KR20200032294A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200032294A
KR20200032294A KR1020180110906A KR20180110906A KR20200032294A KR 20200032294 A KR20200032294 A KR 20200032294A KR 1020180110906 A KR1020180110906 A KR 1020180110906A KR 20180110906 A KR20180110906 A KR 20180110906A KR 20200032294 A KR20200032294 A KR 20200032294A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
light
emitting layer
color
Prior art date
Application number
KR1020180110906A
Other languages
English (en)
Inventor
박경원
김성운
김수동
김진원
남민기
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180110906A priority Critical patent/KR20200032294A/ko
Priority to US16/507,954 priority patent/US10916722B2/en
Priority to CN201910846593.6A priority patent/CN110911447A/zh
Priority to EP19196813.0A priority patent/EP3624199A3/en
Publication of KR20200032294A publication Critical patent/KR20200032294A/ko
Priority to US17/148,756 priority patent/US11444258B2/en
Priority to US17/884,142 priority patent/US11903229B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H01L27/322—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H01L27/3213—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/504—
    • H01L51/52—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는, 제1발광영역 및 제2발광영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1화소전극; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2화소전극; 상기 제1화소전극 상에 위치하는 제1발광층과, 상기 제1발광층 상에 위치하는 제2발광층과, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층을 포함하고, 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1유기층; 상기 제2화소전극 상에 위치하는 제3발광층을 포함하고, 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2유기층; 상기 제1유기층과 상기 제2유기층 상에 위치하는 공통전극; 상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제1유기층과 중첩하며 제1색의 광을 상기 제1색과 다른 제2색의 광으로 파장 변환하는 제1파장변환패턴; 및 상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제2유기층과 중첩하는 광투과 패턴; 을 포함하고, 상기 제3발광층은 상기 제1색의 광을 방출하고, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 어느 하나는 상기 제1색의 광을 방출하고, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 다른 하나는 상기 제1색의 광과 색이 다른 제2색의 광을 방출하고, 상기 제1유기층은, 상기 제1색의 광 및 상기 제2색의 광보다 피크 파장이 긴 제3색의 광을 미방출 할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 유기 발광 표시 장치는 자발광형 소자인 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
표시 장치의 각 화소가 하나의 기본색을 고유하게 표시하도록 하기 위한 한 가지 방법으로, 광원으로부터 시청자에 이르는 광 경로 상에 각 화소마다 색 변환 패턴을 배치하는 방법을 들 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 색 변환 패턴을 포함하고 휘도가 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1발광영역 및 제2발광영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1화소전극; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2화소전극; 상기 제1화소전극 상에 위치하는 제1발광층과, 상기 제1발광층 상에 위치하는 제2발광층과, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층을 포함하고, 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1유기층; 상기 제2화소전극 상에 위치하는 제3발광층을 포함하고, 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2유기층; 및 상기 제1유기층과 상기 제2유기층 상에 위치하는 공통전극; 상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제1유기층과 중첩하며 제1색의 광을 상기 제1색과 다른 제2색의 광으로 파장 변환하는 제1파장변환패턴; 및 상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제2유기층과 중첩하는 광투과 패턴; 을 포함하고, 상기 제3발광층은 상기 제1색의 광을 방출하고, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 어느 하나는 상기 제1색의 광을 방출하고, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 다른 하나는 상기 제1색의 광과 색이 다른 제2색의 광을 방출하고, 상기 제1유기층은, 상기 제1색의 광 및 상기 제2색의 광보다 피크 파장이 긴 제3색의 광을 미방출한다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1색의 광의 피크파장의 범위는 440nm 내지 470nm이고, 상기 제2색의 광의 피크파장의 범위는 510nm 내지 550nm이고, 상기 제3색의 광의 피크파장의 범위는 610nm 내지 670nm일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1유기층은, 상기 제2발광층과 상기 공통전극 사이에 위치하는 제4발광층 및 상기 제4발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 더 포함하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제4발광층 중 어느 하나는 상기 제2색의 광을 방출하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제4발광층 중 나머지 둘은 상기 제1색의 광을 방출할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2유기층은, 상기 제3발광층과 상기 공통전극 사이에 위치하고 상기 제1색의 광을 방출하는 제5발광층 및 상기 제3발광층과 상기 제5발광층 사이에 위치하는 제3전하생성층을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2유기층은, 상기 제3발광층 상에 위치하는 제5발광층, 상기 제5발광층 상에 위치하는 제3전하생성층 및 상기 제3전하생성층 상에 위치하는 제6발광층을 더 포함하고, 상기 제5발광층과 상기 제6발광층 중 어느 하나는 상기 제1색의 광을 방출하고, 상기 제5발광층과 상기 제6발광층 중 다른 하나는 상기 제2색의 광을 방출할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2유기층은, 상기 제3발광층 상에 위치하는 제5발광층, 상기 제5발광층 상에 위치하는 제3전하생성층 및 상기 제3전하생성층 상에 위치하는 제6발광층을 더 포함하고, 상기 제5발광층과 상기 제6발광층은 상기 제1색의 광을 방출할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1파장변환패턴 상에 위치하고, 상기 제1유기층과 중첩하며, 상기 제2색의 광을 투과시키고 상기 제1색의 광을 차단하는 제1색필터 를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 광투과 패턴 상에 위치하고, 상기 제2유기층과 중첩하며, 상기 제1색의 광을 투과시키고 상기 제2색의 광 및 상기 제3색의 광을 차단하는 제2색필터를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역 사이의 비발광 영역 내에 위치하고 상기 제1색필터 및 상기 제2색필터와 중첩하는 차광부재를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1파장변환패턴과 상기 제1색필터 사이에 위치하고, 상기 제1파장변환패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 제1저굴절층을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1파장변환패턴과 상기 공통전극 사이에 위치하고, 상기 제1파장변환패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 제2저굴절층; 을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 광투과 패턴은, 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 위치하는 산란체를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 광투과 패턴은, 상기 제1색의 광을 투과시키고 상기 제2색의 광 및 상기 제3색의 광을 차단할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제2베이스부; 및 상기 박막 봉지층과 상기 제2베이스부 사이에 위치하고 유기물질을 포함하는 충진제; 를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1파장변환패턴 및 상기 광투과 패턴은, 상기 제2베이스부와 상기 충진제 사이에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1파장변환패턴은 상기 박막 봉지층 상에 위치하고, 상기 충진제는 상기 제1파장변환패턴과 상기 제2베이스부 사이에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 제1파장변환패턴과 상기 광투과 패턴 사이에 위치하고 상기 제1파장변환패턴과 접촉하는 격벽; 을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 발광영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 발광영역 내에 위치하는 화소전극; 제1발광층, 상기 제1발광층과 중첩하는 제2발광층, 상기 제1발광층 및 상기 제2발광층과 중첩하는 제3발광층, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층 및 상기 제2발광층과 상기 제3발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 포함하고, 상기 화소전극 상에 위치하는 유기층; 상기 유기층 상에 위치하는 공통전극; 상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제2베이스부; 상기 박막 봉지층을 향하는 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 청색광을 녹색광으로 파장 변환하는 파장변환패턴; 상기 제2베이스부와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 청색광 차단필터; 및 상기 파장변환패턴과 상기 박막 봉지층 사이에 위치하는 충진제; 를 포함하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 어느 하나는 녹색광을 방출하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 나머지 둘은 청색광을 방출한다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 유기층은, 적색광을 방출하는 발광층을 미포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 파장변환패턴은, 베이스 수지와, 상기 베이스 수지 내에 분산된 파장 시프터와, 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 파장 시프터는 양자점일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 파장변환패턴과 상기 청색광 차단필터 사이에 위치하는 제1저굴절층; 을 더 포함하고, 상기 제1저굴절층의 굴절률은, 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮을 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1저굴절층의 굴절률은, 1.1 이상 1.4 이하이고, 상기 파장변환패턴의 굴절률과 상기 제1저굴절층의 굴절률의 차이는 0.3 이상일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 파장변환패턴과 상기 충진제 사이에 위치하는 제2저굴절층; 을 더 포함하고, 상기 제2저굴절층의 굴절률은, 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮을 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 상기 청색광 차단필터와 상기 제1저굴절층 사이에 위치하는 제1캡핑층; 및 상기 파장변환패턴과 상기 충진제 사이에 위치하는 제2캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1캡핑층 및 상기 제2캡핑층은 무기물질을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 발광영역이 정의된 제1베이스부; 상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 발광영역 내에 위치하는 화소전극; 제1발광층, 상기 제1발광층과 중첩하는 제2발광층, 상기 제1발광층 및 상기 제2발광층과 중첩하는 제3발광층, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층 및 상기 제2발광층과 상기 제3발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 포함하고, 상기 화소전극 상에 위치하는 유기층; 상기 유기층 상에 위치하는 공통전극; 상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층; 상기 박막 봉지층 상에 위치하고 청색광을 녹색광으로 파장 변환하는 파장변환패턴; 상기파장변환패턴 상에 위치하는 청색광 차단필터; 상기 청색광 차단필터 상에 위치하는 제2베이스부; 및 상기 청색광 차단필터와 상기 제2베이스부 사이에 위치하는 충진제; 를 포함하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 어느 하나는 녹색광을 방출하고, 상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 나머지 둘은 청색광을 방출할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 휘도 및 색 재현성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 X1-X1'를 따라 절단한 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 도 4의 Q1부분을 확대한 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 7은 도 5에 도시된 구조의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 8은 도 4의 Q2부분을 확대한 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 10은 도 4의 Q3부분을 확대한 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 12는 도 10에 도시된 구조의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 13은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14 내지 도 27은 각각 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함 할 수 있다.
비록 제1, 제2, 제3, 제4 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 사시도, 도 2는 도 1의 X1-X1'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도, 도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 표시 기판의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 물론이다.
몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 표시 장치(1)는 일 방향으로 연장된 양 단변과 상기 일 방향과 교차하는 다른 방향으로 연장된 양 장변을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 장변과 단변이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 한정되지 않으며, 곡면을 이룰 수도 있다. 표시 장치(1)의 평면 형상은 예시된 것에 제한되지 않고, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
표시 장치(1)는 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 발광 영역(PA1, PA2, PA3) 및 비발광 영역(PB)이 정의될 수 있다. 몇몇 실시예에서 표시 영역(DA)에는 제1색의 광이 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 제1발광영역(PA1), 제1색과 다른 제2색의 광이 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 제2발광영역(PA2), 상기 제1색 및 상기 제2색과 다른 제3색의 광이 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 제3발광영역(PA3)이 정의될 수 있다. 그리고 서로 이웃하는 발광 영역 사이에는 비발광 영역(PB)이 정의될 수 있다. 몇몇 실시예에서 복수의 발광 영역(PA1, PA2, PA3) 및 비발광 영역(PB)은 후술할 제1기판(10)의 화소정의막에 의해 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 평면시점에서 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 제1발광영역(PA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 상기 제1색의 광은 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광일 수 있다. 또한 제2발광영역(PA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 상기 제2색의 광은 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광일 수 있으며, 제3발광영역(PA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 상기 제3색의 광은 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 피크파장을 갖는 청색광일 수 있다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 제1발광영역(PA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 상기 제1색의 광은 녹색광이고 제2발광영역(PA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 방출되는 광은 적색광일 수도 있다. 이하에는 설명의 편의를 위해 제1발광영역(PA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제1출사광이라 지칭하고, 제2발광영역(PA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제2출사광이라 지칭하고, 제3발광영역(PA3)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 광을 제3출사광이라 지칭한다. 또한 상기 제1색은 적색이고, 상기 제2색은 녹색이고, 상기 제3색은 청색인 경우를 예시로 설명한다.
