JP6256253B2 - 透明導電体及びタッチパネル - Google Patents
透明導電体及びタッチパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP6256253B2 JP6256253B2 JP2014168945A JP2014168945A JP6256253B2 JP 6256253 B2 JP6256253 B2 JP 6256253B2 JP 2014168945 A JP2014168945 A JP 2014168945A JP 2014168945 A JP2014168945 A JP 2014168945A JP 6256253 B2 JP6256253 B2 JP 6256253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- transparent
- high refractive
- sccm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
本発明は、透明導電体及びタッチパネルに関する。より詳しくは、光透過性に優れた透明導電体及びそれを具備したタッチパネルに関する。
近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、無機及び有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ:ＥＬ）ディスプレイ等の表示装置、タッチパネル、太陽電池等の各種装置に透明導電体が使用されている。
タッチパネル型の表示装置等では、表示素子の画像表示面上に、透明導電体を含む配線が配置される。したがって、透明導電体には、光の透過性が高いことが求められる。このような各種表示装置には、光透過性の高いＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を用いた透明導電体が多用されている。
そのような中で、静電容量方式のタッチパネル表示装置が開発され、透明導電体の表面電気抵抗を更に低くすることが求められている。しかし、従来のＩＴＯ膜では、表面電気抵抗を十分に下げられないという問題があった。
そこで、銀蒸着層を透明金属層（以下、Ａｇ層ともいう。）として用いることが検討されている（例えば、特許文献１参照。）。また、透明導電体の光透過性を高めるため、Ａｇ層を屈折率の高い膜（例えば、Ｎｂ２Ｏ５（酸化ニオブ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等からなる膜）で挟み込むことも提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。さらに、Ａｇ層を、硫化亜鉛を含有する層（以下、ＺｎＳ含有層又は硫化亜鉛含有層ともいう。）で挟み込むことが提案されている（例えば、非特許文献２参照。）。
しかし、上記非特許文献２に開示されているような透明導電体では、透明基板とＺｎＳ含有層との密着性に問題があった。具体的には、ＺｎＳ含有層が少しずつしか成膜されない、又は、全く膜が付かないという問題である。
この膜付きの悪化は、ＺｎＳ含有層の上に成膜するＡｇ層のプラズモン吸収を悪化させるという第２の問題も引き起こしてしまう。
この膜付きの悪化は、ＺｎＳ含有層の上に成膜するＡｇ層のプラズモン吸収を悪化させるという第２の問題も引き起こしてしまう。
Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ Ｎｂ２Ｏ５／Ａｇ／ＩＺＯ ｗｉｔｈ ａｎ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｓｉｇｎ，Ｙｗｈ−Ｔａｒｎｇ Ｌｅｕ，ｅｔ ａｌ．，ＳＩＤ ２０１２ ＤＩＧＥＳＴ ｐ．３５２−３５３
Ｘｕａｎｊｉｅ Ｌｉｕ，ｅｔ ａｌ．，２００３，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ４４１，２００−２０６
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光透過性に優れた透明導電体及びそれを具備したタッチパネルを提供することである。
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、第１屈折率調整層群の少なくとも１層が、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、特定の数値以上であること、又は、第１屈折率調整層群の少なくとも１層が、硫黄が含有された層であり、透明基板と第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されていることが、光透過性に優れた透明導電体及びそれを具備するタッチパネルを提供できることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．透明基板と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする透明導電体。
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする透明導電体。
２．前記硫化亜鉛が含有された層が、プラズマアシスト又はイオンアシストを用いた蒸着法により形成されていることを特徴とする第１項に記載の透明導電体。
３．前記透明基板と前記第１屈折率調整層群との間に、密着層が形成されていることを特徴とする第１項又は第２項に記載の透明導電体。
４．透明基板と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群は、少なくとも、高屈折率層と、前記高屈折率層と前記透明金属層との間に形成された硫化防止層と、を有し、
前記高屈折率層は、硫黄が含有された層であり、
前記硫化防止層の層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であり、
前記透明基板と前記第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されていることを特徴とする透明導電体。
