WO2015072143A1 - 有機ｅｌ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display panel using an electroluminescence phenomenon of an organic material, a display device using the same, and a method for manufacturing the organic EL display panel.
  • organic EL Electro Luminescence
  • a driving circuit for example, including a TFT (Thin Film Transistor) element
  • a driving circuit for example, including a TFT (Thin Film Transistor) element
  • an insulating layer is provided on the driving circuit
  • a plurality of organic light emitting elements It is generally known that these are arranged.
  • Each organic light emitting element includes an anode provided on an insulating layer on a substrate, a light emitting layer made of an organic light emitting material provided on the anode and a laminate of functional layers, and a transparent conductive material provided thereon.
  • a negative electrode as a basic structure.
  • Such an organic light-emitting element is a current-driven light-emitting element, and when driven, a voltage is applied between the anode and the cathode, and the holes and electrons injected into the light-emitting layer are recombined. Emits light.
  • such an organic light emitting element forms R (red), G (green), and B (blue) subpixels, and is a combination of adjacent R, G, and B subpixels.
  • One pixel is formed.
  • it is important to improve the light emission efficiency and life characteristics of the organic EL light emitting elements of R, G, and B colors from the viewpoint of reducing power consumption and extending the life.
  • the blue organic light emitting element tends to have the shortest lifetime, and the long life of the blue organic light emitting element is an issue for extending the life of the display device. It was.
  • Patent Document 1 by performing the nozzle printing method and the vacuum deposition method, the organic EL display panel has a multi-photon structure in which only the blue organic light-emitting elements are stacked in two stages, thereby improving the light emission efficiency and extending the life.
  • a technique for realizing cost reduction and productivity improvement of manufacturing equipment has been proposed (see, for example, paragraph 0065). Specifically, after forming a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a first blue light emitting layer by a wet film forming method, a charge generation layer is formed by a vacuum deposition method only in the blue pixel region.
  • a second blue light emitting layer is formed by vacuum deposition so as to cover the red light emitting layer, the green light emitting layer 8 and the charge generation layer 10.
  • the second blue light-emitting layer exhibits an electron transport function on the red light-emitting layer and the green light-emitting layer, and functions as a blue light-emitting layer on the charge generation layer. According to this configuration, it is described in the document that it is possible to extend the life of the blue light emitting element, reduce the cost of manufacturing equipment, and improve productivity.
  • the present invention aims to provide an organic EL display panel that further improves luminous efficiency and productivity in an organic EL display panel having a multiphoton light emitting structure.
  • An organic EL display panel is an organic EL display panel having a plurality of pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel.
  • partition walls that partition the pixel region, in order from the substrate side, the first pixel electrode, the red organic light emitting layer, and the green sub-pixel region on the substrate,
  • the second pixel electrode, the green organic light emitting layer, and in the blue subpixel region on the substrate in order from the base plate side, the third pixel electrode, the first blue organic light emitting layer, A charge generating layer on the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer; a second blue organic light emitting layer in each color sub-pixel region on the charge generating layer;
  • Each color subpixel on the second blue organic light emitting layer A first light conversion layer that converts blue light into red light in the counter electrode of the first, second, and third pixel electrodes
  • the blue light emitted from the blue light emitting layer existing in the red sub-pixel region is converted into red light and emitted from the blue light emitting layer existing in the green sub-pixel region by the above-described configuration.
  • Blue light can be converted into green light and emitted as output light of each display panel.
  • the loss of the vapor deposition material by the conventional shadow mask method can be prevented, and the process of aligning the precision mask with high accuracy can be reduced. As a result, the light emission efficiency and productivity can be further improved in the organic EL display panel having a multiphoton light emitting structure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an appearance of a display device 1000 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing functional blocks of a display device 1000 according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • 3 is a schematic diagram showing energy states of an organic light emitting layer 6 and a second blue organic light emitting layer 9 in the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • 3 is a cross-sectional view schematically showing a display function of the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 100A according to Modification 1.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 100B according to Modification 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 200 according to Embodiment 2.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 200A according to Modification 4.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 200A according to Modification 4.
  • the organic EL display panel described in Patent Document 1 uses a multi-photon light-emitting structure in which the light-emitting layer has a two-stage stack structure, thereby increasing current efficiency, which is the magnitude of luminance with respect to current. be able to. This is considered to be based on the following reasons. That is, the first blue light-emitting layer, which is a fluorescent light-emitting material, has lower light emission efficiency than the red light-emitting layer and green light-emitting layer that are phosphorescent light-emitting materials.
  • the blue light emitting layer formed by the vacuum process is a fluorescent material
  • the light emission efficiency is higher than that of the first blue light emitting layer formed by the wet process.
  • the organic EL display panel has a longer driving life as the current load during driving is smaller.
  • the addition of the second blue light-emitting layer improves the current efficiency and reduces the current necessary for obtaining a desired luminance. It is thought that it was able to be extended.
  • the second blue light emitting layer is formed by vacuum deposition above the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer. It is only the portion of the second blue light emitting layer above the blue light emitting layer that contributes to.
  • the organic EL display panel is required to further improve the luminous efficiency. Therefore, the inventor can extract light from the second blue light emitting layer above the red light emitting layer and the green light emitting layer and output the light, thereby improving the luminance of the red pixel region and the green pixel region. If possible, it was considered that the luminance of the organic EL display panel as a whole could be further improved.
  • Patent Document 1 in which the charge generation layer is formed only in the blue pixel region by the vacuum deposition method has a problem in production efficiency. That is, in order to form the charge generation layer only in the blue pixel region by the vacuum deposition method, patterning is performed using a precision mask having an opening only in the blue pixel region by the shadow mask method. In this case, since the vapor deposition material is attached to the entire mask including the opening, the material loss is large, which causes a cost increase. In addition, highly accurate alignment of the opening of the precision mask with the blue sub-pixel bank also causes a reduction in production efficiency. In order to prevent these problems and further reduce the cost of organic EL display panels, it is possible to effectively use the material by performing deposition on the entire pixel area without using the precise shadow mask method in the vacuum deposition method. It is considered effective in terms of material cost and production efficiency.
  • the inventor can improve the luminance of the red pixel region and the green pixel region in the organic EL display panel having the multi-photon light emitting structure, and the vacuum evaporation method does not use the shadow mask method but the entire pixel region.
  • the present inventors have intensively studied a device structure that can be manufactured by vapor deposition, and arrived at the organic EL display panel described in the embodiment of the present invention.
  • An organic EL display panel is an organic EL display panel having a plurality of pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel.
  • partition walls that partition the pixel region, in order from the substrate side, the first pixel electrode, the red organic light emitting layer, and the green sub-pixel region on the substrate, In order from the substrate side, the second pixel electrode, the green organic light emitting layer, and in the blue subpixel region on the substrate, in order from the base plate side, the third pixel electrode, the first blue organic light emitting layer, A charge generating layer on the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer; a second blue organic light emitting layer in each color sub-pixel region on the charge generating layer; Each color sub-pixel region on the second blue organic light emitting layer A first light conversion layer that converts blue light into red light in the counter electrode of the first, second, and third pixel electrodes and in the red sub-pixel region on the second blue organic light emitting layer. And a second light conversion layer for converting blue light into green light in the green sub-pixel region on the second blue organic light emitting layer
  • the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer are formed by a wet process, and the second blue organic light emitting layer and the charge generation layer are dry processes.
  • the structure formed by may be sufficient.
  • the first filter unit that blocks blue light in the red subpixel region on the first light conversion layer, and the blue color in the green subpixel region on the second light conversion layer.
  • a second filter unit that blocks light, and at least a part of the blue light emitted from the first blue organic light emitting layer and / or the second blue light emitting layer in the sub pixel region is blocked in the blue sub pixel region.
  • the structure provided with the 3rd filter part may be sufficient.
  • blue light emitted from at least one of the second blue organic light emitting layer and the first blue organic light emitting layer in the subpixel region may be sufficient.
  • blue light emitted from at least one of the second blue organic light emitting layer and the first blue organic light emitting layer in the subpixel region may be sufficient.
  • blue light emitted from at least one of the second blue organic light emitting layer and the first blue organic light emitting layer in the subpixel region in the blue subpixel region on the counter electrode.
  • a third light conversion layer that converts light into blue light having an emission spectrum different from that of the blue light; and a part of the light emitted upward from the third light conversion layer on the third light conversion layer.
  • the structure provided with the 3rd filter part to interrupt may be sufficient.
  • a first filter unit that blocks blue light
  • a second filter unit that blocks blue light; and at least part of the blue light emitted from the first blue organic light-emitting layer and / or the second blue light-emitting layer in the sub-pixel region in the blue sub-pixel region.
  • blocks may be sufficient.
  • the first electron injection layer, the second organic light emitting layer, the first blue organic light emitting layer, the first blue organic light emitting layer, and the charge generation layer are further provided.
  • a second electron injection layer is provided in each color subpixel region between the blue organic light emitting layer and the counter electrode, and the second electron injection layer is thicker than the first electron injection layer It may be.
  • the charge generation layer supplies holes to the second blue organic light emitting layer, and the red organic light emitting light in the same subpixel region from a portion in each subpixel region.
  • the structure may be such that electrons are supplied to any one of the layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer.
  • the charge generation layer may be divided on the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer.
  • the second blue organic light emitting layer may be divided into the color sub-pixel regions, the green sub-pixel region, and the blue sub-pixel region.
  • the organic EL display panel includes a plurality of pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel, and divides a region of each color sub-pixel on the substrate.
  • the first pixel electrode, the red organic light emitting layer, and in the green sub-pixel region on the substrate in order from the substrate side A second pixel electrode, a green organic light emitting layer, and a third pixel electrode, a first blue organic light emitting layer, the red organic light emitting layer, and the green in the blue subpixel region on the substrate in that order from the substrate side.
  • the first and second And a counter electrode of the third pixel electrode a first filter portion for blocking blue light in the red sub-pixel region on the second blue organic light emitting layer, and the green sub on the second blue organic light emitting layer.
  • a configuration in which a second filter unit that blocks blue light is arranged in the pixel region may be employed.
  • blue light emitted from at least one of the second blue organic light emitting layer and the first blue organic light emitting layer in the subpixel region may be sufficient.
  • the organic EL display panel includes a plurality of pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a dark blue sub-pixel, and each of the color sub-pixels on the substrate.
  • the first pixel electrode, the red organic light emitting layer, and the green sub-pixel region on the substrate in order from the substrate side
  • the second pixel electrode, the green organic light emitting layer, and the blue sub-pixel region on the substrate in order from the substrate side, the third pixel electrode, the first blue organic light emitting layer, and the substrate
  • blue light is converted into green light in the first light conversion layer that converts blue light into red light, and in the green subpixel region on the second blue organic light emitting layer.
  • the structure by which the 2nd light conversion layer converted into (2) is arranged may be sufficient.
  • blocks light may be sufficient.
  • blue light emitted from at least one of the second blue organic light emitting layer and the first blue organic light emitting layer in the subpixel region in the blue subpixel region above the counter electrode.
  • the structure provided with at least any one of 4 filter parts may be sufficient.
  • the organic EL display panel includes a plurality of pixels including a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a dark blue sub-pixel, and each of the color sub-pixels on the substrate.
  • the first pixel electrode, the red organic light emitting layer, and the green sub-pixel region on the substrate in order from the substrate side
  • the second pixel electrode, the green organic light emitting layer, and the blue sub-pixel region on the substrate in order from the substrate side, the third pixel electrode, the first blue organic light emitting layer, and the substrate
  • a second filter unit that blocks transmission of blue light emitted from the second blue organic light emitting layer in the subpixel region may be arranged.
  • An organic EL display panel manufacturing method is the organic EL display panel manufacturing method according to any one of the above, wherein the first, second, and third pixel electrodes, and the red organic Forming a light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first blue organic light emitting layer by a wet process; and forming the charge generation layer, the second blue organic light emitting layer, and the counter electrode by a dry process. It is characterized by having.
  • the wet process is one or more selected from a printing method, a spin coating method, an inkjet method, and a photolithography method
  • the dry process includes a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method.
  • the structure which is one or more selected from may be sufficient.
  • Embodiment 1 An organic EL display panel having a top emission structure will be described.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of the organic EL display panel 100 according to the first embodiment.
  • display panel 100 a plurality of pixels including sub-pixels of R (red), G (green), and B (blue) colors are arranged in the row direction and the column direction. Are regularly arranged in a matrix.
  • the display panel 100 is formed with a substrate 1 as a base. On the substrate 1, anodes 3 are formed at intervals. On the substrate 1 and the anode 3, a partition wall 2 (hereinafter referred to as “bank 2”) in which a plurality of openings 2R, 2G, 2B are formed at positions corresponding to the R, G, B color sub-pixels is provided. It has been.
  • a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, and a red organic light emitting layer 6R are sequentially formed.
  • a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, and a green organic light emitting layer 6G are sequentially formed.
  • a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, and a first blue organic light emitting layer 6B are sequentially formed.
