CH的深度方向上延续，并且因此，控制孔CH的侧表面可以是台阶式的。在另一实施例中，控制孔CH的上表面的平面形状可以不同于布置在控制孔CH的深度方向上的平坦表面的平面形状。详细地，控制孔CH的上表面的平面形状可以是圆形，并且在控制孔CH的深度方向上布置在控制孔CH的上表面之下的平坦表面的平面形状可以是多边形、椭圆形或不规则形状。
控制孔CH的截面形状不限于以上描述的实施例。例如，多个控制孔CH中的一个的截面形状和多个控制孔CH中的另一个的截面形状可以彼此不同。
另外，峰表面PS的截面可以具有各种形状。例如，如图6、图9A和图9B中所示，峰表面PS可以具有垂直于第一谷峰VP1的纵长方向。在另一实施例中，峰表面PS的截面形状可以是倾斜的。在另一实施例中，峰表面PS的截面形状可以是台阶式的。然而，这仅仅是示例，并且峰表面PS的截面形状不限于此。
图10A、图10B和图10C是示意性地图示根据其它实施例的图6中图示的谷部分V的平面图。
参照图7A以及图10A、图10B和图10C，控制孔CH的平面形状可以包括各种形状。
例如，控制孔CH的平面形状可以如图7A中所示是具有四个或更多个边的多边形。在另一实施例中，控制孔CH的平面形状可以如图10A中所示是三角形。尽管图10A图示的是三角形的顶点的方向面对第二谷峰VP2，但是本公开不限于此，并且三角形的顶点的方向可以面对谷VA。在另一实施例中，控制孔CH的平面形状可以如图10B中所示是圆形。在另一实施例中，尽管未在附图中示出，但是控制孔CH的平面形状可以包括圆形的一部分、椭圆的一部分和/或多边形的一部分。在另一实施例中，控制孔CH的平面形状可以包括诸如星形或十字形的不规则形状。
在另一实施例中，多个控制孔CH的平面形状可以如图10C中所示彼此不同。例如，布置在第一行M1中的控制孔CH、布置在第二行M2中的控制孔CH和布置在第三行M3中的控制孔CH的平面形状可以彼此不同。布置为多个行的控制孔CH的平面形状可以在向外的方向上近似圆形。例如，布置在第一行M1中的控制孔CH的平面形状可以是圆形，布置在第二行M2中的控制孔CH的平面形状可以是菱形，并且布置在第三行M3中的控制孔CH的平面形状可以是三角形。相应地，可以精确地控制有机封装层320的端部320L的位置。
图10D是示意性地图示根据另一实施例的图6中图示的谷部分V的平面图。
参照图7A和图10D，峰表面PS可以具有各种形状。
例如，当从上方观察时，峰表面PS可以包括如图7A中所示的锯齿形状。在另一实施例中，当从上方观察时，峰表面PS可以包括如图10D中所示的弯曲形状。在另一实施例中，当从上方观察时，峰表面PS可以包括锯齿形状、弯曲形状和平行于x方向的线性形状中的至少两种。在这种结构中，峰表面PS的面积可以增大。
在根据本公开的实施例的显示装置中，通过精确控制有机层的端部的位置，可以防止条纹等是可见的。另外，在根据本公开的实施例的显示装置中，通过在形成有机层时将有机层的最高点形成为高的，布置为与显示区对应的有机层的高度可以维持均匀。
应当理解的是，本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑并且不出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在其中做出形式和细节上的各种改变，而不脱离如由权利要求所限定的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板；
显示部分，设置在所述基板上；以及
薄膜封装层，设置在所述显示部分上且被构造为遮蔽所述显示部分，并且包括有机封装层，
其中，所述显示部分包括被构造为控制所述有机封装层的流动的谷部分，并且
所述谷部分包括：
谷，与所述有机封装层重叠；
谷峰，所述谷峰的至少一部分高于所述谷的下表面；以及
至少一个控制孔，被构造为控制所述有机封装层的端部的位置，使得所述有机封装层的所述端部设置在所述谷峰上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述谷峰包括：
第一谷峰；以及
第二谷峰，所述第二谷峰的至少一部分形成为高于所述第一谷峰。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述至少一个控制孔限定在所述第一谷峰中。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二谷峰包括沿与所述第一谷峰的边界具有不平坦形状的峰表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述峰表面在平面图中包括至少一个锯齿形状。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述至少一个控制孔的至少一部分限定在所述至少一个锯齿形状中的两个邻近的锯齿形状的边缘之间的区中。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个控制孔包括多个控制孔，并且
在平面图中，所述多个控制孔在第一方向和第二方向中的至少一个上彼此间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此不垂直。
9.根据权利要求1至8中的任何一项所述的显示装置，其中，所述显示部分包括：
第一绝缘层，设置在所述基板上；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上；以及
像素限定层，设置在所述第二绝缘层上，
其中，所述像素限定层布置在所述谷中，并且
所述第二绝缘层和所述像素限定层布置在所述谷峰中。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层进一步布置在所述谷中。
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