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群は、少なくとも、高屈折率層と、前記高屈折率層と前記透明金属層との間に形成された硫化防止層と、を有し、
前記高屈折率層は、硫黄が含有された層であり、
前記硫化防止層の層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であり、
前記透明基板と前記第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されていることを特徴とする透明導電体。
５．前記密着層には、亜鉛化合物が含有されていることを特徴とする第３項又は第４項に記載の透明導電体。
６．前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層には、亜鉛又はインジウムを含む酸化物が含有されていることを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
７．前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層には、硫黄が含有されていることを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
８．前記透明金属層が、パターニングされていることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の透明導電体。
９．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の透明導電体が具備されていることを特徴とするタッチパネル。
本発明の上記手段により、光透過性に優れた透明導電体及びそれを具備したタッチパネルを提供することができる。
本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。
基板とＺｎＳ含有層との膜付きの悪化（密着性低下）は、蒸着のような熱エネルギーを利用した成膜で顕著であるが、スパッタを用いた場合でも、量産時のような大きなチャンバーを使用した際には膜付きが悪化していた。これは推測ではあるが、蒸着のような加熱プロセスではＺｎＳ中の硫黄が解離してしまい、成膜された膜中の硫黄含有率（Ｓ／（Ｚｎ＋Ｓ））が低下することが原因ではないかと考えられる。スパッタの場合でも真空室が大きい場合には、硫黄の解離と拡散が進み、基板との膜付きが悪くなっていると考えられる。
また、この膜付きの悪化は、ＺｎＳ含有層の上に成膜するＡｇ層の吸収を悪化させるという第２の問題も引き起こす。これも推測であるが、上記同様に、ＺｎＳ中の硫黄の組成ズレが原因でＡｇ層とＺｎＳ含有層との密着性が大きく変わるため、Ａｇ層のプラズモン吸収が増大していると考えている。
また、この膜付きの悪化は、ＺｎＳ含有層の上に成膜するＡｇ層の吸収を悪化させるという第２の問題も引き起こす。これも推測であるが、上記同様に、ＺｎＳ中の硫黄の組成ズレが原因でＡｇ層とＺｎＳ含有層との密着性が大きく変わるため、Ａｇ層のプラズモン吸収が増大していると考えている。
本発明においては、硫化亜鉛が含有されている第１屈折率調整層群の少なくとも１層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合を特定の数値以上とすること、又は、硫黄が含有されている層を有する第１屈折率調整層群と透明基板との間に、密着層を形成することにより、膜付きの悪化を防止することができるものと推察している。
本発明の透明導電体は、透明基板と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、透明金属層と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、をこの順に備え、第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、特定の数値以上であること、又は、第１屈折率調整層群は、少なくとも、高屈折率層と、高屈折率層と透明金属層との間に形成された硫化防止層と、を有し、高屈折率層は、硫黄が含有された層であり、硫化防止層の層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であり、透明基板と第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されていることを特徴とする。この特徴は、下記各実施態様に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施態様としては、高反応性成膜の実現と表面拡散効果による膜質の緻密性・平滑性を向上させる観点から、硫化亜鉛が含有された層がプラズマアシスト又はイオンアシストを用いた蒸着法により形成されていることが好ましい。
また、密着層と、その上に形成されるＺｎＳ含有層との密着性向上の観点から、密着層に亜鉛化合物が含有されていることが好ましい。
また、導電性及び耐湿特性向上の観点から、第２屈折率調整層群の少なくとも１層に亜鉛又はインジウムを含む酸化物が含有されていることが好ましい。
また、耐湿特性向上の観点から、第２屈折率調整層群の少なくとも１層に硫黄が含有されていることが好ましい。
また、導電性を向上させる観点から、透明金属層がパターニングされていることが好ましい。
本発明の透明導電体は、タッチパネルに好適に具備される。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。
［第１の実施形態］
≪透明導電体の基本構成≫
第１の実施形態に係る透明導電体は、透明基板と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、透明金属層と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、をこの順に備え、第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする。
