JP6344095B2 - 透明導電体及びタッチパネル - Google Patents
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Description
本発明は、透明導電体及びタッチパネルに関する。より詳しくは、低抵抗、高透過性及び湿熱耐性を備えた透明導電体及びタッチパネルに関する。
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯを用いた透明導電体が多用されている。
近年、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗をさらに低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面抵抗を十分に下げられないという問題があった。
そこで、銀を蒸着して形成する層（以下、Ａｇ層又は透明金属層ともいう。）を透明導電体に用いることが検討されている。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム・酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
さらに、Ａｇ層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）や、ＺｎＳＳｉＯ２層で挟み込むことが提案されている。
また、Ａｇ層を、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）層で挟み込むことが提案されている（例えば、特許文献２及び非特許文献１参照）。
さらに、Ａｇ層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）や、ＺｎＳＳｉＯ２層で挟み込むことが提案されている。
また、Ａｇ層を、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）層で挟み込むことが提案されている（例えば、特許文献２及び非特許文献１参照）。
しかし、特許文献１に示されるように、酸化ニオブやＩＺＯ等の誘電体層でＡｇ層を挟み込んだ透明導電体では、耐湿性が十分でなかった。その結果、高湿度環境下で透明導電体を使用すると、Ａｇ層が腐食しやすい等の問題があった。
一方、Ａｇ層をＺｎＳを含む層に挟み込んだ透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際に、又はＺｎＳを含む層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。また、基材に対して最上層にＺｎＳを含有していると、ＺｎＳは絶縁性が高いため、金属系引出配線と透明導電体が電気的に接続しなくなってしまうという問題が生じていた。
また、Ａｇ層をＧＺＯ層で挟み込んだ透明導電体は、ＧＺＯは導電性が高いため、金属系引出配線と電気的に接続するが、ＧＺＯの屈折率が低いため、透明性が不足していた。また、高温高湿での耐久性も不十分であった。
一方、Ａｇ層をＺｎＳを含む層に挟み込んだ透明導電体では、透明導電体の耐湿性が十分に高いものの、Ａｇ層を形成する際に、又はＺｎＳを含む層を形成する際に、銀が硫化されて硫化銀が生じやすい。その結果、透明導電体の光透過性が低くなるという問題があった。また、基材に対して最上層にＺｎＳを含有していると、ＺｎＳは絶縁性が高いため、金属系引出配線と透明導電体が電気的に接続しなくなってしまうという問題が生じていた。
また、Ａｇ層をＧＺＯ層で挟み込んだ透明導電体は、ＧＺＯは導電性が高いため、金属系引出配線と電気的に接続するが、ＧＺＯの屈折率が低いため、透明性が不足していた。また、高温高湿での耐久性も不十分であった。
Ho-KyunPark,Jae-WookKang,Seok-InNa,Don-YuKim,Han-KiKim,「Solar Energy Materials & Solar Cells」Volume 93,(2009),p.1994-2002
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、低抵抗、高透過性及び湿熱耐性を備え、かつ、金属引出配線と電気的に接続可能な透明導電体及びタッチパネルを提供することである。
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、透明金属層を、少なくとも硫黄を含有する層と、少なくともガリウムを含有する層で、挟み込んだ透明導電体とすることによって、低抵抗、高透過性及び湿熱耐性を備え、かつ、金属引出配線と電気的に接続可能となることを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を、この順に有する透明導電体であって、
前記第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、
前記第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有し、
前記ガリウムが、Ｇａ２Ｏ３として、前記第２高屈折率層に１〜３５質量％の範囲内で含有され、かつ、
前記第１高屈折率層と透明金属層との間に、前記透明金属層の硫化を防止するための硫化防止層を有し、
前記硫化防止層が、ＺｎＯとＧａ ２ Ｏ ３ からなる複合酸化物（ＧＺＯ）からなることを特徴とする透明導電体。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を、この順に有する透明導電体であって、
前記第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、
前記第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有し、
前記ガリウムが、Ｇａ２Ｏ３として、前記第２高屈折率層に１〜３５質量％の範囲内で含有され、かつ、
前記第１高屈折率層と透明金属層との間に、前記透明金属層の硫化を防止するための硫化防止層を有し、
前記硫化防止層が、ＺｎＯとＧａ ２ Ｏ ３ からなる複合酸化物（ＧＺＯ）からなることを特徴とする透明導電体。
２．前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくともいずれかを含有することを特徴とする第１項に記載の透明導電体。
３．前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくとも２種類以上を含有することを特徴とする第２項に記載の透明導電体。
４．前記第１高屈折率層が、ＺｎＳ又はＳｉＯ２のうち少なくとも一方を含有することを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の透明導電体を用いたことを特徴とするタッチパネル。
本発明の上記手段により、低抵抗、高透過性及び湿熱耐性を備え、かつ、金属引出配線と電気的に接続可能な透明導電体及びタッチパネルを提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
第１高屈折率層が少なくとも硫黄を含有することによって、透明基板側から水分が透過し難くなり、透明金属層の腐食が抑制され、耐湿性に優れる。また、第２高屈折率層が少なくともガリウムを含有することによって、導電性が高く、金属引出配線との電気的接続が可能となる。さらに、銀と硫化亜鉛と接する層の間（透明金属層と第１高屈折率層との間）に他の層を設けることで硫化防止するため、低抵抗及び高透過性に優れると推察される。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
第１高屈折率層が少なくとも硫黄を含有することによって、透明基板側から水分が透過し難くなり、透明金属層の腐食が抑制され、耐湿性に優れる。また、第２高屈折率層が少なくともガリウムを含有することによって、導電性が高く、金属引出配線との電気的接続が可能となる。さらに、銀と硫化亜鉛と接する層の間（透明金属層と第１高屈折率層との間）に他の層を設けることで硫化防止するため、低抵抗及び高透過性に優れると推察される。
本発明の透明導電体は、少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を、この順に有する透明導電体であって、前記第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、前記第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有し、前記ガリウムが、Ｇａ２Ｏ３として、前記第２高屈折率層に１〜３５質量％の範囲内で含有され、かつ、
前記第１高屈折率層と透明金属層との間に、前記透明金属層の硫化を防止するための硫化防止層を有し、前記硫化防止層が、ＺｎＯとＧａ ２ Ｏ ３ からなる複合酸化物（ＧＺＯ）からなることを特徴とする。この特徴は、本実施形態に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施態様としては、前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくともいずれかを含有することが好ましい。
前記第１高屈折率層と透明金属層との間に、前記透明金属層の硫化を防止するための硫化防止層を有し、前記硫化防止層が、ＺｎＯとＧａ ２ Ｏ ３ からなる複合酸化物（ＧＺＯ）からなることを特徴とする。この特徴は、本実施形態に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施態様としては、前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくともいずれかを含有することが好ましい。
また、前記ガリウムが、Ｇａ２Ｏ３として、前記第２高屈折率層に１〜３５質量％の範囲内で含有されていることが、導電性の点で好ましい。
また、前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくとも２種類以上を含有することが、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成の際に、耐薬品性に優れる点で好ましい。
また、前記第１高屈折率層が、ＺｎＳ又はＳｉＯ２のうち少なくとも一方を含有することが、第１高屈折率層が非晶質になりやすく、透明導電体のフレキシブル性が高まりやすい点で好ましい。
本発明の透明導電体は、タッチパネルに好適に用いられる。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
［透明導電体］
＜透明導電体の構成＞
図１は、本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
本発明の透明導電体１００は、少なくとも、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３及び第２高屈折率層４を、この順に有する透明導電体１００であって、第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有することを特徴とする。
＜透明導電体の構成＞
図１は、本発明の透明導電体の構成の一例を示す概略断面図である。
本発明の透明導電体１００は、少なくとも、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３及び第２高屈折率層４を、この順に有する透明導電体１００であって、第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有することを特徴とする。
また、図１に示すように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間には、硫化防止層５ａを設けることが好ましい。
本発明の透明導電体１００では、図１で示すように、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２に示すように、例えば、第１高屈折率層２、硫化防止層５ａ、透明金属層３、第２高屈折率層４から構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていてもよい。本発明の透明導電体１００において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（以下、「導通領域」とも称する）である。一方、透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
また、導通領域ａから金属引出配線２０２（図３参照）が形成されている。
また、導通領域ａから金属引出配線２０２（図３参照）が形成されている。
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
また、本発明の透明導電体１００には、透明基板１、第１高屈折率層２、透明金属層３、第２高屈折率層４、及び硫化防止層５ａの他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
例えば、透明金属層３の形成時に成長核になり得る下地層（図示略）が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間に、透明金属層３に隣接して設けられてもよい。
例えば、透明金属層３の形成時に成長核になり得る下地層（図示略）が、透明金属層３と第１高屈折率層２との間に、透明金属層３に隣接して設けられてもよい。
本発明の透明導電体１００に含まれる層は、透明基板１を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２高屈折率層４上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板１から第２高屈折率層４までの積層体が、本発明の透明導電体１００であると定義する。
以下、本発明の透明導電体の各構成要素について説明する。
＜透明基板＞
透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様とすることができる。
透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには二種以上の樹脂が含まれてもよい。
