JP2001249221A - 透明積層体とその製造方法およびプラズマデイスプレイパネル用フイルタ - Google Patents

透明積層体とその製造方法およびプラズマデイスプレイパネル用フイルタ

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JP2001249221A
JP2001249221A JP2000383072A JP2000383072A JP2001249221A JP 2001249221 A JP2001249221 A JP 2001249221A JP 2000383072 A JP2000383072 A JP 2000383072A JP 2000383072 A JP2000383072 A JP 2000383072A JP 2001249221 A JP2001249221 A JP 2001249221A
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Toshitaka Nakamura
年孝 中村
Kazuaki Sasa
和明 佐々
Yoshihiro Hieda
嘉弘 稗田
Kazuhiko Miyauchi
和彦 宮内
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Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電磁波シ―ルド性、近赤外線遮蔽性、可視光
線透過性、可視光線低反射性の諸特性をすべて満足し、
かつ透過率の可視光領域での波長依存性が少なく、ニユ
―トラルグレ―の色目を呈する透明積層体を提供する。 【解決手段】 透明基体1の表面に、高屈折率透明薄膜
2Aと銀系透明導電体薄膜3Aを1単位としてn単位
(n=3または4)が順次積層され、その面上に高屈折
率透明薄膜2Dが形成されている積層体において、銀系
透明導電体薄膜(3A〜3C)を真空ドライプロセスで
成膜するにあたり、成膜時の透明基体1の温度T(K)
を340≦T≦410に設定して、波長450〜650
nmの可視光線透過率の標準偏差が5%以下である透明
積層体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明積層体とその
製造方法、ならびに透明積層体を用いたプラズマデイス
プレイパネル(以下、PDPという)用フイルタに関す
る。
【0002】
【従来の技術】社会の情報化が著しく進む今日、端末と
して画像を表示するデイスプレイに要求される性能もま
すます多様化してきている。その中でも、PDPは、大
型化、薄型化が容易であり、CRT、液晶に続く、新規
なデイスプレイとして最も注目されており、すでに市場
に出回つている。
【0003】PDPは、パネル内に封入された希ガス、
とくにネオンを主体としたガス中で放電を発生させ、そ
の際に発生する真空紫外線により、パネルのセルに塗ら
れたR、G、Bの蛍光体を発光させる。この発光過程に
おいて、PDPの表示には不必要な電磁波と近赤外線が
同時に放出される。電磁波は、周辺機器への誤動作を引
き起こしたり、人体へ悪影響を及ぼすため、カツトする
必要がある。近赤外線は、波長が850〜1,200n
mで、家電製品、カラオケ、音響映像機器などのリモ―
トコントロ―ラの受光感度が700〜1,300nmの
ため、このコントロ―ラを誤動作させる問題があり、や
はりカツトする必要がある。
【0004】金属薄膜を高屈折率透明薄膜で挟んだ構成
の透明積層体は、金属薄膜の有する導電性と赤外線反射
特性を利用でき、また高屈折率透明薄膜により金属表面
での可視光の反射を防止する機能を付与できるので、可
視光線は透過するが熱線は反射する太陽電池用の透明断
熱材、農業用のグリ―ンハウス、建築用の窓材、食品用
のシヨ―ケ―スなどに利用され、また透明かつ高い導電
性を示すために、液晶デイスプレイ用電極、電場発光体
用電極、電磁波シ―ルド膜、帯電防止膜などにも利用さ
れている。これらの透明積層体の構成は、特開昭55−
11804号公報、特開平9−176837号公報など
に記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
透明積層体は、PDP用フイルタとして直接利用できる
ような性能は備えておらず、高い電磁波シ―ルド性およ
び近赤外線遮蔽性を同時に満足させることができなかつ
た。また、PDP用フイルタとしては、上記両特性に加
えて、PDPの画質を損なわないような可視光線透過
性、とくにフイルタの色目がニユ―トラルグレ―色であ
ることが強く望まれ、さらに外光や蛍光灯などの映り込
み防止の点で反射防止性を兼ね備えていることが望まれ
る。しかし、上記の透明積層体は、これらの要望に応え
うるものではなかつた。
【0006】とくに、PDP用フイルタの色目をニユ―
トラルグレ―色にするには、透過率が可視光領域におい
て一定である必要があるが、金属薄膜を高屈折率透明薄
膜で挟んだ構成の透明積層体において、透過率を可視光
全域にわたつて一定にすることは容易なことではなかつ
た。たとえば、特定の波長の光を吸収するような染料な