  • the film thickness of the hole injection layer 4 in each opening 2R, 2G, 2B is independent from each other, and may be different in each opening 2R, 2G, 2B.
  • the hole transport layer 5 may have different thicknesses at the openings 2R, 2G, and 2B.
  • organic light emitting layer 6 In order to cover the organic light emitting layers 6R, 6G, and 6B (hereinafter, abbreviated as “organic light emitting layer 6” when 6R, 6G, and 6B are not distinguished from each other) so as to span the openings 2R, 2G, and 2B,
  • the first electron transport layer 7, the charge generation layer 8, the second blue organic light emitting layer 9, the second electron transport layer 10, the cathode 11, and the resin sealing layer 12 are sequentially formed as a solid film over the entire pixel.
  • the “first electron transport layer 7”, “charge generation layer 8”, “second blue organic light-emitting layer 9”, “second electron transport layer 10”, and “cathode 11” have sub-colors of R, G, and B, respectively.
  • the outer periphery of each layer when the first electron transport layer 7, the charge generation layer 8, the second blue organic light emitting layer 9, the light conversion layer 13, the second electron transport layer 10, and the cathode 11 are viewed in plan view. Are configured to match.
  • a first light conversion layer is formed at a position corresponding to the red sub-pixel and above the opening 2R
  • a second light conversion layer is formed at a position corresponding to the green sub-pixel and above the opening 2G.
  • a red filter 14R, a green filter 14G, and a blue filter 14B are formed at positions corresponding to the color sub-pixels and above the openings 2R, 2G, and 2B, respectively, and a cover glass 15 is disposed so as to cover them. ing.
  • each component which comprises the display panel 100 is demonstrated.
  • the substrate 1 is a rear substrate in the display panel 100, and a TFT layer (not shown) including TFTs (Thin Film Transistors R) for driving the display panel 100 by an active matrix method is formed on the surface thereof.
  • TFT layer not shown
  • TFTs Thin Film Transistors R
  • Examples of the material of the substrate 1 include glass plates and quartz plates such as alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphoric acid glass, and boric acid glass, acrylic resins, styrene resins, polycarbonate resins, and epoxy resins. Examples thereof include a plastic plate or a plastic film such as resin, polyethylene, polyester, polyimide, and silicone resin, and a metal plate or metal foil such as alumina.
  • the TFT layer includes a wiring portion for supplying electric power to each TFT from the outside. In this embodiment, only the anode is taken out and illustrated for easy understanding.
  • the substrate 1 does not need to have translucency.
  • it can also be set as a bottom emission structure by using what consists of a translucent material for the board
  • the organic EL display panel according to the present embodiment can be configured to be driven using a passive matrix method.
  • the bank 2 serves to cover the definition of the sub-pixel areas divided into R, G, and B colors and the edge of the cathode.
  • the bank 2 only needs to be formed of an insulating material, and preferably has organic solvent resistance. Moreover, since the bank 2 may be subjected to an etching process, a baking process, or the like, it is preferable that the bank 2 be formed of a material having high resistance to these processes.
  • the material of the bank 2 may be an organic material such as resin or an inorganic material such as glass.
  • an acrylic resin, a polyimide resin, a novolac-type phenol resin, or the like can be used.
  • silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or the like can be used. it can. What is necessary is just to select the height of the bank 2 according to the structure of the functional layer to fill. For example, it may be 0.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, and more preferably 0.8 ⁇ m or more and 1.2 ⁇ m or less.
  • the bank 2 can be formed by a method of applying a photosensitive resin on the substrate 1 and forming a pattern corresponding to the sub-pixel by a photolithography method.
  • the anode 3 is formed in each of the openings 2R, 2G, and 2B for each sub-pixel divided into R, G, and B colors.
  • the anode 3 is electrically connected to the TFT disposed on the substrate 1, functions as a positive electrode of the light emitting element, and reflects light emitted toward the anode 3 from the organic light emitting layers 6B, 6G, 6R. It has a function.
  • the reflection function may be exhibited by the constituent material of the anode 3 or may be exhibited by applying a reflective coating to the surface portion of the anode 3.
  • the anode 3 is, for example, Al (aluminum), aluminum alloy, AG (silver), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCR (molybdenum and chromium alloy), It is made of NiCR (nickel and chromium alloy), Mo (molybdenum), MoW (molybdenum and tungsten alloy) or the like.
  • the transparent conductive layer functions as a protective layer that prevents the anode 3 from being naturally oxidized during the manufacturing process.
  • the material of the transparent conductive layer may be formed of a conductive material having sufficient translucency with respect to light generated in the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • a dry film forming process such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, a vapor phase growth method, or the like can be used.
  • a sputtering method can be used.
  • the film can be formed using a wet film formation process such as a printing method, a spin coating method, or an ink jet method.
  • the hole injection layer 4 has a function of injecting holes into the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R.
  • Examples of the material of the hole injection layer 4 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, Styryl anthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, porphyrin compound, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, butadiene compound, azatriphenylene derivative, polystyrene derivative, hydrazone derivative, triphenylmethane derivative, tetraphenylbenzine derivative (All described in JP-A-5-163488), tungsten oxide (WOx), molybdenum
  • the hole transport layer 5 has a function of transporting holes injected from the anode 3 to the organic light emitting layer 6.
  • Examples of the material for the hole transport layer 5 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, Styryl anthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, porphyrin compound, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, butadiene compound, polystyrene derivative, hydrazone derivative, triphenylmethane derivative, tetraphenylbenzine derivative, etc. JP-A-5-163488).
  • a wet film forming process such as a printing method, a spin coating method, or an ink jet method can be used.
  • a dry film forming process such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vapor phase growth method can also be used. More preferably, it is preferable to use a wet film formation process such as an ink jet method for cost reduction.
  • the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R are portions that emit light by recombination of carriers (holes and electrons), and include an organic material that emits light corresponding to any of the colors R, G, and B. It is configured.
  • An organic light emitting layer containing an organic material emitting light corresponding to R in the opening 2R, an organic material emitting light corresponding to G in the opening 2G, and an organic material emitting light corresponding to B in the opening 2B. 6 is formed.
  • the materials of the organic light emitting layers 6B, 6G, 6R are, for example, oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, Fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound, diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, Dicyanomethylenepyran compounds, dicyanomethylenethiopyran compounds, fluorescein compounds, pyrylium compounds, Pyrylium compound, serenapyrylium compound, tell
  • wet film forming processes such as a printing method, a spin coating method, and an ink jet method can be used.
  • a dry film forming process such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, or a vapor phase growth method can also be used. More preferably, it is preferable to use a wet film formation process such as an ink jet method for cost reduction.
  • the first electron transport layer 7 has a function of transporting electrons injected from the charge generation layer 8 described later to the organic light emitting layer 6.
  • the first electron transport layer 7 is formed on the organic light emitting layers 6B, 6G, 6R as a solid film over the entire pixel across the opening 2R, the opening 2G, and the opening 2B.
  • the material of the first electron transport layer 7 is, for example, a nitro-substituted fluorenone derivative, a thiopyrandioxide derivative, a difequinone derivative, a perylene tetracarboxyl derivative, an anthraquinodimethane derivative, a fluorenylidenemethane derivative, an anthrone derivative, an oxadiazole derivative.
  • Perinone derivatives quinoline complex derivatives (all described in JP-A-5-163488), phosphorus oxide derivatives, triazole derivatives, todiazine derivatives, silole derivatives, dimesityl boron derivatives, triarylboron derivatives, and the like.
  • the material constituting the electron transport layer may be doped with an alkali metal such as Na, Ba, or Ca or an alkaline earth metal.
  • the second electron transport layer 10 has a function of transporting electrons injected from the cathode 11 to the second blue organic light emitting layer 9.
  • the 2nd electron carrying layer 10 is formed as a solid film over the whole pixel over the opening part 2R, the opening part 2G, and the opening part 2B.
  • the same material as that of the first electron transport layer 7 can be used.
  • the film thickness of the second electron transport layer 10 is more than the film thickness of the first electron transport layer 7.
  • the first electron transport layer 7 preferably has a thickness of 5 to 19 nm
  • the second electron transport layer 10 preferably has a thickness of 30 to 35 nm.
  • the charge generation layer 8 supplies holes to the second blue organic light-emitting layer 9 and supplies electrons to the organic light-emitting layers 6R, 6G, and 6B in the same sub-pixel region from a portion in each sub-pixel region. It has the function to do.
  • the charge generation layer 8 is formed as a solid film over the entire pixel across the opening 2R, the opening 2G, and the opening 2B.
  • the charge generation layer 8 is made of a laminate or mixture of an electron accepting substance and an electron donating substance. At the interface or boundary between the electron-accepting material and the electron-donating material, charges generated by a reaction involving electron transfer between the electron-accepting material and the electron-donating material are applied to the cathode 11 and the anode 3 when a voltage is applied. Moving. Thereby, holes are supplied to the second blue organic light emitting layer 9 located on the cathode 11 side with respect to the charge generation layer 8, and the holes are supplied to the organic light emitting layers 6R, 6G, 6B located on the anode 3 side with respect to the charge generation layer 8. Electrons are supplied through the one-electron transport layer 7.
  • the material for forming the charge generation layer 8 is a laminate or mixture of two different types of substances, and forms a charge transfer complex consisting of radical cations and radical anions by redox reaction between the two types of substances.
  • the radical cation state and radical anion state in the charge transfer complex that is, holes and electrons in the charge transfer complex move in the cathode direction and the anode direction, respectively, when a voltage is applied.
  • Examples of the material for the charge generation layer 8 include metal thin films such as Ag, Au, and Al, metal oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, rhenium oxide, and tungsten oxide, ITO, IZO, AZO, GZO, ATO, and SnO 2.
  • the laminated body comprised from these transparent conductive films etc. can be mentioned.
  • the electron-accepting substance for example, V 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , tetracyanoquinodimethane (TCNQ), which is an organic semiconductor exhibiting n-type semiconductor characteristics, or the like is used.
  • TCNQ tetracyanoquinodimethane
  • the electron donating substance include aryl derivatives.
  • the charge generation layer is made of a strong electron accepting material (for example, HATCN6), and the hole transport layer adjacent to the cathode side of the strong electron accepting material is made of an electron donating material (for example, NPB). (It is described in Organic Electronics 12 (2011) 710-715).
  • Al / Au, Cu / Ag , F 16 CuPc / CuPc ( hexadecafluorophthalocyanine copper phthalocyanine / copper phthalocyanine), may be configured to use Al / WO 3 / Au or the like (APPLIED PHYSICS LETTERS 91 , 1235044 2007).
  • the second blue organic light emitting layer 9 is a portion that emits light by recombination of carriers (holes and electrons), and is configured to include an organic material that emits light corresponding to blue.
  • a second electron transport layer 10 including an organic material that emits blue light is formed as a solid film over the entire pixel across the opening 2R, the opening 2G, and the opening 2B.
  • the same material as that of the first electron transport layer 7 can be used.
  • a vacuum deposition method As a method for forming the first electron transport layer 7, the charge generation layer 8, the second blue organic light emitting layer 9, and the second electron transport layer 10 described above, a vacuum deposition method, an electron beam deposition method, a sputtering method, and a reactive sputtering method are used. Further, a dry film forming process such as an ion plating method or a vapor phase growth method can be used, and more preferably, a vacuum deposition method can be used.
  • the blue light-emitting layer formed by a dry film forming process such as a vacuum deposition method is a fluorescent material, but the light emission efficiency is higher than that of the first blue light-emitting layer formed by a wet process, and the second blue light produced by a vacuum process is used. This is because the use of the light-emitting layer can effectively compensate for the low luminance of the first blue light-emitting layer, which has lower light emission efficiency than the red light-emitting layer and the green light-emitting layer.
  • the cathode 11 functions as a negative electrode of the organic EL element. It has a transparent conductive layer formed of a conductive material that is transparent to light generated in the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R. As a material for the transparent conductive layer, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is preferable.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • a metal layer (not shown) may be laminated on the transparent conductive layer to form a multilayer film.
  • the material of the metal layer is AG (silver), Au (gold), Pt (platinum), Pd (palladium), Ni (nickel), Cu (copper), Al (aluminum), or an alloy of these metals. Can be mentioned.
  • the thin film sealing layer has a function of preventing each layer sandwiched between the substrate 1 from being exposed to moisture and air and performing optical adjustment.
  • the material of the thin film sealing layer is, for example, silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), resin, or the like.
  • a dry film forming process such as a vacuum evaporation method, an electron beam evaporation method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, a vapor phase growth method, or the like can be used.
  • a sputtering method can be used.
  • the resin sealing layer 12 bonds the back panel composed of each layer from the substrate 1 to the thin film sealing layer and the substrate 1 on which the color filters 14B, 14G, and 14R are formed, and exposes each layer to moisture and air. It has a function to prevent this.
  • the material of the resin sealing layer 12 is, for example, a resin adhesive.