표시 장치(1)의 개략적 적층 구조를 설명하면, 몇몇 실시예에서 표시 장치(1)는 제1기판(10), 제1기판(10)과 대향하는 제2기판(30)을 포함하며, 제1기판(10)과 제2기판(30)을 결합하는 실링부(50), 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에 채워진 충진제(70)를 더 포함할 수 있다.
제1기판(10)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DA)에 발광 영역(PA1, PA2, PA3) 및 비발광 영역(PB)을 정의하는 화소정의막, 및 유기 발광 소자들을 포함할 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 제1기판(10)은 표시기판 일 수 있다.
제2기판(30)은 제1기판(10) 상에 위치하고 제1기판(10)과 대향할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2기판(30)은 입사광의 색을 변환하는 색변환 패턴을 포함할 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 제2기판(30)은 색변환 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
비표시 영역(NDA)에서 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에는 실링부(50)가 위치할 수 있다. 실링부(50)는 비표시 영역(NDA)에서 제1기판(10)과 제2기판(30)의 가장자리를 따라 배치되어 평면 상에서 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 제1기판(10)과 제2기판(30)은 실링부(50)를 매개로 상호 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서 실링부(50)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 실링부(50)는 에폭시계 레진으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
실링부(50)에 의해 둘러싸인 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이의 공간에는 충진제(70)가 위치할 수 있다. 충진제(70)는 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이를 채울 수 있다.
몇몇 실시예에서 충진제(70)는 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 예시적으로 충진제(70)는 Si계 유기물질, 에폭시계 유기물질 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하 도 4 내지 도 12를 참조하여 표시 장치(1)의 구조에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 4는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도, 도 5는 도 4의 Q1부분을 확대한 단면도, 도 6은 도 5에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도, 도 7은 도 5에 도시된 구조의 다른 변형예를 도시한 단면도, 도 8은 도 4의 Q2부분을 확대한 단면도, 도 9는 도 8에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도, 도 10은 도 4의 Q3부분을 확대한 단면도, 도 11은 도 10에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도, 도 12는 도 10에 도시된 구조의 다른 변형예를 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 12를 참조하면, 표시 장치(1)는 상술한 바와 같이 제1기판(10), 제2기판(30)을 포함하며, 제1기판(10)과 제2기판(30) 사이에 위치하는 충진제(70)를 더 포함할 수 있다.
이하 제1기판(10)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
제1베이스부(110)는 투과성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)는 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)에는 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)과 비발광 영역(PB)이 정의될 수 있다.
제1베이스부(110) 상에는 스위칭 소자들(T1, T2, T3)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1발광영역(PA1)에는 제1스위칭 소자(T1)가 위치하고, 제2발광영역(PA2)에는 제2스위칭 소자(T2)가 위치하고 제3발광영역(PA3)에는 제3스위칭 소자(T3)가 위치할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 제1스위칭 소자(T1), 제2스위칭 소자(T2) 및 제3스위칭 소자(T3) 중 적어도 어느 하나는 비발광 영역(PB)에 위치할 수도 있다.
이외 도면에는 미도시 하였으나, 제1베이스부(110) 상에는 각 스위칭 소자에 신호를 전달하는 복수의 신호선들(예컨대, 게이트선, 데이터선, 전원선 등)이 더 위치할 수 있다.
제1스위칭 소자(T1), 제2스위칭 소자(T2) 및 제3스위칭 소자(T3) 상에는 절연막(130)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 평탄화막일 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 절연막(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연막(130)은 포지티브 감광성 재료 또는 네거티브 감광성 재료를 포함할 수 있다.
절연막(130) 위에는 제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)이 위치할 수 있다. 제1화소전극(AE1)은 제1발광영역(PA1) 내에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(PB)까지 확장될 수 있다. 제2화소전극(AE2)은 제2발광영역(PA2)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(PB)까지 확장될 수 있으며, 제3화소전극(AE3)은 제3발광영역(PA3)에 위치하되 적어도 일부는 비발광 영역(PB)까지 확장될 수 있다. 제1화소전극(AE1)은 절연막(130)을 관통하여 제1스위칭 소자(T1)와 연결되고 제2화소전극(AE2)은 절연막(130)을 관통하여 제2스위칭 소자(T2)와 연결되고, 제3화소전극(AE3)은 절연막(130)을 관통하여 제3스위칭 소자(T3)와 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)은 각각 애노드 전극일 수 있다.
제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)은 반사형 전극일 수 있고, 이 경우에 제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 다른 실시예에서는, 제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3)은 ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 다중층의 구조를 가질 수도 있다.
제1화소전극(AE1), 제2화소전극(AE2) 및 제3화소전극(AE3) 상에는 화소정의막(150)이 위치할 수 있다. 화소정의막(150)은 제1화소전극(AE1)을 노출하는 개구부, 제2화소전극(AE2)을 노출하는 개구부 및 제3화소전극(AE3)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있으며, 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2), 제3발광영역(PA3) 및 비발광 영역(PB)을 정의할 수 있다. 즉, 제1화소전극(AE1) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제1발광영역(PA1)일 수 있다. 유사하게 제2화소전극(AE2) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제2발광영역(PA2)일 수 있으며, 제3화소전극(AE3) 중 화소정의막(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역은 제3발광영역(PA3)일 수 있다. 그리고 화소정의막(150)이 위치하는 영역은 비발광 영역(PB)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 화소정의막(150)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1발광영역(PA1)에서 제1화소전극(AE1) 상에는 제1유기층(OL1)이 위치할 수 있다. 또한 제2발광영역(PA2)에서 제2화소전극(AE2) 상에는 제2유기층(OL2)이 위치할 수 있으며, 제3발광영역(PA3)에서 제3화소전극(AE3) 상에는 제3유기층(OL3)이 위치할 수 있다. 제1유기층(OL1), 제2유기층(OL2) 및 제3유기층(OL3)은 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)을 정의하는 화소정의막(150)의 각 개구부 내에 위치할 수 있다. 제1유기층(OL1), 제2유기층(OL2) 및 제3유기층(OL3)에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다.
제1유기층(OL1), 제2유기층(OL2) 및 제3유기층(OL3) 상에는 공통전극(CE)이 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 공통전극(CE)은 캐소드 전극일 수 있다.
몇몇 실시예에서 공통전극(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 공통전극(CE)이 상기 반투과성을 갖는 경우에, 공통전극(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 공통전극(CE)의 두께가 수십 내지 수백 옹스트롬인 경우에, 공통전극(CE)은 반투과성을 가질 수 있다.
공통전극(CE)이 투과성을 갖는 경우, 공통전극(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 공통전극(CE)은 WxOx(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1화소전극(AE1), 제1유기층(OL1) 및 공통전극(CE)은 제1유기발광소자(ED1)를 이루고, 제2화소전극(AE2), 제2유기층(OL2) 및 공통전극(CE)은 제2유기발광소자(ED2)를 이루고, 제3화소전극(AE3), 제3유기층(OL3) 및 공통전극(CE)은 제3유기발광소자(ED3)를 이룰 수 있다. 제1유기발광소자(ED1)는 제1광(L1)을 발광하고, 제2유기발광소자(ED2)는 제2광(L21, L22)을 발광하고, 제3유기발광소자(ED3)는 제3광(L3)을 발광할 수 있다.
상술한 바와 같이 제1유기층(OL1)은 제1화소전극(AE1)과 공통전극(CE) 사이에 위치할 수 있다.
제1유기층(OL1)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제1화소전극(AE1) 상에 위치하는 제1정공수송층(HTL1), 제1정공수송층(HTL1) 상에 위치하는 제1발광층(EL11), 제1발광층(EL11) 상에 위치하는 제1전자수송층(ETL1)을 포함할 수 있다.
제1정공수송층(HTL1)은 정공 수송 물질을 포함한다. 상기 정공 수송 물질은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine])등을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 정공 수송층의 재료의 종류에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 제1화소전극(AE1)과 제1정공수송층(HTL1) 사이에는 정공 주입층이 더 위치할 수도 있다. 상기 정공 주입층은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), ANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 등과 같은 정공주입물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 정공 주입층은 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 생성 물질은 예를 들어 p형 도펀트(dopant)일 수 있고, 상기 p형 도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 본 발명이 상기 p형 도펀트의 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 p형 도펀트는 TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 포함할 수도 있다.
제1정공수송층(HTL1) 상에는 제1발광층(EL11)이 위치할 수 있다. 제1발광층(EL11)은 상기 제3색의 광, 예컨대 청색광을 발광할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1발광층(EL11)이 발광하는 청색광은 430nm 내지 470nm 범위의 피크 파장을 가질 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 제1발광층(EL11)은 청색 발광층일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1발광층(EL11)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 호스트는 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2′'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene) 등을 사용할 수 있다.
청색광을 출사하는 제1발광층(EL11)은 각각 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 유기 금속 착체(organometallic complex)를 포함하는 인광 물질을 포함할 수도 있다.
제1전자수송층(ETL1)은 제1발광층(EL11) 상에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1전자수송층(ETL1)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물과 같은 전자수송물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 수송 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서 제1전자수송층(ETL1)과 공통전극(CE) 사이에는 전자주입층이 더 위치할 수도 있다. 상기 전자주입층은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등과 같은 전자주입물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 전자 주입 물질의 종류에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 전자 주입층은 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo meta2l salt)이 혼합된 물질을 포함할 수 있고, 상기 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
상술한 구조의 제1유기층(OL1)은 하나의 발광층, 예컨대 발광층으로서 제1발광층(EL11)만을 포함할 수 있으며, 제1발광층(EL11)은 청색 발광층일 수 있다. 따라서 제1유기층(OL1)이 방출하는 제1광(L1)은 청색광일 수 있다.
다만, 제1유기층(OL1)의 적층 구조는 이에 한정되지 않으며, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 변형될 수도 있다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1유기층(OL1a)은 제1발광층(EL11) 상에 위치하는 제1전하생성층(CGL11) 및 제1전하생성층(CGL11) 상에 위치하는 제2발광층(EL12)을 더 포함할 수 있으며, 제1전하수송층(ETL1)은 제2발광층(EL12) 상에 위치할 수 있다.
제1 전하생성층(CGL11)은 각 발광층에 전하를 주입하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL11)은 제1발광층(EL11)과 제2발광층(EL12) 사이에서 전하 균형을 조절하는 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전하생성층(CGL11)은 n형 전하생성층 및 p형 전하생성층을 포함할 수 있다. 상기 p형 전하생성층은 상기 n형 전하생성층 상에 배치될 수 있다.