どを透明基体などに添加してこれを均一に分散させ、色
目をニユ―トラルグレ―になるように調整する努力がな
されているが、複数の吸収剤の充填量を微調整したり、
均一に分散させるのは容易ではなく、高い技術が要求さ
れるばかりか、大部分の吸収剤は耐久性に乏しいという
問題があつた。
【0007】本発明は、このような事情に照らし、比較
的簡潔な構成でもつて、PDP用フイルタに要求される
電磁波シ―ルド性、近赤外線遮蔽性、可視光線透過性、
可視光線低反射性の諸特性をすべて満足でき、しかも透
過率の可視光領域での波長依存性が少なくて、染料など
の吸収材を用いることなくニユ―トラルグレ―の色目を
呈する透明積層体と、これを用いた視認性が良く、軽量
で薄型であるPDP用フイルタを提供することを目的と
している。
【0008】
【課題を解決するための手段】透明積層体において、金
属薄膜と高屈折率透明薄膜は真空ドライプロセスにて成
膜されるが、膜厚が数〜数十nmの金属薄膜は、連続し
た平坦な膜にならず、島状構造になることが知られてい
る。その成長過程は、成膜時の基体温度、成膜速度、基
体材料、成膜方法などに影響され、とくに成膜温度と成
膜速度の影響を受けやすい。通常、基体温度が高いと薄
膜内部での凝集が起こりやすく、島の1つ1つが球形に
近くなり、比較的大きな膜厚でも連続構造になりにく
い。また、成膜速度が速いと島の数密度が大きくなり、
比較的小さな膜厚でも連続構造をとりやすい(「薄
膜」、金原他著、裳華房発行、1979年)。
【0009】金属薄膜が島状構造になると、表面プラズ
マ共鳴吸収といわれる異常光吸収が起こり(「薄膜ハン
ドブツク」、波岡著、オ―ム社発行、1983年)、と
くに銀系透明導電体薄膜では、表面プラズマ共鳴吸収に
より、ある波長領域の可視光線透過率が大きく低下する
ばかりか、膜の幅方向の電気抵抗が著しく低下して、十
分な電磁波シ―ルド機能が発揮されなくなる。また、高
速で成膜してほぼ完全な連続膜としても、全体的な可視
光線透過率は向上するが、透過率の波長依存性が大き
く、ニユ―トラルグレ―の色目を呈することができな
い。
【0010】本発明者らは、このような知見を踏まえ、
透明基体上に真空ドライプロセスで金属薄膜として好適
な銀系透明導電体薄膜を高屈折率透明薄膜で挟み込んで
成膜するにあたり、透明基体の温度、銀系透明導電体薄
膜の成膜速度を制御すると、前記一般的な表面プラズマ
共鳴吸収とは異なる、微妙な光吸収が生じ、可視光線透
過率の波長依存性が低減し、透明基体中に染料などの吸
収材を添加せずに、ニユ―トラルグレ―の色目を呈する
透明積層体が得られることがわかつた。
【0011】しかも、このように製造される透明積層体
は、可視光全域の透過率として十分に高い値を維持して
おり、また、上記簡潔な構成でもつて、PDP用フイル
タに要求される電磁波シ―ルド性、近赤外線遮蔽性、可
視光線低反射性などの諸特性もすべて満足させることが
でき、さらにこの透明積層体を用いることにより、上記
の各特性を備えて、視認性が良く、軽量で薄型であるP
DP用フイルタが得られることを知り、本発明を完成す
るに至つたものである。
【0012】すなわち、本発明は、透明基体の表面に、
高屈折率透明薄膜と銀系透明導電体薄膜を1単位として
n単位(n=3または4)が順次積層され、その面上に
高屈折率透明薄膜が形成されている積層体において、波
長450〜650nmの可視光線透過率の標準偏差が5
%以下であることを特徴とする透明積層体に係るもので
あり、とくに、銀系透明導電体薄膜の各厚さが5〜20
nmの範囲内であり、透明基体の表面上の高屈折率透明
薄膜と最外層の高屈折率透明薄膜の各厚さが20〜50
nmの範囲内であり、それ以外の中間に位置する高屈折
率透明薄膜の各厚さが40〜100nmの範囲内である
上記構成の透明積層体、さらには、銀系透明導電体薄膜
の各厚さが5〜20nmの範囲内で略一定であり、透明
基体の表面上の高屈折率透明薄膜と最外層の高屈折率透
明薄膜の各厚さが銀系透明導電体薄膜の厚さの(5/
2)×(1±0.15)倍であり、それ以外の中間に位
置する高屈折率透明薄膜の各厚さが、銀系透明導電体薄
膜の厚さの5×(1±0.15)倍である上記構成の透
明積層体に係るものである。
【0013】なお、本明細書において、透明積層体を構
成する各薄膜の厚さ、つまり、透明基体上に設けられる
高屈折率透明薄膜や銀系透明導電体薄膜などの各薄膜の
厚さは、同じ条件で長時間成膜したサンプル(またはロ
―ル・トウ・ロ―ルであればロ―ルスピ―ドを低速にし
て厚膜にしたサンプル)の膜厚を、触針型の膜厚測定器
などにより測定し、その膜厚から成膜時間(またはロ―
ルスピ―ド)を計算して、所定の膜厚に設定した厚さ
(質量膜厚)を指すものである。ただし通常、ロ―ル・
トウ・ロ―ルの場合の成膜速度は、動的成膜速度(nm
・m/秒)で表記されることが多い。この場合、本発明
でいうところの成膜速度とは、動的成膜速度がR(nm
・m/秒)、ロ―ルの回転方向に対するスパツタリング
タ―ゲツトの長さをL(m)とすれば、R/L(nm/
秒)から算出される。したがつて、たとえ動的成膜速度
が同じであつても、タ―ゲツトの長さが異なれば、本発
明でいうところの成膜速度は変化する。