  • the first light conversion layer 13R is located in the red sub-pixel region on the second blue organic light-emitting layer 9 and above the opening 2R, and the blue light emitted from the second blue organic light-emitting layer 9 in the sub-pixel region. Has a function of converting the light into red light.
  • the second light conversion layer 13G is in the green sub-pixel region on the second blue organic light-emitting layer 9, above the opening 2B, and the blue light emitted by the second blue organic light-emitting layer 9 in the sub-pixel region. Has the function of converting the light into green light.
  • the first light conversion layer 13R and the second light conversion layer 13G (hereinafter abbreviated as “light conversion layer 13” when 13R and 13G are not distinguished from each other) emit light from the second blue organic light emitting layer 9 described above. Any material that contains a fluorescent dye that can absorb and convert the wavelength may be used.
  • the material of the first light conversion layer 13R is, for example, a cyanine dye such as 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (hereinafter abbreviated as DCM), 1-ethyl Pyridine dyes such as -2- (4- (p-dimethylaminophenyl) -1,3-butadienyl) -pyridium-perchlorate (hereinafter abbreviated as pyridine 1), rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101 , Rhodamine 110, sulforhodamine, basic violet 11, basic red 2, and other rhodamine dyes, as well as oxazine (all described in JP-A-9-279394).
  • DCM 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran
  • the material of the second light conversion layer 13G is, for example, 2, 3, 5, 6-1H, 4H-tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidino (9, 9a, 1-gh) coumarin (hereinafter coumarin 153), 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (hereinafter coumarin 6), 3- (2′-benzimidazolyl) -7-diethylaminocoumarin (hereinafter coumarin 7), 3- (2′-N-methylbenzimidazolyl) Coumarin dyes such as -7-diethylamino-coumarin (coumarin 30), or basic yellow 51, which is a coumarin dye, and naphthalimide dyes such as solvent yellow 11 and solvent yellow 116 (all disclosed in JP-A-9-279394) And the like).
  • various dyes such as direct dyes, acid dyes, basic dyes, and disperse dyes can be used as long as they are fluorescent. Moreover, you may use it in mixture of 2 or more types.
  • the light conversion layer 13 may be in any form such as a film formed by vapor deposition or sputtering of a fluorescent dye as exemplified above, or a film in which an appropriate resin is dispersed as a binder resin. Good.
  • the light conversion layer 13 is mainly composed of a fluorescent dye
  • the light conversion layer 13 is formed by vacuum vapor deposition or sputtering through a mask having a desired phosphor layer pattern.
  • the light conversion layer 13 is composed of a fluorescent dye and a resin
  • the fluorescent dye, the resin and the resist are mixed, dispersed or solubilized, and formed into a film by a method such as spin coating, roll coating, or casting
  • Patterning with a desired phosphor layer pattern can be performed by a lithography method, or patterning can be performed with a desired phosphor layer pattern by a method such as screen printing.
  • the matrix resin is preferably a transparent (visible light 50% or more) material, and various thermoplastic resins can be used. It is desirable that the matrix resin does not decompose or deform when heated at 100 ° C., preferably 150 ° C.
  • Specific materials include, for example, acrylic resins such as polymethacrylates, alkyd resins, aromatic hydrocarbon resins (such as polystyrene), cellulose resins, polyester resins (such as polyethylene terephthalate), polyamide resins (such as nylons), and polyurethanes. Examples thereof include a resin, a polyvinyl acetate resin, a polyvinyl alcohol resin, and a resin mixture thereof.
  • the film thickness of the light conversion layer 13 is not limited as long as it does not sufficiently absorb the light emission of the second blue organic light-emitting layer 9 and hinder the function of generating fluorescence, and is preferably about 10 nm to 5 mm. In this embodiment mode, the thickness is 5 to 30 ⁇ m, more preferably 7 to 15 ⁇ m. Thereby, it is possible to obtain color-converted output light having a desired intensity.
  • the transmission intensity of light emitted from the organic light emitting layer 6 is changed by adjusting the film thickness of the light conversion layer 13.
  • the film thickness is increased, the amount of light transmitted from the organic light-emitting layer 6 is reduced and the fluorescence component is increased. It is desirable to adjust the film thickness appropriately so that the luminance of the combined light of the transmissive component and the fluorescent component is maximized.
  • a red filter 14R, a green filter 14G, and a blue filter 14B are formed at positions corresponding to the respective color sub-pixels and above the openings 2R, 2G, and 2B.
  • the color filters 14B, 14G, and 14R (hereinafter referred to as “color filter 14” when the 14R, 14G, and 14B are not distinguished from each other) are provided to transmit visible light having wavelengths corresponding to R, G, and B.
  • the transparent layer has a function of transmitting light emitted from each color sub-pixel and correcting the chromaticity.
  • the color filters 14B, 14G, and 14R are, for example, provided with a color filter material and a cover glass 15 for forming a color filter provided with partition walls in which a plurality of openings are formed in a matrix in units of subpixels. It is formed by a step of applying an ink containing a solvent.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the appearance of the display device 1000 according to the embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing functional blocks of the display apparatus 1000 according to the embodiment of the present invention.
  • the display device 1000 includes an organic EL display panel 100 and a drive control unit 17 electrically connected thereto.
  • the organic EL display panel 100 has the pixel structure shown in FIG.
  • the drive control unit 17 includes drive circuits 18 to 21 that apply a voltage between the anode 3 and the cathode 11 of each organic EL element, and a control circuit 22 that controls the operation of the drive circuits 18 to 21.
  • FIGS. 4, 5, and 6 are diagrams for explaining a method of manufacturing the organic EL display panel 100 according to the first embodiment.
  • the substrate 1 is prepared (FIG. 4A).
  • the anode 3 is formed on the substrate 1 with a thickness of about 150 nm by a dry film formation process such as vacuum deposition or sputtering (FIG. 4B). Further, a transparent conductive layer (not shown) made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is formed on the anode 3 by vapor deposition or sputtering (FIG. 4B). At this time, the film thickness of the transparent conductive layer is appropriately adjusted within the above-described range.
  • a dry film formation process such as vacuum deposition or sputtering (FIG. 4B).
  • a bank 2 is formed on the substrate 1 (FIG. 4C).
  • a photosensitive resin material containing a liquid repellent is selected as a material constituting the bank 2, and the bank 2 is formed using a photolithography method.
  • the photosensitive resin material for example, a known resist material composed of an acrylic resin, a polyimide resin, a phenol resin, or the like can be used.
  • the material of the bank 2 is applied and formed on the substrate 1 by using, for example, a spin coat method. Exposure is performed by arranging a mask in accordance with the pattern of the openings 2R, 2G, and 2B defined on the substrate 1 so that the anode 3 is exposed. Thereafter, the pattern of the openings 2R, 2G, and 3B is formed by etching the film using, for example, an alkaline developer as a non-aqueous developer. Thereafter, a heat treatment is performed at a temperature of about 200 ° C. to 250 ° C., for example, a temperature of 200 ° C., thereby evaporating the solvent contained therein and completing the bank 2.
  • the hole injection layer 4 is formed on the transparent conductive layer by, for example, a wet film forming process such as an inkjet method (FIG. 4D). Further, the hole transport layer 5 is formed on the hole injection layer 4 by, for example, a wet film forming process such as an ink jet method (FIG. 4E).
  • the film thickness of the hole injection layer 4 in each of the openings 2R, 2G, and 2B is independent from each other, and may be different in each of the openings 2R, 2G, and 2B.
  • the hole transport layer 5 may have different thicknesses at the openings 2R, 2G, and 2B.
  • the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R are formed on the hole transport layer 5 by a wet film forming process such as an ink jet method (FIG. 4F).
  • the film thickness of the organic light emitting layers 6B, 6G, 6R is, for example, about 50 (nm).
  • the functional material constituting the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R and the solvent are mixed at a predetermined ratio to adjust the functional layer ink.
  • This ink is dropped from the ink head as ink droplets using an ink jet method from the openings of the openings 2R, 2G, and 2B, and the ink is applied so as to cover the exposed region of the anode 3.
  • the organic light-emitting layers 6B, 6G, and 6R are formed by evaporating and drying the solvent contained in the ink and heating and baking it as necessary.
  • Ink materials include polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polyacetylene and derivatives thereof, polyphenylene and derivatives thereof, polyparaphenylene ethylene and derivatives thereof, poly-3-hexylthiophene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, and the like as solutes. it can.
  • solvent examples include aromatic organic solvents such as toluene, xylene, tetralin and anisole, ether solvents such as dioxane, and alcohol solvents such as isopropyl alcohol.
  • Organic polymer materials used in the organic light-emitting layer include polymer materials such as polyfluorene, polyphenylene vinylene, polyacetylene, polyphenylene, polyparaphenylene ethylene, poly-3-hexylthiophene and their derivatives, oxinoid compounds, perylene compounds, Coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds, tetracene compounds, pyrene compounds, coronene compounds, quinolone compounds, azaquinolone compounds, pyrazoline derivatives And pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentadiene compounds, stilbene compounds, di Phenylquinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds,
  • wet film formation processes such as a printing method, a spin coating method, and an ink jet method can be used as a method for forming the hole injection layer 4, the hole transport layer 5, and the organic light emitting layer 6.
  • dry film forming processes such as vacuum deposition, electron beam deposition, sputtering, reactive sputtering, ion plating, and vapor deposition can also be used.
  • a wet film forming process such as an ink jet method.
  • the first electron transport is performed as a solid film over the entire pixel across the openings 2R, 2G, and 2B so as to cover the organic light emitting layers 6B, 6G, and 6R by a dry film formation process such as a vacuum treaty law.
  • a layer 7 is formed (FIG. 5A).
  • the charge generation layer 8 is formed on the electron transport layer 7R as a solid film over the entire openings 2R, 2G, and 2B by a dry film formation process such as a vacuum convention law (FIG. 5 (b)).
  • the second blue organic light-emitting layer 9 is formed on the charge generation layer 8 as a solid film across the entire openings 2R, 2G, and 2B by a dry film formation process such as a vacuum convention law. It forms (FIG.5 (c)).
  • the second electron transport is performed as a solid film over the entire pixel on the second blue organic light-emitting layer 9 over the second blue organic light emitting layer 9 by a dry film formation process such as a vacuum treaty law.
  • the layer 10 is formed (FIG. 5D).
  • the film thickness of the second electron transport layer 10 is preferably thicker than the film thickness of the first electron transport layer 7.
  • the film thickness of the first electron transport layer 7 is 5 to 30 nm
  • the thickness of the transport layer 10 is preferably 30 to 50 nm. This is for preventing the second electron transport layer 10 from being sputtered and damaging the second blue organic light emitting layer 9 when the cathode 11 is formed on the second electron transport layer 10 by sputtering or the like.
  • the first electron transport layer 7, the charge generation layer 8, the second blue organic light emitting layer 9, and the second electron transport layer 10 can be formed by vacuum deposition, electron beam deposition, sputtering, or reactivity.
  • a dry film forming process such as a sputtering method, an ion plating method, a vapor phase growth method, or the like can be used, and more preferably, a vacuum evaporation method can be used.
  • the cathode 11 is formed on the second electron transport layer 10 as a solid film over the entire pixel across the openings 2R, 2G, and 2B (FIG. 5E).
  • the cathode 11 is formed, for example, by depositing ITO by a vacuum deposition method, a sputtering method, a reactive sputtering method, an ion plating method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, or the like. Preferably, it can be formed by a sputtering method.
  • the material of the resin sealing layer 12 is, for example, a resin adhesive.
  • color filters 14R, 14G, and 14B are formed on the cover glass 15 (FIG. 6B).
  • the color filters 14B, 14G, and 14R include, for example, a color filter material and a solvent for the color filter forming cover glass 15 provided with the partition walls in which a plurality of openings are formed in a matrix in units of subpixels. It can be formed by a step of heating after applying an ink containing.
  • the light conversion layers 13R and 13G are formed on the color filters 14R and 14G (FIG. 6C).
  • the light conversion layer 13 can be formed of a film in which a fluorescent dye is formed by vapor deposition or sputtering, a film in which an appropriate resin is dispersed as a binder resin, and the like.
  • the light conversion layers 13R and 13G are mainly composed of a fluorescent dye
  • the light conversion layers 13R and 13G are formed by vacuum deposition or sputtering through a mask having a desired phosphor layer pattern.
  • the fluorescent dye and the resin and resist are mixed, dispersed, or solubilized, and formed by a method such as spin coating, roll coating, or casting. Patterning with a desired phosphor layer pattern by a photolithography method or patterning with a desired phosphor layer pattern by a method such as screen printing can be performed.
  • the cover glass 15 on which the color filters 14R, 14G, 14B, and the light conversion layers 13R, 13G are formed is pasted onto the resin sealing layer 12 (FIG. 6D). At this time, the resin sealing layer 12 is cured to bond the cover glass 15 and the substrate 1.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing energy states of the organic light emitting layer 6 and the second blue organic light emitting layer 9 in the organic EL display panel 100 according to Embodiment 1.