なお、本発明において、元素の含有率（ａｔ％）とは、層に含まれる全含有元素を１００ａｔ％としたときの値である。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
第１の実施形態に係る透明導電体は、透明基板と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、透明金属層と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、をこの順に備え、第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする。
なお、本発明において、元素の含有率（ａｔ％）とは、層に含まれる全含有元素を１００ａｔ％としたときの値である。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
図１に示すように、本発明の透明導電体１は、少なくとも、透明基板２、第１屈折率調整層群４、透明金属層６及び第２屈折率調整層群８がこの順に積層され構成されている。
第１屈折率調整層群４は、少なくとも硫化亜鉛を含有する層４Ａ（以下、第１高屈折率層４Ａともいう。）を有し、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が３５％以上となっている。
第１屈折率調整層群４は、少なくとも硫化亜鉛を含有する層４Ａ（以下、第１高屈折率層４Ａともいう。）を有し、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が３５％以上となっている。
図１に示されるように、第１屈折率調整層群４と第２屈折率調整層群８との間に透明金属層６が設けられているが、このように硫黄原子を含有した高屈折率層を透明金属層６に隣接して設けると、透明金属層６中の銀（Ａｇ）原子とＺｎＳの硫黄原子との親和性が高いため、銀原子のマイグレーションが抑えられ、薄膜で均一な透明金属層６を得ることができる。また、銀薄膜は安定であるため、耐湿性にも優れている。
また、第１屈折率調整層群４は、図２に示すように、透明基板２側から順に、第１高屈折率層４Ａ、亜鉛原子を含有する第１硫化防止層４Ｂからなる構成としてもよい。第１硫化防止層４Ｂを透明金属層６に隣接して設けると、透明金属層６中の銀が第１屈折率調整層群４に含まれる硫黄原子により硫化されることを抑えることができる。
図３に示すように、第２屈折率調整層群８は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有されている層８Ａ（以下、第２高屈折率層８Ａともいう。）を少なくとも１層有していることが好ましく、更に、第１屈折率調整層群４同様に、透明金属層６側から順に、亜鉛原子を含有する第１硫化防止層８Ｂ、第２高屈折率層８Ａからなる構成としてもよい。
第１硫化防止層４Ｂ及び第２硫化防止層８Ｂは、必要に応じて、適宜設けることができる。
第１硫化防止層４Ｂ及び第２硫化防止層８Ｂは、必要に応じて、適宜設けることができる。
また、本発明の透明導電体１は、図１〜３で示すように、透明金属層６が透明基板２の全面に積層されているように形成してもよいが、図４に示すように、例えば、第１屈折率調整層群４、透明金属層６、第２屈折率調整層群８から構成される透明電極ユニットＥＵが所望の形状にパターニングされていることが好ましい。
本発明の透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（導通領域ともいう。）である。一方、透明基板２上に透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
本発明の透明導電体１において、透明電極ユニットＥＵが積層されている領域ａが、電気が導通する領域（導通領域ともいう。）である。一方、透明基板２上に透明電極ユニットＥＵを有していない領域ｂが絶縁領域である。
導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンは、透明導電体１の用途に応じて、適宜選択される。静電方式のタッチパネルに適用するパターンの詳細については、後述する。
また、本発明の透明導電体１には、透明基板２、第１屈性率調整層群４（第１高屈折率層４Ａ、第１硫化防止層４Ｂ）、透明金属層６、第２屈折率調整層８（第２硫化防止層８Ｂ、第２高屈折率層８Ａ）の他に、必要に応じて公知の機能性層を設けてもよい。
本発明の透明導電体１に含まれる層は、透明基板２を除いて、いずれも無機材料からなる層であることが好ましい。例えば、第２屈性率調整層群８上に有機樹脂からなる接着層が積層されていたとしても、透明基板２から第２屈性率調整層群８までを本発明の透明導電体１であると定義する。
≪透明基板≫
本発明の透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を適宜用いることができる。
透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムが挙げられる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
本発明の透明導電体１に適用可能な透明基板２としては、各種表示デバイスの透明基板に適用されている材料を適宜用いることができる。