透明基板１は、各種表示デバイスの透明基板と同様とすることができる。
透明基板１は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えばパンライト、マルチロン（いずれも帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えばゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板１が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには二種以上の樹脂が含まれてもよい。
透明性の観点から、透明基板１はガラス基板、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、又はスチレン系ブロックコポリマー樹脂からなるフィルムであることが好ましい。
透明基板１は、可視光に対する透明性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの範囲内の光の平均透過率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。透明基板１の光の平均透過率が７０％以上であると、透明導電体１００の光透過性が高まりやすい。
また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの範囲内の光の平均吸収率は、１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
また、透明基板１の波長４５０〜８００ｎｍの範囲内の光の平均吸収率は、１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である。
上記平均透過率は、透明基板１の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。一方、平均吸収率は、平均透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板１の平均反射率を測定し、平均吸収率＝１００−（平均透過率＋平均反射率）として算出する。平均透過率及び平均反射率は分光光度計で測定される。
透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率（２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定）は、１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、さらに好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。
透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
透明基板の屈折率は、通常、透明基板の材質によって定まる。透明基板の屈折率は、エリプソメーターで測定される。
透明基板１のヘイズ値は、０．０１〜２．５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２の範囲内である。透明基板のヘイズ値が２．５以下であると、透明導電体のヘイズ値が抑制される。ヘイズ値は、ヘイズメーターで測定される。
透明基板１の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板の厚さが１μｍ以上であると、透明基板１の強度が高まり、第１高屈折率層２の作製時に割れたり、裂けたりし難くなる。一方、透明基板１の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１００のフレキシブル性が十分となる。さらに、透明導電体１００を用いた機器の厚さを薄くできる。また、透明導電体１００を用いた機器を軽量化することもできる。
＜第１高屈折率層＞
第１高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性を調整する層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第１高屈折率層２は、透明導電体の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性を調整する層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層２は、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第１高屈折率層２は、少なくとも硫黄（Ｓ）を含有し、好ましくはＺｎＳ（硫化亜鉛）又はＳｉＯ２のうち少なくとも一方を含有する。
第１高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属層３の腐食が抑制される。
第１高屈折率層２にＺｎＳが含まれると、透明基板１側から水分が透過し難くなり、透明金属層３の腐食が抑制される。
ＺｎＳとともにＳｉＯ２が含まれると、第１高屈折率層２が非晶質になりやすく、透明導電体１００のフレキシブル性が高まりやすい。
また、第１高屈折率層２は、ＺｎＳやＳｉＯ２の他に、金属酸化物を含有することが好ましい。
ＺｎＳやＳｉＯ２とともに含まれる金属酸化物は、誘電性材料又は酸化物半導体材料である。
また、第１高屈折率層２は、ＺｎＳやＳｉＯ２の他に、金属酸化物を含有することが好ましい。
ＺｎＳやＳｉＯ２とともに含まれる金属酸化物は、誘電性材料又は酸化物半導体材料である。
第１高屈折率層２は、透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する。第１高屈折率層２の波長５７０ｎｍの光の屈折率（２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定）は２．０〜２．４の範囲内であることが、白色に見えて、骨見え防止の観点から好ましい。
第１高屈折率層２に含有される上記誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
第１高屈折率層２に含有される上記誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
一方、第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
なお、第１高屈折率層２の屈折率は、第１高屈折率層２に含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層２に含まれる材料の密度で調整される。
第１高屈折率層２に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物が挙げられる。例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等が挙げられる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
また、第１高屈折率層２は、複数層から構成されても良い。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物が挙げられる。例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等が挙げられる。第１高屈折率層２には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
また、第１高屈折率層２は、複数層から構成されても良い。
第１高屈折率層２にＺｎＳとともに他の材料が含まれる場合、ＺｎＳの量は、第１高屈折率層２を構成する材料の総モル数に対して、０．１〜９５質量％以下であることが好ましく、５０〜９０質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは６０〜８５質量％以下である。
ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。
ＺｎＳの比率が高いとスパッタ速度が速くなり、第１高屈折率層２の形成速度が速くなる。一方、ＺｎＳ以外の成分が多く含まれると、第１高屈折率層２の非晶質性が高まり、第１高屈折率層２の割れが抑制される。
第１高屈折率層２の厚さは、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。第１高屈折率層２の厚さが１５ｎｍ以上であると、第１高屈折率層２によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。一方、第１高屈折率層２の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層２が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第１高屈折率層２の厚さは、エリプソメーターで測定される。
第１高屈折率層２は、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法で形成された層である。
第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、イオンアシスト法（Ｉｏｎ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＩＡＤ）などによるアシストがあることが望ましい。
第１高屈折率層２の屈折率（密度）が高まるとの観点から、第１高屈折率層２は、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。電子ビーム蒸着法の場合は膜密度を高めるため、イオンアシスト法（Ｉｏｎ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＩＡＤ）などによるアシストがあることが望ましい。
また、第１高屈折率層２が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層２は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
＜透明金属層＞
透明金属層３は、透明導電体１００において電気を導通させるための層である。
本発明の透明導電体１００では、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２及び図３に示すように、目的とするデバイスの用途に合わせて所望の形状にパターニングされていてもよい。
図２においては、透明電極ユニットＥＵを除去した領域を絶縁領域ｂとしているが、一例であって、少なくとも透明金属層３が除去されていれば適宜変更することができる。
透明金属層３は、透明導電体１００において電気を導通させるための層である。
本発明の透明導電体１００では、透明金属層３が透明基板１の全面に積層されていてもよく、図２及び図３に示すように、目的とするデバイスの用途に合わせて所望の形状にパターニングされていてもよい。
図２においては、透明電極ユニットＥＵを除去した領域を絶縁領域ｂとしているが、一例であって、少なくとも透明金属層３が除去されていれば適宜変更することができる。
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１００の用途に応じて、適宜選択される。
透明金属層３に含まれる金属は、導電性の高い金属であれば特に制限されず、例えば、銀、銅、金、白金、チタン、クロム等が挙げられる。
透明金属層３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属層は銀、又は銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
透明金属層３には、これらの金属が一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。導電性が高いとの観点から、透明金属層は銀、又は銀が９０ａｔ％以上含まれる合金からなることが好ましい。
銀と組み合わされる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層の耐硫化性が高まる。銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まる。さらに、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
透明金属層３は、５００ｎｍにおいて透過率が２０％以上で、かつ、プラズモン吸収率が３０％以下であることが好ましい。
透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることがより好ましく、７％以下であることがさらに好ましく、特に好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
透明金属層３のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることがより好ましく、７％以下であることがさらに好ましく、特に好ましくは５％以下である。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１００の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
透明金属層３の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順で測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて０．１ｎｍ成膜する。白金パラジウムの平均厚さは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を２０ｎｍ形成する。
（ii）そして、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の光透過率及び光反射率を測定する。そして各波長における光透過率及び光反射率から、光吸収率＝１００−（光透過率＋光反射率）を算出し、これをリファレンスデータとする。光透過率及び光反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成する。そして、当該透明金属層について、同様に光透過率及び光反射率を測定する。得られた光吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