제1 전하생성층(CGL11)은 n형 전하생성층 및 p형 전하생성층이 서로 접합 구조를 가진 것일 수 있다. 상기 n형 전하생성층은 제1화소전극(AE1) 및 공통전극(CE) 중 제1화소전극(AE1)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 p형 전하생성층(p-CGL1)은 제1화소전극(AE1) 및 공통전극(CE) 중 공통전극(CE)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 n형 전하생성층은 제1화소전극(AE1)에 인접한 제1발광층(EL11)에 전자를 공급하고, 상기 p형 전하생성층은 제2발광층(EL12)에 정공을 공급할 수 있다. 제1 전하생성층(CGL11)을 제1발광층(EL11)과 제2발광층(EL12) 사이에 배치하여 각각의 발광층에 전하를 제공함으로써, 발광 효율을 증대시키고, 구동 전압을 낮출 수 있게 된다.
제2발광층(EL12)은 제1발광층(EL11)과 마찬가지로 청색광을 발광할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2발광층(EL12)은 제1발광층(EL11)이 발광하는 청색광은 피크 파장의 범위가 서로 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2발광층(EL12)은 제1발광층(EL11)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1발광층(EL11)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다. 몇몇 다른 실시예에서, 제1발광층(EL11)과 제2발광층(EL12)은 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있으며, 제1발광층(EL11)과 제2발광층(EL12)이 발광하는 청색광은 서로 피크 파장의 범위가 다를 수도 있다.
상술한 구조의 제1유기층(OL1a)은 두개의 발광층, 예컨대 발광층으로서 제1발광층(EL11) 및 제2발광층(EL12)을 포함할 수 있으며, 제1발광층(EL11) 및 제2발광층(EL12)은 청색 발광층일 수 있다. 따라서 제1유기층(OL1a)이 방출하는 제1광(L1)은 청색광일 수 있으며, 하나의 발광층만을 포함하는 제1유기층(OL1) 대비 발광 효율 및 수명이 향상될 수 있다.
또는, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1유기층(OL1b)은 제1발광층(EL11) 상에 위치하는 제1전하생성층(CGL11), 제1전하생성층(CGL11) 상에 위치하는 제2발광층(EL12), 제2발광층(EL12) 상에 위치하는 제2전하생성층(CGL12) 및 제2전하생성층(CGL12) 상에 위치하는 제3발광층(EL13)을 더 포함할 수 있으며, 제1전하수송층(ETL1)은 제3발광층(EL13) 상에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2발광층(EL12)은 청색 발광층일 수 있음은 도 6의 설명에서 상술한 바와 같다.
제2전하생성층(CGL12)은 실질적으로 상술한 제1전하생성층(CGL11)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2전하생성층(CGL12)은 제1화소전극(AE1)과 공통전극(CE) 중 제1화소전극(AE1)에 더 인접하게 배치되는 n형 전하생성층과, 제1화소전극(AE1)과 공통전극(CE) 중 공통전극(CE)에 더 인접하게 배치되는 p형 전하생성층을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예서 제2전하생성층(CGL12)은 n형 전하생성층과 p형 전하생성층이 접합된 구조로 이루어질 수도 있다. 제1전하생성층(CGL11) 및 제2전하생성층(CGL12)은 서로 다른 재료로 이루어질 수도 있고, 동일한 재료로 이루어질 수도 있다.
제2전하생성층(CGL12)은 제2발광층(EL12)에 전자를 공급하고, 제3 발광층(EL13)에 정공을 공급할 수 있다.
제3발광층(EL13)은 제1발광층(EL11) 및 제2발광층(EL12)과 다른 색의 광을 발광할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3발광층(EL13)은 상기 제2색의 광, 예컨대 녹색광을 발광할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3발광층(EL13)이 발광하는 녹색광은 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 가질 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 제3발광층(EL13)은 녹색 발광층일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3발광층(EL13)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 제3발광층(EL13)이 포함하는 호스트는 제1발광층(EL11)의 설명에서 상술한 호스트의 예시들 중 어느 하나일 수 있다. 제3발광층(EL13)이 포함하는 도펀트는 예를 들어 Alq3(tris-(8-hydroyquinolato) aluminum(III))을 포함하는 형광물질, 또는 인광물질로서, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium), Ir(ppy)2(acac)(Bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)), Ir(mpyp)3(2-phenyl-4-methyl-pyridine iridium) 등이 예시될 수 있다.
다만, 청색광을 발광하는 제1발광층(EL11), 청색광을 발광하는 제2발광층(EL12) 및 녹색광을 발광하는 제3발광층(EL13)의 적층 순서가 상술한 바에 한정되는 것은 아니며 제3발광층(EL13)의 위치하는 다양하게 변경될 수도 있다. 예시적으로 제3발광층(EL13)은 제1정공수송층(HTL1)과 제1전하생성층(CGL11) 사이에 위치하고, 제1발광층(EL11)은 제1전하생성층(CGL11)과 제2전하생성층(CGL12) 사이에 위치하고, 제2발광층(EL12)은 제2전하생성층(CGL12)과 제1전자수송층(ETL1) 사이에 위치할 수도 있다. 또는 제1발광층(EL11)은 제1정공수송층(HTL1)과 제1전하생성층(CGL11) 사이에 위치하고, 제3발광층(EL13)은 제1전하생성층(CGL11)과 제2전하생성층(CGL12) 사이에 위치하고, 제2발광층(EL12)은 제2전하생성층(CGL12)과 제1전자수송층(ETL1) 사이에 위치할 수도 있다.
상술한 구조의 제1유기층(OL1b)은 세개의 발광층, 예컨대 발광층으로서 제1발광층(EL11), 제2발광층(EL12) 및 제3발광층(EL13)을 포함할 수 있다. 그리고 제1발광층(EL11) 및 제2발광층(EL12)은 청색 발광층일 수 있으며 제3발광층(EL13)은 녹색 발광층일 수 있다. 따라서 제1유기층(OL1b)은 제1광(L1)으로서 청색광을 방출할 수 있으며, 서브광(L12)으로서 녹색광을 더 방출할 수 있다.
다만, 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 제3발광층(EL13)은 제1발광층(EL11) 및 제2발광층(EL12)과 마찬가지로 청색광을 발광할 수도 있다. 즉, 제3발광층(EL13)은 청색 발광층일 수도 있다. 이러한 경우 제1유기층(OL1b)은 녹색광인 서브광(L12)을 방출하지 않을 수 있으며, 제1광(L1)으로서 청색광만을 방출할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 도 5에 도시된 제1유기층(OL1), 도 6에 도시된 제1유기층(OL1a) 및 도 7에 도시된 제1유기층(OL1b)은 모두 공통적으로 적색 발광층을 포함하지 않을 수 있으며, 이에 따라 적색광을 방출하지 않을 수 있다.
제2유기층(OL2)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제2화소전극(AE2) 상에 위치하는 제2정공수송층(HTL2), 제2정공수송층(HTL2) 상에 위치하는 제4발광층(EL21), 제4발광층(EL21) 상에 위치하는 제3전하생성층(CGL21), 제3전하생성층(CGL21) 상에 위치하는 제2전자수송층(ETL2)을 포함할 수 있으며, 공통전극(CE)은 제2전자수송층(ETL2) 상에 위치할 수 있다.
제2정공수송층(HTL2)은 실질적으로 상술한 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 구조 및 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 도면에 도시된 바와 같이 제2정공수송층(HTL2)은 제1정공수송층(HTL1)과 서로 연결되지 않고 분리될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 제2정공수송층(HTL2)과 제1정공수송층(HTL1)은 서로 연결되고 일체로 이루어질 수도 있다.
제4발광층(EL21)은 제2정공수송층(HTL2) 상에 위치할 수 있다. 제4발광층(EL21)은 상기 제3색의 광, 예컨대 제1발광층(EL11)과 마찬가지로 청색광을 발광할 수 있다. 제4발광층(EL21)이 발광하는 청색광은 제1발광층(EL11)이 발광하는 청색광과 피크 파장의 범위가 서로 동일할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제4발광층(EL21)은 제1발광층(EL11)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1발광층(EL11)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
제3전하생성층(CGL21)은 실질적으로 상술한 제1전하생성층(CGL11)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 제3전하생성층(CGL21)은 제4발광층(EL21)에 전자를 공급하고, 제5발광층(EL22)에 정공을 공급할 수 있다.
제5발광층(EL22)은 상기 제2색의 광, 녹색광을 발광할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제5발광층(EL22)이 발광하는 녹색광의 피크의 파장 범위는 510nm 내지 550nm 일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제5발광층(EL22)은 제3발광층(EL13)이 녹색 발광층인 경우의 설명에서 예시된 물질들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1유기층(OL1b)의 제3발광층(EL13)이 녹색 발광층인 경우, 제5발광층(EL22)은 제3발광층(EL13)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제2전자수송층(ETL2)은 실질적으로 상술한 제1전자수송층(ETL1)과 동일한 구조 및 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 도면에 도시된 바와 같이 제2전자수송층(ETL2)은 제1전자수송층(ETL1)과 서로 연결되지 않고 분리될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 제2전자수송층(ETL2)과 제1전자수송층(ETL1)은 서로 연결되고 일체로 이루어질 수도 있다.
청색광을 발광하는 제4발광층(EL21)과 녹색광을 발광하는 제5발광층(EL22)의 적층 순서가 상술한 바에 한정되는 것은 아니다. 예시적으로 제5발광층(EL22)은 제2정공수송층(HTL2)과 제3전하생성층(CGL21) 사이에 위치하고, 제4발광층(EL21)은 제3전하생성층(CGL21)과 제2전자수송층(ETL2) 사이에 위치할 수도 있다.
상술한 구조의 제2유기층(OL2)은 두개의 발광층, 예컨대 발광층으로서 제4발광층(EL21) 및 제5발광층(EL22)을 포함할 수 있다. 그리고 제4발광층(EL21)은 청색 발광층일 수 있으며 제5발광층(EL22)은 녹색 발광층일 수 있다. 따라서 제2유기층(OL2)이 방출하는 제2광(L21, L22)은 청색광인 제1서브광(L21)과 녹색광인 제2서브광(L22)을 포함할 수 있다. 제2유기층(OL2)이 청색광 뿐만 아니라 녹색광도 방출하는 바, 제2발광영역(PA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사 되는 녹색광의 총 광량을 증가시킬 수 있다.
다만, 제2유기층(OL2)의 적층 구조는 이에 한정되지 않으며, 도 9에 도시된 바와 같이 변형될 수도 있다.
도 9를 참조하면, 제2유기층(OL2a)은 제2유기층(OL2)과 달리, 제5발광층(EL22) 상에 위치하는 제4전하생성층(CGL22) 및 제4전하생성층(CGL22) 상에 위치하는 제6발광층(EL23)을 더 포함할 수 있으며, 제2전자수송층(ETL2)은 제6발광층(EL23) 상에 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제6발광층(EL23)은 상기 제3색의 광, 예컨대 제1발광층(EL11)과 마찬가지로 청색광을 발광할 수 있다. 즉, 제6발광층(EL23)은 청색 발광층일 수 있다. 제6발광층(EL23)은 제1발광층(EL11)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1발광층(EL11)이 포함하는 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수도 있다.
