JPWO2008152915A1 - 磁気デバイスの製造方法、磁気デバイスの製造装置、及び磁気デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
反強磁性層チャンバF1は、下地電極層を形成するためのターゲットTや反強磁性層を形成するためのターゲットTを搭載するスパッタ装置である。反強磁性層チャンバF1は、各ターゲットTをスパッタして各ターゲットTの構成元素と実質的に同一組成の金属膜や反強磁性膜を基板Sの上に成膜する。なお、実質的に同一組成の膜とは、ターゲットからの組成のずれが10(atom% )以下の膜組成を有する膜である。
図2において、反強磁性層チャンバF1は、搬送チャンバFXに連結された真空槽(以下単に、成膜空間21aという。)を有し、搬送チャンバFXの基板Sをチャンバ本体21の内部空間に搬入する。一実施形態では、チャンバ本体21の内部空間を成膜空間21a(成膜室)という。
次に、実施例を挙げて本発明を説明する。
まず、直径が200mmのシリコンウェハを基板Sとして用い、該基板Sに対して上記製造装置10による成膜処理を施し、Ta(5nm)/Ru(20nm)/MnIr(10nm)/CoFe(4nm)/Ru(1nm)/Ta(2nm)からなる積層膜を得た。
・基板温度Tsub:20(℃)、200(℃)、250(℃)、400(℃)
・印加電力密度PD:0.41(W/cm2 )、0.81(W/cm2)、1.22(W/cm2 )、1.63(W/cm2 )、2.44(W/cm2 )
・プロセス圧力PS:0.1(Pa)、0.2(Pa)、0.4(Pa)、1.0(Pa)、2.0(Pa)
・プロセスガス:Ar
そして、各積層膜に対して、室温における磁気ヒステリシス曲線を計測して各積層膜の一方向異方性定数JKを算出した。また、各積層膜に対して、室温におけるシート抵抗値を計測して各積層膜の抵抗均一性を算出した。なお、一方向異方性定数JKは、JK=MS・dF・Hexとして算出した。ここで、Hexは、磁気ヒステリシス曲線における印加磁界方向へのシフト磁界の大きさ(以下単に、交換結合磁界Hexという)である。MS及びdFは、それぞれ固定層(Co70Fe30膜)の飽和磁化MS及び固定層の膜厚dFである。
次に、磁気デバイスの製造装置10を用いて製造した磁気デバイスとしての磁気メモリ30について説明する。図7は、磁気メモリ30を示す概略断面図である。
(1)製造装置10は、成膜空間21aの基板ホルダ24に載置された基板Sを所定の温度に加熱し、プロセス圧力PSを0.1(Pa)以下に減圧する。そして、製造装置10は、反強磁性層の構成元素を主成分とする第2ターゲットT2を、KrとXeの少なくともいずれか一方をプロセスガスとして用いてスパッタすることにより反強磁性層を成膜する。
・上記実施形態のプロセスガスは、KrとXeの混合ガスであってもよく、KrとXeの少なくともいずれか1つを含むガスであればよい。
Claims (5)
- 組成式Mn100−X−MX(Mは、Ru、Rh、Ir、Ptからなる群の中から選択される少なくともいずれか一つの元素である。Xは、20(atom% )≦X≦30(atom% )である。)によって表されるL12規則相を含む反強磁性層を基板の上に成膜して磁気デバイスを製造する磁気デバイスの製造方法であって、
成膜室に前記基板を配置すること、
前記基板を所定の温度に加熱すること、
前記成膜室の圧力を0.1(Pa)以下に減圧すること、
減圧された前記成膜室内で、前記反強磁性層の構成元素を主成分とするターゲットを、KrとXeの少なくともいずれか一方を用いてスパッタすることにより、前記基板の上に前記反強磁性層を成膜すること、
を備えることを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の磁気デバイスの製造方法において、
前記反強磁性層を成膜することは、前記加熱によって100℃〜400℃に加熱された前記基板の上に前記反強磁性層を成膜することを含む
ことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 組成式Mn100−X−MX(Mは、Ru、Rh、Ir、Ptからなる群の中から選択される少なくともいずれか一つの元素である。Xは、20(atom% )≦X≦30(atom% )である。)によって表されるL12規則相を含む反強磁性層を基板の上に成膜して磁気デバイスを製造する磁気デバイスの製造装置であって、
前記基板を収容する成膜室と、
前記成膜室を減圧する減圧部と、
前記成膜室で前記基板を加熱する加熱部と、
前記反強磁性層の構成元素を主成分とするターゲットを有するカソードと、
前記成膜室にKrとXeの少なくともいずれか一方を供給する供給部と、
前記加熱部を駆動して前記基板を所定の温度に加熱し、前記減圧部を駆動して前記成膜室の圧力を0.1(Pa)以下に減圧し、前記供給部を駆動してKrとXeの少なくともいずれか一方を前記成膜室に供給し、前記カソードを駆動して前記ターゲットをスパッタすることにより、減圧された前記成膜室内で前記基板の上に前記反強磁性層を成膜する制御部と、
を備えたことを特徴とする磁気デバイスの製造装置。 - 請求項3に記載の磁気デバイスの製造装置において、
前記制御部は、前記加熱部を駆動して前記基板を100℃〜400℃に加熱させることを特徴とする磁気デバイスの製造装置。 - 組成式Mn100−X−MX(Mは、Ru、Rh、Ir、Ptからなる群の中から選択される少なくともいずれか一つの元素である。Xは、20(atom% )≦X≦30(atom% )である。)によって表されるL12規則相を含む反強磁性層を備えた磁気デバイスであって、
前記反強磁性層は、請求項3又は4に記載の磁気デバイスの製造装置によって製造されたことを特徴とする磁気デバイス。
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