透明金属層３の厚さは、２０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、さらに好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、特に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。
透明金属層３の厚さを２０ｎｍ以下にすることによって、透明金属層３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層３の厚さが２０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の光透過性が調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の厚さは、エリプソメーターで測定される。
透明金属層３の厚さを２０ｎｍ以下にすることによって、透明金属層３に金属本来の反射が生じ難い。さらに、透明金属層３の厚さが２０ｎｍ以下であると、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の光透過性が調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。透明金属層３の厚さは、エリプソメーターで測定される。
透明金属層３は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、透明金属層の平均透過率を変えるためには、スパッタ法で形成された層、又は後述する下地層上に形成された層であることが好ましい。
スパッタ法では、形成時に材料が被形成体に高速で衝突するため、緻密かつ平滑な層が得られやすく、透明金属層３の光透過性が高まりやすい。また、透明金属層３がスパッタ法により形成された層であると、透明金属層３が高温かつ低湿度な環境においても腐食し難くなる。
スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等が挙げられる。
透明金属層３は、特に対向スパッタ法で形成された層であることが好ましい。すなわち、透明金属層３が、対向スパッタ法で形成された層であると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
スパッタ法の種類は特に制限されず、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法、対向スパッタ法等が挙げられる。
透明金属層３は、特に対向スパッタ法で形成された層であることが好ましい。すなわち、透明金属層３が、対向スパッタ法で形成された層であると、透明金属層３が緻密になり、表面平滑性が高まりやすい。その結果、透明金属層３の表面電気抵抗がより低くなり、光の透過率も高まりやすい。
一方、透明金属層３が後述する下地層上に形成された層である場合、透明金属層３の形成時に下地層が成長核となるため、透明金属層３が平滑な層になりやすい。その結果、透明金属層３が薄くとも、プラズモン吸収が生じ難くなる。
この場合、透明金属層３の形成方法は、特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いることができる。
この場合、透明金属層３の形成方法は、特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法を用いることができる。
また、透明金属層３が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
透明金属層３は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
＜第２高屈折率層＞
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の導通領域ａ、つまり透明金属層３が形成されている領域の光透過性を調整するための層であり、少なくとも透明導電体１００の導通領域ａに形成される。
第２高屈折率層４は、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第２高屈折率層４は、少なくともガリウムを含有し、より好ましくはＧａ２Ｏ３を含有する。また、第２高屈折率層４は、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３又はＳｎＯ２のうち少なくともいずれかを含有することが好ましく、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３又はＳｎＯ２のうち少なくとも２種類以上を含有することがより好ましい。
また、第２高屈折率層４は、さらに、誘電性材料又は酸化物半導体材料やＳｉＯ２等を含有してもよい。
また、第２高屈折率層４が、第２高屈折率層全体に対して、Ｇａ２Ｏ３を１〜３５質量％の範囲内で含有することが好ましい。つまり、第２高屈折率層４に、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物（ＧＺＯ）のみが含有されている場合には、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味し、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物以外にも含有されている場合には、ＺｎＯ及びその他含有されている材料とＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味する。
また、第２高屈折率層４は、さらに、誘電性材料又は酸化物半導体材料やＳｉＯ２等を含有してもよい。
また、第２高屈折率層４が、第２高屈折率層全体に対して、Ｇａ２Ｏ３を１〜３５質量％の範囲内で含有することが好ましい。つまり、第２高屈折率層４に、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物（ＧＺＯ）のみが含有されている場合には、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味し、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３からなる複合酸化物以外にも含有されている場合には、ＺｎＯ及びその他含有されている材料とＧａ２Ｏ３の質量比が９９〜２５：１〜３５であることを意味する。
第２高屈折率層４は、透明基板１の屈折率より高い屈折率を有する。第２高屈折率層４の波長５７０ｎｍの光の屈折率（２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定）は、１．９〜２．１５の範囲内であることが、白色に見えて、骨みえ防止の観点から好ましい。
第２高屈折率層４に含有される上記誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
一方、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
なお、第２高屈折率層４の屈折率は、第２高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
第２高屈折率層４に含有される上記誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、透明基板１の波長５７０ｎｍの光の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
一方、第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光の具体的な屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、さらに好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。
なお、第２高屈折率層４の屈折率は、第２高屈折率層４に含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層４に含まれる材料の密度で調整される。
第２高屈折率層４に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
当該誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料と同様の金属酸化物が挙げられる。
第２高屈折率層４には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
また、第２高屈折率層４は、複数層から構成されても良い。
当該誘電性材料又は酸化物半導体材料は、第１高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料と同様の金属酸化物が挙げられる。
第２高屈折率層４には、当該金属酸化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
また、第２高屈折率層４は、複数層から構成されても良い。
第２高屈折率層４の厚さは、１５〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲内である。第２高屈折率層４の厚さが１５ｎｍ以上であると、第２高屈折率層４によって、透明導電体１００の導通領域ａの光透過性が十分に調整される。一方、第２高屈折率層４の厚さが１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層４が含まれる領域の光透過性が低下し難い。第２高屈折率層４の厚さは、エリプソメーターで測定される。
第２高屈折率層４の形成方法は、特に制限されず、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成された層が挙げられる。
第２高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層４は、スパッタ法で形成された層であることが特に好ましい。
第２高屈折率層４の透湿性が低くなるとの観点から、第２高屈折率層４は、スパッタ法で形成された層であることが特に好ましい。
また、第２高屈折率層４が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
第２高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
第２高屈折率層４は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよい。また、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
＜硫化防止層＞
図１に示すように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に、透明金属層３の硫化を防止するための硫化防止層５ａを設けることが好ましい。
硫化防止層５ａは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
図１に示すように、第１高屈折率層２と透明金属層３との間に、透明金属層３の硫化を防止するための硫化防止層５ａを設けることが好ましい。
硫化防止層５ａは、透明導電体１００の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
硫化防止層５ａは、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、半導体、金属等、又はＺｎを含む層である。
硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ただし、第１高屈折率層２と、硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、若しくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
硫化防止層５ａには、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上含まれてもよい。ただし、第１高屈折率層２と、硫化防止層５ａと、透明金属層３とが連続的に形成される場合には、金属酸化物が硫黄と反応可能、若しくは硫黄を吸着可能な化合物であることが好ましい。金属酸化物が、硫黄と反応する化合物である場合、金属酸化物と硫黄との反応物は、可視光の透過性が高いことが好ましい。
金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ＩＧＺＯ等が挙げられる。
金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が挙げられる。
半導体はＳｉ等が挙げられる。
金属はＺｎ等が挙げられる。
金属窒化物としては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が挙げられる。
上記の化合物を用いることができるが、十分な硫化防止機能及び耐久性を持たせるために、特にＺｎＯ、ＧＺＯ、ＩＧＺＯを用いることが好ましい。
金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が挙げられる。
半導体はＳｉ等が挙げられる。
金属はＺｎ等が挙げられる。
金属窒化物としては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が挙げられる。
上記の化合物を用いることができるが、十分な硫化防止機能及び耐久性を持たせるために、特にＺｎＯ、ＧＺＯ、ＩＧＺＯを用いることが好ましい。
ここで、硫化防止層５ａの厚さは、透明金属層３の形成時の衝撃から、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４の表面を保護可能な厚さであることが好ましい。
一方で、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれ得るＺｎＳは、透明金属層３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層５ａの厚さが非常に薄く、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜３ｎｍの範囲内である。