【0014】また、本発明は、上記構成の透明積層体の
一態様として、透明基体の表面に、屈折率nL が1.3
〜1.6の範囲で、厚さが550nm×(1/4nL
×(1±0.15)倍の低屈折率透明薄膜が形成されて
いる透明積層体を提供できるものであり、さらにこの構
成において、最外層の高屈折率透明薄膜の面上に屈折率
L が1.3〜1.6の範囲で、厚さが550nm×
(1/2nL )×(1±0.15)の低屈折率透明薄膜
が形成されていることにより、またはこの低屈折率透明
薄膜に代えて、最外層の高屈折率透明薄膜の面上に透明
粘着剤層を介して反射防止フイルム、映り込み防止フイ
ルムまたは低反射映り込み防止フイルムのいずれかひと
つが貼り合わされていることにより、光学的性能を損な
うことなく表面耐擦傷性が付与された上記構成の透明積
層体を提供できるものである。
【0015】さらに、本発明は、上記各構成の透明積層
体において、銀系透明導電体薄膜を真空ドライプロセス
で成膜するにあたり、成膜時の透明基体の温度T(K)
を340≦T≦410に設定することを特徴とする透明
積層体の製造方法、また、銀系透明導電体薄膜を真空ド
ライプロセスで成膜するにあたり、成膜時の透明基体の
温度T(K)を340≦T≦390に設定し、かつ成膜
速度R(nm/秒)をR=(1/40)×(T−30
0)±0.5に設定することを特徴とする透明積層体の
製造方法を提供できるものである。
【0016】また、本発明は、上記各構成の透明積層体
を用いたPDP用フイルタに関するものであり、通常
は、上記各構成の透明積層体の裏面に透明粘着剤層を形
成することにより、PDP用フイルタを構成させるのが
好ましい。このPDP用フイルタは、使用にあたり、P
DPの前面表示ガラス部に、透明粘着剤層を介して直接
貼り合わせることにより、直貼りタイプのPDP表示装
置とすることができる。また、別の使用方法として、P
DPの前面側に空気層を介して設置される透明成形体の
PDPとは逆の面に、上記のPDP用フイルタを透明粘
着剤層を介して貼り合わせることにより、PDP用前面
板とすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図1および図2を使用し
て、本発明の透明積層体およびPDP用フイルタの例を
具体的に説明する。
【0018】図1は、本発明の透明積層体の一例を示し
たものであり、透明基体1の表面に、高屈折率透明薄膜
および銀系透明導電体薄膜を1単位(図1は3単位の例
を示す)として、高屈折率透明薄膜(2A,2B,2
C)および銀系透明導電体薄膜(3A,3B,3C)が
順次繰り返し積層され、その銀系透明導電体薄膜3Cの
面上に、最外層として高屈折率透明薄膜2Dが形成され
ており、波長450〜650nmの可視光線透過率の標
準偏差が5%以下、好ましくは4%以下、さらに好まし
くは3%以下(通常1%まで)であることを特徴として
いる。
【0019】この透明積層体において、銀系透明導電体
薄膜(3A,3B,3C)の各厚さは、5〜20nmの
範囲内に設定され、また、透明基体1の表面上の高屈折
率薄膜2Aと最外層の高屈折率透明薄膜2Dの各厚さ
は、20〜50nmの範囲内に設定され、さらに、それ
以外の中間に位置する高屈折率透明薄膜(2B,2C)
の各厚さは、40〜100nmの範囲内に設定されてい
る。さらにまた、この例では、とくに、銀系透明導電体
薄膜(3A,3B,3C)の各厚さが、5〜20nmの
範囲内で略一定の値に設定されており、また、透明基体
1の表面上の高屈折率薄膜2Aと最外層の高屈折率透明
薄膜2Dの各厚さが、銀系透明導電体薄膜(3A,3
B,3C)の厚さの(5/2)×(1±0.15)倍と
なるように設定されており、さらに、それ以外の中間に
位置する高屈折率透明薄膜(2B,2C)の各厚さが、
銀系透明導電体薄膜(3A,3B,3C)の厚さの5×
(1±0.15)倍となるように設定されている。
【0020】なお、高屈折率透明薄膜(2A,2B,2
C,2D)は、各薄膜が同じ材料で構成されていても、
異なる材料で構成されていてもよい。また、銀系透明導
電体薄膜(3A,3B,3C)についても、上記と同様
に、各薄膜が同じ材料で構成されていても、異なる材料
で構成されていてもよい。なおまた、上記の例では、高
屈折率透明薄膜および銀系透明導電体薄膜を1単位とし
て、3単位繰り返し積層した例を示しているが、この繰
り返し単位nは、4単位とすることもできる。上記繰り
返し単位nが3に満たないと、電磁波シ―ルド性や近赤
外線カツト性、可視光線低反射性を同時に満足させにく
くなり、また4を超えてしまうと、可視光線透過率が低
下するなど、光学特性上、望ましい結果が得られにく
く、しかも製造コストが高くなるなどの問題を生じてく
る。
【0021】図2は、上記構成の透明積層体において、
透明基体1の表面に、つまり透明基体1と高屈折率透明
薄膜2Aとの間に、屈折率nL が1.3〜1.6の範囲
で、厚さが、光学的中心波長λ=550nmに対して、
550nm×(1/4nL )×(1±0.15)である
低屈折率透明薄膜4Aが形成されており、さらに、最外
層の高屈折率透明薄膜2Dの面上に、屈折率nL が1.