다만, 청색광을 발광하는 제4발광층(EL21), 녹색광을 발광하는 제5발광층(EL22) 및 청색광을 발광하는 제6발광층(EL23)의 적층 순서가 상술한 바에 한정되는 것은 아니다. 예시적으로 제4발광층(EL21)은 제2정공수송층(HTL2)과 제3전하생성층(CGL21) 사이에 위치하고, 제6발광층(EL23)은 제3전하생성층(CGL21)과 제4전하생성층(CGL22) 사이에 위치하고, 제5발광층(EL22)은 제4전하생성층(CGL22)과 제2전자수송층(ETL2) 사이에 위치할 수도 있다. 또는 제5발광층(EL22)은 제2정공수송층(HTL2)과 제3전하생성층(CGL21) 사이에 위치하고, 제4발광층(EL21)은 제3전하생성층(CGL21)과 제4전하생성층(CGL22) 사이에 위치하고, 제6발광층(EL23)은 제4전하생성층(CGL22)과 제2전자수송층(ETL2) 사이에 위치할 수도 있다.
상술한 구조의 제2유기층(OL2a)은 도 8에 도시된 제2유기층(OL2)보다 청색광을 발광하는 발광층, 예컨대 제6발광층(EL23)을 더 포함하는 바, 제2유기층(OL2a)이 방출하는 청색광인 제1서브광(L21)의 광량을 보다 증가시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 도 8에 도시된 제2유기층(OL2) 및 도 9에 도시된 제2유기층(OL2a)은 모두 공통적으로 적색 발광층을 포함하지 않을 수 있으며, 이에 따라 적색광을 방출하지 않을 수 있다.
제3유기층(OL3)은 도 10에 도시된 바와 같이, 제3화소전극(AE3) 상에 위치하는 제3정공수송층(HTL3), 제3정공수송층(HTL3) 상에 위치하는 제7발광층(EL31), 제7발광층(EL31) 상에 위치하는 제3전자수송층(ETL3)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3유기층(OL3)은 제1유기층(OL1)과 실질적으로 동일한 구조로 이루어질 수 있다.
제3정공수송층(HTL3)은 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 제1정공수송층(HTL1)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 도면에는 제3정공수송층(HTL3)이 제1정공수송층(HTL1) 및 제2정공수송층(HTL2)과 분리된 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 다른 실시예에서 제1정공수송층(HTL1), 제2정공수송층(HTL2) 및 제3정공수송층(HTL3)은 서로 연결되고 일체로 이루어질 수도 있다.
제7발광층(EL31)은 제1발광층(EL11)과 동일한 색의 광을 발광할 수 있다. 예컨대 제7발광층(EL31)은 제1발광층(EL11)과 마찬가지로 청색광을 발광하는 청색 발광층일 수 있다. 제7발광층(EL31)은 제1발광층(EL11)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1발광층(EL11)의 구성물질예서 예시로 언급된 물질을 포함할 수 도 있다.
제3전자수송층(ETL3)은 실질적으로 상술한 제1전자수송층(ETL1)과 동일한 구조 및 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 도면에 도시된 바와 같이 제3전자수송층(ETL2)은 제1전자수송층(ETL1) 및 제2전자수송층(ETL2)과 서로 연결되지 않고 분리될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 제1전자수송층(ETL1), 제2전자수송층(ETL2) 및 제3전자수송층(ETL3)은 서로 연결되고 일체로 이루어질 수도 있다.
상술한 구조의 제3유기층(OL3)은 발광층으로서 제7발광층(EL31)만을 포함할 수 있으며, 제3발광층(EL31)은 청색 발광층일 수 있다. 따라서 제3유기층(OL3)이 방출하는 제3광(L3)은 청색광일 수 있다.
다만, 제3유기층(OL3)의 적층 구조는 이에 한정되지 않으며, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 변형될 수도 있다.
예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 제3유기층(OL3a)은 제7발광층(EL31) 상에 위치하는 제5전하생성층(CGL31) 및 제5전하생성층(CGL31) 상에 위치하는 제8발광층(EL32)을 더 포함할 수 있으며, 제3전자수송층(ETL1)은 제8발광층(EL32) 상에 위치할 수 있다.
제5전하생성층(CGL31)은 실질적으로 상술한 제1전하생성층(CGL11)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 제5전하생성층(CGL31)은 제7발광층(EL31)에 전자를 공급하고, 제8발광층(EL32)에 정공을 공급할 수 있다.
제8발광층(EL32)은 제7발광층(EL31)과 마찬가지로 청색광을 발광할 수 있다. 즉, 몇몇 실시예에서 제8발광층(EL32)은 청색 발광층일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제8발광층(EL32)은 제1발광층(EL11)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1발광층(EL11)의 구성 물질로 예시된 물질들 중 선택된 물질을 포함할 수 있다.
상술한 구조의 제3유기층(OL3a)은 두개의 청색 발광층, 예컨대 청색 발광층으로서 제7발광층(EL31) 및 제8발광층(EL32)을 포함할 수 있다. 따라서 제3유기층(OL3a)이 방출하는 제3광(L3)은 청색광일 수 있으며, 하나의 발광층만을 포함하는 제3유기층(OL3) 대비 발광 효율 및 수명이 향상될 수 있다.
또는, 도 12에 도시된 바와 같이, 제3유기층(OL3b)은 도 11에 도시된 제3유기층(OL3a) 대비 제8발광층(EL32) 상에 위치하는 제6전하생성층(CGL32) 및 제6전하생성층(CGL32) 상에 위치하는 제9발광층(EL33)을 더 포함할 수 있으며, 제3전자수송층(ETL3)은 제9발광층(EL33) 상에 위치할 수 있다.
제6전하생성층(CGL32)은 실질적으로 상술한 제1전하생성층(CGL11)과 동일한 구조로 이루어질 수 있다. 제6전하생성층(CGL32)은 제8발광층(EL32)에 전자를 공급하고, 제9발광층(EL33)에 정공을 공급할 수 있다.
제3발광층(EL13)과 유사하게, 몇몇 실시예에서 제9발광층(EL33)은 녹색 발광층일 수 있다. 제9발광층(EL33)이 녹색 발광층인 경우 제3유기층(OL3b)은 청색광인 제3광(L3) 뿐만 아니라 서브광(L32)으로서 녹색광을 더 방출할 수 있다.
제9발광층(EL33)이 녹색 발광층인 경우, 제9발광층(EL33)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대 제9발광층(EL33)은 제3정공수송층(HTL3)과 제5전하생성층(CGL31) 사이에 위치하고, 제7발광층(EL31)은 제5전하생성층(CGL31)과 제6전하생성층(CGL32) 사이에 위치하고, 제8발광층(EL32)은 제6전하생성층(CGL32)과 제3전자수송층(ETL3) 사이에 위치할 수도 있다. 또는 제9발광층(EL32)은 제5전하생성층(CGL31)과 제6전하생성층(CGL32) 사이에 위치하고 제7발광층(EL31)은 제3정공수송층(HTL3)과 제5전하생성층(CGL31) 사이에 위치하고, 제8발광층(EL32)은 제6전하생성층(CGL32)과 제3전자수송층(ETL3) 사이에 위치할 수도 있다.
다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제9발광층(EL33)은 청색 발광층일 수도 있다. 이러한 경우 제3유기층(OL3b)은 청색광인 제3광(L3)만을 방출할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 도 10에 도시된 제3유기층(OL3), 도 11에 도시된 제3유기층(OL3a) 및 도 12에 도시된 제3유기층(OL3b)은 모두 공통적으로 적색 발광층을 포함하지 않을 수 있으며, 이에 따라 적색광을 방출하지 않을 수 있다.
공통전극(CE) 상에는 박막 봉지층(170)이 배치된다. 박막 봉지층(170)은 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2), 제3발광영역(PA3) 및 비발광 영역(PB)에 공통적으로 배치된다. 몇몇 실시예에서 박막 봉지층(170)은 공통전극(CE)을 직접 커버한다. 몇몇 실시예에서, 박막 봉지층(TFE)과 공통전극(CE) 사이에는, 공통전극(CE)을 커버하는 캡핑층(도면 미도시)이 더 배치될 수 있으며, 이러한 경우 박막 봉지층(TFE)은 캡핑층을 직접 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 박막 봉지층(170)은 공통전극(CE) 상에 순차적으로 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(173) 및 제2 봉지 무기막(175)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 봉지 무기막(171) 및 제2 봉지 무기막(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON), 리튬 플로라이드 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 봉지 유기막(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
다만 박막 봉지층(170)의 구조가 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 박막 봉지층(170)의 적층구조는 다양하게 변경될 수 있다.
이하 제2기판(30)에 대해 설명한다.
제2베이스부(310)는 투과성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스부(110)는 유리기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
제1기판(10)을 향하는 제2베이스부(310)의 일면 상에는 차광부재(320)가 위치할 수 있다. 차광부재(320)는 비발광 영역(PB) 내에 위치하여 광의 투과를 차단할 수 있다. 예를 들어, 차광부재(320)는 평면상 대략 격자 형태로 배치되며, 인접한 발광영역 간에 광이 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제1발광영역(PA1)에서 제2베이스부(310)의 일면 상에는 제1색필터(331)가 위치할 수 있으며, 제2발광영역(PA2)에서 제2베이스부(310)의 일면 상에는 제2색필터(333)가 위치할 수 있다. 또한 제3발광영역(PA3)에서 제2베이스부(310)의 일면 상에는 제3색필터(335)가 위치할 수 있다.
제1색필터(331)는 상기 제3색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제1색필터(331)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1색필터(331)는 상기 제1색의 광(예컨대, 적색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제2색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제1색필터(331)는 적색 색필터(red color filter)일 수 있으며, 적색의 색제(red colorant)를 포함할 수 있다.
제2색필터(333)는 상기 제3색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제2색필터(333)도 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2색필터(333)는 상기 제2색의 광(예컨대, 녹색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1색의 광(예컨대, 적색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 예시적으로 제2색필터(333)는 녹색 색필터(green color filter)일 수 있으며, 녹색의 색제(green colorant)를 포함할 수 있다.
제3색필터(335)는 상기 제3색의 광(예컨대, 청색광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1색의 광(예컨대, 적색광) 및 상기 제2색의 광(예컨대, 녹색광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3색필터(335)는 청색 색필터(blue color filter)일 수 있으며, 청색의 색제(blue colorant)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1색필터(331)와 제2색필터(333)간의 경계부분 및 제2색필터(333)와 제3색필터(335) 간의 경계부분은 비발광 영역(PB)에 위치할 수 있다. 그리고 제1색필터(331)와 제2색필터(333)간의 경계부분과 제2베이스부(310) 사이 및 제2색필터(333)와 제3색필터(335) 간의 경계부분과 제2베이스부(310) 사이에는 차광부재(320)가 위치할 수 있다.
