JP4885769B2 - 磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置 - Google Patents
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Description
という。)を得るTMR素子が知られている。
用いて製造すること、を要旨とする。
製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供することができる。
(磁気抵抗素子)
図1において、磁気抵抗素子10の基板11には、下地層12、固定磁性層13、トンネルバリア層14、自由磁性層15、保護層16が、基板11側から順に積層されている。
(磁気デバイスの製造装置)
次に、磁気デバイスの製造装置を構成する磁気抵抗素子の製造装置20を、図2〜図4に従って説明する。図2は、磁気抵抗素子の製造装置20を模式的に示す平面図であり、図3は、酸化マグネシウムチャンバ24を示す側断面図である。
いう。)22、第一下層チャンバ23A、第二下層チャンバ23B、第三下層チャンバ23Cが連通可能に連結されている。また、搬送チャンバ21には、酸化マグネシウムチャンバ(以下単に、MgOチャンバという。)24、第一上層チャンバ25A、第二上層チャンバ25Bが連通可能に連結されている。
てスパッタ粒子の付着を防止する。
2に所定の流量のスパッタガスを供給させ、排気システム33にスパッタ室31Sを所定の圧力値に減圧させる。この状態において、MgOチャンバ24は、回転モータMを駆動してターゲットTの表面に強度が2000(Oe)〜3000(Oe)となる水平磁場を形成し、外部電源FGに所定の電力を印加させ、高密度のプラズマによってターゲットTをスパッタさせる。スパッタされるMgO粒子は、基板11の表面に入射して基板11の表面にMgO層を形成する。
次に、上記製造装置20を利用した磁気デバイスの製造方法について説明する。
まず、複数の基板11が、LLチャンバ22にセットされる。製造装置20は、LLチャンバ22および搬送チャンバ21を駆動してLLチャンバ22の基板11を第一下層チャンバ23A、第二下層チャンバ23B、第三下層チャンバ23Cの順に搬送する。製造装置20は、基板11を第一下層チャンバ23Aに搬入すると、第一下層チャンバ23Aを駆動して基板11の表面を洗浄させる。また、製造装置20は、基板11を第二下層チャンバ23Bに搬入すると、第二下層チャンバ23Bを駆動して基板11の表面に下地層12および固定磁性層13を積層する。
バ22を大気開放し、全ての基板11を製造装置20の外部に搬出させる。
次に、実施例をあげて本発明の効果を説明する。
シリコン酸化膜を有したシリコン基板を基板11として用い、基板11を、第一、第二、第三下層チャンバ23A,23B,23Cに順に搬送し、下地層12としてTa層を形成し、固定磁性層13としてPtMn/Co/Ru/CoFeBからなる積層構造を形成した。
〜2.4×10−1(Pa )になるようにArの流量を調整した。そして、ターゲットT
の表面における水平磁場の強度を2000(Oe)と2600(Oe)に設定した。
MgOチャンバ24において、ターゲットTの表面における水平磁場の強度を800(Oe)と1750(Oe)に設定し、その他の条件を実施例と同じにして比較例としての2つ磁気抵抗素子10を得た。そして、磁気抵抗効果測定装置を用い、各比較例のMR比を計測した。比較例のMR比を図4に示す。
図4において、磁気抵抗素子10のMR比は、水平磁場が2000(Oe)未満の領域(比較例)において200%未満の値を示し、水平磁場が大きくなるに連れてその値を直線的に増加させることが分かる。また、磁気抵抗素子10のMR比は、水平磁場が2000(Oe)以上の領域(実施例)において200%以上の値を示し、水平磁場の増加に関わらずその値を略一定にさせることが分かる。
次に、上記磁気デバイスの製造方法を用いて製造した磁気デバイスとしての磁気メモリについて説明する。図5は、磁気メモリ40を示す概略断面図である。
(1)上記実施形態において、磁気抵抗素子の製造装置20は、磁気回路37を用いてターゲットTの表面に漏洩磁場を形成し、ターゲットTの表面における水平磁場の強度を2000(Oe)〜3000(Oe)にする。そして、トンネルバリア層14を積層するとき、表面における水平磁場が2000(Oe)〜3000(Oe)の下で酸化マグネシウムを主成分とするターゲットTをスパッタさせる。
(4)上記実施形態においては、ターゲットTの表面における水平磁場の強度が2000(Oe)〜3000(Oe)になるように、ターゲットTの表面と外側磁石M1との間の距離、または、ターゲットTと内側磁石M2との間の距離を変更させる。したがって、MgOチャンバ24の大規模な変更をともなうことなく、磁気抵抗効果の再現性を簡便な方法で向上させることができる。
・上記実施形態においては、スパッタ室31Sにおける垂直磁場の積分値がゼロであってもよい。あるいは、スパッタ室31Sにおける垂直磁場の積分値がゼロでない値を有する、いわゆるアンバランスドマグネトロン方式であってもよい。すなわち、本発明は、垂直磁場の強度に限定されるものではなく、ターゲットTの表面において水平磁場が2000(Oe)〜3000(Oe)となる構成であればよい。
Claims (4)
- 基板に第一の磁性層を形成する工程と、
前記第一の磁性層に酸化マグネシウム層を積層する工程と、
前記酸化マグネシウム層に第二の磁性層を積層する工程と、
を備えた磁気抵抗素子の製造方法であって、
前記酸化マグネシウム層を積層する工程は、酸化マグネシウムを主成分とするターゲットの表面から漏れ出る水平磁場が前記ターゲットの表面で2000(Oe)〜3000(Oe)になるように、前記ターゲットの表面と磁気回路との間の距離を変更して前記ターゲットをスパッタすること、
を特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 磁気抵抗素子を備えた磁気デバイスの製造方法であって、
前記磁気抵抗素子を請求項1に記載の磁気抵抗素子の製造方法を用いて製造すること、を特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 基板を搬送する搬送部と、
前記搬送部に連結し、前記基板に第一の磁性層を形成する第一成膜部と、
前記搬送部に連結し、前記第一磁性層に酸化マグネシウム層を積層する第二成膜部と、
前記搬送部に連結し、前記酸化マグネシウム層に第二の磁性層を積層する第三成膜部と、を備えた磁気抵抗素子の製造装置であって、
前記第二成膜部は、
酸化マグネシウムを主成分とするターゲットと、
前記ターゲットの表面に水平磁場を形成する磁気回路と、
を備え、前記ターゲットの表面から漏れ出る前記水平磁場が前記ターゲットの表面で2000(Oe)〜3000(Oe)になるように、前記ターゲットの表面と前記磁気回路との間の距離を変更することを特徴とする磁気抵抗素子の製造装置。 - 磁気抵抗素子を備えた磁気デバイスの製造装置であって、
前記磁気抵抗素子を製造するために請求項3に記載の磁気抵抗素子の製造装置を備えたこと、
を特徴とする磁気デバイスの製造装置。
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