3〜1.6の範囲で、厚さが、光学的中心波長λ=55
0nmに対して、550nm×(1/2nL )×(1±
0.15)である低屈折率透明薄膜4Bが形成されてな
る透明積層体を示したものであり、これ以外の構成は、
図1と全く同じである。
【0022】上記の図1および図2に示す透明積層体に
おいて、たとえば、銀系透明導電体薄膜(3A,3B,
3C)の厚さを13nmに選定し、また、低屈折率透明
薄膜(4A,4B)の屈折率nL を1.4に選定したと
きは、各薄膜の厚さは、小数点第2位を四捨五入する
と、つぎのように決定される。 高屈折率透明薄膜2A,2D :32.5nm±4.9nm 高屈折率透明薄膜2B,2C :65.0nm±9.8nm 銀系透明導電体薄膜3A,3B,3C:13nm(略一定) 低屈折率透明薄膜4A :98.2nm±14.7nm 低屈折率透明薄膜4B :196.4±29.5nm
【0023】このように構成される本発明の透明積層体
は、上記簡潔な構成でもつて、PDP用フイルタに要求
される電磁波シ―ルド性、近赤外線遮蔽性、可視光線透
過性、可視光線低反射性などの諸特性をすべて満足し、
しかも可視光線透過率の波長依存性が小さいため、透明
基体中に染料などの吸収材を添加することなく、ニユ―
トラルグレ―の色目を呈するというすぐれた効果を発揮
する。
【0024】このような透明積層体は、銀系透明導電体
薄膜(3A,3B,3C)を真空ドライプロセスで成膜
するにあたり、成膜時の透明基体の温度T(K)を34
0≦T≦410に設定することにより、製造することが
でき、より好ましくは、上記成膜時の透明基体の温度T
(K)を340≦T≦390に設定し、かつ銀系透明導
電体薄膜(3A,3B,3C)の成膜速度R(nm/
秒)をR=(1/40)×(T−300)±0.5に設
定することにより、製造できる。すなわち、この方法に
よると、PDP用フイルタに要求される前記諸特性を満
足するとともに、銀系透明導電体薄膜に微妙な光吸収が
起こつて、波長450〜650nmの可視光線透過率の
標準偏差が5%以下となり、可視光線透過率の波長依存
性の小さい、ニユ―トラルグレ―の色目を呈する透明積
層体が得られる。
【0025】このように、本発明では、従来の銀系透明
導電体薄膜の吸収に比べて、微妙な吸収が発現されるよ
うに、透明基体の温度Tや成膜速度Rを選択することが
肝要であり、たとえば、透明基体の温度Tが上記範囲よ
りも低すぎたり高すぎたりすると、前記諸特性をすべて
満足し、かつニユ―トラルグレ―の色目を呈する透明積
層体を得ることができない。すなわち、透明基体の温度
Tが上記範囲よりも低いと、銀系透明導電体薄膜はほぼ
完全な連続膜となつて、全体的な可視光線透過率は向上
するが、透過率の波長依存性が大きくなり、ニユ―トラ
ルグレ―の色目を呈することができない。なお、透明基
体の温度Tが上記範囲よりも低くても、銀系透明導電体
薄膜の成膜速度Rを極端に遅くすると、ニユ―トラルグ
レ―の色目を呈する透明積層体を得ることは可能であ
る。しかし、この場合は、成膜時間が長くなり(ロ―ル
・トウ・ロ―ルで成膜する場合、ロ―ル速度が遅くな
り)、透明積層体を生産性良好に製造し難い。また、透
明基体の温度Tが上記範囲よりも高くなると、銀系透明
導電体薄膜が島状構造に近くなり、可視光領域に大きな
吸収を示すため、可視光線透過率が大きく低下してしま
うばかりか、幅方向の導通が取り難くなり、電磁波シ―
ルド特性も著しく低下する。
【0026】本発明の上記製造方法において、透明基体
の温度Tは、たとえば、ロ―ル・トウ・ロ―ルで成膜す
る場合、内部に温媒を流すなどして調整したメインロ―
ルに透明基体にテンシヨンをかけて密着させることによ
り、制御することができる。また、銀系透明導電体薄膜
の成膜速度Rは、たとえば、スパツタリング法であれ
ば、銀系透明導電体薄膜のタ―ゲツトに投入する電力を
調整することにより、制御することができ、スパツタリ
ング法により銀系透明導電体薄膜が蒸着される領域の長
さとロ―ル速度とから、成膜速度を算出することができ
る。
【0027】本発明において使用する透明基体1として
は、可視光領域における透明性を有するものであつて、
ある程度表面が平滑なものであれば使用できる。たとえ
ば、ポリエチレンテレフタレ―ト、トリアセチルセルロ
―ス、ポリエチレンナフタレ―ト、ポリエ―テルスルホ
ン、ポリカ―ボネ―ト、ポリアクリレ―ト、ポリエ―テ
ルエ―テルケトンなどが好ましい。その厚さは、ドライ
プロセスで熱ジワなどの問題が発生しなければ、とくに
制限はないが、通常は10〜250μmであるのがよ
い。また、上記のような高分子フイルムそのもののほ
か、その片面または両面にハ―ドコ―ト処理を行つたも
のでもよい。また、紫外線硬化タイプでも熱硬化タイプ
でもよく、厚さは1〜10μmが適当である。
【0028】高屈折率透明薄膜(2A,2B,2C,2
D)の材料としては、高屈折率の光学膜材料ならある程
度使用できるが、薄膜の屈折率が1.9〜2.5の範囲
のものが好ましい。単一の高屈折率透明材料であつて
も、複数の高屈折率透明材料を焼結したものであつても
よい。さらに、銀のマイグレ―シヨン防止効果や水、酸
素のバリア効果がある材料ならさらによい。好適な材料
としては、酸化インジウムを主成分とし二酸化チタン
や、酸化錫、酸化セリウムを少量含有させたもの、二酸
化チタン、酸化ジルコニウム、硫化亜鉛、酸化ビスマ
ス、五酸化ニオブなどが挙げられる。これらの薄膜は、
真空ドライプロセスとして、スパツタリング、真空蒸
着、イオンプレ―テイングなどにより、形成される。
【0029】銀系透明導電体薄膜(3A,3B,3C)