  • holes are supplied from the anode 3 to the highest occupied orbit (HOMO) of the organic light emitting layer 6 in a state where a voltage is applied between the anode 3 and the cathode 11. Electrons are supplied from the cathode 11 to the lowest unoccupied orbit (LUMO) of the second blue organic light emitting layer 9.
  • HOMO highest occupied orbit
  • LUMO lowest unoccupied orbit
  • the charge generation layer 8 is composed of a laminate or a mixture of an electron accepting material and an electron donating material, and involves electron transfer between the electron accepting material and the electron donating material at this interface or boundary.
  • the charge generated by the reaction moves toward the cathode 11 and the anode 3 when a voltage is applied.
  • holes are supplied to the HOMO of the second blue organic light emitting layer 9 located on the cathode 11 side with respect to the charge generation layer 8, and the LUMO of the organic light emitting layer 6 located on the anode 3 side with respect to the charge generation layer 8.
  • electrons are supplied through the first electron transport layer 7.
  • the holes supplied from the anode 3 side to the organic light emitting layer 6 and the electrons supplied from the charge generation layer 8 recombine in the organic light emitting layer 6 to generate an excited state and emit light.
  • the holes supplied from the charge generation layer 8 side and the electrons supplied from the cathode 11 side to the second blue organic light emitting layer 9 recombine in the second blue organic light emitting layer 9 to generate an excited state. Flashes.
  • electrons and holes are recombined in a plurality of organic light emitting layers including the organic light emitting layer 6 and the second blue organic light emitting layer 9, and a plurality of light emissions are generated between the electrodes.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the display function of the organic EL display panel 100 according to the first embodiment.
  • red light emitted from the organic light emitting layer 6R in the opening 2R and blue light emitted from a portion in the red subpixel of the second blue organic light emitting layer 9 are used.
  • Light is emitted toward the light conversion layer 13 ⁇ / b> R on the cover glass 15.
  • the blue light emitted toward the light conversion layer 13R is wavelength-converted into red light by the wavelength conversion member of the light conversion layer 13R.
  • the conversion efficiency at this time varies depending on the material, but is approximately 30 to 90%.
  • the converted light and the red light emitted from the organic light emitting layer 6R toward the light conversion layer 13R are added, and the red filter 14R absorbs color components other than red and increases the color purity. Light is emitted above the cover glass 15.
  • the green light emitted from the organic light emitting layer 6G in the opening 2G and the blue light emitted from the portion in the green sub pixel of the second blue organic light emitting layer 9 are covered.
  • the light is emitted toward the light conversion layer 13G on the glass 15.
  • the blue light is wavelength-converted into green light by the wavelength conversion member of the light conversion layer 13G.
  • the conversion efficiency at this time is also approximately 30 to 90%.
  • the converted light and the green light emitted from the organic light emitting layer 6G toward the light conversion layer 13R are added, and the green filter 14G absorbs a color component other than green and increases the color purity. Light is emitted above the cover glass 15.
  • the blue light emitted from the organic light-emitting layer 6B in the opening 2B and the blue light emitted from the portion in the blue sub-pixel of the second blue organic light-emitting layer 9 are covered with the cover glass. 15 toward the blue filter 14 ⁇ / b> B above 15. And the blue light radiate
  • the blue light emitted from the second blue light emitting layer portions in the red subpixel and the green subpixel is converted into red light and green light, respectively. It can be converted and output as the output of the display panel 100.
  • the emission luminance can be improved also for the red pixel region and the green pixel region.
  • the current efficiency which is the magnitude of luminance as a display panel with respect to the current, is increased, and the light emission efficiency is improved.
  • the display panel 100 is an organic EL display panel 100 having a plurality of pixels including a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel, and has the following configuration. That is, the first pixel electrode 3 and the red organic light emitting layer are arranged in order from the substrate 1 side in the red subpixel region on the substrate 1, the partition wall 2 that partitions each color subpixel region on the substrate 1, and the substrate 1. 6R. In the green sub-pixel region on the substrate 1, the second pixel electrode 3 and the green organic light emitting layer 6G are sequentially provided from the substrate 1 side.
  • the third pixel electrode 3 and the first blue organic light emitting layer 6G are sequentially provided from the substrate 1 side.
  • the charge generation layer 8 is provided on the red organic light emitting layer 6R, the green organic light emitting layer 6G, and the first blue organic light emitting layer 6B.
  • a second blue organic light emitting layer 9 is provided in each color subpixel region on the charge generation layer 8.
  • a counter electrode 11 of the first, second, and third pixel electrodes is provided in each color sub-pixel region on the second blue organic light emitting layer 9.
  • a first light conversion layer 13R that converts blue light emitted from the second blue organic light-emitting layer 9 in the sub-pixel region into red light is provided.
  • a second light conversion layer 13G that converts blue light emitted from the second blue organic light-emitting layer 9 in the sub-pixel region into green light is provided. It is characterized by.
  • the blue light emitted from the portion of the second blue light emitting layer in each of the red subpixel and the green subpixel can be converted into red light and green light, respectively, and emitted as the output of the display panel 100. it can.
  • the luminance of the red pixel region and the green pixel region can be improved, and the luminous efficiency can be improved.
  • the film deposition is performed on the entire pixel region including the R, G, and B sub-pixels, thereby providing the following effects. That is, the material loss caused by attaching the material to the entire mask including the mask opening when the shadow mask method is used can be prevented, and the vapor deposition material can be effectively used. Further, it is not necessary to align the opening of the precision mask with the bank of the blue sub-pixel with high accuracy, and the production efficiency can be improved. Thereby, the material cost can be reduced and the production efficiency can be improved.
  • the display panel 100 according to the first embodiment has been described above.
  • the illustrated display panel 100 can be modified as follows, and the display panel 100 according to the present invention described in the above-described embodiment. Of course, it is not limited to.
  • the light conversion layer that converts the blue light emitted from the portion of the second blue light emitting layer in each of the red sub-pixel and the green sub-pixel into red light and green light, respectively. It was set as the structure provided with. However, any configuration may be used as long as light is extracted from the portion of the second blue light emitting layer in the red subpixel and the green subpixel and emitted as the output of the display panel, and can be modified as follows.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the pixel structure of the organic EL display panel 100A according to the first modification.
  • the organic EL display panel 100A (hereinafter abbreviated as “display panel 100A”) has a configuration in which the light conversion layer 13R and the light conversion layer 13G are removed from the organic EL display panel 100.
  • blue light emitted from the portion of the second blue light emitting layer in the red sub-pixel is absorbed by the red filter 14R, and only the remaining red light is emitted from the organic light emitting layer 6R.
  • the added red light is output to the outside as an output of the display panel 100A.
  • the blue light transmittance may be, for example, approximately 0 to 5%.
  • the blue light emitted from the second blue light emitting layer portion in the green sub-pixel is absorbed by the green filter 14G, and only the remaining green light is emitted from the organic light emitting layer 6G.
  • the green light is added and emitted to the outside as the output of the display panel 100A.
  • the blue light transmittance may be, for example, approximately 0 to 5%.
  • a part of the blue light emitted from the second blue light emitting layer portion in each of the red subpixel and the green subpixel can be emitted as the output of the display panel 100A, and the light emission efficiency is improved. Can do.
  • ⁇ Modification 2> Further, in the configuration of the organic EL display panel 100, at least one of the second blue organic light emitting layer 9 and the first blue organic light emitting layer 6B in the blue subpixel region on the counter electrode 11 in the subpixel region. It is good also as a structure provided with the 3rd light conversion layer 13B which converts the blue light which emits into blue light with the emission spectrum different from the said blue light.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 100B according to Modification 2.
  • the third light conversion layer 13B is in the blue subpixel region on the second blue organic light emitting layer 9 and above the opening 2B, and the second blue organic light emission in the subpixel region. It has a function of converting at least one of blue light emitted from the layer 9 and blue light emitted from the first blue organic light emitting layer 6B into blue light having a different emission spectrum. With such a configuration, the blue light emitted from the third light conversion layer 13B is emitted above the cover glass 115 as blue light having further increased color purity.
  • Embodiment 2 an organic EL display panel 200 according to Embodiment 2 (hereinafter, abbreviated as “display panel 200”) will be described.
  • the display panel 200 is different from the display panel 100 in that each pixel composed of R, G, and B color subpixels includes a dark blue subpixel in which each pixel also develops a dark blue color.
  • the R, G, and B color sub-pixels are the same as those of the display panel 100, and a description thereof is omitted.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of the organic EL display panel 200 according to the second embodiment.
  • 12, 13, and 14 are views for explaining a method of manufacturing the organic EL display panel 200 according to the second embodiment.
  • the substrate 101 includes a bank 102, an anode 103, a hole injection layer 104, a hole transport layer 105, organic light emitting layers 106R, 106G, and 106B, a first electron transport layer 107, a charge generation layer 108, Second blue organic light emitting layer 109, second electron transport layer 110, cathode 111, resin sealing layer 112, light conversion layers 113R and 113G, red filter 114R, green filter 114G, cover glass 115 material, manufacturing method, R,
  • the structure, dimensions, and the like of the portions existing in the G and B color sub-pixels are the same as those in the display panel 100, and a description thereof will be omitted.
  • the anodes 103 are formed on the substrate 101 at intervals.
  • a bank 102 in which a plurality of openings 102R, 102G, 102B, and 2DB are formed at positions corresponding to the R, G, and B color sub-pixels is provided.
  • the inside of the openings 102 ⁇ / b> R and 102 ⁇ / b> G and the configuration above it are the same as those of the display panel 100.
  • a hole injection layer 104 and an organic light emitting layer 106B are formed inside the opening of 102B.
  • the hole injection layer 104 is formed inside the opening 102DB, and the organic light emitting layer is not formed.
  • Organic light-emitting layers 106R, 106G, and 106B formed in the openings 102R, 102G, 102B, and 102DB (hereinafter, abbreviated as “organic light-emitting layer 106” when the organic light-emitting layers 106R, 106G, and 106B are not distinguished) and the anode 103
  • the resin sealing layer 12 is sequentially formed as a solid film over the entire pixel.
  • a blue filter 114B is formed above the opening 102DB that defines the dark blue subpixel so as to straddle the blue subpixel and the dark blue subpixel.
  • the blue light emitted from the portion in the dark blue subpixel of the second blue organic light emitting layer 109 in the opening 102DB is directed toward the blue filter 114B on the cover glass 115. Are emitted. Then, the blue light emitted toward the blue filter 114B is emitted above the cover glass 115 as blue light in which color components other than blue are absorbed by the blue filter 114B and the color purity is increased.
  • the light emitted from the second blue organic light emitting layer 109 has higher color purity than the light emitted from the organic light emitting layer 106B. Therefore, the dark blue sub-pixel has high color purity as well as the light emitted toward the blue filter 114B. As a result, the blue light emitted from the dark blue sub-pixel has high color purity.
  • the entire display panel is emitted.
  • the color purity of blue light can be improved. It is possible to suppress power consumption of the display panel by controlling the dark blue sub-pixel and the blue sub-pixel having higher light emission efficiency to display an image.
  • the blue filter 114B is formed above the opening 102DB that defines the dark blue sub-pixel so as to straddle the blue sub-pixel and the dark blue sub-pixel.
  • the blue filter 114B is provided only above one of the opening 102B that defines the blue subpixel or the opening 102DB that defines the dark blue subpixel, and the opening except for the blue filter 114B is provided.
  • the blue filter 114B may not be provided above the 102B and the opening 102DB.
  • the blue filter 114B may not be provided above the opening 102B and the opening 102DB.
  • the light emission efficiency of the blue subpixel can be improved as compared with the case where the blue filter 114B is provided above the blue subpixel and the dark blue subpixel.
  • the power consumption of the display panel can be further suppressed by controlling the dark blue subpixel and the blue subpixel to display an image.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing a pixel structure of an organic EL display panel 200A according to Modification 4.
  • the organic EL display panel 200A (hereinafter abbreviated as “display panel 200A”) has a configuration in which the light conversion layer 113R and the light conversion layer 113G are removed from the organic EL display panel 200.
  • the blue light emitted from the portion of the second blue organic light emitting layer 109 in the actual red subpixel is absorbed by the red filter 114R, and only the remaining red light is absorbed.
  • red filter 114R the red filter 114R
  • blue light emitted from the portion of the second blue organic light emitting layer 109 in the green subpixel is absorbed by the green filter 114G, and only the remaining green light is emitted from the organic light emitting layer 106G. The added green light is added and emitted to the outside.
  • the red subpixel region on the first light conversion layer is within the subpixel region.
  • the first filter unit that blocks blue light emitted from the two blue organic light emitting layers and the blue light emitted from the second blue organic light emitting layer in the sub pixel region are blocked in the green sub pixel region on the second light conversion layer. It was set as the structure provided with the 2nd filter part.
  • any configuration may be used as long as light is extracted from the second blue light emitting layer portion in the red subpixel and the green subpixel and emitted as the output of the display panel.
  • the first filter unit and the second filter unit may be omitted.