제1색필터(331), 제2색필터(333) 및 제3색필터(335) 상에는 제1캡핑층(351)이 위치할 수 있다. 제1캡핑층(351)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 제1색필터(331), 제2색필터(333) 및 제3색필터(335) 등을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1캡핑층(351)은 제1색필터(331), 제2색필터(333) 및 제3색필터(335)에 포함된 색제가 다른 구성, 예컨대 제1저굴절층(391) 등으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(351)은 무기물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1캡핑층(351)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1캡핑층(351) 상에는 제1저굴절층(391)이 위치할 수 있다. 제1저굴절층(391)은 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2), 제3발광영역(PA3) 및 비발광 영역(PB)에 걸쳐 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1저굴절층(391)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에 비해 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1저굴절층(391)은 약 1.1 이상 1.4 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)의 굴절률은 제1저굴절층(391)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 광투과 패턴(345)의 굴절률도 제1저굴절층(391)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1저굴절층(391)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로부터 제2베이스부(310)를 향하는 방향으로 방출되는 광 중 일부를 다시 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)측으로 반사시킬 수 있다. 즉, 제1저굴절층(391)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 투과하여 제2베이스부(310)를 향하는 방향으로 방출되는 광 중 적어도 일부를 리사이클(recycle)시킴으로써, 광 이용 효율을 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 표시 장치(1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1저굴절층(391)은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 입자를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1저굴절층(391)이 포함하는 입자는 산화 아연(ZnO) 입자, 이산화티타늄(TiO2) 입자, 내부가 비어있는 중공 실리카 입자, 내부가 비어 있지 않은 실리카 입자, 나노 실리케이트(nano silicate) 입자, 포로겐(porogen) 입자 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 몇몇 실시예에서 상기 입자가 내부가 비어있는 구조, 즉 쉘(shell)과 쉘의 내부에 정의된 중공 입자인 경우, 상기 입자의 직경은 20~200nm일 수 있고, 상기 쉘의 두께는 5~20nm일 수 있다. 그리고 상기 중공의 직경은 상기 쉘의 두께 및 상기 입자의 직경에 기초하여 결정될 수 있다. 상기 쉘의 두께와 상기 입자의 직경을 조절하여 제1저굴절층(391)의 굴절률을 조절할 수 있다.
제1저굴절층(391) 상에는 제2캡핑층(353)이 위치할 수 있다. 제2캡핑층(353)은 제1저굴절층(391)을 커버하도록 배치될 수 있다. 제2캡핑층(353)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 제1저굴절층(391) 등을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한 제2캡핑층(353)은 제1저굴절층(391) 내에 포함된 입자 등이 다른 구성으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 아울러 제2캡핑층(353)은 후술할 제3캡핑층(355)과 함께 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 밀봉하여 외기 또는 수분이 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2캡핑층(353)은 무기물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2캡핑층(353)은 제1캡핑층(351)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1캡핑층(351)의 설명에서 언급된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1발광영역(PA1)에서 제2캡핑층(353) 상에는 제1파장변환패턴(341)이 위치할 수 있다. 제1파장변환패턴(341)은 제1발광영역(PA1) 내에 위치하고 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)에는 위치하지 않을 수 있다. 제1파장변환패턴(341)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)은 제1유기발광소자(ED1)에서 제공된 청색광인 제1광(L1)을 약 610nm 내지 약 650nm 범위인 적색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)은 제1베이스 수지(3411) 및 제1베이스 수지(3411) 내에 분산된 제1파장 시프터(3413)를 포함할 수 있으며, 제1베이스 수지(3411) 내에 분산된 제1산란체(3415)를 더 포함할 수 있다.
제1베이스 수지(3411)는 광 투과율이 높고, 제1파장 시프터(3413) 및 제1 산란체(3415)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 제1베이스 수지(3411)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1베이스 수지(3411)의 굴절률은 제1저굴절층(391)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다
제1파장 시프터(3413)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 제1파장 시프터(3413)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, IV족계 나노 결정은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 또는 탄화규소(silicon carbide, SiC), 규소-게르마늄(SiGe) 등의 이원소 화합물 등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, II-VI족계 화합물 나노 결정은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, III-V족계 화합물 나노 결정은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InGaP, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
IV-VI족계 나노 결정은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 양자점의 쉘은 상기 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 챠징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 상기 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1파장 시프터(3413)가 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치(1)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 또, 제1파장 시프터(3413)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 제1발광영역(PA1)에서 표시되는 제1 색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1파장 시프터(3413)는 제1유기발광소자(ED1)에서 제공된 청색광인 제1광(L1)을 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 단일 피크 파장을 갖는 적색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
제1유기발광소자(ED1)에서 제공된 제1광(L1) 중 일부는 제1파장 시프터(3413)에 의해 적색광으로 변환되지 않고 제1파장변환패턴(341)을 투과하여 방출될 수 있다. 제1광(L1)중 제1파장변환패턴(341)에 의해 변환되지 않고 제1색필터(331)에 입사한 성분은, 제1색필터(331)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 제1광(L1)중 제1파장변환패턴(341)에 의해 변환된 적색광은 제1색필터(331)를 투과하여 외부로 출사된다. 이에 따라 제1발광영역(PA1)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제1출사광(La)은 적색광일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1광(L1)중 제1파장변환패턴(341)에 의해 변환되지 않고 제1파장변환패턴(341)을 투과한 성분은 제1저굴절층(391)에 의해 반사되어 제1파장변환패턴(341)에 재입사할 수도 있으며, 이에 따라 광변환 효율을 향상시킬 수 있음은 상술한 바와 같다.
몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)에는 제1유기발광소자(ED1)에서 청색광인 제1광(L1) 뿐만 아니라 녹색광인 서브광(L12)이 더 제공될 수도 있다. 이러한 경우 녹색광인 서브광(L12)의 일부는 제1파장변환패턴(341)에 의해 파장 변환될 수도 있으며, 또는 제1파장변환패턴(341)에 의해 파장변환되지 않고 제1파장변환패턴(341)을 투과할 수도 있다. 서브광(L12) 중 제1파장변환패턴(341)에 의해 파장 변환되지 않은 성분은 제1색필터(331)에 의해 차단될 수 있으며, 이에 따라 적색광인 제1출사광(La)이 표시 장치(1)의 외부로 출사될 수 있다.
제1산란체(3415)는 제1베이스 수지(3411)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(3411)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1산란체(3415)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1산란체(3415)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제1산란체(3415)는 제1파장변환패턴(341)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 제1파장변환패턴(341)을 투과하는 광의 경로 길이를 증가시킬 수 있고, 제1파장 시프터(3413)에 의한 색 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)의 두께는 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 제1파장변환패턴(341)이 3㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성하는 경우 제1파장변환패턴(341)을 투과하는 광의 색 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)의 두께의 상한은 공정상의 용이성의 관점에서 약 15㎛일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341)에 포함된 제1파장 시프터(3413)의 함량은 10% 내지 60%일 수 있다. 또한 제1파장변환패턴(341)에 포함된 제1산란체(3415)의 함량은 2% 내지 10%일 수 있다.
제2발광영역(PA2)에서 제2캡핑층(353) 상에는 제2파장변환패턴(343)이 위치할 수 있다. 제2파장변환패턴(343)은 제2발광영역(PA2) 내에 위치하고 제1발광영역(PA1) 및 제3발광영역(PA3)에는 위치하지 않을 수 있다. 제2파장변환패턴(343)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장의 광으로 변환 또는 시프트시켜 출사할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(343)은 제2유기발광소자(ED2)에서 제공된 제2광(L21, L22) 중 청색광인 제1서브광(L21)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색광으로 변환하여 출사할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(343)은 제2베이스 수지(3431) 및 제2베이스 수지(3431) 내에 분산된 제2파장 시프터(3433)를 포함할 수 있으며, 제2베이스 수지(3431) 내에 분산된 제2산란체(3435)를 더 포함할 수 있다.
제2베이스 수지(3431)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 수지(3431)는 유기물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 수지(3431)는 제1베이스 수지(3411)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1베이스 수지(3411)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2베이스 수지(3431)의 굴절률은 제1저굴절층(391)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다.
제2파장 시프터(3433)는 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장 시프터(3433)는 430nm 내지 470nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색광을 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환할 수 있다.
제2파장 시프터(3433)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2파장 시프터(3433)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1파장 시프터(3433)의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
몇몇 실시예에서 제1파장 시프터(3413) 및 제2파장 시프터(3433)는 모두 양자점으로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 제1파장 시프터(3413)를 이루는 양자점의 직경은 제2파장 시프터(3433)를 이루는 양자점의 직경보다 클 수 있다.
제2산란체(3435)는 제2베이스 수지(3431)와 상이한 굴절률을 가지고 제2 베이스 수지(3431)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2산란체(3435)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제2산란체(3435)에 대한 구체적 설명은 제1산란체(3415)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(343)의 두께는 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 제2파장변환패턴(343)이 3㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성하는 경우 제2파장변환패턴(343)을 투과하는 광의 색 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(343)의 두께의 상한은 공정상의 용이성의 관점에서 약 15㎛일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2파장변환패턴(343)에 포함된 제2파장 시프터(3433)의 함량은 10% 내지 60%일 수 있다. 또한 제2파장변환패턴(343)에 포함된 제2산란체(3435)의 함량은 2% 내지 10%일 수 있다.
제2파장변환패턴(343)에는 제2유기발광소자(ED2)에서 방출된 제2광(L21, L22)이 제공될 수 있으며, 제2파장 시프터(3433)는 제2유기발광소자(ED2)에서 제공된 제2광(L2) 중 청색광인 제1서브광(L21)을 약 510nm 내지 약 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색광으로 변환하여 방출할 수 있다.
청색광인 제1서브광(L21) 중 일부는 제2파장 시프터(3433)에 의해 녹색광으로 변환되지 않고 제1파장변환패턴(341)을 투과하여 방출될 수 있으며, 이는 제2색필터(333)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 제1서브광(L21)중 제2파장변환패턴(343)에 의해 변환된 녹색광은 제2색필터(333)를 투과하여 외부로 출사된다. 이에 따라 제2발광영역(PA2)에서 표시 장치(1)의 외부로 출사되는 제2출사광(Lb)은 녹색광일 수 있다.
한편, 제2유기발광소자(ED2)에서 제공된 제2광(L2) 중 녹색광인 제2서브광(L22)의 경우, 제2파장 시프터(3433)에 의해 파장 변환되지 않으며, 제2파장변환패턴(343) 및 제2색필터(333)를 투과하여 외부로 출사된다.
몇몇 실시예에서 청색광을 녹색광으로 변환하는 제2파장변환패턴(343)의 광변환 효율이 청색광을 적색광으로 변환하는 제1파장변환패턴(341)의 광변환 효율보다 낮을 수 있다. 따라서 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343) 각각에 동일 광량의 청색광을 제공하더라도, 제2발광영역(PA2)에서 출사되는 제2출사광(Lb)의 광량은 제1발광영역(PA1)에서 출사되는 제1출사광(La)의 광량보다 작을 수 있으며, 이에 따라 표시 장치의 색재현성이 저하될 수 있다.