硫化防止層５ａの厚さは、エリプソメーターで測定される。
一方で、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４に含まれ得るＺｎＳは、透明金属層３に含まれる金属との親和性が高い。そのため、硫化防止層５ａの厚さが非常に薄く、第１高屈折率層２及び第２高屈折率層４の一部が僅かに露出していると、当該露出部分を中心に透明金属層が成長し、透明金属層３が緻密になりやすい。つまり、硫化防止層５ａは比較的薄いことが好ましく、０．１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは１〜３ｎｍの範囲内である。
硫化防止層５ａの厚さは、エリプソメーターで測定される。
硫化防止層５ａは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で形成することができる。
硫化防止層５ａが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。
硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
硫化防止層５ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
＜下地層＞
上述のように、透明導電体１００には、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層が設けられてもよい。
下地層は、透明金属層３より透明基板１側、かつ透明金属層３に隣接して形成された層、つまり、第１高屈折率層２と透明金属層３との間、又は硫化防止層５ａと透明金属層３との間に形成された層である。
下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
上述のように、透明導電体１００には、透明金属層３の形成時に成長核となる下地層が設けられてもよい。
下地層は、透明金属層３より透明基板１側、かつ透明金属層３に隣接して形成された層、つまり、第１高屈折率層２と透明金属層３との間、又は硫化防止層５ａと透明金属層３との間に形成された層である。
下地層は、少なくとも透明導電体の導通領域ａに形成されていることが好ましく、透明導電体１００の絶縁領域ｂに形成されていてもよい。
透明導電体１００に下地層が設けられると、透明金属層３の厚さが薄くとも、透明金属層３の表面の平滑性が高まる。その理由は以下のとおりである。
一般的な気相成膜法で透明金属層３の材料を、例えば第１高屈折率層２上に堆積させると、形成初期には、第１高屈折率層２上に付着した原子がマイグレート（移動）し、原子が寄り集まって塊（島状構造）を形成する。そして、この塊にまとわりつきながら膜が成長する。そのため、形成初期の層では、塊同士の間に隙間があり、導通しない。この状態からさらに塊が成長すると、塊同士の一部がつながり、辛うじて導通する。しかし、塊同士の間にいまだ隙間があるため、プラズモン吸収が生じる。そして、さらに形成が進むと、塊同士が完全につながって、プラズモン吸収が少なくなる。しかしその一方で、金属本来の反射が生じ、層の光透過性が低下する。
これに対し、第１高屈折率層２上をマイグレートし難い金属からなる下地層が形成されていると、当該下地層を成長核として、透明金属層３が成長する。つまり、透明金属層３の材料がマイグレートし難くなり、前述の島状構造を形成せずに膜が成長する。その結果、厚さが薄くとも平滑な透明金属層３が得られやすくなる。
ここで、下地層には、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウム、若しくはこれらの金属と他の金属との合金や、これらの金属の酸化物や硫化物（例えばＺｎＳ）が含まれることが好ましい。下地層には、これらが一種のみ含まれてもよく、二種以上が含まれてもよい。
下地層に含まれるパラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムの量は、２０質量％以上であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上であり、さらに好ましくは６０質量％以上である。下地層に上記金属が２０質量％以上含まれると、下地層と透明金属層３との親和性が高まり、下地層と透明金属層３との密着性が高まりやすい。下地層にはパラジウム又はモリブデンが含まれることが特に好ましい。
一方、パラジウム、モリブデン、亜鉛、ゲルマニウム、ニオブ又はインジウムと合金を形成する金属は特に制限されないが、例えばパラジウム以外の白金族、金、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、クロム等が挙げられる。
下地層の厚さは、３ｎｍ以下であり、好ましくは０．５ｎｍ以下であり、より好ましくは単原子膜である。
下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。
下地層は、透明基板１上に金属原子が互いに離間して付着している膜でもありうる。下地層の付着量が３ｎｍ以下であれば、下地層が透明導電体１００の光透過性や光学アドミッタンスに影響を及ぼし難い。下地層の有無はＩＣＰ−ＭＳ法で確認される。また、下地層の厚さは、形成速度と形成時間との積から算出される。
下地層は、スパッタ法又は蒸着法で形成することができる。
スパッタ法の例としては、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が挙げられる。下地層形成時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚さ、及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
スパッタ法の例としては、イオンビームスパッタ法や、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、２極スパッタ法、バイアススパッタ法等が挙げられる。下地層形成時のスパッタ時間は、所望の下地層の平均厚さ、及び形成速度に合わせて適宜選択される。スパッタ形成速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
一方、蒸着法の例としては、真空蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が挙げられる。蒸着時間は、所望の下地層の厚さ及び形成速度に合わせて適宜選択される。蒸着速度は、好ましくは０．１〜１５Å／秒の範囲内であり、より好ましくは０．１〜７Å／秒の範囲内である。
下地層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。下地層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相成膜法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
＜金属引出配線＞
本発明に用いられる金属引出配線２０２（図３参照）は、公知のプリント印刷等のプリント基板に用いられる方法により形成することができる。
材質については、銀又は銅が好ましく、線幅については、２０〜５０μｍの範囲内が好ましいが、目的に応じて適宜変更することができる。
本発明に用いられる金属引出配線２０２（図３参照）は、公知のプリント印刷等のプリント基板に用いられる方法により形成することができる。
材質については、銀又は銅が好ましく、線幅については、２０〜５０μｍの範囲内が好ましいが、目的に応じて適宜変更することができる。
＜電極パターンを有する透明導電体の形成方法＞
本発明の透明導電体１００においては、上記のような方法で透明基板１上に、少なくとも、第１高屈折率層２と、透明金属層３と、第２高屈折率層４とをこの順で積層して製造した後、透明導電体１００を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成する。
具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図２に示すような電極パターンを形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
本発明の透明導電体１００においては、上記のような方法で透明基板１上に、少なくとも、第１高屈折率層２と、透明金属層３と、第２高屈折率層４とをこの順で積層して製造した後、透明導電体１００を所定の形状にパターニングして、金属パターン電極を形成する。
具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図２に示すような電極パターンを形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
以下、フォトリソグラフィー法による電極パターンの形成方法について説明する。
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、銀薄膜層を、例えば、図２に示すようなパターンに加工することができ、パターンの形状は適宜変更することができる。
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所定のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、銀薄膜層を、例えば、図２に示すようなパターンに加工することができ、パターンの形状は適宜変更することができる。
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所定のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。
次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の中間層の溶解及び銀薄膜電極の除去を行う。
エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。
エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明電極が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。
次いで、図を交えて、本発明に適用可能な電極パターンの形成方法について説明する。
第１ステップとして、透明基板１上に、第１高屈折率層２、硫化防止層５ａ、透明金属層３、及び第２高屈折率層４をこの順で積層した透明電極ユニットＥＵを作製する。
次いで、レジスト膜の形成工程で、透明電極ユニットＥＵ上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。
第１ステップとして、透明基板１上に、第１高屈折率層２、硫化防止層５ａ、透明金属層３、及び第２高屈折率層４をこの順で積層した透明電極ユニットＥＵを作製する。
次いで、レジスト膜の形成工程で、透明電極ユニットＥＵ上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明電極ユニットＥＵ１０上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の範囲内で３０秒〜３０分間行うことができる。
次いで、露光工程で、所定の電極パターンにより作製したマスクを介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜に照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
次いで、現像工程で、露光済みの透明導電体を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜を溶解する。
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。
現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を一種又は二種以上含む水溶液などが挙げられる。
現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。
現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を一種又は二種以上含む水溶液などが挙げられる。
現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。
次いで、エッチング液を用いたエッチング処理を行う。
本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸又は有機酸を含有する液が好ましく、シュウ酸、塩酸、酢酸、リン酸、硝酸を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜を有する透明導電層透明電極ユニットＥＵを浸漬し、レジスト膜で保護されていない絶縁領域ｂの透明電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜で保護している導通領域ａの透明電極ユニットＥＵを所定の電極パターンとして形成する。
本発明に適用可能なエッチング液としては、無機酸又は有機酸を含有する液が好ましく、シュウ酸、塩酸、酢酸、リン酸、硝酸を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液に、レジスト膜を有する透明導電層透明電極ユニットＥＵを浸漬し、レジスト膜で保護されていない絶縁領域ｂの透明電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜で保護している導通領域ａの透明電極ユニットＥＵを所定の電極パターンとして形成する。
最後に、レジスト膜剥離液、例えば、ナガセケムテックス社製のＮ−３００に浸漬して、レジスト膜を除去して、電極パターンを有する透明導電体を作製することができる。
［透明導電体の物性］
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても９０％以上であることが好ましい。上記波長範囲における平均透過率が９０％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