の材料としては、90重量%以上の銀と、金、銅、パラ
ジウム、白金、マンガン、カドニウムから選択された1
つまたは2つ以上の元素により構成されるが、90〜9
9重量%の銀と上記金属1〜10重量%を固溶させた材
料であるのが好ましい。とくに銀中に1〜10重量%の
金を固溶させたものは、銀の劣化防止の観点から好まし
い。金を10重量%を超えて混入すると、比抵抗が上昇
し低抵抗値が得られがたく、また1重量%未満では銀の
劣化が起こりやすい。これらの材料からなる銀系透明導
電体薄膜は、真空ドライプロセスとして、スパツタリン
グ法などにより、形成される。銀系透明導電体薄膜の厚
さとしては、既述のとおり、5〜20nmの範囲内とさ
れるが、好ましくは9〜17nm、より好ましくは11
〜14nmである。
【0030】低屈折率透明薄膜(4A,4B)の材料と
しては、低屈折率の光学膜材料で、可視光域で透明であ
れば使用することができるが、薄膜の屈折率が1.3〜
1.6の範囲となるものがよい。この薄膜は、スパツタ
リング法、真空蒸着法、イオンプレ―テイング法などの
真空ドライプロセスで形成してもよいし、グラビア塗工
法、マイクログラビア塗工法、リバ―スコ―ト法、デイ
ツプコ―ト法などのウエツトプロセスで形成してもよ
い。このような低屈折率透明薄膜(4A,4B)を形成
する際に、透明基体1の温度はとくに規定されるもので
はなく、室温で形成してもなんら本発明の特徴を阻害す
ることはない。
【0031】低屈折率透明薄膜4Aに使用される材料
は、透明基体1と高屈折率透明薄膜2Aとの密着性のよ
いものが好ましく、また、透明基体1の表面にプライマ
―層を設けるなどの易接着処理を行つてもよい。好適な
材料としては、フツ化マグネシウム、二酸化珪素、フツ
素含有酸化珪素や熱硬化型または紫外線硬化型のフツ素
系高分子、シリコ―ン系高分子材料などが挙げられる。
【0032】低屈折透明薄膜4Bに使用される材料は、
上記の低屈折率透明薄膜4Aと同じ材料であつても、異
なる材料であつてもよいが、最表面のオ―バ―コ―ト層
としての役割をも果たすため、耐擦傷性にすぐれた材料
であるのが望ましい。そのため、少しでも厚い方が好ま
しく、本発明にしたがつた場合、屈折率が低いほど膜を
厚くできるので、屈折率のより低い材料であるのが望ま
しい。低屈折率透明薄膜4B自体が防汚染性を持ち合わ
せた材料であればなおよいが、その表面に厚さ10nm
以下の防汚染層を形成してもよい。好適な材料として
は、フツ化マグネシウム、二酸化珪素、フツ素含有酸化
珪素や熱硬化型または紫外線硬化型のフツ素系高分子、
シリコ―ン系高分子材料などが挙げられる。
【0033】本発明では、たとえば、図2に示す透明積
層体において、低屈折透明薄膜4Bの形成を省くことも
できる。また、低屈折率透明薄膜4Bを形成する代わり
に、最外層の高屈折率透明薄膜3Cの面上に、透明粘着
剤層を介して反射防止フイルム、映り込み防止フイルム
または低反射映り込み防止フイルムのいずれかひとつを
貼り合わせてもよく、これによつても光学的性能などを
損なうことなく、表面耐擦傷性にすぐれた透明積層体を
得ることができる。上記の各フイルムとしては、ポリエ
ステルフイルム、トリアセチルセルロ―スフイルムなど
のフイルム基材上に、単層もしくは多層の反射防止膜、
映り込み防止層または低反射映り込み防止層を設けてな
る公知の各種フイルムをいずれも使用することができ
る。
【0034】本発明においては、このように構成される
各種の透明積層体を、通常は、その裏面側、つまり透明
基体1の裏面側に透明粘着剤層を形成することにより、
前記した諸特性を備えて、視認性が良く、軽量で薄型で
あるPDP用フイルタとして使用することができる。こ
のPDP用フイルタは、使用に際し、PDPの前面表示
ガラス部に、透明粘着剤層を介して直接貼り合わせて、
直貼りタイプのPDP表示装置とすることができる。ま
た、これとは別に、PDPの前面側に空気層を介して設
置される透明成形体のPDPとは逆の面に、PDP用フ
イルタを透明粘着剤層を介して貼り合わせて、PDP用
前面板とすることができる。
【0035】前者の直貼りタイプのPDP表示装置は、
ガラスの飛散防止、PDP自体の軽量化、薄型化、低コ
スト化などに寄与でき、またPDP用前面板を設置する
場合に比べて、屈折率の低い空気層をなくせるため、余
分な界面反射による可視光線反射率の増加、二重反射な
どの問題を解決でき、PDPの視認性を著しく向上でき
る。一方、後者のPDP用前面板は、PDPに使用され
ているガラス部材に強度不足などの問題があるときに、
とくに好適に利用できる。
【0036】
【実施例】つぎに、本発明を実施例により、さらに具体
的に説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定され
るものではない。
【0037】実施例1 厚さ125μmの透明ポリエチレンテレフタレ―ト(以
下、PETという)フイルムの片面に、DCマグネトロ
ンスパツタ法により、高屈折率透明薄膜および銀系透明
導電体薄膜を1単位として3単位を順次形成し、その面
上にさらに高屈折率透明薄膜を形成する手法により、透
明積層体を作成した。ここで、高屈折率透明薄膜を形成
するタ―ゲツト材料には、1n23 −12.6重量%
TiO2(以下、ITと略記)を使用し、銀系透明導電
体薄膜を形成するタ―ゲツト材料には、Ag−5重量%
Au(以下、Agと略記)を使用した。
【0038】膜厚の制御は、厚膜に付けた膜の表面粗さ
計(DEKTAK3)による膜厚の測定から得られた製
膜速度の検量線を用いて行つた。一例として、ITタ―
ゲツトには3W/cm2 、Agタ―ゲツトには0.55W