  • the display panel 100 In the display panel 100 according to the first embodiment, the display panel 100A according to the first modification, and the display panel 100B according to the second modification, the position corresponding to each color sub-pixel, and above the openings 2R, 2G, and 2B.
  • the red filter 14R, the green filter 14G, and the blue filter 14B are formed. However, it absorbs blue light emitted from the portion of the second blue light emitting layer in the red subpixel and the green subpixel, and is emitted above the cover glass 15 as red light and green light having increased color purity, respectively.
  • the blue filter 14B may not be provided in the blue subpixel region.
  • the red filter 14R and the green filter 14G are formed above the openings 2R, 2G corresponding to the respective color sub-pixels, and the blue filter 14B is formed above the opening 2B. It is good also as a structure in which is not formed. Even in such a configuration, it is possible to improve the luminance of the red pixel region and the green pixel region to improve the light emission efficiency and to secure the color purity of the emitted light as the display panel.
  • the red organic light emitting layer, the green organic light emitting layer, and the first electron injection layer between the first blue organic light emitting layer and the charge generation layer The second electron injection layer is provided in each color sub-pixel region between the charge generation layer and the second blue organic light emitting layer.
  • the second electron injection layer and the first electron injection layer and in any or all of the R, G, and B color sub-pixels, either the second electron injection layer or the first electron injection layer. It is good also as a structure which does not provide one or both.
  • an electron injection layer may be included.
  • the electron transport layer and the cathode were sequentially formed as a solid film over the entire pixel.
  • these films do not necessarily have to be formed as solid films over the entire pixel, and some or all of these films are formed in the red sub-pixel area, the green sub-pixel area, and the blue sub-pixel area. It is good also as a structure divided
  • first electron transport layer “charge generation layer”, “second blue organic light emitting layer”, “second electron transport layer”, and “cathode” are sub-pixels such as R, G, B, etc. This refers to a generic term for a plurality of areas divided and arranged.
  • the anode is provided on the side closer to the substrate on which the TFT is provided, and the cathode is provided on the far side. Conversely, the cathode is provided on the side closer to the substrate on which the TFT is provided. The same can be done when an anode is provided on the far side.
  • the numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement positions and connection forms of the constituent elements, steps, order of steps, and the like shown in the embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention.
  • steps that are not described in the independent claims indicating the highest concept of the present invention are described as arbitrary constituent elements constituting a more preferable form.
  • the organic EL display panel of the present invention can be widely used for organic light-emitting devices as well as organic EL light-emitting devices.

Abstract

　有機ＥＬ表示パネルにおいて、赤色サブ画素領域内に、順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、緑色サブ画素領域内に、順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、青色サブ画素領域内に、順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、赤色有機発光層上に電荷発生層と、電荷発生層上の各色サブ画素領域内に第２青色有機発光層と、第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に対向電極と、第２青色有機発光層上の赤色サブ画素領域内に青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、および第２青色有機発光層上の緑色サブ画素領域内に青色光を赤色光に変換する第２光変換層とを備えた。

Description

有機ＥＬ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ＥＬ表示パネルの製造方法
　本発明は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。
　近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機発光素子を行列方向に複数配列し有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルが実用化されている。
　この有機ＥＬ表示パネルの構成として、基板の上に駆動回路（例えば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を含む）が設けられ、その駆動回路の上に絶縁層が設けられ、さらに複数の有機発光素子が配列されてなるものが一般的に知られている。そして、各有機発光素子は、基板上の絶縁層の上に設けられた陽極、この陽極上に設けられた有機発光材料からなる発光層及び機能層の積層体、その上に設けられた透明導電性の陰極を基本構造として備えている。このような有機発光素子は、電流駆動型の発光素子であって、駆動時には、陽極と陰極との間に電圧が印加され、発光層に注入されるホールと電子が再結合するのに伴って発光する。
　有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機発光素子が、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のサブ画素を形成し、隣り合うＲ、Ｇ、Ｂのサブ画素の組み合わせで一画素が形成されている。このような有機ＥＬ表示パネルでは、消費電力低減や長寿命化などの観点から、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ発光素子の発光効率および寿命特性を向上させることが重要である。このＲ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ発光素子の中では青色有機発光素子の寿命が最も短い傾向があり、青色有機発光素子の長寿命化が表示装置の長寿命化に向けた課題となっていた。
　そこで、特許文献１では、ノズルプリント法と真空蒸着法とを行うことにより、有機ＥＬ表示パネルにおいて、青色有機発光素子のみ２段に積層したマルチフォトン構造とし、高発光効率化、長寿命化、製造設備のコスト削減、生産性向上を実現する技術が提案されている（例えば、段落００６５参照）。具体的には、湿式成膜法により赤色発光層、緑色発光層及び第１青色発光層を形成した後、青色画素領域にのみ、真空蒸着法により電荷発生層を形成する。その後、赤色発光層、緑色発光層８及び電荷発生層１０を覆うように、真空蒸着法により第２青色発光層を形成する。第２青色発光層は、赤色発光層及び緑色発光層上では電子輸送機能を発揮し、電荷発生層上では青色発光層として機能する。この構成により、同文献には、青色発光素子の長寿命化、製造設備のコストの削減、生産性向上を実現することができると記載されている。
　特開２０１３－７３７５９号公報
　しかしながら、ディスプレイデバイスとしての高輝度・低消費電力化、及び低価格化のために、有機ＥＬ表示パネルにおいて、さらなる発光効率と生産性の向上が求められている。
　本発明は、このような課題に鑑み、マルチフォトン発光構造の有機ＥＬ表示パネルにおいて、さらなる、発光効率と生産性を向上する有機ＥＬ表示パネル提供することを目的とする。
　本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、基前記板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配されたことを特徴とする。
　上記態様にかかる有機ＥＬ表示パネルでは、上記した構成により、赤色サブ画素領域に存する青色発光層から出射された青色光を赤色光に変換し、緑色サブ画素領域に存する青色発光層から出射された青色光を緑色光に変換して、各々表示パネルの出力光として出射することができる。また、従来のシャドウマスク法による蒸着材料の損失を防止するとともに、精密マスクを高精度に位置合わせする工程を削減できる。その結果、マルチフォトン発光構造の有機ＥＬ表示パネルにおいて発光効率と生産性をさらに向上することができる。
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態１に係る表示装置１０００の外観を例示する図である。 実施の形態１に係る表示装置１０００の機能ブロックを示す図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００における有機発光層６、及び第２青色有機発光層９のエネルギー状態を示す概略図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の表示機能を模式的に示す断面図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｂの画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル２００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。
　≪本発明を実施するための形態に到った経緯について≫
　上述のとおり、特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルでは、発光層を２段のスタック構造としたマルチフォトン発光構造を採用することにより、電流に対する輝度の大きさである電流効率を増加することができる。これは、以下の理由に基づくものと考えられる。すなわち、りん光発光材料の赤色発光層、及び緑色発光層に比べて、蛍光発光材料である第１青色発光層は発光効率が低い。これに対し、真空プロセスにより形成した青色発光層は蛍光材料であるものの、湿式プロセスで形成した第１青色発光層よりも発光効率が高い。これを、第２青色発光層に用いることで、赤色発光層、及び緑色発光層に比べて発光効率が低い第１青色発光層の低輝度を補うことができる。通常有機ＥＬ表示パネルは、駆動時の電流負荷が小さいほど駆動寿命が向上する。特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルでは、第２青色発光層を加えたことで、電流効率が向上し、所望の輝度を得るのに必要な電流が小さくなるため青色発光については寿命を伸ばすことができたものと考えられる。
　しかしながら、特許文献１記載の構成は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の上方に、真空蒸着法により第２青色発光層を形成しているが、このうち、有機ＥＬ表示パネルの発光に寄与しているのは青色発光層の上方にある第２青色発光層の部分だけである。
　上述のとおり、ディスプレイデバイスとしてのさらなる高輝度・低消費電力化のために、有機ＥＬ表示パネルにおいても、さらなる、発光効率向上が求められている。そのため、発明者は、赤色発光層、緑色発光層の上方にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して出力し、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても輝度の向上を図ることができれば、有機ＥＬ表示パネル全体として、さらなる輝度向上が図ることができると考えた。
　また、表示パネルの生産性においても、青色画素領域にのみ真空蒸着法により電荷発生層を形成する特許文献１記載の構成では生産効率上課題がある。すなわち、真空蒸着法により、青色画素領域にのみ電荷発生層を形成するためには、シャドウマスク法により青色画素領域のみ開口した精密マスクを用いてパターンニングする。この場合、開口を含むマスク全体に蒸着材料を付着させてしまうために材料損失が大きくコストアップの要因となる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせすることも生産効率を低下させる要因となる。これらを防止し、有機ＥＬ表示パネルのさらなる低価格化のために、真空蒸着法では精密なシャドウマスク法を用いず画素領域全体に対して蒸着を行うことが、材料を有効活用することができ、材料コストや生産効率の上で効果的であると考えられる。
　そこで、発明者は、マルチフォトン発光構造による有機ＥＬ表示パネルにおいて、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても輝度向上を図ることができ、真空蒸着法ではシャドウマスク法を用いず画素領域全体に対して蒸着を行うことで製造可能なデバイス構造ついて鋭意検討を行い、本発明の実施の形態に記載の有機ＥＬ表示パネルに想到したものである。
　≪本発明を実施するための形態の概要≫
　本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、基前記板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配されたことを特徴とする。
　また、別の態様では、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層は湿式プロセスで形成され、前記第２青色有機発光層、及び前記電荷発生層は乾式プロセスで形成されている構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と、前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第１青色有機発光層および/もしくは前記第２青色発光層の発する青色光の少なくとも一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層と、前記第３光変換層上に、前記第３光変換層から上方に出射される光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第一フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と、前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第１青色有機発光層および/もしくは前記第２青色発光層の発する青色光の少なくとも一部を遮る第３フィルタ部をとを備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、さらに、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層と、前記電荷発生層との間に、第１電子注入層と、前記第２青色有機発光層と前記対向電極との間の前記各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備え、前記第２電子注入層は、前記第１電子注入層よりも膜厚が厚い構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記電荷発生層は、前記第２青色有機発光層に対してホールを供給し、前記各サブ画素領域内にある部分から、同じサブ画素領域内にある前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の何れかに対し電子を供給する構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記電荷発生層は、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の上に分割されている構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記第２青色有機発光層は、前記各色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記青色サブ画素領域に分割されている構成であってもよい。
　また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部とが配された構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配された構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部とを備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部と、前記対向電極上方の前記濃青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の一部を遮る第４フィルタ部の少なくとも何れか一方を備えた構成であってもよい。
　また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第１フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第２フィルタ部とが配された構成であってもよい。
　本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１、第２、第３の画素電極、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層を湿式プロセスにより形成する工程と、前記電荷発生層、前記第２青色有機発光層、対向電極を乾式プロセスにより形成する工程とを有することを特徴とする。
　また、別の態様では、前記湿式プロセスは、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、フォトリソ法から選択される１又は複数であり、前記乾式プロセスは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法から選択される１又は複数である構成であってもよい。
　以下、実施の形態について説明する。
　≪実施の形態１≫
　実施の形態１ではトップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネルに関して説明する。
　＜　有機ＥＬ表示パネル１００の全体構成＞
　図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の画素構造を模式的に示す断面図である。この有機ＥＬ表示パネル１００（以後、「表示パネル１００」と略称する）においては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のサブ画素を含む複数の画素が行方向及び列方向にマトリックス状に規則的に配置されている。
　図１に示すように、表示パネル１００は、基板１をベースとして形成されている。そして、基板１上には、陽極３が互いに間隔を開けて形成されている。基板１および陽極３の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に対応する位置に複数の開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成された隔壁２（以後、「バンク２」と称する）が設けられている。