본 실시예들에 의하면, 제2유기발광소자(ED2)가 청색광 뿐만 아니라 녹색광도 발광하며, 제2유기발광소자(ED2)에서 방출된 녹색광인 제2서브광(L22)은 제2파장변환패턴(343)에서 변환된 녹색광인 제2출사광(Lb)과 함께 제2발광영역(PA2)의 외부로 방출된다. 즉, 상대적으로 부족한 녹색 광량을 제2유기발광소자(ED2)에서 출사된 녹색광인 제2서브광(L22)이 보완해줄 수 있으며, 이에 따라 표시 장치(1)의 색재현성이 향상되는 이점이 구현된다.
몇몇 실시예에서 제1서브광(L21)중 제2파장변환패턴(343)에 의해 변환되지 않고 제2파장변환패턴(343)을 투과한 성분은 제1저굴절층(391)에 의해 반사되어 제2파장변환패턴(343)에 재입사할 수도 있으며, 이에 따라 광변환 효율을 향상시킬 수 있음은 상술한 바와 같다.
제3발광영역(PA3)에서 제2캡핑층(353) 상에는 광투과 패턴(345)이 위치할 수 있다. 광투과 패턴(345)은 제3발광영역(PA3) 내에 위치하고 제1발광영역(PA1) 및 제2발광영역(PA2)에는 위치하지 않을 수 있다. 광투과 패턴(345)은 입사광을 투과시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(345)은 제3베이스 수지(3451) 및 제3베이스 수지(3451) 내에 분산된 제3산란체(3455)를 더 포함할 수 있다.
제3베이스 수지(3451)는 광 투과율이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3베이스 수지(3451)는 유기물질로 이루어질 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제1베이스 수지(3451)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1베이스 수지(3451)의 구성물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3베이스 수지(3451)의 굴절률은 제1저굴절층(391)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다
제3산란체(3455)는 제3베이스 수지(3451)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(3451)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3산란체(3455)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제3산란체(3455)에 대한 구체적 설명은 제1산란체(3415)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제3유기발광소자(ED3)에서 제공된 청색광인 제3광(L3)은 광투과 패턴(345) 및 제3색필터(335)를 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 출사된다. 즉, 제3발광영역(PA3)에서 출사되는 상기 제3출사광은 제3유기발광소자(ED3)에서 방출된 청색광인 제3광(L3)일 수 있다.
제1파장변환패턴(341), 제2파장변환패턴(343) 상에는 제3캡핑층(355)이 위치할 수 있다. 제3캡핑층(355)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 커버할 수 있으며, 몇몇 실시예에서 제3캡핑층(355)은 광투과 패턴(345) 상에 더 위치하고 광투과 패턴(345)을 더 커버할 수 있다. 제3캡핑층(355)은 제2캡핑층(353)과 함께 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 밀봉할 수 있으며, 이에 따라 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3캡핑층(355)은 무기물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3캡핑층(355)은 제1캡핑층(351)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1캡핑층(351)의 설명에서 언급된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제3캡핑층(355) 상에는 보호층(370)이 더 위치할 수 있다. 보호층(370)은 제3캡핑층(355)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서 보호층(370)은 산화규소, 질화규소, 산화질화규소 등의 무기물로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서 보호층(370)은 생략될 수도 있다.
보호층(370) 상에는 제2저굴절층(393)이 위치할 수 있다.
제2저굴절층(393)은 제1저굴절층(391)과 마찬가지로 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2), 제3발광영역(PA3) 및 비발광 영역(PB)에 걸쳐 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2저굴절층(393)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에 비해 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2저굴절층(393)은 약 1.1 이상 1.4 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)의 굴절률은 제2저굴절층(393)의 굴절률보다 0.3 이상 클 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2저굴절층(393)은 제1저굴절층(391)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1저굴절층(391)의 설명에서 언급한 물질들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2저굴절층(393)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로부터 제1베이스부(110)를 향하는 방향으로 방출되는 광 중 일부를 다시 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)측으로 반사시킬 수 있다. 즉, 제2저굴절층(393)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로 제공된 청색광 중 제1베이스부(110)를 향하는 방향으로 방출되는 광을 다시 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로 유도하여 리사이클(recycle)시킴으로써, 광 이용 효율을 향상시킬 수 있으며, 결과적으로 표시 장치(1)의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2저굴절층(393)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에서 파장 변환된 광 중 제1베이스부(110)를 향하는 방향으로 방출된 광을 다시 제2베이스부(310)를 향하는 방향으로 유도하여 다시 영상 표시에 기여하도록 할 수 있다. 이를 통해 광 이용 효율을 향상시킬 수 있으며, 표시 장치(1)의 휘도 등의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
아울러 제2저굴절층(393)은 광투과 패턴(345)에 입사한 청색광 중 제1베이스부(110)를 향하는 방향으로 진행하는 광을 다시 제2베이스부(310)를 향하는 방향으로 유도할 수 있으며, 이에 따라 광효율을 향상시킬 수 있다.
다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 제1저굴절층(391)과 제2저굴절층(393) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
제2기판(30)과 제1기판(10) 사이의 공간에는 충진제(70)가 위치할 수 있음은 상술한 바와 같다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 제2저굴절층(393)과 박막 봉지층(170) 사이에 위치할 수 있다.
도 13은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1a)는 제2기판(30a)의 구성이 도 4에 도시된 표시 장치(1)의 제2기판(30)과 상이하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제2기판(30a)은 도 4에 도시된 제2기판(30)과는 달리, 제1색필터(331) 및 제2색필터(333)를 포함하지 않고, 제4색필터(331a)를 포함할 수 있다.
제4색필터(331a)는 제1발광영역(PA1) 및 제2발광영역(PA2)에 걸쳐 배치될 수 있으며, 제1발광영역(PA1)과 제2발광영역(PA2) 사이에 위치하는 차광부재(320)를 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제4색필터(331a)는 상기 제3색의 광(예컨대, 청색광)을 차단하거나 흡수할 수 있으며, 상기 제1색의 광(예컨대, 적색광) 및 상기 제2색의 광(예컨대, 녹색광)을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 즉, 제4색필터(331a)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제4색필터(331a)는 황색 색필터(yellow color filter)일 수 있으며, 황색의 색제(yellow colorant)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제4색필터(331a)는 황색의 색제에 부가하여 회색의 색제(gray colorant)를 더 포함할 수 있다. 제4색필터(331a)가 상기 회색의 색제를 더 포함하는 경우 외광 반사를 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또는 몇몇 실시예에서 제4색필터(331a)는 상기 황색의 색제에 부가하여 청색의 색제(blue colorant)를 더 포함할 수 있다. 제4색필터(331a)가 청색의 색제를 더 포함하는 경우 외광 중 청색 파장 대역의 성분이 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343) 내에 입사하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 외광으로 인해 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에서 색변환 광이 방출되는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제4색필터(331a)는 상기 황색의 색제에 부가하여 상기 회색의 색제와 상기 청색의 색제를 모두 포함할 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제2기판(30a)이 제4색필터(331a)를 포함하는 경우, 제1유기발광소자(ED1)는 청색광만을 방출하고 녹색광은 방출하지 않을 수도 있다. 예컨대, 제1유기발광소자(ED1)는 발광층으로서 청색 발광층만을 포함할 수 있다. 제1발광영역(PA1)에서 적색광 이외의 광, 예컨대 녹색광이 출사되는 것을 방지하기 위함이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1발광영역(PA1)에서 녹색광이 출사되는 것을 방지할 수 있는 별도 구성이 구비되는 경우, 제1유기발광소자(ED1)는 청색광 뿐만 아니라 녹색광도 방출할 수 있다.
도 14는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1b)는 제2기판(30b)의 구성이 도 4에 도시된 표시 장치(1)의 제2기판(30)과 상이하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제2기판(30a)은 도 4에 도시된 제2기판(30)과는 달리, 제3색필터(335)를 포함하지 않을 수 있으며, 광투과 패턴(345a)을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와는 다르게 제2기판(30a)이 제3색필터(335)를 포함하지 않음에 따라, 몇몇 실시예에서 제1캡핑층(351)은 차광부재(320) 및 제2베이스부(310)와 접촉할 수 있다.
광투과 패턴(345a)은 베이스 수지(3451a) 및 베이스 수지(3451a) 내에 분산된 제3산란체(3455)를 포함할 수 있으며, 베이스 수지(3451a)는 청색 색제(blue colorant)를 포함할 수 있다. 예컨대, 베이스 수지(3451a) 자체는 청색 색필터(blue color filter)일 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(345a)내에서 제3산란체(3455)의 함량은 0.5wt% 내지 10wt%일 수 있으며, 광투과 패턴(345a) 내에서 상기 청색 색제의 함량은 1wt% 내지 10wt%일 수 있다.
몇몇 실시예에서 광투과 패턴(345a)의 두께는 3㎛ 내지 13㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 15는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1c)는 제2기판(30c)이 제1색필터(331) 및 제2색필터(333)를 포함하지 않고, 제4색필터(331a)를 포함하는 점에서 도 14에 도시된 표시 장치(1b)와 차이점이 존재하며, 이외 구성은 실질적으로 동일하다.
이외 제4색필터(331a)에 대한 구체적 설명은 도 13의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
도 16은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1d)는 제2기판(30d)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 4에 도시된 표시 장치(1)와 차이점이 존재하며, 이외 구성은 실질적으로 동일하다.
격벽(360)은 서로 이웃하는 두개의 발광영역 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 격벽(360)은 비발광 영역(PB)에 위치할 수 잇으며, 각 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 격벽(360)의 평면 형상은 격자 형상일 수 있다.
제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 잉크 조성물을 이용하여 잉크젯 방식으로 형성하는 경우, 격벽(360)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 형성하기 위한 잉크 조성물을 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다.
몇몇 실시예에서 격벽(360)은 투광성을 가질 수 있다. 격벽(360)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 격벽(360)의 재료는 우수한 광 투과율을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 물질일 수 있다. 구체적으로, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트계, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트계, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트계, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트계, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트계, 비스페놀A에폭시(메타)아크릴레이트계, 트리스아크릴로일옥시에틸포스페이트계, 카도에폭시디아크릴레이트계 고분자 등을 예시할 수 있다.
격벽(360)이 유기 물질로 이루어지는 경우, 격벽(360)은 감광성 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 격벽(360)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)보다 굴절률이 낮은 물질로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우 격벽(360)은 상술한 제1저굴절층(391) 및 제2저굴절층(393)과 유사한 기능을 가질 수도 있다.
몇몇 실시예에서 격벽(360)은 도면에 도시된 바와 같이 제2캡핑층(353) 상에 위치하고, 격벽(360) 상에는 제3캡핑층(355)이 위치할 수 있다. 이러한 경우 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)은 격벽(360)과 직접 접촉할 수 있다. 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 격벽(360)은 제1캡핑층(351)과 차광부재(320) 사이에 위치할 수도 있으며, 이러한 경우 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)은 격벽(360)과 직접 접촉하지 않을 수 있다
도 17 내지 도 19는 각각 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 17 내지 도 19를 참조하면, 도 17에 도시된 표시 장치(1e)는 제2기판(30e)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 13에 도시된 표시 장치(1a)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하다. 또한, 도 18에 도시된 표시 장치(1f)는 제2기판(30f)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 14에 도시된 표시 장치(1b)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하고, 도 19에 도시된 표시 장치(1g)는 제2기판(30g)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 15에 도시된 표시 장치(1c)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하다. 이외 격벽(360)에 대한 설명은 도 16의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 20은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 제1기판(10a)이 도 4에 도시된 제2기판(30)의 구성들 중 제2베이스부(310)를 제외한 나머지 구성들을 포함하는 점, 제2기판(30h)이 제2기판(30)과는 달리 제2베이스부(310)만을 포함하는 점에서 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
이하 제1기판(10a)에 대해 설명한다.