/cm2 のDC電力をスパツタ電力として投入した場合、
ITの成膜速度は1.6nm/秒、Agの成膜速度は
1.8nm/秒であつた。また、この成膜速度は、スパ
ツタ電力とほぼ比例関係にあつた。本実施例で用いたA
gタ―ゲツトの長さは16cmであつたので、厚さ13n
mのAgを成膜する際のロ―ル速度は、〔1.8(nm
/秒)×0.16(m)〕/13(nm)=0.022
2(m/秒)=1.329(m/分)と決定し、ロ―ル
・トウ・ロ―ルスパツタリング装置にて、所定の厚さの
薄膜を形成した。また、ロ―ル温度は、内部に循環する
温媒の温度を調整することにより、制御した。
【0039】上記の方法において、ロ―ル温度(透明基
体であるPETフイルムの温度に相当)とAgの成膜速
度とを、下記のとおりに設定して、サンプル(1)〜
(4)の4種の透明積層体を作製した。これらの透明積
層体における各薄膜の厚さは、下記の( )内に示され
るとおり(数値の単位はnm)であつた。 サンプル(1):PET/IT(32.5)/Ag(13)/IT
(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)<ロ
―ル温度373K、Agの成膜速度1.8nm/秒> サンプル(2):PET/IT(32.5)/Ag(13)/IT
(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)<ロ
―ル温度353K、Agの成膜速度1.3nm/秒> サンプル(3):PET/IT(32.5)/Ag( 9)/IT
(65)/Ag(12)/IT(65)/Ag(15)/IT(32.5)<ロ
―ル温度403K、Agの成膜速度12.5nm/秒> サンプル(4):PET/IT(32.5)/Ag( 9)/IT
(65)/Ag(12)/IT(65)/Ag(15)/IT(32.5)<ロ
―ル温度373K、Agの成膜速度4.5nm/秒>
【0040】比較例1 ロ―ル温度とAgの成膜速度とを下記のとおりに設定し
た以外は、実施例1と同様の方法で、PETフイルム上
にIT薄膜およびAg薄膜を1単位として3単位を順次
形成し、その面上にさらにIT薄膜を形成して、サンプ
ル(5)および(6)の透明積層体を作製した。これら
の透明積層体は、Ag成膜時の透明基体の温度が本発明
の規定範囲よりも低い例である。各薄膜の厚さは、下記
の( )内に示されるとおり(数値の単位はnm)であ
つた。 サンプル(5):PET/IT(32.5)/Ag(13)/IT
(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)<ロ
―ル温度333K、Agの成膜速度2.0nm/秒> サンプル(6):PET/IT(32.5)/Ag(13)/IT
(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)<ロ
―ル温度303K、Agの成膜速度0.8nm/秒>
【0041】比較例2 ロ―ル温度とAgの成膜速度とを下記のとおりに設定し
た以外は、実施例1と同様の方法で、PETフイルム上
にIT薄膜およびAg薄膜を1単位として3単位を順次
形成し、その面上にさらにIT薄膜を形成して、サンプ
ル(7)および(8)の透明積層体を作製した。これら
の透明積層体は、Ag成膜時の透明基体の温度が本発明
の規定範囲よりも高い例である。各薄膜の厚さは、下記
の( )内に示されるとおり(数値の単位はnm)であ
つた。 サンプル(7):PET/IT(32.5)/Ag(13)/IT
(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)<ロ
―ル温度413K、Agの成膜速度2.0nm/秒> サンプル(8):PET/IT(32.5)/Ag( 9)/IT
(65)/Ag(12)/IT(65)/Ag(15)/IT(32.5)<ロ
―ル温度413K、Agの成膜速度12.5nm/秒>
【0042】上記実施例1のサンプル(1)、比較例1
のサンプル(5)および比較例2のサンプル(7)の各
透明積層体について、光学特性を表わす透過スペクトル
を調べ、これを図3に示した。この結果から、実施例1
のサンプル(1)の透明積層体は、可視光域における透
過率の波長依存性が小さく、フラツトな特性が得られて
おり、ニユ―トラルグレ―の色目を呈することがわかつ
た。
【0043】これに対して、Ag成膜時の透明基体の温
度が本発明の規定範囲よりも低い比較例1のサンプル
(5)の透明積層体は、全体的な透過率は高いものが得
られているが、波長500nmあたりの透過率が高く、
グリ―ンの色目を呈しており、PDP用フイルタとして
好適に使用できるものではなかつた。また、Ag成膜時
の透明基体の温度が本発明の規定範囲よりも高い比較例
2のサンプル(7)の透明積層体は、上記比較例1のサ
ンプル(5)の透明積層体とは逆に、吸収が大きくフイ
ルタの透過率が著しく低下し、ダ―クブル―の色目を呈
しており、これもまたPDP用フイルタとして好適に使
用できるものではなかつた。
【0044】つぎに、上記実施例1および比較例1,2
のサンプル(1)〜(8)の各透明積層体について、P
DP用フイルタとしての特性を調べ、これを表1(実施
例)および表2(比較例)に示した。各表中、表面抵抗
値は、三菱油化製(LoresterSP)を用いて測
定した。また、光学特性は、日立製作所製の「U−34
10」を用いて測定し、とくに反射率の測定は、薄膜が
形成されていない面を黒色塗装して行つた。また、得ら
れた透過および反射スペクトルから、JISR−301
6にしたがい、可視光線透過率および可視光線反射率を