　開口部２Ｒの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、赤色有機発光層６Ｒ（以後「有機発光層６Ｒ」と略称する）が、順次形成されている。開口部２Ｇの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、緑色有機発光層６Ｇ（以後「有機発光層６Ｇ」と略称する）が、順次形成されている。開口部２Ｂの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、第１青色有機発光層６Ｂ（以後「有機発光層６Ｂ」と略称する）が、順次形成されている。各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにおける、正孔注入層４の膜厚は、互いに独立であり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで異ならせてもよい。正孔輸送層５についても同様に各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで膜厚を異ならせてもよい。また、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの一部又は全部において、正孔注入層４を設けない構成としてもよく、正孔輸送層５についても同様である。
　有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（以後、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを区別しない場合には「有機発光層６」と略称する）を覆うように、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにまたがるように、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０、陰極１１、樹脂封止層１２が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている。
　したがって、「第１電子輸送層７」、「電荷発生層８」、「第２青色有機発光層９」、「第２電子輸送層１０」および「陰極１１」は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素にある領域を総称したものをさす。本実施の形態においては、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９光変換層１３、第２電子輸送層１０、陰極１１を平面視した場合の各層の外周縁が一致する構成としている。
　そして、赤色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒの上方に第１光変換層が、緑色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｇの上方に第２光変換層が、各々形成されている。さらに、各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、各々、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが形成され、それら上方を覆うようにカバーガラス１５が配置されている。
　＜各要素の構成＞
　以下、表示パネル１００を構成する各構成要素について説明する。
　（基板）
　基板１は表示パネル１００における背面基板であり、その表面には、表示パネル１００をアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　ＴａｎｓｉｓｔｏＲ）を含むＴＦＴ層（不図示）が形成されている。
　基板１の材料は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板及び石英板、並びに、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミド、シリコーン系樹脂などのプラスチック板又はプラスチックフィルム、並びに、アルミナなどの金属板又は金属ホイルなどである。ＴＦＴ層には、各ＴＦＴに対して外部から電力を供給するための配線部が含まれるが、本実施の形態においては、説明をわかりやすくするために、陽極のみを取り出して図示している。
　本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、トップエミッション構造であるので、基板１は透光性を有する必要はない。なお、基板１及び後述する陽極３に透光性の材料からなるものを用いることにより、ボトムエミッション構造とすることもできる。
　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、パッシブマトリクス方式を用いて駆動する構成とすることもできる。
　（バンク）
　バンク２は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色に分かれたサブ画素領域の規定、および陰極のエッジをカバーする役割を果たす。バンク２は、絶縁性材料により形成されていれば良く、有機溶剤耐性を有することが好ましい。また、バンク２はエッチング処理、ベーク処理などされることがあるので、それらの処理に対する耐性の高い材料で形成されることが好ましい。バンク２の材料は、樹脂などの有機材料であっても、ガラスなどの無機材料であってもよい。有機材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などを使用することができ、無機材料として、シリコンオキサイド（ＳｉＯ２）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などを使用することができる。バンク２の高さは、充填する機能層の構成に応じて選択すればよい。例えば０．５μｍ以上２μｍ以下としても良く、より好ましくは、０．８μｍ以上１．２μｍ以下としてもよい。
　バンク２は、基板１上に感光性樹脂を塗布しフォトリソグラフィ法によりサブ画素に対応したパターンを形成する方法等により形成することができる。
　（陽極）
　陽極３は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色に分かれたサブ画素毎に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ内に形成されている。陽極３は、基板１に配されたＴＦＴに電気的に接続されており、発光素子の正極として機能すると共に、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒから陽極３に向けて出射された光を反射する機能を有する。反射機能は、陽極３の構成材料により発揮されるものでもよいし、陽極３の表面部分に反射コーティングを施すことにより発揮されるものでもよい。陽極３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、ＡＧ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣＲ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣＲ（ニッケルとクロムの合金）、Ｍｏ（モリブデン）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）等で形成されている。
　陽極３を覆うように透明導電層（不図示）を設ける構成としてもよい。透明導電層は、製造過程において陽極３が自然酸化するのを防止する保護層として機能する。透明導電層の材料は、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒで発生する光に対して十分な透光性を有する導電性材料により形成されればよく、材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。
　陽極３の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、スパッタリング法を用いることができる。また、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いて形成することもできる。
　（正孔注入層）
　正孔注入層４は、正孔を有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒに注入する機能を有する。正孔注入層４の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、アザトリフェニレン誘導体、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）、酸化タングステン（ＷＯx）、酸化モリブデン（ＭｏＯx）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏxＷyＯz）などの遷移金属の酸化物等を挙げることができる。遷移金属の酸化物で形成することで、電圧－電流密度特性を向上させ、また、電流密度を高めて発光強度を高めることができる。なお、これ以外に、遷移金属の窒化物などの金属化合物も適用できる。
　（正孔輸送層）
　正孔輸送層５は、陽極３から注入された正孔を有機発光層６へ輸送する機能を有する。正孔輸送層５の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）が挙げられる。好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を挙げることができる。
　正孔注入層４、及び正孔輸送層５の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。また、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。より好ましくは、低コスト化のためにインクジェット法等湿式成膜プロセスを用いることが好ましい。
　（有機発光層）
　有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒは、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応する光を発する有機材料を含むように構成されている。開口部２ＲにはＲに対応して発光する有機材料、開口部２ＧにはＧに対応して発光する有機材料、開口部２ＢにはＢに対応して発光する有機材料をそれぞれ含む有機発光層６が形成される。
　有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの材料は、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２－ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）等を挙げることができる。
　有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。また、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。より好ましくは、低コスト化のためにインクジェット法等湿式成膜プロセスを用いることが好ましい。
　（電子輸送層）
　第１電子輸送層７は、後述する電荷発生層８から注入された電子を有機発光層６へ輸送する機能を有する。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒ上に開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として第１電子輸送層７は形成されている。
　第１電子輸送層７の材料は、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体（いずれも特開平５－１６３４８８号公報に記載）、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トジアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体等を挙げることができる。
　なお、電子注入性を更に向上させる点から、上記電子輸送層を構成する材料に、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドーピングしてもよい。
　第２電子輸送層１０は、陰極１１から注入された電子を第２青色有機発光層９へ輸送する機能を有する。第２青色有機発光層９上に、開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として第２電子輸送層１０は形成されている。
　第２電子輸送層１０の材料は、第１電子輸送層７と、同種の材料を用いることができる。
　また、第２電子輸送層１０の成膜の際、第２青色有機発光層９を保護するために、第２電子輸送層１０の膜厚は、第１電子輸送層７の膜厚よりも、厚い構成とすることが好ましく、例えば、第１電子輸送層７の膜厚を５～１９ｎｍ、第２電子輸送層１０の膜厚を３０～３５ｎｍとすることが好ましい。
　（電荷発生層）
　電荷発生層８は、第２青色有機発光層９に対してホールを供給し、各サブ画素領域内にある部分から同じサブ画素領域内にある有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し電子を供給する機能を有する。第１電子輸送層７上に開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として電荷発生層８は形成されている。
　電荷発生層８は、電子受容性物質と電子供与性物質の積層体又は混合体からなる。電子受容性物質と電子供与性物質との界面又は境界において、電子受容性物質と電子供与性物質間での電子移動を伴う反応により発生した電荷が、電圧印加時に陰極１１方向と陽極３方向へ移動する。これにより、電荷発生層８に対し陰極１１側に位置する第２青色有機発光層９へホールを供給し、電荷発生層８に対し陽極３側に位置する有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂへ第１電子輸送層７を介して電子を供給する。このため、電荷発生層８を形成する材料は、異なる２種類の物質の積層体又は混合体からなり、２種類の物質間で酸化還元反応によるラジカルカチオンとラジカルアニオンからなる電荷移動錯体を形成する。電荷移動錯体中のラジカルカチオン状態とラジカルアニオン状態、すなわち、電荷移動錯体中のホール及び電子が、電圧印加時にそれぞれ陰極方向と陽極方向へ移動する。
　電荷発生層８の材料は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属薄膜、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化レニウム、酸化タングステン等の金属酸化物、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の透明導電膜などから構成される積層体を挙げることができる。ｎ型半導体とｐ型半導体の積層体、金属薄膜もしくは透明導電膜とｎ型半導体及び／またはｐ型半導体との積層体、ｎ型半導体とｐ型半導体の混合物、ｎ型半導体及び／またはｐ型半導体と金属との混合物等を用いることが好ましい。
　具体的には、電子受容性物質を構成する材料としては、例えば、Ｖ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ｎ型の半導体特性を示す有機半導体であるテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）等を挙げることができる。電子供与性物質としては、アリール誘導体を挙げることができる。また、より好ましくは、電荷発生層を強電子受容性物質（例えばＨＡＴＣＮ６）で構成し、この強電子受容性物質の陰極側に隣接するホール輸送層を電子供与性物質（例えばＮＰＢ）を用いる構成としてもよい（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　１２　（２０１１）７１０-７１５に記載）。
　また、別の態様としては、Ａｌ／Ａｕ、Ｃｕ／Ａｇ、Ｆ１６ＣｕＰｃ／ＣｕＰｃ（ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン／銅フタロシアニン）、Ａｌ／ＷＯ３／Ａｕ等を用いる構成としてもよい（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　９１、１２３５０４　２００７に記載）。
　（第２青色有機発光層）
　第２青色有機発光層９は、有機発光層６と同様、キャリア（ホールと電子）の再結合による発光を行う部位であり、青色に対応する光を発する有機材料を含むように構成されている。開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として青色に発光する有機材料をそれぞれ含む第２電子輸送層１０が形成される。
　第２電子輸送層１０の材料は、第１電子輸送層７と、同種の材料を用いることができる。
　上述した第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、真空蒸着法を用いることができる。これは、真空蒸着法等の乾式成膜プロセスにより形成した青色発光層は蛍光材料であるものの、湿式プロセスで形成した第１青色発光層よりも発光効率が高く、真空プロセスで製造した第２青色発光層に用いることで、赤色発光層、及び緑色発光層に比べて発光効率が低い第１青色発光層の低輝度を効果的に補うことができるからである。
　（陰極）
　陰極１１は、有機ＥＬ素子の負極として機能する。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒで発生した光に対して透光性を有する導電性材料で形成される透明導電層を有する。透明導電層の材料として、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などが好ましい。
　また、透明導電層に金属層（不図示）を積層して多層膜としてもよい。金属層の材料は、ＡＧ（銀）をはじめとして、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、あるいはこれら金属の合金を挙げることができる。
　陰極１１を覆うように薄膜封止層（不図示）を設ける構成としてもよい。薄膜封止層は、基板１との間に挟まれた各層が水分や空気に晒されることを防止し、光学的な調整を行う機能を有する。薄膜封止層の材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や樹脂等である。
　陰極１１の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、スパッタリング法を用いることができる。
　（樹脂封止層）
　樹脂封止層１２は、基板１から薄膜封止層までの各層からなる背面パネルと、カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒが形成された基板１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。樹脂封止層１２の材料は、例えば、樹脂接着剤等である。
　（光変換層）
　第１光変換層１３Ｒは、第２青色有機発光層９上の赤色サブ画素領域内、開口部２Ｒの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を赤色光に変換する機能を有する。第２光変換層１３Ｇは、第２青色有機発光層９上の緑色サブ画素領域内、開口部２Ｂの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を緑色光に変換する機能を有する。
　第１光変換層１３Ｒ、第２光変換層１３Ｇ（以後、１３Ｒ、１３Ｇを区別しない場合は、「光変換層１３」と略称する）は、上記の第２青色有機発光層９からの発光を吸収して、波長変換できる蛍光色素を含有するものであればよい。
　第１光変換層１３Ｒの材料は、例えば、４－ジシアノメチレン－２－メチル－６－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（以下ＤＣＭと略記する）等のシアニン系色素、１－エチル－２－（４－（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－１、３－ブタジエニル）－ピリジウム－パークロレート（以下ピリジン１と略記する）等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のローダミン系色素、他にオキサジン系（いずれも特開平９－２７９３９４号公報に記載）等を挙げることができる。
　第２光変換層１３Ｇの材料は、例えば、２、３、５、６－１Ｈ、４Ｈ－テトラヒドロ－８－トリフルオロメチルキノリジノ（９、９ａ、１－ｇｈ）クマリン（以下クマリン１５３）、３－（２’－ベンゾチアゾリル）－７－ジエチルアミノクマリン（以下クマリン６）、３－（２’－ベンズイミダゾリル）－７－ジエチルアミノクマリン（以下クマリン７）、３－（２’－Ｎ－メチルベンゾイミダゾリル）－７－ジエチルアミノ－クマリン（クマリン３０）等のクマリン色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素（いずれも特開平９－２７９３９４号公報に記載）等を挙げることができる。
　さらに、上記以外のものであっても、各種染料、例えば、直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等も蛍光性があれば使用可能である。また、二種以上を混合して用いてもよい。
　光変換層１３は、上述に例示するような蛍光色素を蒸着あるいはスパッタリング法で製膜された膜、適当な樹脂を結着性樹脂としてその中に分散させた膜等いずれの形態であってもよい。光変換層１３を主に蛍光色素から構成する場合は、所望の蛍光体層パターンのマスクを介して真空蒸着またはスパッタリング法で成膜する。一方、光変換層１３を蛍光色素と樹脂から構成する場合は、蛍光色素と上記樹脂およびレジストを混合、分散または可溶化させ、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で製膜し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層パターンでパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望の蛍光体層パターンでパターニングすることができる。
　この場合、マトリクス樹脂としては、透明な（可視光５０％以上）の材料が好ましく、種々の熱可塑性樹脂を用いることができる。マトリクス樹脂は、通常１００℃、好ましくは１５０℃の加熱に対して分解もしくは変形を起こさないことが望ましい。具体的な材料として、たとえば、ポリメタクリル酸エステルなどのアクリル樹脂、アルキッド樹脂、芳香族炭化水素樹脂（ポリスチレンなど）、セルロース樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートなど）、ポリアミド樹脂（ナイロン類など）、ポリウレタン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂およびこれらの樹脂混合物などを挙げることができる。
　光変換層１３の膜厚は、第２青色有機発光層９の発光を十分に吸収し、蛍光を発生する機能を妨げるものでなければ制限はなく、１０ｎｍ～５ｍｍ程度が適当である。本実施の形態では、５μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは７以上１５μｍ以下とした。これにより、所望の強度の色変換された出力光を得ることが可能となる。
　光変換層１３の膜厚を調整することで、有機発光層６から発光される光の透過強度が変化する。膜厚を薄くする有機発光層６からの光の透過量が増し、膜厚を厚くすると有機発光層６からの透過成分が少なくなり蛍光成分が増加する。透過成分と蛍光成分を合わせた光の輝度が最大となるよう、膜厚を適当に調整することが望ましい。
　（カラーフィルタ）