本発明の透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても９０％以上であることが好ましい。上記波長範囲における平均透過率が９０％以上であると、透明導電体を、可視光に対して高い透明性が要求される用途に適用することができる。
一方、透明導電体の波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても９０％以上であることが好ましい。波長４００〜１０００ｎｍの光の平均透過率が９０％以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池にも透明導電体を適用することができる。
一方、本発明の透明導電体の波長４００〜８００ｎｍの光の平均吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、さらに好ましくは７％以下である。
また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。
一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。
透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
また、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは９％以下である。
一方、透明導電体の波長５００〜７００ｎｍの光の平均反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、さらに好ましくは１０％以下である。
透明導電体の平均吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均透過率が高まる。
上記平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率は、透明導電体の使用環境下での平均透過率、平均吸収率、及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体上に有機樹脂からなる層を作製して平均透過率及び平均反射率測定することが好ましい。
一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。
透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
一方、透明導電体が大気中で使用される場合には、大気中での平均透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。
透過率及び反射率は、透明導電体の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
また、透明導電体１００が導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが１．５以下であることが好ましく、より好ましくは１．０％以下、さらに好ましくは０．５％以下である。
一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光測色計（ＣＭ−５；コニカミノルタ株式会社製）で測定されるＹ値である。
一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。視感反射率は、分光測色計（ＣＭ−５；コニカミノルタ株式会社製）で測定されるＹ値である。
また、透明導電体１００が導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値が−２〜２の範囲内が好ましく、さらに好ましくは−０．５〜０の範囲内、ｂ＊値が−２〜２の範囲内が好ましく、さらに好ましくは０〜２の範囲内であることが好ましい。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値が−０．５〜０の範囲内、ｂ＊値が０〜２の範囲内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
透明導電体の導通領域ａの表面電気抵抗は、５０Ω／□以下であることが好ましく、さらに好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域の表面電気抵抗値が５０Ω／□以下である透明導電体は、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。
導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４−１９９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層の厚さ等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えばＪＩＳ Ｋ７１９４−１９９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
［透明導電体の光学アドミッタンスについて］
光学アドミッタンスは、一般に複素数で与えられる。実部は、光を通過させる空間又は物質の屈折率ｎと等しく、虚部は、前記空間又は物質の消衰係数と等しい値となる。
また、各アドミッタンスを表す点は、後述するアドミッタンス軌跡にしたがい、用いる物質に特徴的であるとともに、光を通過させる際の物質の厚さに依存する。
光学アドミッタンスは、一般に複素数で与えられる。実部は、光を通過させる空間又は物質の屈折率ｎと等しく、虚部は、前記空間又は物質の消衰係数と等しい値となる。
また、各アドミッタンスを表す点は、後述するアドミッタンス軌跡にしたがい、用いる物質に特徴的であるとともに、光を通過させる際の物質の厚さに依存する。
透明導電体の導通領域ａの表面（透明導電体１００において透明基板１とは反対側の表面）の反射率Ｒは、光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥとから定まる。
ここで、光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって、有機樹脂からなる部材、又は環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
ここで、光が入射する媒質とは、透明導電体に入射する光が、その入射直前に通過する部材又は環境であって、有機樹脂からなる部材、又は環境をいう。光が入射する媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖと、透明導電体の表面の等価アドミッタンスＹＥとの関係は以下の式で表される。
上記の式に基づけば、｜Ｙｅｎｖ−ＹＥ｜が０に近い程、透明導電体（導通領域ａ）の表面の反射率Ｒが低くなる。
前記媒質の光学アドミッタンスＹｅｎｖは、電場強度と磁場強度との比（Ｈ／Ｅ）から求められ、通常、媒質の屈折率ｎｅｎｖと同一である。一方、透明導電体の導通領域ａの表面の等価アドミッタンスＹＥは、導通領域ａを構成する層の光学アドミッタンスＹから求められる。例えば、透明導電体（導通領域ａ）が一層からなる場合には、透明導電体の等価アドミッタンスＹＥは、当該層の光学アドミッタンスＹ（屈折率）と等しくなる。
一方、透明導電体（導通領域ａ）が積層体からなる場合、１層目からｘ層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ Ｈｘ）は、１層目から（ｘ−１）層目までの積層体の光学アドミッタンスＹｘ−１（Ｅｘ−１ Ｈｘ−１）と、特定のマトリクスとの積で表され、具体的には以下の式（１）又は式（２）にて求められる。
・ｘ層目が誘電性材料又は酸化物半導体材料からなる層である場合
上記式において、δ＝２πｎｄ／λであり、ｙ＝ｎ（ｘ層目の膜のアドミッタンス）、ｄはｘ層目の層の層厚である。
・ｘ層目が理想金属層である場合
上記式において、γ＝（２π／λ）ｋｄ、ｄはｘ層目の層の層厚、ｋは層の屈折率（虚部）である。
そして、ｘ層目が最表層であるときの、透明基板から最表層までの積層物の光学アドミッタンスＹｘ（Ｅｘ Ｈｘ）が、当該透明導電体の等価アドミッタンスＹＥとなる。
ここで、上述したとおり、透明導電体の導通領域の反射率、及び絶縁領域の反射率がそれぞれ近似することが好ましく、具体的には、導通領域の視感反射率と、絶縁領域の視感反射率との差ΔＲが１．５％以下で、かつ、透明導電体の導通領域及び絶縁領域のいずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値が−２〜２の範囲内、ｂ＊値が０〜２の範囲内であり、さらに、透明導電体の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均透過率が、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８８％以上となる条件に収まるように、シミュレーションを行った時のアドミッタンス軌跡を図４に示す。
図４に示す（１）〜（４）のアドミッタンス軌跡は、以下のとおりである。
（１）最上層である第２高屈折率層の屈折率がｎ＝２．１３で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（２）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝２．０３で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＧＺＯ：ＧＺＯ＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（３）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝１．９５で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（４）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝１．９２で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（２０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
なお、グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部、つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。
（１）最上層である第２高屈折率層の屈折率がｎ＝２．１３で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（２）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝２．０３で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＧＺＯ：ＧＺＯ＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（３）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝１．９５で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
（４）第２高屈折率層の屈折率がｎ＝１．９２で、透明基板／第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＧＺＯ（２０％））を備える透明導電体の導通領域ａの波長５７０ｎｍのアドミッタンス軌跡
なお、グラフの横軸は、当該領域の光学アドミッタンスＹをｘ＋ｉｙで表したときの実部、つまり当該式におけるｘであり、縦軸は光学アドミッタンスの虚部、つまり当該式におけるｙである。
図４において、アドミッタンス軌跡の最終座標が、導通領域ａの等価アドミッタンスＹＥである。そして、等価アドミッタンスＹＥの座標（ｘＥ，ｙＥ）と、光が入射する媒質のアドミッタンス座標Ｙｅｎｖ（ｎｅｎｖ，０）（図示略）との距離が、透明導電体の導通領域ａの表面の反射率Ｒに比例する。
ここで、本発明の透明導電体では、透明金属層の第１高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ１（＝ｘ１＋ｉｙ１）とし、透明金属層の第２高屈折率層側の表面の波長５７０ｎｍにおける光学アドミッタンスをＹ２（＝ｘ２＋ｉｙ２）としたときに、下記式（Ａ）及び式（Ｂ）を満たすことが好ましい。
式（Ａ）：ｘ１−ｘ２≧０．０５
式（Ｂ）：ｙ１＋ｙ２≧０．０１
ここで、ｘ１及びｘ２は、光学アドミッタンスの実部を示す変数を表す。ｙ１及びｙ２は、光学アドミッタンスの虚部を示す変数を表す。ｉは、虚数単位を表す。
式（Ａ）：ｘ１−ｘ２≧０．０５
式（Ｂ）：ｙ１＋ｙ２≧０．０１
ここで、ｘ１及びｘ２は、光学アドミッタンスの実部を示す変数を表す。ｙ１及びｙ２は、光学アドミッタンスの虚部を示す変数を表す。ｉは、虚数単位を表す。
なお、図４では、アドミッタンス軌跡（４）の場合の、光学アドミッタンスＹ１、Ｙ２及びＹＥの座標をそれぞれ示している。
また、下記表１は、図４に示す各アドミッタンス軌跡（１）〜（４）における、ΔＲ、ａ＊値、ｂ＊値及び平均透過率を示している。
［透明導電体の適用分野］
上記構成からなる本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイス等に好ましく用いることができる。
上記構成からなる本発明の透明導電体は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイス等に好ましく用いることができる。
このとき、透明導電体の表面（例えば、透明基板と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。
一方、透明導電体の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標と、がそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と空気との界面での光の反射が抑制される。