算出した。さらに、透過色の色目として「ND」はニユ
―トラルグレ―、「G」はグリ―ン、「DB」はダ―ク
ブル―であることを意味する。
【0045】
【0046】
【0047】上記の表1の結果から明らかなように、実
施例1のサンプル(1)〜(4)の各透明積層体は、い
ずれも、波長450〜650nmの可視光線透過率の標
準偏差が5%以内であつて、ニユ―トラルグレ―の色目
を呈するものであり、また、PDPフイルタとして必須
の基本特性である表面抵抗値、近赤外線カツト率、可視
光線透過率、可視光線反射率も十分に満足できるもので
あつた。
【0048】これに対して、比較例1,2のサンプル
(5)〜(8)の各透明積層体は、いずれも、波長45
0〜650nmの可視光線透過率の標準偏差が5%より
大きくなつており、透過色がグリ―ンまたはダ―クブル
―を呈していた。とくに、比較例2のサンプル(7),
(8)の透明積層体は、透過率の著しい低下と同時に、
表面抵抗値の上昇もみられた。これは、銀系透明導電体
薄膜が完全に連続膜を形成せず、島状構造が残つている
ことによるものと思われる。
【0049】実施例2 厚さ125μmの透明PETフイルム上に、真空蒸着法
にてSiO2 を室温で成膜した。エリプソメ―タで測定
したSiO2 の屈折率nL は1.45で、厚さを95n
mに設定した。このSiO2 の面上に、実施例1と同様
の方法で、IT薄膜およびAg薄膜を1単位として3単
位を順次形成し、その面上にさらにIT薄膜を形成し
て、サンプル(9)の透明積層体を作製した。各薄膜の
厚さは、下記の( )内に示されるとおり(数値の単位
はnm)であり、IT薄膜とAg薄膜の成膜時のロ―ル
温度とAgの成膜速度は、下記のとおりであつた。 サンプル(9):PET/SiO2 (95)/IT(32.5)/
Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/
IT(32.5)<ロ―ル温度373K、Agの成膜速度1.
8nm/秒>
【0050】実施例3 実施例2で作製した透明積層体において、最外層のIT
薄膜の面上に、真空蒸着法により、SiO2 を厚さが1
90nmとなるように室温で成膜して、サンプル(1
0)の透明積層体を作製した。各薄膜の厚さは、下記の
( )内に示されるとおり(数値の単位はnm)であつ
た。 サンプル(10):PET/SiO2 (95)/IT(32.5)/
Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/
IT(32.5)/SiO2(190
【0051】実施例4 実施例2で作製した透明積層体において、最外層のIT
薄膜の面上に、市販の反射防止フイルム(日本油脂社製
の商品名「リアルツク2200」)を透明粘着剤を介し
て貼り合わせて、サンプル(11)の透明積層体を作製
した。各薄膜の厚さは、下記の( )内に示されるとお
り(数値の単位はnm)であつた。 サンプル(11):PET/SiO2 (95)/IT(32.5)
/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)
/IT(32.5)/透明粘着剤層/反射防止フイルム
【0052】比較例3 透明PETフイルム表面側の厚さ95nmのSiO2
成膜を省いた以外は、実施例3と同様にして、サンプル
(12)の透明積層体を作製した。各薄膜の厚さは、下
記の( )内に示されるとおり(数値の単位はnm)で
あつた。 サンプル(12):PET/IT(32.5)/Ag(13)/I
T(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)/
SiO2(190)
【0053】比較例4 透明PETフイルム表面側の厚さ95nmのSiO2
成膜を省いた以外は、実施例4と同様にして、サンプル
(13)の透明積層体を作製した。各薄膜の厚さは、下
記の( )内に示されるとおり(数値の単位はnm)で
あつた。 サンプル(13):PET/IT(32.5)/Ag(13)/I
T(65)/Ag(13)/IT(65)/Ag(13)/IT(32.5)/
透明粘着剤層/反射防止フイルム
【0054】上記実施例2〜4のサンプル(9)〜(1
1)および比較例3,4のサンプル(12),(13)
の各透明積層体について、前記の場合と同様にして、P
DPフイルタとしての特性を調べた。これらの結果は、
表3に示されるとおりであつた。なお、表面抵抗値は最
外層のIT薄膜を形成した時点で測定したが、全サンプ
ルで1.6Ω/□であつたため、表3への記載は省略し
た。また、ここでは、耐擦傷性試験として、透明積層体
の表面を#0000のスチ―ルウ―ルにて荷重2.45
×10-4N/m2で10回擦り、表面の傷の程度を目視に
より観察して傷なしを〇、傷ありを×、と評価し、その
結果を併記した。
【0055】
【0056】上記表3の結果から、実施例2〜4のサン
プル(9)〜(11)の各透明積層体は、いずれも、波
長450〜650nmの可視光領域の透過率の標準偏差
が小さく、ニユ―トラルグレ―の色目を呈していた。こ
のうち、実施例2のサンプル(9)の透明積層体は、平
均視感度反射率が0.9%と低く、PDPフイルタとし
て用いた場合、外光や蛍光灯の映り込み防止という観点
で、すぐれていたが、表面耐擦傷性に劣つていた。しか
し、このサンプル(9)の透明積層体における最外層の
IT薄膜の面上に、保護層として、SiO2 を形成した
実施例3のサンプル(10)の透明積層体や、同じく市
販の反射防止フイルムを貼り合わせた実施例4のサンプ
ル(11)の透明積層体は、平均視感度反射率が3%以