透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂（例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等）、ポリカーボネート樹脂（例えば、パンライト、マルチロン（以上、帝人社製））、シクロオレフィン樹脂（例えば、ゼオノア（日本ゼオン社製）、アートン（ＪＳＲ社製）、アペル（三井化学社製））、アクリル樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリライト（三菱レイヨン社製）、スミペックス（住友化学社製））、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリエーテルスルホン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）／アクリロニトリル・スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、メチルメタクリレート・ブタジエン・スチレン樹脂（ＭＢＳ樹脂）、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／エチレンビニルアルコール樹脂（ＥＶＯＨ）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムが挙げられる。透明基板２が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには２種以上の樹脂が含まれてもよい。
高い光透過性を達成することができる観点から、本発明に適用する透明基板２としては、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（特にポリエチレンテレフタレート）、トリアセチルセルロース、シクロオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、ポリエーテルスルホン、ＡＢＳ／ＡＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール／ＥＶＯＨ（エチレンビニルアルコール樹脂）、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等の樹脂成分から構成されるフィルムであることが好ましい。
透明基板２は、可視光に対する光透過性が高いことが好ましく、波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることが更に好ましい。透明基板２の光の平均光透過率が７０％以上であると、透明導電体１の光透過性が高まりやすい。また、透明基板２の波長４５０〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は１０％以下であることが好ましく、より好ましくは５％以下、更に好ましくは３％以下である。
本発明において、平均光透過率は、透明基板２の表面の法線に対して、５°傾けた角度から光を入射させて測定する。
一方、平均光吸収率は、平均光透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
一方、平均光吸収率は、平均光透過率と同様の角度から光を入射させて、透明基板２の平均反射率を測定し、
平均光吸収率（％）＝１００−（平均光透過率＋平均反射率）（％）
として算出する。平均光透過率及び平均反射率は、分光光度計（例えば、Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定することができる。
透明基板２の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、１．４０〜１．９５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．４５〜１．７５の範囲内であり、更に好ましくは１．４５〜１．７０の範囲内である。透明基板２の屈折率は、通常、透明基板２の材質によって定まる。透明基板２の屈折率は、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
透明基板２のヘイズ値は、０．０１〜２．５％の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１．２％の範囲内である。透明基板２のヘイズ値が２．５％以下であると、透明導電体としてのヘイズ値を抑制することができ、好ましい。ヘイズ値は、ヘイズメーターを用いて測定することができる。
透明基板２の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０μｍ〜２ｍｍの範囲内である。透明基板２の厚さが１μｍ以上であれば、透明基板２の強度が高まり、第１高屈折率層４Ａの作製時に割れたり、裂けたりすることを防止することができる。一方、透明基板２の厚さが２０ｍｍ以下であれば、透明導電体１の十分なフレキシブル性を得ることができる。さらに、透明導電体１を具備した電子デバイス機器等の厚さを薄くできる。また、透明導電体１を用いた電子デバイス機器等を軽量化することもできる。
本発明においては、使用する透明基板２は、各構成層を成膜する前に、基板中に含まれている水分や残留している溶媒をクライオポンプ等を用いてあらかじめ除いた後、形成工程で使用することが好ましい。
また、本発明に適用する透明基板上２には、その後に形成する第１屈折率調整層群４の平滑性を得る観点から、公知のクリアハードコート（ＣＨＣ）層を設けてもよい。
≪第１屈折率調整層群≫
本発明に係る第１屈折率調整層群４は、その少なくとも１層が硫化亜鉛が含有された層（第１高屈折率層４Ａ）であり、かつ、第１高屈折率層４Ａにおける亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする。
第１屈折率調整層群４には、透明金属層６中の銀が第１屈折率調整層群４に含まれる硫黄により硫化されることを防止するため、第１高屈折率層４Ａと透明金属層６との間に、第１硫化防止層４Ｂを設けてもよい。
本発明に係る第１屈折率調整層群４は、その少なくとも１層が硫化亜鉛が含有された層（第１高屈折率層４Ａ）であり、かつ、第１高屈折率層４Ａにおける亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする。
第１屈折率調整層群４には、透明金属層６中の銀が第１屈折率調整層群４に含まれる硫黄により硫化されることを防止するため、第１高屈折率層４Ａと透明金属層６との間に、第１硫化防止層４Ｂを設けてもよい。
第１屈折率調整層群４は、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第１屈折率調整層群４の屈折率は、透明基板２の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