以下、本発明の透明導電体をタッチパネルに適用した一例を示す。
図３は、電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
図３は、電極パターンを有する透明導電体を具備したタッチパネルの構成の一例を示す斜視図である。
図３に示すタッチパネル２００は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板１−１及び１−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板２０１で覆われている。
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図２を用いて説明した電極パターンが形成された透明導電体１００である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板１上に、第１高屈折率層２、硫化防止層５ａ、透明金属層３、第２高屈折率層４をこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り、「質量％」で表す。
透明基板として、きもと株式会社製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＨＣＰＥＴ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＨＣＰＥＴフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層／（硫化防止層）／透明金属層／第２高屈折率層をこの順に積層して各透明導電体を作製した。
なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
また、光の屈折率は、２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定した。
なお、各層の厚さは、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
また、光の屈折率は、２５℃、５５％ＲＨ環境下で測定した。
＜透明導電体１の作製＞
≪第１高屈折率層（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％）とは、Ｉｎ２Ｏ３とＳｉＯ２とＳの質量比がＩｎ２Ｏ３：ＳｉＯ２：Ｓ＝７９．３：２０：０．７であることを意味する。
≪第１高屈折率層（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｉＯ２（２０％）＋Ｓ（０．７％）とは、Ｉｎ２Ｏ３とＳｉＯ２とＳの質量比がＩｎ２Ｏ３：ＳｉＯ２：Ｓ＝７９．３：２０：０．７であることを意味する。
≪透明金属層（Ａｇ）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／秒でＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート３．８Å／秒でＡｇをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
＜透明導電体２の作製＞
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２を作製した。
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２を作製した。
≪第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｓ（０．７％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｎｂ２Ｏ５＋Ｓ（０．７％）とは、Ｎｂ２Ｏ５とＳの質量比がＮｂ２Ｏ５：Ｓ＝９９．３：０．７であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｎｂ２Ｏ５＋Ｓ（０．７％）とは、Ｎｂ２Ｏ５とＳの質量比がＮｂ２Ｏ５：Ｓ＝９９．３：０．７であることを意味する。
＜透明導電体３の作製＞
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体３を作製した。
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体３を作製した。
≪第１高屈折率層（ＩＴＯ＋Ｓ（０．７％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＩＴＯ＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＩＴＯ＋Ｓ（０．７％）とは、ＩＴＯとＳの質量比がＩＴＯ：Ｓ＝９９．３：０．７であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＩＴＯ＋Ｓ（０．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＩＴＯ＋Ｓ（０．７％）とは、ＩＴＯとＳの質量比がＩＴＯ：Ｓ＝９９．３：０．７であることを意味する。
＜透明導電体４の作製＞
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体４を作製した。
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体４を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２Å／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２Å／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＺｎＯ＋Ｇａ（３％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＺｎＯ＋Ｇａ（３％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＯ＋Ｇａ（３％）とは、ＺｎＯとＧａの質量比がＺｎＯ：Ｇａ＝９７：３であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＺｎＯ＋Ｇａ（３％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＯ＋Ｇａ（３％）とは、ＺｎＯとＧａの質量比がＺｎＯ：Ｇａ＝９７：３であることを意味する。
＜透明導電体５の作製＞
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体５を作製した。
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体５を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）とは、ＺｎＳとＳｉＯ２の質量比がＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）とは、ＺｎＳとＳｉＯ２の質量比がＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０であることを意味する。
≪第２高屈折率層（ＳｎＯ２＋Ｇａ２Ｏ３（１０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＳｎＯ２＋Ｇａ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＳｎＯ２＋Ｇａ2Ｏ３（１０％）とは、ＳｎＯ２とＧａ2Ｏ３の質量比がＳｎＯ２：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＳｎＯ２＋Ｇａ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＳｎＯ２＋Ｇａ2Ｏ３（１０％）とは、ＳｎＯ２とＧａ2Ｏ３の質量比がＳｎＯ２：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
＜透明導電体６の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体６を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体６を作製した。
≪第２高屈折率層（Ｉｎ２Ｏ５＋Ｇａ２Ｏ３（１０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ５＋Ｇａ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｉｎ２Ｏ５＋Ｇａ2Ｏ３（１０％）とは、Ｉｎ２Ｏ５とＧａ2Ｏ３の質量比がＩｎ２Ｏ５：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ５＋Ｇａ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、Ｉｎ２Ｏ５＋Ｇａ2Ｏ３（１０％）とは、Ｉｎ２Ｏ５とＧａ2Ｏ３の質量比がＩｎ２Ｏ５：Ｇａ２Ｏ３＝９０：１０であることを意味する。
＜透明導電体７の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体７を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体７を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体８の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体８を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体８を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（５．７％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９４．３：５．７であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（５．７％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９４．３：５．７であることを意味する。
＜透明導電体９の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体９を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体９を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（２０％）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（２０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（２０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝８０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（２０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（２０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝８０：１０であることを意味する。
＜透明導電体１０の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１０を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１０を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１％）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９９：１であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝９９：１であることを意味する。
＜透明導電体１１の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１１を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１１を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（４０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（４０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（４０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝６０：４０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（４０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（４０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３＝６０：４０であることを意味する。
＜透明導電体１２の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１２を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１２を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：Ｉｎ２Ｏ３＝８０：１０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：Ｉｎ２Ｏ３＝８０：１０：１０であることを意味する。
＜透明導電体１３の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す硫化防止層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１３を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す硫化防止層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１３を作製した。