下に抑えられているとともに、表面耐擦傷性も満足する
ものであつた。
【0057】また、比較例3,4のサンプル(12),
(13)の透明積層体においても、波長450〜650
nmの可視光領域の透過率の標準偏差が小さく、ニユ―
トラルグレ―の色目を呈していた。しかし、比較例3の
サンプル(12)の透明積層体は、透明基体の面上にS
iO2 を形成せずに、最外層のIT薄膜の面上に保護層
としてSiO2 を形成したものであるため、また比較例
4のサンプル(13)の透明積層体は、上記と同様に、
透明基体の面上にSiO2 を形成せずに、最外層のIT
薄膜の面上に保護層として市販の反射防止フイルムを貼
り合わせたものであるため、表面耐擦傷性は満足する
が、平均視感度反射率が3%を超え、PDPの視認性を
著しく阻害してしまうものであつた。
【0058】
【発明の効果】以上のように、本発明は、透明基体上に
真空ドライプロセスにより銀系透明導電体薄膜を高屈折
率透明薄膜で挟み込んで成膜するにあたり、透明基体の
温度、銀系透明導電体薄膜の成膜速度を制御することに
より、比較的簡単な構成でもつてPDPフイルタに要求
される電磁波シ―ルド特性、近赤外線カツト特性、可視
光線透過性、可視光線低反射性をすべて満足し、また表
面耐擦傷性の付与も容易であり、しかも透過率の可視光
領域での波長依存性が少なくて、染料などの吸収材を用
いることなく、ニユ―トラルグレ―の色目を呈する透明
積層体と、これを用いた視認性が良く、軽量で薄型のP
DP用フイルタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の透明積層体の一例を示す断面図であ
る。
【図2】本発明の透明積層体の他の例を示す断面図であ
る。
【図3】実施例1のサンプル(1)、比較例1のサンプ
ル(5)および比較例2のサンプル(7)の各透明積層
体の光学特性を特性図である。
【符号の説明】
1 透明基体 2A,2B,2C,2D 高屈折率透明薄膜 3A,3B,3C 銀系透明導電体薄膜 4A,4B 低屈折率透明薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/00 313 G09F 9/00 313 (72)発明者 稗田 嘉弘 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 宮内 和彦 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基体の表面に、高屈折率透明薄膜と
    銀系透明導電体薄膜を1単位としてn単位(n=3また
    は4)が順次積層され、その面上に高屈折率透明薄膜が
    形成されている積層体において、波長450〜650n
    mの可視光線透過率の標準偏差が5%以下であることを
    特徴とする透明積層体。
  2. 【請求項2】 銀系透明導電体薄膜の各厚さが5〜20
    nmの範囲内であり、透明基体の表面上の高屈折率透明
    薄膜と最外層の高屈折率透明薄膜の各厚さが20〜50
    nmの範囲内であり、それ以外の中間に位置する高屈折
    率透明薄膜の各厚さが40〜100nmの範囲内である
    請求項1に記載の透明積層体。
  3. 【請求項3】 銀系透明導電体薄膜の各厚さが5〜20
    nmの範囲内で略一定であり、透明基体の表面上の高屈
    折率透明薄膜と最外層の高屈折率透明薄膜の各厚さが銀
    系透明導電体薄膜の厚さの(5/2)×(1±0.1
    5)倍であり、それ以外の中間に位置する高屈折率透明
    薄膜の各厚さが、銀系透明導電体薄膜の厚さの5×(1
    ±0.15)倍である請求項1または2に記載の透明積
    層体。
  4. 【請求項4】 透明基体の表面に、屈折率nL が1.3
    〜1.6の範囲で、厚さが550nm×(1/4nL
    ×(1±0.15)の低屈折率透明薄膜が形成されてい
    る請求項1〜3のいずれかに記載の透明積層体。
  5. 【請求項5】 最外層の高屈折率透明薄膜の面上に、屈
    折率nL が1.3〜1.6の範囲で、厚さが550nm
    ×(1/2nL )×(1±0.15)の低屈折率透明薄
    膜が形成されている請求項4に記載の透明積層体。
  6. 【請求項6】 最外層の高屈折率透明薄膜の面上に、透
    明粘着剤層を介して反射防止フイルム、映り込み防止フ
    イルムまたは低反射映り込み防止フイルムのいずれかひ
    とつが貼り合わされてなる請求項4に記載の透明積層
    体。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の透明積
    層体において、銀系透明導電体薄膜を真空ドライプロセ
    スで成膜するにあたり、成膜時の透明基体の温度T
    (K)を340≦T≦410に設定することを特徴とす
    る透明積層体の製造方法。
  8. 【請求項8】 請求項1〜6のいずれかに記載の透明積
    層体において、銀系透明導電体薄膜を真空ドライプロセ
    スで成膜するにあたり、成膜時の透明基体の温度T
    (K)を340≦T≦390に設定し、かつ成膜速度R
    (nm/秒)をR=(1/40)×(T−300)±
    0.5に設定することを特徴とする透明積層体の製造方
    法。
  9. 【請求項9】 請求項1〜6のいずれかに記載の透明積
    層体を用いたプラズマデイスプレイパネル用フイルタ。
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