　各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒ（以後、１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを区別しない場合は、「カラーフィルタ１４」と略称する）は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色サブ画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒは、具体的には、例えば、複数の開口部をサブ画素単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラス１５に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
　＜表示装置の全体構成および外観＞
　図２は、本発明の実施の形態に係る表示装置１０００の外観を例示する図である。図３は、本発明の実施の形態に係る表示装置１０００の機能ブロックを示す図である。表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに電気的に接続された駆動制御部１７とを備える。有機ＥＬ表示パネル１００は、図１に示す画素構造を有するものである。駆動制御部１７は、各有機ＥＬ素子の陽極３と陰極１１との間に電圧を印加する駆動回路１８～２１と、駆動回路１８～２１の動作を制御する制御回路２２とからなる。
　＜有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法＞
　有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を図４、図５、図６を参照しながら説明する。図４、図５、図６は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。
　先ず、基板１を準備する（図４（ａ））。
　次に、基板１上に陽極３を真空蒸着法又はスパッタ法等の乾式成膜プロセスによって厚み１５０ｎｍ程度の膜厚で形成する（図４（ｂ））。さらに、陽極３上に、蒸着法やスパッタ法等により酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる透明導電層（不図示）を形成する（図４（ｂ））。このとき、透明導電層の膜厚を上述した範囲内に適宜調整する。
　次に、基板１上に、バンク２を形成する（図４（ｃ））。本実施の形態では、バンク２を構成する材料として、撥液剤を含む感光性樹脂材料を選択し、フォトリソグラフィー法を用いてバンク２を形成する。ここで感光性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂などから構成される公知のレジスト材料を用いることができる。
　具体的には、まず、基板１上に、例えばスピンコート法を用いて、バンク２の材料を塗布して成膜する。基板１上における、陽極３が露出するように規定される開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂのパターンに合わせてマスクを配置して露光する。その後、非水系の現像液として、例えばアルカリ性の現像液を用いて膜をエッチングすることにより開口部２Ｒ、２Ｇ、３Ｂのパターンを形成する。その後、２００℃～２５０℃程度の温度、例えば２００℃の温度にて熱処理を施すことにより、内部に含まれる溶媒などを蒸発させて、バンク２は完成する。
　次に、透明導電層上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスにより正孔注入層４を形成する（図４（ｄ））。さらに、正孔注入層４上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスにより正孔輸送層５を形成する（図４（ｅ））。ここで、上述のとおり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにおける、正孔注入層４の膜厚は、互いに独立であり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで異ならせてもよい。正孔輸送層５についても同様に各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで膜厚を異ならせてもよい。また、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの一部又は全部において、正孔注入層４を設けない構成としてもよい。正孔輸送層５についても同様である。
　次に、正孔輸送層５上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスによりにより有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを形成する（図４（ｆ））。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの膜厚は、例えば約５０（ｎｍ）である。
　具体的には、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを構成する機能材料と溶媒とを所定比率で混合し、機能層用インクを調整する。このインクを、インクジェット法を用いて、インクヘッドからインク液滴として、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの開口から滴下し、陽極３の露出した領域を被覆するようにインクを塗布する。そして、インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させ、必要に応じて加熱焼成することにより、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒが形成される。
　インク材料は、溶質として、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリパラフェニレンエチレンおよびその誘導体、ポリ３－ヘキシルチオフェンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体などを挙げることができる。
　また、溶媒として、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールなどの芳香族系有機溶媒、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒などを挙げることができる。
　有機発光層に利用される有機高分子材料としてはポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３－ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を挙げることができる。
　上述のとおり、正孔注入層４、正孔輸送層５、有機発光層６の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。しかしながら、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスも用いることもできる。低コスト化のためには、インクジェット法等の湿式成膜プロセスによりを形成することが好ましい。
　次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを覆うように、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって画素全体にわたるベタ膜として第１電子輸送層７を形成する（図５（ａ））。
　次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、電子輸送層７Ｒ上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって画素全体にわたるベタ膜として、電荷発生層８を形成する（図５（ｂ））。
　次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、電荷発生層８上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、第２青色有機発光層９を形成する（図５（ｃ））。
　次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、第２青色有機発光層９上に、、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、第２電子輸送層１０を形成する（図５（ｄ））。
　このとき、第２電子輸送層１０の膜厚は、第１電子輸送層７の膜厚よりも、厚いことが好ましく、例えば、第１電子輸送層７の膜厚を５～３０ｎｍ、第２電子輸送層１０の膜厚を３０～５０ｎｍとすることが好ましい。第２電子輸送層１０上に、陰極１１をスパッタリング法等により形成する際に、第２電子輸送層１０がスパッタされ、第２青色有機発光層９が損傷することを防止するためである。
　上述のとおり、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、真空蒸着法を用いることができる。このように、画素領域全体に対して膜の蒸着を行うことで、シャドウマスク法を用いていたときにマスク開口を含むマスク全体に材料を付着させることにより生じていた材料損失を防止でき、蒸着材料を有効活用することができる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせする必要ななく生産効率を向上できる。これにより、材料コストの低減と生産効率の向上に資することができる。
　次に、第２電子輸送層１０上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、陰極１１を形成する（図５（ｅ））。
　陰極１１は、例えばＩＴＯを、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで製膜することによって形成する。好ましくは、スパッタリング法により形成することができる。
　次に、陰極１１上に樹脂封止層１２を形成する（図６（ａ））。樹脂封止層１２の材料は、例えば、樹脂接着剤等である。
　次に、カバーガラス１５に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する（図６（ｂ））。
　上述のとおり、カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒは、例えば、複数の開口部をサブ画素単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラス１５に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布した後加熱する工程により形成することができる。
　次に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ上に光変換層１３Ｒ、１３Ｇを形成する（図６（ｃ））。
　上述のとおり、光変換層１３は、蛍光色素を蒸着あるいはスパッタリング法で製膜された膜、適当な樹脂を結着性樹脂としてその中に分散させた膜等で形成することができる。
　光変換層１３Ｒ、１３Ｇを主に蛍光色素から構成する場合は、所望の蛍光体層パターンのマスクを介して真空蒸着またはスパッタリング法で成膜する。
　一方、光変換層１３Ｒ、１３Ｇを蛍光色素と樹脂から構成する場合は、蛍光色素と上記樹脂およびレジストを混合、分散または可溶化させ、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で製膜し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層パターンでパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望の蛍光体層パターンでパターニングすることができる。
　次に、樹脂封止層１２上に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、光変換層１３Ｒ、１３Ｇを形成したカバーガラス１５を貼り合わせる（図６（ｄ））。この際、樹脂封止層１２が硬化させてカバーガラス１５と基板１とを接着する。
　＜有機ＥＬ表示パネル１００の動作について＞
　有機ＥＬ表示パネル１００の動作を図面を参照しながら説明する。図７は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００における有機発光層６、及び第２青色有機発光層９のエネルギー状態を示す概略図である。
　図７に示すように、陽極３と陰極１１の間に電圧を付勢した状態において、陽極３から有機発光層６の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）にホールが供給される。陰極１１から第２青色有機発光層９の最低空軌道（ＬＵＭＯ）に電子が供給される。
　上述のとおり、電荷発生層８は、電子受容性物質と電子供与性物質の積層体又は混合体からなり、この界面又は境界において、電子受容性物質と電子供与性物質間での電子移動を伴う反応により発生した電荷が、電圧印加時に陰極１１方向と陽極３方向へ移動する。これにより、電荷発生層８に対し陰極１１側に位置する第２青色有機発光層９のＨＯＭＯに対しホールを供給し、電荷発生層８に対し陽極３側に位置する有機発光層６のＬＵＭＯに対し第１電子輸送層７を介して電子を供給する。
　そして、有機発光層６に対し陽極３側から供給されたホールと電荷発生層８から供給された電子とが、有機発光層６内で再結合し励起状態を生成して発光する。また、第２青色有機発光層９に対し電荷発生層８側から供給されたホールと陰極１１側から供給された電子とが、第２青色有機発光層９内で再結合し励起状態を生成して発光する。その結果、有機発光層６及び第２青色有機発光層９からなる複数の有機発光層で、電子とホールの再結合が生じ複数の発光が電極間で発生する。これにより、同じ電流にて有機発光層６及び第２青色有機発光層９の両方の発光層を発光させることができるので、表示パネルとしての発光効率を向上させることができる。
　図８は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の表示機能を模式的に示す断面図である。図８に示すように、赤色サブ画素では、開口部２Ｒ内にある有機発光層６Ｒから発された赤色光と、第２青色有機発光層９の赤色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の光変換層１３Ｒに向けて出射される。このうち、光変換層１３Ｒに向けて出射された青色光は、光変換層１３Ｒの波長変換部材によって赤色光に波長変換される。このときの変換効率は、材料に基づき変動するが、概ね３０～９０％である。そして、変換された光と、有機発光層６Ｒから光変換層１３Ｒに向けて出射された赤色光とが加算されて、赤色フィルタ１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され色純度を増した赤色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
　同様に、緑色サブ画素では、開口部２Ｇ内にある有機発光層６Ｇから発された緑色光と、第２青色有機発光層９の緑色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の光変換層１３Ｇに向けて出射される。このうち、青色光は光変換層１３Ｇの波長変換部材によって緑色光には波長変換される。このときの変換効率も、概ね３０～９０％である。そして、変換された光と、有機発光層６Ｇから光変換層１３Ｒに向けて出射された緑色光とが加算されて、緑色フィルタ１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され色純度を増した緑色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
　また、青色サブ画素では、開口部２Ｂ内にある有機発光層６Ｂから発された青色光と、第２青色有機発光層９の青色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の青色フィルタ１４Ｂに向けて出射される。そして、青色フィルタ１４Ｂに向けて出射された青色光は、青色フィルタ１４Ｂにて青色以外の色成分が吸収され色純度を増した青色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
　以上説明したように、本実施の形態に係る表示パネル１００では、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換して表示パネル１００の出力として出射することができる。これにより、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても発光輝度の向上することができる。その結果、電流に対する表示パネルとしての輝度の大きさである電流効率を増加し、発光効率が向上する。
　＜効果＞
　以上説明したように、本実施の形態に係る表示パネル１００は、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネル１００であって、以下の構成を有する。すなわち、基板１と、基板１上に、各色サブ画素の領域を区画する隔壁２と、基板１上の赤色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第１画素電極３、赤色有機発光層６Ｒとを有する。基板１上の緑色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第２画素電極３、緑色有機発光層６Ｇとを有する。基板１上の青色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第３画素電極３、第１青色有機発光層６Ｇとを有する。赤色有機発光層６Ｒ、緑色有機発光層６Ｇ、及び第１青色有機発光層上６Ｂに、電荷発生層８を有する。電荷発生層８上の各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層９を有する。第２青色有機発光層９上の各色サブ画素領域内に第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極１１を有する。第２青色有機発光層９上の赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を赤色光に変換する第１光変換層１３Ｒを有する。第２青色有機発光層９上の緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を緑色光に変換する第２光変換層１３Ｇを有することを特徴とする。
　この構成により、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換して表示パネル１００の出力として出射することができる。これにより、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても発光輝度の向上が図れ、発光効率が向上することができる。
　また、電荷発生層、第２青色有機発光層、陰極について、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素を含む画素領域全体に対して膜の蒸着を行う構成としたことで以下の効果を有する。すなわち、シャドウマスク法を用いていたときにマスク開口を含むマスク全体に材料を付着させることにより生じていた材料損失を防止でき、蒸着材料を有効活用することができる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせする必要がなく生産効率を向上できる。これにより、材料コストの低減と生産効率の向上することができる。
　＜変形例１＞
　以上、実施の形態１に係る表示パネル１００について説明したが、例示した表示パネル１００を以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施の形態で示した通りの表示パネル１００に限られないことは勿論である。
　上記した実施の形態に係る表示パネル１００では、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換する光変換層を備えた構成とした。しかしながら、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して表示パネルの出力として出射する構成であれば良く、下記のとおり変形可能である。
　図９は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。図９に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００Ａ（以後、「表示パネル１００Ａ」と略称する）は有機ＥＬ表示パネル１００から、光変換層１３Ｒ及び光変換層１３Ｇを除いた構成を採る。
　この構成により、赤色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色は、赤色フィルタ１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され残余の赤色光のみが、有機発光層６Ｒから出射された赤色光と加算されて、表示パネル１００Ａの出力として外部に出射される。このときの青色光の透過率は、例えば、概ね０～５％であってもよい。同様に、緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色は、緑色フィルタ１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され残余の緑色光のみが、有機発光層６Ｇから出射された緑色光と加算されて、表示パネル１００Ａの出力として外部に出射される。このときの青色光の透過率は、例えば、概ね０～５％であってもよい。
　これにより、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光の一部を、表示パネル１００Ａの出力として出射することができ、発光効率を向上させることができる。
　＜変形例２＞
　また、有機ＥＬ表示パネル１００の構成において、対向電極１１上の青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９及び第１青色有機発光層６Ｂの少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層１３Ｂを備えた構成としてもよい。
　図１０は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｂの画素構造を模式的に示す断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００Ｂでは、第３光変換層１３Ｂは、第２青色有機発光層９上の青色サブ画素領域内、開口部２Ｂの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光又は第１青色有機発光層６Ｂが発した青色光の少なくとも何れか一方を異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する機能を有する。係る構成により、第３光変換層１３Ｂから出射された青色光は、より一層色純度を増した青色光として、カバーガラス１１５の上方に出射される。
　≪実施の形態２≫
　次に、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００（以後、「表示パネル２００」と略称する）について説明する。表示パネル２００は、表示パネル１００において、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のサブ画素から構成されている各画素に対し、各画素が濃青色も発色する濃青色サブ画素を含む点て相違する。表示パネル２００は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のサブ画素については、表示パネル１００と同様であり説明を省略する。
　図１１は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の画素構造を模式的に示す断面図である。図１２、図１３、図１４は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。