박막 봉지층(170) 상에는 제1저굴절층(391a)이 위치한다. 제1저굴절층(391a)의 굴절률은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 제1저굴절층(391a)은 도 4에 도시된 표시 장치(1)의 제2저굴절층(393)과 실질적으로 동일한 기능을 가질 수 있다. 예컨대 제1저굴절층(391a)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에서 제1베이스부(110)를 향하는 방향으로 진행하는 광을 반사하여 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 향하는 방향으로 제공할 수 있다. 이외 제1저굴절층(391a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(1)의 제2저굴절층(393)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
제1저굴절층(391a) 상에는 보호층(370)이 위치할 수 있으며, 보호층(370) 상에는 제1캡핑층(351a)이 위치할 수 있다. 제1캡핑층(351a)은 후술할 제2캡핑층(353a)과 함께 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 밀봉할 수 있다. 이외 제1캡핑층(351a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(1)의 제3캡핑층(355)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제1발광영역(PA1)에서 제1캡핑층(351a) 상에는 제1파장변환패턴(341)이 위치할 수 있으며, 제2발광영역(PA2)에서 제1캡핑층(351a) 상에는 제2파장변환패턴(343)이 위치할 수 있다. 또한 제3발광영역(PA3)에서 제1캡핑층(351a) 상에는 광투과 패턴(345)이 위치할 수 있다.
제1파장변환패턴(341), 제2파장변환패턴(343) 및 광투과 패턴(345) 상에는 제2캡핑층(353a)이 위치할 수 있다. 제2캡핑층(353a)은 제1캡핑층(351a)과 함께 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)을 밀봉할 수 있다. 이외 제2캡핑층(353a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(1)의 제2캡핑층(353)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
제2캡핑층(353a) 상에는 제2저굴절층(393a)이 위치할 수 있다. 제2저굴절층(393a)의 굴절률은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 제2저굴절층(391a)은 도 4에 도시된 표시 장치(1)의 제1저굴절층(391)과 실질적으로 동일한 기능을 가질 수 있다. 예컨대 제2저굴절층(392a)은 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)에서 변화되지 않은 광 중 제2베이스부(310)를 향하는 방향으로 진행하는 광을 반사하여 제1파장변환패턴(341) 및 제2파장변환패턴(343)으로 재입사 시킬 수 있다. 이외 제2저굴절층(393a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(1)의 제1저굴절층(391)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
제2저굴절층(393a) 상에는 제3캡핑층(355a)이 위치할 수 있다. 제3캡핑층(355a)은 제2저굴절층(393a)을 커버할 수 있다. 이외 제3캡핑층(355a)에 대한 보다 구체적인 설명은 표시 장치(1)의 제1캡핑층(351)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
몇몇 실시예에서 제3캡핑층(355a) 상에는 차광부재(320)가 위치할 수 있다. 차광부재(320)는 비발광 영역(PB)에 위치할 수 있으며, 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)에는 위치하지 않을 수 있다.
제1발광영역(PA1)에서 제3캡핑층(355a) 상에는 제1색필터(331)가 위치하고, 제2발광영역(PA2)에서 제3캡핑층(355a) 상에는 제2색필터(333)가 위치하고, 제3발광영역(PA3)에서 제3캡핑층(355a) 상에는 제3색필터(335)가 위치할 수 있다.
제2기판(30h)은 제2베이스부(310)를 포함할 수 있으며, 제1기판(10a)과 제2기판(30h) 사이에는 충진제(70)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 제1색필터(331), 제2색필터(333) 및 제3색필터(335)와 제2베이스부(310) 사이에 위치할 수 있다.본 실시예에 따른 표시 장치(2)의 경우, 각 발광영역 내에 위치하는 구성들 간의 얼라인 공차((예컨대 유기발광소자와 파장변환패턴 간의 얼라인 공차 또는 화소정의막과 차광부재 간의 얼라인 공차)를 감소시킬 수 있는 이점이 존재한다.
도 21은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2a)는 제1기판(10b)이 제1색필터(331) 및 제2색필터(333)를 포함하지 않고, 제4색필터(331a)를 포함하는 점에서 도 20에 도시된 표시 장치(2)의 제1기판(10a)과 차이점이 존재하며, 이외 구성은 실질적으로 동일하다.
이외 제4색필터(331a)에 대한 구체적 설명은 도 13의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
도 22는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2b)는 제1기판(10c)이 도 20에 도시된 제1기판(10a)과는 달리, 제3색필터(335)를 포함하지 않을 수 있으며, 광투과 패턴(345) 대신 광투과 패턴(345a)을 포함할 수 있다.
제3색필터(335)가 생략됨에 따라, 몇몇 실시예에서 충진제(70)는 차광부재(320) 및 제3캡핑층(355a)과 접촉할 수 있다.
광투과 패턴(345a)은 도 14의 설명에서 상술한 바와 같이 베이스 수지(3451a) 및 베이스 수지(3451a) 내에 분산된 제3산란체(3455)를 포함할 수 있으며, 베이스 수지(3451a)는 청색 색제(blue colorant)를 포함하는 물질일 수 있다. 예컨대, 베이스 수지(3451a) 자체는 청색 색필터(blue color filter)일 수 있다.
이외 광투과 패턴(345a) 대한 설명은 도 14의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 23은 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 23을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2c)는 제1기판(10d)이 제1색필터(331) 및 제2색필터(333)를 포함하지 않고, 제4색필터(331a)를 포함하는 점에서 도 22에 도시된 표시 장치(2b)와 차이점이 존재하며, 이외 구성은 실질적으로 동일하다. 이외 제4색필터(331a)에 대한 구체적 설명은 도 13의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일한 바, 생략한다.
도 24는 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2d)는 제1기판(10e)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 20에 도시된 표시 장치(2)와 차이점이 존재하며, 이외 구성은 실질적으로 동일하다.
격벽(360)은 서로 이웃하는 두개의 발광영역 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 격벽(360)은 비발광 영역(PB)에 위치할 수 잇으며, 각 제1발광영역(PA1), 제2발광영역(PA2) 및 제3발광영역(PA3)을 둘러싸도록 배치될 수 있음은 도 16의 설명에서 상술한 바와 같다.
몇몇 실시예에서 격벽(360)은 도면에 도시된 바와 같이 제1캡핑층(351a) 상에 위치하고, 격벽(360) 상에는 제2캡핑층(353a)이 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서 격벽(360)은 제1캡핑층(351a)과 박막 봉지층(170) 사이에 위치할 수도 있다. 예시적으로 격벽(360)은 제1캡핑층(351a)과 보호층(370) 사이에 위치할 수도 있으며, 또는 제1저굴절층(391a)과 보호층(370) 사이에 위치할 수도 있다. 또는 격벽(360)은 박막 봉지층(170)과 제1저굴절층(391a) 사이에 위치할 수도 있다.
이외 격벽(360)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 16의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 25 내지 도 27은 각각 도 3의 X3-X3'를 따라 절단한 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 25 내지 도 27를 참조하면, 도 25에 도시된 표시 장치(2e)는 제1기판(10f)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 21에 도시된 표시 장치(2a)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하다. 또한, 도 26에 도시된 표시 장치(2f)는 제1기판(10g)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 22에 도시된 표시 장치(2b)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하고, 도 27에 도시된 표시 장치(2g)는 제1기판(10h)이 격벽(360)을 포함하는 점에서 도 23에 도시된 표시 장치(2c)와 차이점이 존재하며 이외 구성은 실질적으로 동일하다. 이외 격벽(360)에 대한 설명은 도 16 및 도 24의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
상술한 실시예들에 따른 표시 장치는, 파장변환패턴의 광변환 효율 차이에 의해 발생하는 색상별 광량 차이를 유기발광소자에서 방출되는 광으로 보상할 수 있다. 이에 따라 색상별 출사 광량의 차이를 감소시킬 수 있게 되어, 결과적으로 표시 장치의 색재현성 및 표시 품질이 향상될 수 있다.
한편, 도 20 내지 도 27의 실시예들에서는 제2기판(30h) 및 충진제(70)가 구비된 경우를 예시로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서, 제2기판(30h) 및 충진제(70)는 생략될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (26)

  1. 제1발광영역 및 제2발광영역이 정의된 제1베이스부;
    상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1화소전극;
    상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2화소전극;
    상기 제1화소전극 상에 위치하는 제1발광층과, 상기 제1발광층 상에 위치하는 제2발광층과, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층을 포함하고, 상기 제1발광영역 내에 위치하는 제1유기층;
    상기 제2화소전극 상에 위치하는 제3발광층을 포함하고, 상기 제2발광영역 내에 위치하는 제2유기층;
    상기 제1유기층과 상기 제2유기층 상에 위치하는 공통전극;
    상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제1유기층과 중첩하며 제1색의 광을 상기 제1색과 다른 제2색의 광으로 파장 변환하는 제1파장변환패턴; 및
    상기 공통전극 상에 위치하고 상기 제2유기층과 중첩하는 광투과 패턴; 을 포함하고,
    상기 제3발광층은 상기 제1색의 광을 방출하고,
    상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 어느 하나는 상기 제1색의 광을 방출하고,
    상기 제1발광층과 상기 제2발광층 중 다른 하나는 상기 제1색의 광과 색이 다른 제2색의 광을 방출하고,
    상기 제1유기층은, 상기 제1색의 광 및 상기 제2색의 광보다 피크 파장이 긴 제3색의 광을 미방출하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1색의 광의 피크파장의 범위는 440nm 내지 470nm이고,
    상기 제2색의 광의 피크파장의 범위는 510nm 내지 550nm이고,
    상기 제3색의 광의 피크파장의 범위는 610nm 내지 670nm인 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1유기층은,
    상기 제2발광층과 상기 공통전극 사이에 위치하는 제4발광층 및 상기 제4발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 더 포함하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제4발광층 중 어느 하나는 상기 제2색의 광을 방출하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제4발광층 중 나머지 둘은 상기 제1색의 광을 방출하는 표시장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제2유기층은,
    상기 제3발광층과 상기 공통전극 사이에 위치하고 상기 제1색의 광을 방출하는 제5발광층 및 상기 제3발광층과 상기 제5발광층 사이에 위치하는 제3전하생성층을 더 포함하는 표시장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2유기층은,
    상기 제3발광층 상에 위치하는 제5발광층, 상기 제5발광층 상에 위치하는 제3전하생성층 및 상기 제3전하생성층 상에 위치하는 제6발광층을 더 포함하고,
    상기 제5발광층과 상기 제6발광층 중 어느 하나는 상기 제1색의 광을 방출하고,
    상기 제5발광층과 상기 제6발광층 중 다른 하나는 상기 제2색의 광을 방출하는 표시장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제2유기층은,
    상기 제3발광층 상에 위치하는 제5발광층, 상기 제5발광층 상에 위치하는 제3전하생성층 및 상기 제3전하생성층 상에 위치하는 제6발광층을 더 포함하고,
    상기 제5발광층과 상기 제6발광층은 상기 제1색의 광을 방출하는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴 상에 위치하고, 상기 제1유기층과 중첩하며, 상기 제2색의 광을 투과시키고 상기 제1색의 광을 차단하는 제1색필터;
    를 더 포함하는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광투과 패턴 상에 위치하고, 상기 제2유기층과 중첩하며, 상기 제1색의 광을 투과시키고 상기 제2색의 광 및 상기 제3색의 광을 차단하는 제2색필터;
    를 더 포함하는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1발광영역과 상기 제2발광영역 사이의 비발광 영역 내에 위치하고 상기 제1색필터 및 상기 제2색필터와 중첩하는 차광부재를 더 포함하는 표시장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴과 상기 제1색필터 사이에 위치하고, 상기 제1파장변환패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 제1저굴절층;
    을 더 포함하는 표시장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴과 상기 공통전극 사이에 위치하고, 상기 제1파장변환패턴보다 낮은 굴절률을 갖는 제2저굴절층; 을 더 포함하는 표시장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광투과 패턴은, 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 위치하는 산란체를 포함하는 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광투과 패턴은, 상기 제1색의 광을 투과시키고 상기 제2색의 광 및 상기 제3색의 광을 차단하는 표시장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제2베이스부; 및
    상기 박막 봉지층과 상기 제2베이스부 사이에 위치하고 유기물질을 포함하는 충진제; 를 더 포함하는 표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴 및 상기 광투과 패턴은, 상기 제2베이스부와 상기 충진제 사이에 위치하는 표시장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴은 상기 박막 봉지층 상에 위치하고,
    상기 충진제는 상기 제1파장변환패턴과 상기 제2베이스부 사이에 위치하는 표시장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1파장변환패턴과 상기 광투과 패턴 사이에 위치하고 상기 제1파장변환패턴과 접촉하는 격벽; 을 더 포함하는 표시장치.