≪硫化防止層（ＧＺＯ（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体１４の作製＞
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１４を作製した。
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１４を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（１０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（１０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＳＳｉＯ２（１０％）とは、ＺｎＳとＳｉＯ２の質量比がＺｎＳ：ＳｉＯ２＝９０：１０であることを意味する。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（１０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＺｎＳＳｉＯ２（１０％）とは、ＺｎＳとＳｉＯ２の質量比がＺｎＳ：ＳｉＯ２＝９０：１０であることを意味する。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体１３と異なり、４８ｎｍとした。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体１３と異なり、４８ｎｍとした。
＜透明導電体１５の作製＞
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１５を作製した。
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１５を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝７０：１０：１０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝７０：１０：１０：１０であることを意味する。
＜透明導電体１６の作製＞
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１６を作製した。
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１６を作製した。
≪第２高屈折率層（Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ（１：１：１：４））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ（１：１：１：４）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ（１：１：１：４）とは、ＺｎとＧａとＩｎとＯの原子量比がＺｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ＝１：１：１：４であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力５０Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ（１：１：１：４）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ｚｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ（１：１：１：４）とは、ＺｎとＧａとＩｎとＯの原子量比がＺｎ：Ｇａ：Ｉｎ：Ｏ＝１：１：１：４であることを意味する。
＜透明導電体１７の作製＞
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１７を作製した。
上記「透明導電体１４の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１７を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２Å／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２Å／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体１４と異なり、５１ｎｍとした。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋Ｉｎ２Ｏ３（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体１４と異なり、５１ｎｍとした。
＜透明導電体１８の作製＞
上記「透明導電体１７の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１８を作製した。
上記「透明導電体１７の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１８を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成≫
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調製して、形成速度１．０ｎｍ／秒で蒸着した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調製して、形成速度１．０ｎｍ／秒で蒸着した。
＜透明導電体１９の作製＞
上記「透明導電体１７の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１９を作製した。なお、第１高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
上記「透明導電体１７の作製」において、下記に示す第１高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体１９を作製した。なお、第１高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）−ＺｎＳ）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＺｎＳＳｉＯ２膜上に、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調製して、形成速度１．０ｎｍ／秒で蒸着した。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＺｎＳＳｉＯ２膜上に、真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、第１のモリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１の抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を適宜調製して、形成速度１．０ｎｍ／秒で蒸着した。
＜透明導電体２０の作製＞
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２０を作製した。
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２０を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋ＴｉＯ２（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋ＴｉＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋ＴｉＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＴｉＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：ＴｉＯ２＝８０：１０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋ＴｉＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋ＴｉＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＴｉＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：ＴｉＯ２＝８０：１０：１０であることを意味する。
＜透明導電体２１の作製＞
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２１を作製した。
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２１を作製した。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．８Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＳｎＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝８０：１０：１０であることを意味する。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．８Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
なお、ＧＺＯ（１０％）＋ＳｎＯ２（１０％）とは、ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とＳｎＯ２の質量比がＺｎＯ：Ｇａ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝８０：１０：１０であることを意味する。
＜透明導電体２２の作製＞
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２２を作製した。なお、第２高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２２を作製した。なお、第２高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）−ＳｎＯ２）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＧＺＯ膜上に、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＳｎＯ２の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＧＺＯ膜上に、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＳｎＯ２の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体２３の作製＞
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２３を作製した。なお、第２高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
上記「透明導電体１３の作製」において、下記に示す第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２３を作製した。なお、第２高屈折率層は、下記のとおり２層構造とした。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（１０％）−Ｉｎ２Ｏ５）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＧＺＯ膜上に、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ５の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（１０％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
次いで、形成したＧＺＯ膜上に、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（Ｉｎ２Ｏ５の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体２４の作製＞
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２４を作製した。
上記「透明導電体１の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２４を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＯ）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．６Å／秒でターゲット（ＺｎＯの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．６Å／秒でターゲット（ＺｎＯの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＺｎＯ）の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．６Å／秒でターゲット（ＺｎＯの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート０．６Å／秒でターゲット（ＺｎＯの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体２５の作製＞
上記「透明導電体８の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２５を作製した。
上記「透明導電体８の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２５を作製した。
≪第１高屈折率層（ＧＺＯ（５．７％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
≪第２高屈折率層（ＧＺＯ（５．７％））の形成≫
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体８と異なり、４０ｎｍとした。
Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力７５Ｗ、成膜レート０．７Å／秒でターゲット（ＧＺＯ（５．７％）の焼成体）をＤＣスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第２高屈折率層の層厚は、透明導電体８と異なり、４０ｎｍとした。
＜透明導電体２６の作製＞
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２６を作製した。
上記「透明導電体５の作製」において、下記に示す第１高屈折率層及び第２高屈折率層の形成以外は、同様にして透明導電体２６を作製した。
≪第１高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第１高屈折率層の層厚は、透明導電体５と異なり、４０ｎｍとした。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。なお、第１高屈折率層の層厚は、透明導電体５と異なり、４０ｎｍとした。
≪第２高屈折率層（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％））の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート１．５Å／秒でターゲット（ＺｎＳＳｉＯ２（２０％）の焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
＜透明導電体２７の作製＞
上記「透明導電体４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層以外は、同様にして透明導電体２７を作製した。
上記「透明導電体４の作製」において、下記に示す第２高屈折率層以外は、同様にして透明導電体２７を作製した。
≪第２高屈折率層（ＺｎＳ）の形成≫
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
真空スパッタ装置として、大阪真空社製のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．１Ｐａ、室温下、ターゲット側電力１５０Ｗ、成膜レート２．２／秒でターゲット（ＺｎＳの焼成体）をＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は９０ｍｍであった。
上記透明導電体１〜２７の各層の層厚と、第１及び第２高屈折率層の波長５７０ｎｍの光の屈折率は、下記表２及び表３に示す。
＜パターン状に形成された透明導電体１〜２７の作製＞
上記のように作製した各透明導電体に対して以下のようにしてパターニングを施し、図２に示すようなパターン状に形成された透明導電体１〜２７を作製した。
各透明導電体の少なくとも第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を有する透明電極ユニットに対し、導通領域ａと、絶縁領域ｂを有するパターンを形成した。
具体的に、透明電極ユニット上に、フォトリソグラフィー法でレジスト層をパターン状に形成し、少なくとも第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をエッチング液を用いて、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン状にエッチングした。
エッチング液としては、関東化学社製の「混液 ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）を用いた。絶縁領域ｂには、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。
上記のように作製した各透明導電体に対して以下のようにしてパターニングを施し、図２に示すようなパターン状に形成された透明導電体１〜２７を作製した。
各透明導電体の少なくとも第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を有する透明電極ユニットに対し、導通領域ａと、絶縁領域ｂを有するパターンを形成した。
具体的に、透明電極ユニット上に、フォトリソグラフィー法でレジスト層をパターン状に形成し、少なくとも第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層をエッチング液を用いて、複数の導通領域ａと、これを区切るライン状の絶縁領域ｂとを含むパターン状にエッチングした。
エッチング液としては、関東化学社製の「混液 ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）を用いた。絶縁領域ｂには、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域ｂの幅は１６μｍとした。
［評価方法］
以下に示す評価方法に従って、上記で作製した透明導電体の評価を行った。評価結果を下記表４に示す。
＜平均透過率＞
パターン状に形成された透明導電体を用いて導通領域における平均透過率を以下の方法に従って測定した。
以下に示す評価方法に従って、上記で作製した透明導電体の評価を行った。評価結果を下記表４に示す。
＜平均透過率＞
パターン状に形成された透明導電体を用いて導通領域における平均透過率を以下の方法に従って測定した。
パターン状に形成された透明導電体の第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製 屈折率＝１．５１５）を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均透過率（％）を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、５°傾けた角度から、導通領域に測定光を入射させ、株式会社日立ハイテクノロジーズ製：分光光度計 Ｕ−４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。
以下の基準で評価した。
◎：平均透過率が９０％以上である
○：平均透過率が８８％以上９０％未満である
△：平均透過率が８３％以上８８％未満である
×：平均透過率が８３％未満である
以下の基準で評価した。
◎：平均透過率が９０％以上である
○：平均透過率が８８％以上９０％未満である
△：平均透過率が８３％以上８８％未満である
×：平均透過率が８３％未満である
＜抵抗安定性及び電気的接続可能性＞
各透明導電体の第２高屈折率層の表面（２点）に、三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、抵抗値の安定性を確認した。測定環境の温度は２４℃であり、湿度は３０％ＲＨとした。抵抗値の安定性及び電気的接続可能性は、以下の基準で評価した。
◎：測定開始から５秒後に抵抗値が安定し、かつ抵抗値が２０Ω／□以下である。またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続可能であることを確認した。
○：測定開始から５秒後に抵抗値が安定しないものの、抵抗値が５０Ω／□以下に収まる。またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続可能であることを確認した。
△：測定開始から５秒後に抵抗値が安定せず、かつ抵抗値が５０Ω／□超である。
またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続不可能であった。
各透明導電体の第２高屈折率層の表面（２点）に、三菱化学アナリテック製のロレスタＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０を接触させて、抵抗値の安定性を確認した。測定環境の温度は２４℃であり、湿度は３０％ＲＨとした。抵抗値の安定性及び電気的接続可能性は、以下の基準で評価した。
◎：測定開始から５秒後に抵抗値が安定し、かつ抵抗値が２０Ω／□以下である。またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続可能であることを確認した。
○：測定開始から５秒後に抵抗値が安定しないものの、抵抗値が５０Ω／□以下に収まる。またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続可能であることを確認した。
△：測定開始から５秒後に抵抗値が安定せず、かつ抵抗値が５０Ω／□超である。
またタッチパネルに実装し金属配線と電気的に接続不可能であった。
＜湿熱耐性＞
各透明導電体を８５℃、８５％ＲＨの湿熱環境下に２４０時間載置した。その後、透明導電体の外観を目視で観察し、以下の基準で評価した。
◎：外観に異常なし
○：１〜５個の斑点が観察される
△：６個以上の斑点が観察される
×：全面変色する。
各透明導電体を８５℃、８５％ＲＨの湿熱環境下に２４０時間載置した。その後、透明導電体の外観を目視で観察し、以下の基準で評価した。
◎：外観に異常なし
○：１〜５個の斑点が観察される
△：６個以上の斑点が観察される
×：全面変色する。
＜耐薬品性＞
上述のフォトリソグラフィー法によりパターン状に形成された透明導電体の外観を目視で観察し、以下の基準で評価した。
◎：外観に異常なし
○：１〜５個の斑点が観察される
△：６個以上の斑点が観察される
上述のフォトリソグラフィー法によりパターン状に形成された透明導電体の外観を目視で観察し、以下の基準で評価した。
◎：外観に異常なし
○：１〜５個の斑点が観察される
△：６個以上の斑点が観察される
＜フレキシブル性＞
各透明導電体を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。当該透明導電体をＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。フレキシブル性は以下のように評価した。
◎：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上５０個以下のクラックが生じた
△：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個超のクラックが生じた
各透明導電体を平板状の支持部材に載置し、一端を固定した。当該透明導電体をＵ字状に屈曲させた。屈曲部の曲率半径は５ｍｍとした。そして、支持部材と平行に配置した摺動板に、透明導電体の他端を固定した。摺動板と支持部材とを平行に保ったまま、透明導電体の長さ方向に摺動板を１０００回往復移動させた。その後、透明導電体の各層にクラック等が生じたかを目視で確認した。フレキシブル性は以下のように評価した。
◎：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、クラックが一つも生じなかった
○：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、１個以上５０個以下のクラックが生じた
△：屈曲部位を含む３０ｍｍ×３０ｍｍの領域に、５０個超のクラックが生じた
表４に示した結果より、透明導電体１〜２３は、透明導電体２４〜２７に比べて、平均透過率、抵抗安定性、電気的接続可能性、湿熱耐性、耐薬品性及びフレキシブル性の点で全体的に優れていることが認められる。
１、１−１、１−２ 透明基板
２ 第１高屈折率層
３ 透明金属層
４ 第２高屈折率層
５ａ 硫化防止層
１００ 透明導電体
２００ タッチパネル
２０１ 前面板
２０２ 金属引出配線
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２ 透明電極ユニット
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域
２ 第１高屈折率層
３ 透明金属層
４ 第２高屈折率層
５ａ 硫化防止層
１００ 透明導電体
２００ タッチパネル
２０１ 前面板
２０２ 金属引出配線
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２ 透明電極ユニット
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域
Claims (5)
- 少なくとも、透明基板、第１高屈折率層、透明金属層及び第２高屈折率層を、この順に有する透明導電体であって、
前記第１高屈折率層が、少なくとも硫黄を含有し、
前記第２高屈折率層が、少なくともガリウムを含有し、
前記ガリウムが、Ｇａ２Ｏ３として、前記第２高屈折率層に１〜３５質量％の範囲内で含有され、かつ、
前記第１高屈折率層と透明金属層との間に、前記透明金属層の硫化を防止するための硫化防止層を有し、
前記硫化防止層が、ＺｎＯとＧａ ２ Ｏ ３ からなる複合酸化物（ＧＺＯ）からなることを特徴とする透明導電体。 - 前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくともいずれかを含有することを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
- 前記第２高屈折率層が、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、又はＳｎＯ２のうち少なくとも２種類以上を含有することを特徴とする請求項２に記載の透明導電体。
- 前記第１高屈折率層が、ＺｎＳ又はＳｉＯ２のうち少なくとも一方を含有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の透明導電体。
- 請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の透明導電体を用いたことを特徴とするタッチパネル。
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