　図１１、図１２において、基板１０１は、バンク１０２、陽極１０３、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、有機発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ、第１電子輸送層１０７、電荷発生層１０８、第２青色有機発光層１０９、第２電子輸送層１１０、陰極１１１、樹脂封止層１１２、光変換層１１３Ｒ、１１３Ｇ、赤色フィルタ１１４Ｒ、緑色フィルタ１１４Ｇ、カバーガラス１１５の材質、製造方法、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に存する部分の構造、寸法等については、表示パネル１００における構成と同じであり説明を省略する。
　表示パネル２００では、基板１０１上には、陽極１０３が互いに間隔を開けて形成されている。基板１０１および陽極１０３の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に対応する位置に複数の開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、２ＤＢが形成されたバンク１０２が設けられている。このうち、開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ内部とその上方の構成は、表示パネル１００と同じである。１０２Ｂ開口部の内部には、正孔注入層１０４、有機発光層１０６Ｂが形成されている。開口部１０２ＤＢの内部には、正孔注入層１０４が形成され、有機発光層は形成されていない。開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、１０２ＤＢに各々形成された有機発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ（以後、１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ、を区別しない場合には「有機発光層１０６」と略称する）、陽極１０３を覆うように、各開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、１０２ＤＢにまたがるように、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０、陰極１１、樹脂封止層１２が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている。そして、濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの上方には、青色サブ画素と濃青色サブ画素とをまたがる状態で青色フィルタ１１４Ｂが形成されている。
　この構成により、濃青色サブ画素では、開口部１０２ＤＢ内にある第２青色有機発光層１０９の濃青色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１１５上の青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射される。そして、青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射された青色光は、青色フィルタ１１４Ｂにて青色以外の色成分が吸収され色純度を増した青色光として、カバーガラス１１５の上方に出射される。
　第２青色有機発光層１０９より発される光は、有機発光層１０６Ｂから発される光よりも、色純度が高い。そのため、濃青色サブ画素では、青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射される光はもとより色純度が高く、その結果、濃青色サブ画素から外部へ出射される青色光も色純度が高い。これにより、表示パネル２００では、青色サブ画素と濃青色画素とから出射される青色光を合成することにより、実施の形態１に係る表示パネル１００の効果に加えて、表示パネル全体として出射される青色光の色純度を向上することができる。
濃青色サブ画素と、それよりも発光効率の高い青色サブ画素とを制御して画像表示させることで表示パネルの消費電力を抑制することが可能となる。例えば、濃い青色が必要でない画像を出力するときは発光効率の高い青色サブ画素のみを発光させて画像表示することができる。
＜変形例３＞
　実施の形態２に係る表示パネル２００では、濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの上方には、青色サブ画素と濃青色サブ画素とをまたがる状態で青色フィルタ１１４Ｂが形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル２００において、そして、青色サブ画素を規定する開口部１０２Ｂ又は濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの何れか一方の上方にのみ青色フィルタ１１４Ｂを設け、それを除く開口部１０２Ｂ及び開口部１０２ＤＢの上方には青色フィルタ１１４Ｂを設けない構成としてもよい。あるいは、開口部１０２Ｂ及び開口部１０２ＤＢの上方には青色フィルタ１１４Ｂを設けない構成としてもよい。これにより、青色サブ画素及び濃青色サブ画素上方に青色フィルタ１１４Ｂを設けた場合に比べて青色サブ画素の発光効率を向上できる。その結果、濃青色サブ画素と、青色サブ画素とを制御して画像表示させることで表示パネルの消費電力をさらに抑制することが可能となる。
　<変形例４＞
　以上、実施の形態２に係る表示パネル２００及び変形例３について説明したが、例示した表示パネル２００及び変形例３を以下のように変形することも可能である。図１５は、変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル２００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。図１５に示すように、有機ＥＬ表示パネル２００Ａ（以後、「表示パネル２００Ａ」と略称する）は有機ＥＬ表示パネル２００から、光変換層１１３Ｒ及び光変換層１１３Ｇを除いた構成を採る。これにより、表示パネル１００Ａと同様に、実赤色サブ画素にある第２青色有機発光層１０９の部分から出射された青色は、赤色フィルタ１１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され残余の赤色光のみが、有機発光層１０６Ｒから出射された赤色光と加算されて外部に出射される。同様に、緑色サブ画素にある第２青色有機発光層１０９の部分から出射された青色は、緑色フィルタ１１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され残余の緑色光のみが、有機発光層１０６Ｇから出射された緑色光と加算され外部に出射される。
　これにより、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光の一部を、表示パネル２００Ａの出力として出射でき発光効率を向上できる。
　＜その他の変形例＞
　以上、実施の形態に係る表示パネルについて説明したが、例示した表示パネルを以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施の形態で示した通りの表示パネルに限られないことは勿論である。
　（１）実施の形態１に係る表示パネル１００、実施の形態２に係る表示パネル２００、変形例３では、第１光変換層上の赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層の発する青色光を遮る第１フィルタ部と、第２光変換層上の緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層の発する青色光を遮る第２フィルタ部を備えた構成とした。
　しかしながら、表示パネル１００、２００又は変形例３の構成において、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して表示パネルの出力として出射する構成であれば良く、第１フィルタ部、第２フィルタ部を設けない構成としてもよい。第１光変換層、第２光変換層の出射光の色純度を高めることにより、第１フィルタ部、第２フィルタ部を省略しても、表示パネルとしての出射光の色純度を確保することができる。
　（２）実施の形態１に係る表示パネル１００、変形例１に係る表示パネル１００Ａ、変形例２に係る表示パネル１００Ｂでは、各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが各々形成されている構成とした。しかしながら、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から発される青色光を吸収して、各々色純度を増した赤色光、緑色光としてカバーガラス１５の上方に出射される構成であれば良く、青色サブ画素領域には青色フィルタ１４Ｂを設けない構成としてもよい。すなわち、表示パネ１００、１００Ａ、１００Ｂの構成において、各色サブ画素に対応する開口部２Ｒ、２Ｇの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇが各々形成され、開口部２Ｂの上方には青色フィルタ１４Ｂが形成されていない構成としてもよい。係る構成においても、赤色画素領域、及び緑色画素領域について輝度向上を図り発光効率を向上するとともに、表示パネルとしての出射光の色純度を確保することができる。
　（３）実施の形態１、２に係る表示パネル１００、２００では、赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び第１青色有機発光層と電荷発生層との間に、第１電子注入層と、電荷発生層と第２青色有機発光層との間の各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備えた構成とした。
　しかしながら、必ずしも第２電子注入層、第１電子注入層を設ける必要はなく、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色サブ画素の何れか又は全部において、第２電子注入層、第１電子注入層の何れか一方又は両方を設けない構成としてもよい。また、上記実施の形態１、２では、第２電子注入層、第１電子注入層から構成されているが、これに限られず、さらに電子注入層が含まれていてもよい。
　（４）実施の形態１、２に係る表示パネル１００、２００では、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにまたがるように、第１電子輸送層、電荷発生層、第２青色有機発光層、第２電子輸送層、陰極が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている構成とした。
　しかしながら、これらの膜は、全てが画素全体にわたるベタ膜として形成されている必要は必ずしもなく、これらの膜の一部又は全部について、赤色サブ画素領域、緑色サブ画素領域、及び青色サブ画素領域に分割されている構成としてもよい。
　この場合も、「第１電子輸送層」、「電荷発生層」、「第２青色有機発光層」、「第２電子輸送層」、および「陰極」は、Ｒ、Ｇ、Ｂ等各色サブ画素に分割して配置された複数の領域を総称したものをさす。
　（５）上記実施の形態１、２では、ＴＦＴが設けられた基板に近い側に陽極、遠い側に陰極が設けられていたが、逆に、ＴＦＴが設けられた基板に近い側に陰極、遠い側に陽極が設けられている場合も、同様に実施できる。
≪補足≫
　以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
　また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
　さらに、表示パネル、表示装置においては基板上に回路部品、リード線等の部材も存在するが、電気的配線、電気回路について当該技術分野における通常の知識に基づいて様々な態様を実施可能であり、本発明の説明として直接的には無関係のため、説明を省略している。尚、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
　本発明の有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ発光装置をはじめとして、有機発光装置等に広く利用可能である。
　１　基板
　２　隔壁（バンク）
　３　画素電極（陽極）
　４　正孔注入層
　５　正孔輸送層
　６　有機発光層
　６Ｂ　第１青色有機発光層
　６Ｇ　緑色有機発光層
　６Ｒ　赤色有機発光層
　７　第１電子輸送層
　８　電荷発生層
　９　第２青色有機発光層
　１０　第２電子輸送層
　１１　対向電極
　１２　樹脂封止層
　１３Ｒ　第１光変換層
　１３Ｇ　第２光変換層
　１４Ｒ　赤色フィルタ
　１４Ｇ　緑色フィルタ
　１４Ｂ　青色フィルタ
　１５　ガラス層
　１７　駆動制御部
　１８～２１　駆動回路
　２２　制御回路
　１００、１００Ａ、２００、２００Ａ　有機ＥＬ表示パネル
　１０００　表示装置

Claims (18)

  1. 　赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    　基板と、
    　前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    　前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    　前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    　前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、基前記板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    　前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、
    　前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    　前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
  2. 　前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層は湿式プロセスで形成され、
    　前記第２青色有機発光層、及び前記電荷発生層は乾式プロセスで形成されている
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 　前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、
    　前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と
    を備えた請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 　前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層を備えた
    を備えた請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 　前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた
    を備えた請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 　前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層と、
    　前記第３光変換層上に、前記第３光変換層から上方に出射される光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた
    を備えた請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. 　さらに、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層と、前記電荷発生層との間に、第１電子注入層と、
    　前記第２青色有機発光層と前記対向電極との間の前記各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備え、
    　前記第２電子注入層は、前記第１電子注入層よりも膜厚が厚い
    請求項１から６の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 　前記電荷発生層は、前記第２青色有機発光層に対してホールを供給し、
    　前記各サブ画素領域内にある部分から、同じサブ画素領域内にある前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れかに対し電子を供給する
    請求項１から７の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 　前記電荷発生層は、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の上に分割されている請求項１から８の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  10. 　前記第２青色有機発光層は、前記各色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記青色サブ画素領域に分割されている請求項１から９の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  11. 　赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    　基板と、
    　前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    　前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    　前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    　前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    　前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、
    　前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    　前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
  12. 　前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた
    を備えた請求項１１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  13. 　前記請求項１から１２の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    　前記第１、第２、第３の画素電極、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層を湿式プロセスにより形成する工程と、
    前記電荷発生層、前記第２青色有機発光層、対向電極を乾式プロセスにより形成する工程とを有する
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  14. 　前記湿式プロセスは、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、フォトリソ法から選択される１又は複数であり、
    　前記乾式プロセスは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法から選択される１又は複数である
    請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
  15. 　赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    　基板と、
    　前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    　前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    　前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    　前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    　前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、
    　前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、
    　前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    　前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
  16. 　前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、
    　前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と
    を備えた請求項１５に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  17. 　前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部と、
    　前記対向電極上方の前記濃青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の一部を遮る第４フィルタ部の
    　少なくとも何れか一方を備えた請求項１５又は１６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  18. 　赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    　基板と、
    　前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    　前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    　前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    　前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    　前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、
    　前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、
    　前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    　前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第１フィルタ部と、
    　前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第２フィルタ部と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
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