  18. 발광영역이 정의된 제1베이스부;
    상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 발광영역 내에 위치하는 화소전극;
    제1발광층, 상기 제1발광층과 중첩하는 제2발광층, 상기 제1발광층 및 상기 제2발광층과 중첩하는 제3발광층, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층 및 상기 제2발광층과 상기 제3발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 포함하고, 상기 화소전극 상에 위치하는 유기층;
    상기 유기층 상에 위치하는 공통전극;
    상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 위치하는 제2베이스부;
    상기 박막 봉지층을 향하는 상기 제2베이스부의 일면 상에 위치하고 청색광을 녹색광으로 파장 변환하는 파장변환패턴;
    상기 제2베이스부와 상기 파장변환패턴 사이에 위치하는 청색광 차단필터; 및
    상기 파장변환패턴과 상기 박막 봉지층 사이에 위치하는 충진제; 를 포함하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 어느 하나는 녹색광을 방출하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 나머지 둘은 청색광을 방출하는 표시장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 유기층은,
    적색광을 방출하는 발광층을 미포함하는 표시장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 파장변환패턴은,
    베이스 수지와, 상기 베이스 수지 내에 분산된 파장 시프터와, 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 포함하는 표시장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 파장 시프터는 양자점인 표시장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 파장변환패턴과 상기 청색광 차단필터 사이에 위치하는 제1저굴절층; 을 더 포함하고,
    상기 제1저굴절층의 굴절률은, 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮은 표시장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1저굴절층의 굴절률은, 1.1 이상 1.4 이하이고,
    상기 파장변환패턴의 굴절률과 상기 제1저굴절층의 굴절률의 차이는 0.3 이상인 표시장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 파장변환패턴과 상기 충진제 사이에 위치하는 제2저굴절층; 을 더 포함하고,
    상기 제2저굴절층의 굴절률은, 상기 파장변환패턴의 굴절률보다 낮은 표시장치.
  25. 제22항에 있어서,
    상기 청색광 차단필터와 상기 제1저굴절층 사이에 위치하는 제1캡핑층; 및
    상기 파장변환패턴과 상기 충진제 사이에 위치하는 제2캡핑층; 을 더 포함하고,
    상기 제1캡핑층 및 상기 제2캡핑층은 무기물질을 포함하는 표시장치.
  26. 발광영역이 정의된 제1베이스부;
    상기 제1베이스부 상에 위치하고 상기 발광영역 내에 위치하는 화소전극;
    제1발광층, 상기 제1발광층과 중첩하는 제2발광층, 상기 제1발광층 및 상기 제2발광층과 중첩하는 제3발광층, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제1전하생성층 및 상기 제2발광층과 상기 제3발광층 사이에 위치하는 제2전하생성층을 포함하고, 상기 화소전극 상에 위치하는 유기층;
    상기 유기층 상에 위치하는 공통전극;
    상기 공통전극 상에 위치하는 박막 봉지층;
    상기 박막 봉지층 상에 위치하고 청색광을 녹색광으로 파장 변환하는 파장변환패턴;
    상기파장변환패턴 상에 위치하는 청색광 차단필터;
    상기 청색광 차단필터 상에 위치하는 제2베이스부; 및
    상기 청색광 차단필터와 상기 제2베이스부 사이에 위치하는 충진제; 를 포함하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 어느 하나는 녹색광을 방출하고,
    상기 제1발광층, 상기 제2발광층 및 상기 제3발광층 중 나머지 둘은 청색광을 방출하는 표시장치.
KR1020180110906A 2018-09-17 2018-09-17 표시 장치 KR20200032294A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180110906A KR20200032294A (ko) 2018-09-17 2018-09-17 표시 장치
US16/507,954 US10916722B2 (en) 2018-09-17 2019-07-10 Display device
CN201910846593.6A CN110911447A (zh) 2018-09-17 2019-09-09 显示装置
EP19196813.0A EP3624199A3 (en) 2018-09-17 2019-09-11 Display device
US17/148,756 US11444258B2 (en) 2018-09-17 2021-01-14 Display device
US17/884,142 US11903229B2 (en) 2018-09-17 2022-08-09 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180110906A KR20200032294A (ko) 2018-09-17 2018-09-17 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200032294A true KR20200032294A (ko) 2020-03-26

Family

ID=67953567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180110906A KR20200032294A (ko) 2018-09-17 2018-09-17 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10916722B2 (ko)
EP (1) EP3624199A3 (ko)
KR (1) KR20200032294A (ko)
CN (1) CN110911447A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113741093A (zh) * 2021-08-24 2021-12-03 惠州视维新技术有限公司 混光封装器件、背光模组及显示装置
WO2022025365A1 (ko) * 2020-07-27 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022149663A1 (ko) * 2021-01-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023008829A1 (ko) * 2021-07-26 2023-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023224393A1 (ko) * 2022-05-17 2023-11-23 삼성디스플레이주식회사 표시 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11158836B2 (en) * 2019-03-19 2021-10-26 Innolux Corporation Light emitting device
KR20210042195A (ko) * 2019-10-08 2021-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11121342B2 (en) * 2019-12-16 2021-09-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel having a nano-stack layer
US11626460B2 (en) * 2019-12-24 2023-04-11 Innolux Corporation Display device including blue organic light emitting diode and blue light blocking layer
KR20210116730A (ko) * 2020-03-12 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210156371A (ko) * 2020-06-17 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220004892A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220008995A (ko) * 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220014442A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220033579A (ko) * 2020-09-07 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법
KR20220126856A (ko) * 2021-03-09 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 제조 방법
WO2022261941A1 (zh) * 2021-06-18 2022-12-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
WO2023004564A1 (zh) * 2021-07-27 2023-02-02 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板、显示屏、电子设备及其控制方法
WO2023073489A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び、電子機器
KR20230161017A (ko) * 2022-05-17 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023245342A1 (zh) * 2022-06-20 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 发光器件、发光基板及发光装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
CN100484349C (zh) 2002-12-26 2009-04-29 株式会社半导体能源研究所 有机发光元件
US7192659B2 (en) 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
CN101847653B (zh) 2004-05-21 2013-08-28 株式会社半导体能源研究所 发光元件及使用该元件的发光装置
US7075231B1 (en) 2005-01-03 2006-07-11 Eastman Kodak Company Tandem OLEDs having low drive voltage
US8057916B2 (en) 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
EP2166588A4 (en) 2007-07-07 2011-05-04 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
US7977872B2 (en) 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
CN103107288B (zh) 2011-11-10 2016-02-03 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
KR101429924B1 (ko) 2011-12-08 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 탠덤형 백색 유기 발광 소자
US8847216B2 (en) 2011-12-23 2014-09-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
US9735386B2 (en) 2013-03-11 2017-08-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. Quantum-dot based hybrid LED lighting devices
JP2015072751A (ja) 2013-10-01 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
WO2015072143A1 (ja) 2013-11-15 2015-05-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102512069B1 (ko) * 2015-12-31 2023-03-21 삼성디스플레이 주식회사 청색 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102581401B1 (ko) 2016-03-16 2023-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180079104A (ko) 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106531775A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板及其显示装置与制备方法
KR20180087908A (ko) * 2017-01-25 2018-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022025365A1 (ko) * 2020-07-27 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022149663A1 (ko) * 2021-01-06 2022-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023008829A1 (ko) * 2021-07-26 2023-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113741093A (zh) * 2021-08-24 2021-12-03 惠州视维新技术有限公司 混光封装器件、背光模组及显示装置
CN113741093B (zh) * 2021-08-24 2024-04-02 惠州视维新技术有限公司 混光封装器件、背光模组及显示装置
WO2023224393A1 (ko) * 2022-05-17 2023-11-23 삼성디스플레이주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP3624199A3 (en) 2020-05-27
EP3624199A2 (en) 2020-03-18
US11444258B2 (en) 2022-09-13
US11903229B2 (en) 2024-02-13
US20220384755A1 (en) 2022-12-01
US20200091464A1 (en) 2020-03-19
CN110911447A (zh) 2020-03-24
US20210135141A1 (en) 2021-05-06
US10916722B2 (en) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11903229B2 (en) Display device
KR102416445B1 (ko) 표시 장치
US20210399260A1 (en) Display device
US11489021B2 (en) Color conversion substrate and display device
US11812632B2 (en) Display device having a color conversion pattern or wavelength conversion pattern disposed in each pixel on a light path extending from a light source to a viewer
EP4191695A1 (en) Display device
KR20210099242A (ko) 색 변환 기판, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220004891A (ko) 표시 장치
KR20210028804A (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
EP4266372A1 (en) Display device
US11830965B2 (en) Display device
US20240049577A1 (en) Display device
US20240016011A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20230050227A1 (en) Color conversion substrate, method of manufacturing color conversion substrate, and display device
KR20230077801A (ko) 표시 장치
KR20230162877A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220099595A (ko) 표시 장치
KR20230101989A (ko) 발광 소자들을 포함하는 기판, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20230173259A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20230077822A (ko) 표시 장치
KR20230173263A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal