JP6291698B2 - 有機ｅｌ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネル、それを用いた表示装置および有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関する。
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機発光素子を行列方向に複数配列し有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルが実用化されている。
この有機ＥＬ表示パネルの構成として、基板の上に駆動回路（例えば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を含む）が設けられ、その駆動回路の上に絶縁層が設けられ、さらに複数の有機発光素子が配列されてなるものが一般的に知られている。そして、各有機発光素子は、基板上の絶縁層の上に設けられた陽極、この陽極上に設けられた有機発光材料からなる発光層及び機能層の積層体、その上に設けられた透明導電性の陰極を基本構造として備えている。このような有機発光素子は、電流駆動型の発光素子であって、駆動時には、陽極と陰極との間に電圧が印加され、発光層に注入されるホールと電子が再結合するのに伴って発光する。
有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機発光素子が、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のサブ画素を形成し、隣り合うＲ、Ｇ、Ｂのサブ画素の組み合わせで一画素が形成されている。このような有機ＥＬ表示パネルでは、消費電力低減や長寿命化などの観点から、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ発光素子の発光効率および寿命特性を向上させることが重要である。このＲ、Ｇ、Ｂ各色の有機ＥＬ発光素子の中では青色有機発光素子の寿命が最も短い傾向があり、青色有機発光素子の長寿命化が表示装置の長寿命化に向けた課題となっていた。
そこで、特許文献１では、ノズルプリント法と真空蒸着法とを行うことにより、有機ＥＬ表示パネルにおいて、青色有機発光素子のみ２段に積層したマルチフォトン構造とし、高発光効率化、長寿命化、製造設備のコスト削減、生産性向上を実現する技術が提案されている（例えば、段落００６５参照）。具体的には、湿式成膜法により赤色発光層、緑色発光層及び第１青色発光層を形成した後、青色画素領域にのみ、真空蒸着法により電荷発生層を形成する。その後、赤色発光層、緑色発光層８及び電荷発生層１０を覆うように、真空蒸着法により第２青色発光層を形成する。第２青色発光層は、赤色発光層及び緑色発光層上では電子輸送機能を発揮し、電荷発生層上では青色発光層として機能する。この構成により、同文献には、青色発光素子の長寿命化、製造設備のコストの削減、生産性向上を実現することができると記載されている。
特開２０１３−７３７５９号公報
しかしながら、ディスプレイデバイスとしての高輝度・低消費電力化、及び低価格化のために、有機ＥＬ表示パネルにおいて、さらなる発光効率と生産性の向上が求められている。
本発明は、このような課題に鑑み、マルチフォトン発光構造の有機ＥＬ表示パネルにおいて、さらなる、発光効率と生産性を向上する有機ＥＬ表示パネル提供することを目的とする。
本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配されたことを特徴とする。
上記態様にかかる有機ＥＬ表示パネルでは、上記した構成により、赤色サブ画素領域に存する青色発光層から出射された青色光を赤色光に変換し、緑色サブ画素領域に存する青色発光層から出射された青色光を緑色光に変換して、各々表示パネルの出力光として出射することができる。また、従来のシャドウマスク法による蒸着材料の損失を防止するとともに、精密マスクを高精度に位置合わせする工程を削減できる。その結果、マルチフォトン発光構造の有機ＥＬ表示パネルにおいて発光効率と生産性をさらに向上することができる。
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態１に係る表示装置１０００の外観を例示する図である。 実施の形態１に係る表示装置１０００の機能ブロックを示す図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００における有機発光層６、及び第２青色有機発光層９のエネルギー状態を示す概略図である。 実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の表示機能を模式的に示す断面図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｂの画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の画素構造を模式的に示す断面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。 変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル２００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。
≪本発明を実施するための形態に到った経緯について≫
上述のとおり、特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルでは、発光層を２段のスタック構造としたマルチフォトン発光構造を採用することにより、電流に対する輝度の大きさである電流効率を増加することができる。これは、以下の理由に基づくものと考えられる。すなわち、りん光発光材料の赤色発光層、及び緑色発光層に比べて、蛍光発光材料である第１青色発光層は発光効率が低い。これに対し、真空プロセスにより形成した青色発光層は蛍光材料であるものの、湿式プロセスで形成した第１青色発光層よりも発光効率が高い。これを、第２青色発光層に用いることで、赤色発光層、及び緑色発光層に比べて発光効率が低い第１青色発光層の低輝度を補うことができる。通常有機ＥＬ表示パネルは、駆動時の電流負荷が小さいほど駆動寿命が向上する。特許文献１に記載された有機ＥＬ表示パネルでは、第２青色発光層を加えたことで、電流効率が向上し、所望の輝度を得るのに必要な電流が小さくなるため青色発光については寿命を伸ばすことができたものと考えられる。
しかしながら、特許文献１記載の構成は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の上方に、真空蒸着法により第２青色発光層を形成しているが、このうち、有機ＥＬ表示パネルの発光に寄与しているのは青色発光層の上方にある第２青色発光層の部分だけである。
上述のとおり、ディスプレイデバイスとしてのさらなる高輝度・低消費電力化のために、有機ＥＬ表示パネルにおいても、さらなる、発光効率向上が求められている。そのため、発明者は、赤色発光層、緑色発光層の上方にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して出力し、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても輝度の向上を図ることができれば、有機ＥＬ表示パネル全体として、さらなる輝度向上が図ることができると考えた。
また、表示パネルの生産性においても、青色画素領域にのみ真空蒸着法により電荷発生層を形成する特許文献１記載の構成では生産効率上課題がある。すなわち、真空蒸着法により、青色画素領域にのみ電荷発生層を形成するためには、シャドウマスク法により青色画素領域のみ開口した精密マスクを用いてパターンニングする。この場合、開口を含むマスク全体に蒸着材料を付着させてしまうために材料損失が大きくコストアップの要因となる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせすることも生産効率を低下させる要因となる。これらを防止し、有機ＥＬ表示パネルのさらなる低価格化のために、真空蒸着法では精密なシャドウマスク法を用いず画素領域全体に対して蒸着を行うことが、材料を有効活用することができ、材料コストや生産効率の上で効果的であると考えられる。
そこで、発明者は、マルチフォトン発光構造による有機ＥＬ表示パネルにおいて、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても輝度向上を図ることができ、真空蒸着法ではシャドウマスク法を用いず画素領域全体に対して蒸着を行うことで製造可能なデバイス構造ついて鋭意検討を行い、本発明の実施の形態に記載の有機ＥＬ表示パネルに想到したものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルは、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、基前記板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配されたことを特徴とする。
また、別の態様では、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層は湿式プロセスで形成され、前記第２青色有機発光層、及び前記電荷発生層は乾式プロセスで形成されている構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と、前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第１青色有機発光層および/もしくは前記第２青色発光層の発する青色光の少なくとも一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層と、前記第３光変換層上に、前記第３光変換層から上方に出射される光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第一フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と、前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第１青色有機発光層および/もしくは前記第２青色発光層の発する青色光の少なくとも一部を遮る第３フィルタ部をとを備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、さらに、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層と、前記電荷発生層との間に、第１電子注入層と、前記第２青色有機発光層と前記対向電極との間の前記各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備え、前記第２電子注入層は、前記第１電子注入層よりも膜厚が厚い構成であってもよい。
また、別の態様では、前記電荷発生層は、前記第２青色有機発光層に対してホールを供給し、前記各サブ画素領域内にある部分から、同じサブ画素領域内にある前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の何れかに対し電子を供給する構成であってもよい。
また、別の態様では、前記電荷発生層は、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の上に分割されている構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第２青色有機発光層は、前記各色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記青色サブ画素領域に分割されている構成であってもよい。
また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部とが配された構成であってもよい。
また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層とが配された構成であってもよい。
また、別の態様では、前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部とを備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部と、前記対向電極上方の前記濃青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の一部を遮る第４フィルタ部の少なくとも何れか一方を備えた構成であってもよい。
また、別の態様では、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第１フィルタ部と、前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第２フィルタ部とが配された構成であってもよい。
本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、上記の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１、第２、第３の画素電極、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層を湿式プロセスにより形成する工程と、前記電荷発生層、前記第２青色有機発光層、対向電極を乾式プロセスにより形成する工程とを有することを特徴とする。
また、別の態様では、前記湿式プロセスは、印刷法、スピンコート法、インクジェット法、フォトリソ法から選択される１又は複数であり、前記乾式プロセスは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法から選択される１又は複数である構成であってもよい。
以下、実施の形態について説明する。
≪実施の形態１≫
実施の形態１ではトップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネルに関して説明する。
＜ 有機ＥＬ表示パネル１００の全体構成＞
図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の画素構造を模式的に示す断面図である。この有機ＥＬ表示パネル１００（以後、「表示パネル１００」と略称する）においては、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色のサブ画素を含む複数の画素が行方向及び列方向にマトリックス状に規則的に配置されている。
図１に示すように、表示パネル１００は、基板１をベースとして形成されている。そして、基板１上には、陽極３が互いに間隔を開けて形成されている。基板１および陽極３の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に対応する位置に複数の開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成された隔壁２（以後、「バンク２」と称する）が設けられている。
開口部２Ｒの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、赤色有機発光層６Ｒ（以後「有機発光層６Ｒ」と略称する）が、順次形成されている。開口部２Ｇの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、緑色有機発光層６Ｇ（以後「有機発光層６Ｇ」と略称する）が、順次形成されている。開口部２Ｂの内部には、正孔注入層４、正孔輸送層５、第１青色有機発光層６Ｂ（以後「有機発光層６Ｂ」と略称する）が、順次形成されている。各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにおける、正孔注入層４の膜厚は、互いに独立であり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで異ならせてもよい。正孔輸送層５についても同様に各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで膜厚を異ならせてもよい。また、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの一部又は全部において、正孔注入層４を設けない構成としてもよく、正孔輸送層５についても同様である。
有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（以後、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを区別しない場合には「有機発光層６」と略称する）を覆うように、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにまたがるように、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０、陰極１１、樹脂封止層１２が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている。
したがって、「第１電子輸送層７」、「電荷発生層８」、「第２青色有機発光層９」、「第２電子輸送層１０」および「陰極１１」は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素にある領域を総称したものをさす。本実施の形態においては、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９光変換層１３、第２電子輸送層１０、陰極１１を平面視した場合の各層の外周縁が一致する構成としている。
そして、赤色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒの上方に第１光変換層が、緑色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｇの上方に第２光変換層が、各々形成されている。さらに、各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、各々、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが形成され、それら上方を覆うようにカバーガラス１５が配置されている。
＜各要素の構成＞
以下、表示パネル１００を構成する各構成要素について説明する。
（基板）
基板１は表示パネル１００における背面基板であり、その表面には、表示パネル１００をアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ ＴａｎｓｉｓｔｏＲ）を含むＴＦＴ層（不図示）が形成されている。
基板１の材料は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板及び石英板、並びに、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミド、シリコーン系樹脂などのプラスチック板又はプラスチックフィルム、並びに、アルミナなどの金属板又は金属ホイルなどである。ＴＦＴ層には、各ＴＦＴに対して外部から電力を供給するための配線部が含まれるが、本実施の形態においては、説明をわかりやすくするために、陽極のみを取り出して図示している。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、トップエミッション構造であるので、基板１は透光性を有する必要はない。なお、基板１及び後述する陽極３に透光性の材料からなるものを用いることにより、ボトムエミッション構造とすることもできる。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、パッシブマトリクス方式を用いて駆動する構成とすることもできる。
（バンク）
バンク２は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色に分かれたサブ画素領域の規定、および陰極のエッジをカバーする役割を果たす。バンク２は、絶縁性材料により形成されていれば良く、有機溶剤耐性を有することが好ましい。また、バンク２はエッチング処理、ベーク処理などされることがあるので、それらの処理に対する耐性の高い材料で形成されることが好ましい。バンク２の材料は、樹脂などの有機材料であっても、ガラスなどの無機材料であってもよい。有機材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などを使用することができ、無機材料として、シリコンオキサイド（ＳｉＯ２）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）などを使用することができる。バンク２の高さは、充填する機能層の構成に応じて選択すればよい。例えば０．５μｍ以上２μｍ以下としても良く、より好ましくは、０．８μｍ以上１．２μｍ以下としてもよい。
バンク２は、基板１上に感光性樹脂を塗布しフォトリソグラフィ法によりサブ画素に対応したパターンを形成する方法等により形成することができる。
（陽極）
陽極３は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色に分かれたサブ画素毎に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ内に形成されている。陽極３は、基板１に配されたＴＦＴに電気的に接続されており、発光素子の正極として機能すると共に、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒから陽極３に向けて出射された光を反射する機能を有する。反射機能は、陽極３の構成材料により発揮されるものでもよいし、陽極３の表面部分に反射コーティングを施すことにより発揮されるものでもよい。陽極３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、ＡＧ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣＲ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣＲ（ニッケルとクロムの合金）、Ｍｏ（モリブデン）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）等で形成されている。
陽極３を覆うように透明導電層（不図示）を設ける構成としてもよい。透明導電層は、製造過程において陽極３が自然酸化するのを防止する保護層として機能する。透明導電層の材料は、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒで発生する光に対して十分な透光性を有する導電性材料により形成されればよく、材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。
陽極３の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、スパッタリング法を用いることができる。また、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いて形成することもできる。
（正孔注入層）
正孔注入層４は、正孔を有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒに注入する機能を有する。正孔注入層４の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、アザトリフェニレン誘導体、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）、酸化タングステン（ＷＯx）、酸化モリブデン（ＭｏＯx）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏxＷyＯz）などの遷移金属の酸化物等を挙げることができる。遷移金属の酸化物で形成することで、電圧−電流密度特性を向上させ、また、電流密度を高めて発光強度を高めることができる。なお、これ以外に、遷移金属の窒化物などの金属化合物も適用できる。
（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から注入された正孔を有機発光層６へ輸送する機能を有する。正孔輸送層５の材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）が挙げられる。好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を挙げることができる。
正孔注入層４、及び正孔輸送層５の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。また、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。より好ましくは、低コスト化のためにインクジェット法等湿式成膜プロセスを用いることが好ましい。
（有機発光層）
有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒは、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応する光を発する有機材料を含むように構成されている。開口部２ＲにはＲに対応して発光する有機材料、開口部２ＧにはＧに対応して発光する有機材料、開口部２ＢにはＢに対応して発光する有機材料をそれぞれ含む有機発光層６が形成される。
有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの材料は、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）等を挙げることができる。
有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。また、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。より好ましくは、低コスト化のためにインクジェット法等湿式成膜プロセスを用いることが好ましい。
（電子輸送層）
第１電子輸送層７は、後述する電荷発生層８から注入された電子を有機発光層６へ輸送する機能を有する。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒ上に開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として第１電子輸送層７は形成されている。
第１電子輸送層７の材料は、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トジアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体等を挙げることができる。
なお、電子注入性を更に向上させる点から、上記電子輸送層を構成する材料に、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドーピングしてもよい。
第２電子輸送層１０は、陰極１１から注入された電子を第２青色有機発光層９へ輸送する機能を有する。第２青色有機発光層９上に、開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として第２電子輸送層１０は形成されている。
第２電子輸送層１０の材料は、第１電子輸送層７と、同種の材料を用いることができる。
また、第２電子輸送層１０の成膜の際、第２青色有機発光層９を保護するために、第２電子輸送層１０の膜厚は、第１電子輸送層７の膜厚よりも、厚い構成とすることが好ましく、例えば、第１電子輸送層７の膜厚を５〜１９ｎｍ、第２電子輸送層１０の膜厚を３０〜３５ｎｍとすることが好ましい。
（電荷発生層）
電荷発生層８は、第２青色有機発光層９に対してホールを供給し、各サブ画素領域内にある部分から同じサブ画素領域内にある有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対し電子を供給する機能を有する。第１電子輸送層７上に開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として電荷発生層８は形成されている。
電荷発生層８は、電子受容性物質と電子供与性物質の積層体又は混合体からなる。電子受容性物質と電子供与性物質との界面又は境界において、電子受容性物質と電子供与性物質間での電子移動を伴う反応により発生した電荷が、電圧印加時に陰極１１方向と陽極３方向へ移動する。これにより、電荷発生層８に対し陰極１１側に位置する第２青色有機発光層９へホールを供給し、電荷発生層８に対し陽極３側に位置する有機発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂへ第１電子輸送層７を介して電子を供給する。このため、電荷発生層８を形成する材料は、異なる２種類の物質の積層体又は混合体からなり、２種類の物質間で酸化還元反応によるラジカルカチオンとラジカルアニオンからなる電荷移動錯体を形成する。電荷移動錯体中のラジカルカチオン状態とラジカルアニオン状態、すなわち、電荷移動錯体中のホール及び電子が、電圧印加時にそれぞれ陰極方向と陽極方向へ移動する。
電荷発生層８の材料は、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属薄膜、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化レニウム、酸化タングステン等の金属酸化物、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の透明導電膜などから構成される積層体を挙げることができる。ｎ型半導体とｐ型半導体の積層体、金属薄膜もしくは透明導電膜とｎ型半導体及び／またはｐ型半導体との積層体、ｎ型半導体とｐ型半導体の混合物、ｎ型半導体及び／またはｐ型半導体と金属との混合物等を用いることが好ましい。
具体的には、電子受容性物質を構成する材料としては、例えば、Ｖ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ｎ型の半導体特性を示す有機半導体であるテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）等を挙げることができる。電子供与性物質としては、アリール誘導体を挙げることができる。また、より好ましくは、電荷発生層を強電子受容性物質（例えばＨＡＴＣＮ６）で構成し、この強電子受容性物質の陰極側に隣接するホール輸送層を電子供与性物質（例えばＮＰＢ）を用いる構成としてもよい（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １２ （２０１１）７１０-７１５に記載）。
また、別の態様としては、Ａｌ／Ａｕ、Ｃｕ／Ａｇ、Ｆ１６ＣｕＰｃ／ＣｕＰｃ（ヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン／銅フタロシアニン）、Ａｌ／ＷＯ３／Ａｕ等を用いる構成としてもよい（ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ ９１、１２３５０４ ２００７に記載）。
（第２青色有機発光層）
第２青色有機発光層９は、有機発光層６と同様、キャリア（ホールと電子）の再結合による発光を行う部位であり、青色に対応する光を発する有機材料を含むように構成されている。開口部２Ｒ、開口部２Ｇ、開口部２Ｂにまたがって画素全体にわたるベタ膜として青色に発光する有機材料をそれぞれ含む第２電子輸送層１０が形成される。
第２電子輸送層１０の材料は、第１電子輸送層７と、同種の材料を用いることができる。
上述した第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、真空蒸着法を用いることができる。これは、真空蒸着法等の乾式成膜プロセスにより形成した青色発光層は蛍光材料であるものの、湿式プロセスで形成した第１青色発光層よりも発光効率が高く、真空プロセスで製造した第２青色発光層に用いることで、赤色発光層、及び緑色発光層に比べて発光効率が低い第１青色発光層の低輝度を効果的に補うことができるからである。
（陰極）
陰極１１は、有機ＥＬ素子の負極として機能する。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒで発生した光に対して透光性を有する導電性材料で形成される透明導電層を有する。透明導電層の材料として、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などが好ましい。
また、透明導電層に金属層（不図示）を積層して多層膜としてもよい。金属層の材料は、ＡＧ（銀）をはじめとして、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、あるいはこれら金属の合金を挙げることができる。
陰極１１を覆うように薄膜封止層（不図示）を設ける構成としてもよい。薄膜封止層は、基板１との間に挟まれた各層が水分や空気に晒されることを防止し、光学的な調整を行う機能を有する。薄膜封止層の材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）や樹脂等である。
陰極１１の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、スパッタリング法を用いることができる。
（樹脂封止層）
樹脂封止層１２は、基板１から薄膜封止層までの各層からなる背面パネルと、カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒが形成された基板１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。樹脂封止層１２の材料は、例えば、樹脂接着剤等である。
（光変換層）
第１光変換層１３Ｒは、第２青色有機発光層９上の赤色サブ画素領域内、開口部２Ｒの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を赤色光に変換する機能を有する。第２光変換層１３Ｇは、第２青色有機発光層９上の緑色サブ画素領域内、開口部２Ｂの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を緑色光に変換する機能を有する。
第１光変換層１３Ｒ、第２光変換層１３Ｇ（以後、１３Ｒ、１３Ｇを区別しない場合は、「光変換層１３」と略称する）は、上記の第２青色有機発光層９からの発光を吸収して、波長変換できる蛍光色素を含有するものであればよい。
第１光変換層１３Ｒの材料は、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（以下ＤＣＭと略記する）等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１、３−ブタジエニル）−ピリジウム−パークロレート（以下ピリジン１と略記する）等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のローダミン系色素、他にオキサジン系（いずれも特開平９−２７９３９４号公報に記載）等を挙げることができる。
第２光変換層１３Ｇの材料は、例えば、２、３、５、６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジノ（９、９ａ、１−ｇｈ）クマリン（以下クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン６）、３−（２’−ベンズイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン３０）等のクマリン色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素（いずれも特開平９−２７９３９４号公報に記載）等を挙げることができる。
さらに、上記以外のものであっても、各種染料、例えば、直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等も蛍光性があれば使用可能である。また、二種以上を混合して用いてもよい。
光変換層１３は、上述に例示するような蛍光色素を蒸着あるいはスパッタリング法で製膜された膜、適当な樹脂を結着性樹脂としてその中に分散させた膜等いずれの形態であってもよい。光変換層１３を主に蛍光色素から構成する場合は、所望の蛍光体層パターンのマスクを介して真空蒸着またはスパッタリング法で成膜する。一方、光変換層１３を蛍光色素と樹脂から構成する場合は、蛍光色素と上記樹脂およびレジストを混合、分散または可溶化させ、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で製膜し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層パターンでパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望の蛍光体層パターンでパターニングすることができる。
この場合、マトリクス樹脂としては、透明な（可視光５０％以上）の材料が好ましく、種々の熱可塑性樹脂を用いることができる。マトリクス樹脂は、通常１００℃、好ましくは１５０℃の加熱に対して分解もしくは変形を起こさないことが望ましい。具体的な材料として、たとえば、ポリメタクリル酸エステルなどのアクリル樹脂、アルキッド樹脂、芳香族炭化水素樹脂（ポリスチレンなど）、セルロース樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレートなど）、ポリアミド樹脂（ナイロン類など）、ポリウレタン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂およびこれらの樹脂混合物などを挙げることができる。
光変換層１３の膜厚は、第２青色有機発光層９の発光を十分に吸収し、蛍光を発生する機能を妨げるものでなければ制限はなく、１０ｎｍ〜５ｍｍ程度が適当である。本実施の形態では、５μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは７以上１５μｍ以下とした。これにより、所望の強度の色変換された出力光を得ることが可能となる。
光変換層１３の膜厚を調整することで、有機発光層６から発光される光の透過強度が変化する。膜厚を薄くする有機発光層６からの光の透過量が増し、膜厚を厚くすると有機発光層６からの透過成分が少なくなり蛍光成分が増加する。透過成分と蛍光成分を合わせた光の輝度が最大となるよう、膜厚を適当に調整することが望ましい。
（カラーフィルタ）
各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒ（以後、１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを区別しない場合は、「カラーフィルタ１４」と略称する）は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色サブ画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒは、具体的には、例えば、複数の開口部をサブ画素単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラス１５に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
＜表示装置の全体構成および外観＞
図２は、本発明の実施の形態に係る表示装置１０００の外観を例示する図である。図３は、本発明の実施の形態に係る表示装置１０００の機能ブロックを示す図である。表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに電気的に接続された駆動制御部１７とを備える。有機ＥＬ表示パネル１００は、図１に示す画素構造を有するものである。駆動制御部１７は、各有機ＥＬ素子の陽極３と陰極１１との間に電圧を印加する駆動回路１８〜２１と、駆動回路１８〜２１の動作を制御する制御回路２２とからなる。
＜有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法＞
有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を図４、図５、図６を参照しながら説明する。図４、図５、図６は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を説明する図である。
先ず、基板１を準備する（図４（ａ））。
次に、基板１上に陽極３を真空蒸着法又はスパッタ法等の乾式成膜プロセスによって厚み１５０ｎｍ程度の膜厚で形成する（図４（ｂ））。さらに、陽極３上に、蒸着法やスパッタ法等により酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる透明導電層（不図示）を形成する（図４（ｂ））。このとき、透明導電層の膜厚を上述した範囲内に適宜調整する。
次に、基板１上に、バンク２を形成する（図４（ｃ））。本実施の形態では、バンク２を構成する材料として、撥液剤を含む感光性樹脂材料を選択し、フォトリソグラフィー法を用いてバンク２を形成する。ここで感光性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂などから構成される公知のレジスト材料を用いることができる。
具体的には、まず、基板１上に、例えばスピンコート法を用いて、バンク２の材料を塗布して成膜する。基板１上における、陽極３が露出するように規定される開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂのパターンに合わせてマスクを配置して露光する。その後、非水系の現像液として、例えばアルカリ性の現像液を用いて膜をエッチングすることにより開口部２Ｒ、２Ｇ、３Ｂのパターンを形成する。その後、２００℃〜２５０℃程度の温度、例えば２００℃の温度にて熱処理を施すことにより、内部に含まれる溶媒などを蒸発させて、バンク２は完成する。
次に、透明導電層上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスにより正孔注入層４を形成する（図４（ｄ））。さらに、正孔注入層４上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスにより正孔輸送層５を形成する（図４（ｅ））。ここで、上述のとおり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにおける、正孔注入層４の膜厚は、互いに独立であり、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで異ならせてもよい。正孔輸送層５についても同様に各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂで膜厚を異ならせてもよい。また、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの一部又は全部において、正孔注入層４を設けない構成としてもよい。正孔輸送層５についても同様である。
次に、正孔輸送層５上に、例えば、インクジェット法等の湿式成膜プロセスによりにより有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを形成する（図４（ｆ））。有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒの膜厚は、例えば約５０（ｎｍ）である。
具体的には、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを構成する機能材料と溶媒とを所定比率で混合し、機能層用インクを調整する。このインクを、インクジェット法を用いて、インクヘッドからインク液滴として、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの開口から滴下し、陽極３の露出した領域を被覆するようにインクを塗布する。そして、インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させ、必要に応じて加熱焼成することにより、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒが形成される。
インク材料は、溶質として、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリパラフェニレンエチレンおよびその誘導体、ポリ３−ヘキシルチオフェンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体などを挙げることができる。
また、溶媒として、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールなどの芳香族系有機溶媒、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒などを挙げることができる。
有機発光層に利用される有機高分子材料としてはポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３−ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を挙げることができる。
上述のとおり、正孔注入層４、正孔輸送層５、有機発光層６の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いることができる。しかしながら、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスも用いることもできる。低コスト化のためには、インクジェット法等の湿式成膜プロセスによりを形成することが好ましい。
次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、有機発光層６Ｂ、６Ｇ、６Ｒを覆うように、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって画素全体にわたるベタ膜として第１電子輸送層７を形成する（図５（ａ））。
次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、電子輸送層７Ｒ上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって画素全体にわたるベタ膜として、電荷発生層８を形成する（図５（ｂ））。
次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、電荷発生層８上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、第２青色有機発光層９を形成する（図５（ｃ））。
次に、真空条約法等の乾式成膜プロセスにより、第２青色有機発光層９上に、、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、第２電子輸送層１０を形成する（図５（ｄ））。
このとき、第２電子輸送層１０の膜厚は、第１電子輸送層７の膜厚よりも、厚いことが好ましく、例えば、第１電子輸送層７の膜厚を５〜３０ｎｍ、第２電子輸送層１０の膜厚を３０〜５０ｎｍとすることが好ましい。第２電子輸送層１０上に、陰極１１をスパッタリング法等により形成する際に、第２電子輸送層１０がスパッタされ、第２青色有機発光層９が損傷することを防止するためである。
上述のとおり、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０の形成方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることができ、より好ましくは、真空蒸着法を用いることができる。このように、画素領域全体に対して膜の蒸着を行うことで、シャドウマスク法を用いていたときにマスク開口を含むマスク全体に材料を付着させることにより生じていた材料損失を防止でき、蒸着材料を有効活用することができる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせする必要ななく生産効率を向上できる。これにより、材料コストの低減と生産効率の向上に資することができる。
次に、第２電子輸送層１０上に、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方にまたがって、画素全体にわたるベタ膜として、陰極１１を形成する（図５（ｅ））。
陰極１１は、例えばＩＴＯを、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで製膜することによって形成する。好ましくは、スパッタリング法により形成することができる。
次に、陰極１１上に樹脂封止層１２を形成する（図６（ａ））。樹脂封止層１２の材料は、例えば、樹脂接着剤等である。
次に、カバーガラス１５に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂを形成する（図６（ｂ））。
上述のとおり、カラーフィルタ１４Ｂ、１４Ｇ、１４Ｒは、例えば、複数の開口部をサブ画素単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルタ形成用のカバーガラス１５に対し、カラーフィルタ材料および溶媒を含有したインクを塗布した後加熱する工程により形成することができる。
次に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ上に光変換層１３Ｒ、１３Ｇを形成する（図６（ｃ））。
上述のとおり、光変換層１３は、蛍光色素を蒸着あるいはスパッタリング法で製膜された膜、適当な樹脂を結着性樹脂としてその中に分散させた膜等で形成することができる。
光変換層１３Ｒ、１３Ｇを主に蛍光色素から構成する場合は、所望の蛍光体層パターンのマスクを介して真空蒸着またはスパッタリング法で成膜する。
一方、光変換層１３Ｒ、１３Ｇを蛍光色素と樹脂から構成する場合は、蛍光色素と上記樹脂およびレジストを混合、分散または可溶化させ、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で製膜し、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光体層パターンでパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望の蛍光体層パターンでパターニングすることができる。
次に、樹脂封止層１２上に、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ、光変換層１３Ｒ、１３Ｇを形成したカバーガラス１５を貼り合わせる（図６（ｄ））。この際、樹脂封止層１２が硬化させてカバーガラス１５と基板１とを接着する。
＜有機ＥＬ表示パネル１００の動作について＞
有機ＥＬ表示パネル１００の動作を図面を参照しながら説明する。図７は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００における有機発光層６、及び第２青色有機発光層９のエネルギー状態を示す概略図である。
図７に示すように、陽極３と陰極１１の間に電圧を付勢した状態において、陽極３から有機発光層６の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）にホールが供給される。陰極１１から第２青色有機発光層９の最低空軌道（ＬＵＭＯ）に電子が供給される。
上述のとおり、電荷発生層８は、電子受容性物質と電子供与性物質の積層体又は混合体からなり、この界面又は境界において、電子受容性物質と電子供与性物質間での電子移動を伴う反応により発生した電荷が、電圧印加時に陰極１１方向と陽極３方向へ移動する。これにより、電荷発生層８に対し陰極１１側に位置する第２青色有機発光層９のＨＯＭＯに対しホールを供給し、電荷発生層８に対し陽極３側に位置する有機発光層６のＬＵＭＯに対し第１電子輸送層７を介して電子を供給する。
そして、有機発光層６に対し陽極３側から供給されたホールと電荷発生層８から供給された電子とが、有機発光層６内で再結合し励起状態を生成して発光する。また、第２青色有機発光層９に対し電荷発生層８側から供給されたホールと陰極１１側から供給された電子とが、第２青色有機発光層９内で再結合し励起状態を生成して発光する。その結果、有機発光層６及び第２青色有機発光層９からなる複数の有機発光層で、電子とホールの再結合が生じ複数の発光が電極間で発生する。これにより、同じ電流にて有機発光層６及び第２青色有機発光層９の両方の発光層を発光させることができるので、表示パネルとしての発光効率を向上させることができる。
図８は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００の表示機能を模式的に示す断面図である。図８に示すように、赤色サブ画素では、開口部２Ｒ内にある有機発光層６Ｒから発された赤色光と、第２青色有機発光層９の赤色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の光変換層１３Ｒに向けて出射される。このうち、光変換層１３Ｒに向けて出射された青色光は、光変換層１３Ｒの波長変換部材によって赤色光に波長変換される。このときの変換効率は、材料に基づき変動するが、概ね３０〜９０％である。そして、変換された光と、有機発光層６Ｒから光変換層１３Ｒに向けて出射された赤色光とが加算されて、赤色フィルタ１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され色純度を増した赤色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
同様に、緑色サブ画素では、開口部２Ｇ内にある有機発光層６Ｇから発された緑色光と、第２青色有機発光層９の緑色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の光変換層１３Ｇに向けて出射される。このうち、青色光は光変換層１３Ｇの波長変換部材によって緑色光には波長変換される。このときの変換効率も、概ね３０〜９０％である。そして、変換された光と、有機発光層６Ｇから光変換層１３Ｒに向けて出射された緑色光とが加算されて、緑色フィルタ１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され色純度を増した緑色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
また、青色サブ画素では、開口部２Ｂ内にある有機発光層６Ｂから発された青色光と、第２青色有機発光層９の青色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１５上の青色フィルタ１４Ｂに向けて出射される。そして、青色フィルタ１４Ｂに向けて出射された青色光は、青色フィルタ１４Ｂにて青色以外の色成分が吸収され色純度を増した青色光として、カバーガラス１５の上方に出射される。
以上説明したように、本実施の形態に係る表示パネル１００では、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換して表示パネル１００の出力として出射することができる。これにより、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても発光輝度の向上することができる。その結果、電流に対する表示パネルとしての輝度の大きさである電流効率を増加し、発光効率が向上する。
＜効果＞
以上説明したように、本実施の形態に係る表示パネル１００は、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネル１００であって、以下の構成を有する。すなわち、基板１と、基板１上に、各色サブ画素の領域を区画する隔壁２と、基板１上の赤色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第１画素電極３、赤色有機発光層６Ｒとを有する。基板１上の緑色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第２画素電極３、緑色有機発光層６Ｇとを有する。基板１上の青色サブ画素領域内に、基板１側から順に、第３画素電極３、第１青色有機発光層６Ｇとを有する。赤色有機発光層６Ｒ、緑色有機発光層６Ｇ、及び第１青色有機発光層上６Ｂに、電荷発生層８を有する。電荷発生層８上の各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層９を有する。第２青色有機発光層９上の各色サブ画素領域内に第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極１１を有する。第２青色有機発光層９上の赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を赤色光に変換する第１光変換層１３Ｒを有する。第２青色有機発光層９上の緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光を緑色光に変換する第２光変換層１３Ｇを有することを特徴とする。
この構成により、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換して表示パネル１００の出力として出射することができる。これにより、赤色画素領域、及び緑色画素領域についても発光輝度の向上が図れ、発光効率が向上することができる。
また、電荷発生層、第２青色有機発光層、陰極について、Ｒ、Ｇ、Ｂサブ画素を含む画素領域全体に対して膜の蒸着を行う構成としたことで以下の効果を有する。すなわち、シャドウマスク法を用いていたときにマスク開口を含むマスク全体に材料を付着させることにより生じていた材料損失を防止でき、蒸着材料を有効活用することができる。また、精密マスクの開口を青色サブ画素のバンクに高精度に位置合わせする必要がなく生産効率を向上できる。これにより、材料コストの低減と生産効率の向上することができる。
＜変形例１＞
以上、実施の形態１に係る表示パネル１００について説明したが、例示した表示パネル１００を以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施の形態で示した通りの表示パネル１００に限られないことは勿論である。
上記した実施の形態に係る表示パネル１００では、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光を、各々赤色光及び緑色光に変換する光変換層を備えた構成とした。しかしながら、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して表示パネルの出力として出射する構成であれば良く、下記のとおり変形可能である。
図９は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。図９に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００Ａ（以後、「表示パネル１００Ａ」と略称する）は有機ＥＬ表示パネル１００から、光変換層１３Ｒ及び光変換層１３Ｇを除いた構成を採る。
この構成により、赤色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色は、赤色フィルタ１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され残余の赤色光のみが、有機発光層６Ｒから出射された赤色光と加算されて、表示パネル１００Ａの出力として外部に出射される。このときの青色光の透過率は、例えば、概ね０〜５％であってもよい。同様に、緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色は、緑色フィルタ１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され残余の緑色光のみが、有機発光層６Ｇから出射された緑色光と加算されて、表示パネル１００Ａの出力として外部に出射される。このときの青色光の透過率は、例えば、概ね０〜５％であってもよい。
これにより、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光の一部を、表示パネル１００Ａの出力として出射することができ、発光効率を向上させることができる。
＜変形例２＞
また、有機ＥＬ表示パネル１００の構成において、対向電極１１上の青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層９及び第１青色有機発光層６Ｂの少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層１３Ｂを備えた構成としてもよい。
図１０は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１００Ｂの画素構造を模式的に示す断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００Ｂでは、第３光変換層１３Ｂは、第２青色有機発光層９上の青色サブ画素領域内、開口部２Ｂの上方にあり、このサブ画素領域内にある第２青色有機発光層９が発した青色光又は第１青色有機発光層６Ｂが発した青色光の少なくとも何れか一方を異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する機能を有する。係る構成により、第３光変換層１３Ｂから出射された青色光は、より一層色純度を増した青色光として、カバーガラス１１５の上方に出射される。
≪実施の形態２≫
次に、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００（以後、「表示パネル２００」と略称する）について説明する。表示パネル２００は、表示パネル１００において、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のサブ画素から構成されている各画素に対し、各画素が濃青色も発色する濃青色サブ画素を含む点て相違する。表示パネル２００は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のサブ画素については、表示パネル１００と同様であり説明を省略する。
図１１は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の画素構造を模式的に示す断面図である。図１２、図１３、図１４は、実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の製造方法を説明する図である。
図１１、図１２において、基板１０１は、バンク１０２、陽極１０３、正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、有機発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ、第１電子輸送層１０７、電荷発生層１０８、第２青色有機発光層１０９、第２電子輸送層１１０、陰極１１１、樹脂封止層１１２、光変換層１１３Ｒ、１１３Ｇ、赤色フィルタ１１４Ｒ、緑色フィルタ１１４Ｇ、カバーガラス１１５の材質、製造方法、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に存する部分の構造、寸法等については、表示パネル１００における構成と同じであり説明を省略する。
表示パネル２００では、基板１０１上には、陽極１０３が互いに間隔を開けて形成されている。基板１０１および陽極１０３の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色サブ画素に対応する位置に複数の開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、２ＤＢが形成されたバンク１０２が設けられている。このうち、開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ内部とその上方の構成は、表示パネル１００と同じである。１０２Ｂ開口部の内部には、正孔注入層１０４、有機発光層１０６Ｂが形成されている。開口部１０２ＤＢの内部には、正孔注入層１０４が形成され、有機発光層は形成されていない。開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、１０２ＤＢに各々形成された有機発光層１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ（以後、１０６Ｒ、１０６Ｇ、１０６Ｂ、を区別しない場合には「有機発光層１０６」と略称する）、陽極１０３を覆うように、各開口部１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ、１０２ＤＢにまたがるように、第１電子輸送層７、電荷発生層８、第２青色有機発光層９、第２電子輸送層１０、陰極１１、樹脂封止層１２が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている。そして、濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの上方には、青色サブ画素と濃青色サブ画素とをまたがる状態で青色フィルタ１１４Ｂが形成されている。
この構成により、濃青色サブ画素では、開口部１０２ＤＢ内にある第２青色有機発光層１０９の濃青色サブ画素内にある部分から発された青色光が、カバーガラス１１５上の青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射される。そして、青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射された青色光は、青色フィルタ１１４Ｂにて青色以外の色成分が吸収され色純度を増した青色光として、カバーガラス１１５の上方に出射される。
第２青色有機発光層１０９より発される光は、有機発光層１０６Ｂから発される光よりも、色純度が高い。そのため、濃青色サブ画素では、青色フィルタ１１４Ｂに向けて出射される光はもとより色純度が高く、その結果、濃青色サブ画素から外部へ出射される青色光も色純度が高い。これにより、表示パネル２００では、青色サブ画素と濃青色画素とから出射される青色光を合成することにより、実施の形態１に係る表示パネル１００の効果に加えて、表示パネル全体として出射される青色光の色純度を向上することができる。
濃青色サブ画素と、それよりも発光効率の高い青色サブ画素とを制御して画像表示させることで表示パネルの消費電力を抑制することが可能となる。例えば、濃い青色が必要でない画像を出力するときは発光効率の高い青色サブ画素のみを発光させて画像表示することができる。
＜変形例３＞
実施の形態２に係る表示パネル２００では、濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの上方には、青色サブ画素と濃青色サブ画素とをまたがる状態で青色フィルタ１１４Ｂが形成されている構成とした。しかしながら、例示した表示パネル２００において、そして、青色サブ画素を規定する開口部１０２Ｂ又は濃青色サブ画素を規定する開口部１０２ＤＢの何れか一方の上方にのみ青色フィルタ１１４Ｂを設け、それを除く開口部１０２Ｂ及び開口部１０２ＤＢの上方には青色フィルタ１１４Ｂを設けない構成としてもよい。あるいは、開口部１０２Ｂ及び開口部１０２ＤＢの上方には青色フィルタ１１４Ｂを設けない構成としてもよい。これにより、青色サブ画素及び濃青色サブ画素上方に青色フィルタ１１４Ｂを設けた場合に比べて青色サブ画素の発光効率を向上できる。その結果、濃青色サブ画素と、青色サブ画素とを制御して画像表示させることで表示パネルの消費電力をさらに抑制することが可能となる。
<変形例４＞
以上、実施の形態２に係る表示パネル２００及び変形例３について説明したが、例示した表示パネル２００及び変形例３を以下のように変形することも可能である。図１５は、変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル２００Ａの画素構造を模式的に示す断面図である。図１５に示すように、有機ＥＬ表示パネル２００Ａ（以後、「表示パネル２００Ａ」と略称する）は有機ＥＬ表示パネル２００から、光変換層１１３Ｒ及び光変換層１１３Ｇを除いた構成を採る。これにより、表示パネル１００Ａと同様に、実赤色サブ画素にある第２青色有機発光層１０９の部分から出射された青色は、赤色フィルタ１１４Ｒにて赤色以外の色成分が吸収され残余の赤色光のみが、有機発光層１０６Ｒから出射された赤色光と加算されて外部に出射される。同様に、緑色サブ画素にある第２青色有機発光層１０９の部分から出射された青色は、緑色フィルタ１１４Ｇにて緑色以外の色成分が吸収され残余の緑色光のみが、有機発光層１０６Ｇから出射された緑色光と加算され外部に出射される。
これにより、各々赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から出射された青色光の一部を、表示パネル２００Ａの出力として出射でき発光効率を向上できる。
＜その他の変形例＞
以上、実施の形態に係る表示パネルについて説明したが、例示した表示パネルを以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施の形態で示した通りの表示パネルに限られないことは勿論である。
（１）実施の形態１に係る表示パネル１００、実施の形態２に係る表示パネル２００、変形例３では、第１光変換層上の赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層の発する青色光を遮る第１フィルタ部と、第２光変換層上の緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある第２青色有機発光層の発する青色光を遮る第２フィルタ部を備えた構成とした。
しかしながら、表示パネル１００、２００又は変形例３の構成において、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分からも光を取り出して表示パネルの出力として出射する構成であれば良く、第１フィルタ部、第２フィルタ部を設けない構成としてもよい。第１光変換層、第２光変換層の出射光の色純度を高めることにより、第１フィルタ部、第２フィルタ部を省略しても、表示パネルとしての出射光の色純度を確保することができる。
（２）実施の形態１に係る表示パネル１００、変形例１に係る表示パネル１００Ａ、変形例２に係る表示パネル１００Ｂでは、各色サブ画素に対応する位置、開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂが各々形成されている構成とした。しかしながら、赤色サブ画素、及び緑色サブ画素にある第２青色発光層の部分から発される青色光を吸収して、各々色純度を増した赤色光、緑色光としてカバーガラス１５の上方に出射される構成であれば良く、青色サブ画素領域には青色フィルタ１４Ｂを設けない構成としてもよい。すなわち、表示パネ１００、１００Ａ、１００Ｂの構成において、各色サブ画素に対応する開口部２Ｒ、２Ｇの上方に、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フィルタ１４Ｇが各々形成され、開口部２Ｂの上方には青色フィルタ１４Ｂが形成されていない構成としてもよい。係る構成においても、赤色画素領域、及び緑色画素領域について輝度向上を図り発光効率を向上するとともに、表示パネルとしての出射光の色純度を確保することができる。
（３）実施の形態１、２に係る表示パネル１００、２００では、赤色有機発光層、緑色有機発光層、及び第１青色有機発光層と電荷発生層との間に、第１電子注入層と、電荷発生層と第２青色有機発光層との間の各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備えた構成とした。
しかしながら、必ずしも第２電子注入層、第１電子注入層を設ける必要はなく、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色サブ画素の何れか又は全部において、第２電子注入層、第１電子注入層の何れか一方又は両方を設けない構成としてもよい。また、上記実施の形態１、２では、第２電子注入層、第１電子注入層から構成されているが、これに限られず、さらに電子注入層が含まれていてもよい。
（４）実施の形態１、２に係る表示パネル１００、２００では、各開口部２Ｒ、２Ｇ、２Ｂにまたがるように、第１電子輸送層、電荷発生層、第２青色有機発光層、第２電子輸送層、陰極が、順次、画素全体にわたるベタ膜として形成されている構成とした。
しかしながら、これらの膜は、全てが画素全体にわたるベタ膜として形成されている必要は必ずしもなく、これらの膜の一部又は全部について、赤色サブ画素領域、緑色サブ画素領域、及び青色サブ画素領域に分割されている構成としてもよい。
この場合も、「第１電子輸送層」、「電荷発生層」、「第２青色有機発光層」、「第２電子輸送層」、および「陰極」は、Ｒ、Ｇ、Ｂ等各色サブ画素に分割して配置された複数の領域を総称したものをさす。
（５）上記実施の形態１、２では、ＴＦＴが設けられた基板に近い側に陽極、遠い側に陰極が設けられていたが、逆に、ＴＦＴが設けられた基板に近い側に陰極、遠い側に陽極が設けられている場合も、同様に実施できる。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
さらに、表示パネル、表示装置においては基板上に回路部品、リード線等の部材も存在するが、電気的配線、電気回路について当該技術分野における通常の知識に基づいて様々な態様を実施可能であり、本発明の説明として直接的には無関係のため、説明を省略している。尚、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
本発明の有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ発光装置をはじめとして、有機発光装置等に広く利用可能である。
１ 基板
２ 隔壁（バンク）
３ 画素電極（陽極）
４ 正孔注入層
５ 正孔輸送層
６ 有機発光層
６Ｂ 第１青色有機発光層
６Ｇ 緑色有機発光層
６Ｒ 赤色有機発光層
７ 第１電子輸送層
８ 電荷発生層
９ 第２青色有機発光層
１０ 第２電子輸送層
１１ 対向電極
１２ 樹脂封止層
１３Ｒ 第１光変換層
１３Ｇ 第２光変換層
１４Ｒ 赤色フィルタ
１４Ｇ 緑色フィルタ
１４Ｂ 青色フィルタ
１５ ガラス層
１７ 駆動制御部
１８〜２１ 駆動回路
２２ 制御回路
１００、１００Ａ、２００、２００Ａ 有機ＥＬ表示パネル
１０００ 表示装置

Claims (14)

  1. 赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層上に、電荷発生層と、
    前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に前記第１、第２、及び第３の画素電極の対向電極と、
    前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、
    前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
  2. 前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層は湿式プロセスで形成され、
    前記第２青色有機発光層、及び前記電荷発生層は乾式プロセスで形成されている
    請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  3. 前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、
    前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と
    を備えた請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  4. 前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層を備えた
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  5. 前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  6. 前記対向電極上の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光を当該青色光とは異なる発光スペクトルを持つ青色光に変換する第３光変換層と、
    前記第３光変換層上に、前記第３光変換層から上方に出射される光の一部を遮る第３フィルタ部を備えた
    請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  7. さらに、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層と
    前記電荷発生層との間に、第１電子注入層と、
    前記第２青色有機発光層と前記対向電極との間の前記各色サブ画素領域内に、第２電子注入層とを備え、
    前記第２電子注入層は、前記第１電子注入層よりも膜厚が厚い
    請求項１から６の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  8. 前記電荷発生層は、前記第２青色有機発光層に対してホールを供給し、
    前記各サブ画素領域内にある部分から、同じサブ画素領域内にある前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れかに対し電子を供給する
    請求項１から７の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  9. 前記電荷発生層は、前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、及び前記第１青色有機発光層の上に分割されている請求項１から８の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  10. 前記第２青色有機発光層は、前記各色サブ画素領域、前記緑色サブ画素領域、及び前記青色サブ画素領域に分割されている請求項１から９の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
  11. 赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、
    前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、
    前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、
    前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を赤色光に変換する第１光変換層と、
    前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を緑色光に変換する第２光変換層と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
  12. 前記第１光変換層上の前記赤色サブ画素領域内に、青色光を遮る第１フィルタ部と、
    前記第２光変換層上の前記緑色サブ画素領域内に、青色光を遮る第２フィルタ部と
    を備えた請求項１１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  13. 前記対向電極上方の前記青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層及び前記第１青色有機発光層の少なくとも何れか一方の発する青色光の一部を遮る第３フィルタ部と、
    前記対向電極上方の前記濃青色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の一部を遮る第４フィルタ部の
    少なくとも何れか一方を備えた請求項１１又は１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
  14. 赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び濃青色サブ画素を含む画素を複数有する有機ＥＬ表示パネルであって、
    基板と、
    前記基板上に、前記各色サブ画素の領域を区画する隔壁と、
    前記基板上の前記赤色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第１画素電極、赤色有機発光層と、
    前記基板上の前記緑色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第２画素電極、緑色有機発光層と、
    前記基板上の前記青色サブ画素領域内に、前記基板側から順に、第３画素電極、第１青色有機発光層と、
    前記基板上の前記濃青色サブ画素領域内に、第４画素電極と、
    前記赤色有機発光層、前記緑色有機発光層、前記第１青色有機発光層、及び前記第４画素電極上に電荷発生層と、
    前記電荷発生層上の前記各色サブ画素領域内に、第２青色有機発光層と、
    前記第２青色有機発光層上の各色サブ画素領域内に、前記第１、第２、第３、及び第４の画素電極の対向電極と、
    前記第２青色有機発光層上の前記赤色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第１フィルタ部と、
    前記第２青色有機発光層上の前記緑色サブ画素領域内に、当該サブ画素領域内にある前記第２青色有機発光層の発する青色光の透過を遮る第２フィルタ部と
    が配された有機ＥＬ表示パネル。
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