なお、上記屈折率は、温度２５℃、相対湿度２５％における測定値である。
なお、上記屈折率は、温度２５℃、相対湿度２５％における測定値である。
このような屈折率の関係を透明導電体１が有することにより、透明金属層６に含有される銀による反射を相殺することができる。
具体的には、透明基板２と比較して、第１屈折率調整層群の屈折率が高いほど、透明基板２と第１屈折率調整層群４との界面での反射が高まるため、透明金属層６に含有される銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
具体的には、透明基板２と比較して、第１屈折率調整層群の屈折率が高いほど、透明基板２と第１屈折率調整層群４との界面での反射が高まるため、透明金属層６に含有される銀から発生する反射を打ち消しやすくなる。
＜第１高屈折率層＞
第１高屈折率層４Ａは、透明導電体１の導通領域ａ、すなわち、透明金属層６が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層４Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第１高屈折率層４Ａは、透明導電体１の導通領域ａ、すなわち、透明金属層６が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層４Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第１高屈折率層４Ａには、少なくとも硫化亜鉛（ＺｎＳ）が含有されている。これにより、透明金属層６の構成材料である銀の連続膜性が向上し、プラズモン吸収を低減させることができる。また、透明基板２側から水分が透過しにくくなり、透明金属層６の腐食を抑制することができる。
また、第１高屈折率層４Ａには、硫化亜鉛とともに、金属酸化物が含有されていることが好ましい。硫化亜鉛とともに含有される金属酸化物は、誘電性材料又は酸化物半導体材料である。
第１高屈折率層４Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第１高屈折率層４Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第１高屈折率層４Ａの屈折率は、第１高屈折率層４Ａに含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層４Ａに含まれる材料の密度で調整される。
第１高屈折率層４Ａの屈折率も、透明基板２と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
第１高屈折率層４Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５の範囲内である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第１高屈折率層４Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第１高屈折率層４Ａの屈折率は、第１高屈折率層４Ａに含まれる材料の屈折率や、第１高屈折率層４Ａに含まれる材料の密度で調整される。
第１高屈折率層４Ａの屈折率も、透明基板２と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
第１高屈折率層４Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物（無機酸化物も含む。）が挙げられ、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。上記金属酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。これは、第１高屈折率層４Ａを構成する膜がアモルファス状になり、割れに強くフレキシブル性を高めることができるためである。
第１高屈折率層４Ａには、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物（無機酸化物も含む。）が挙げられ、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。上記金属酸化物の中でも、特に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が好ましい。これは、第１高屈折率層４Ａを構成する膜がアモルファス状になり、割れに強くフレキシブル性を高めることができるためである。
第１高屈折率層４Ａには、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
第１高屈折率層４Ａの層厚は、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。第１高屈折率層４Ａの層厚が１０ｎｍ以上であると、第１高屈折率層４Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第１高屈折率層４Ａの層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第１高屈折率層４Ａが含まれる領域の光透過性が低下しにくくなる。第１高屈折率層４Ａの層厚は、エリプソメーターで測定される。
第１高屈折率層４Ａは、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
第１高屈折率層４Ａを成膜する際には、硫化炭素等の硫化ガスを導入しながら成膜することが好ましい。
また、イオンプレーティング等を利用したプラズマアシスト蒸着機やイオンアシスト蒸着機も好適に用いられる。イオンプレーティング効果により、高反応性成膜の実現と表面拡散効果による膜質の緻密性・平滑性を向上させることができる。
第１高屈折率層４Ａを成膜する際には、硫化炭素等の硫化ガスを導入しながら成膜することが好ましい。
また、イオンプレーティング等を利用したプラズマアシスト蒸着機やイオンアシスト蒸着機も好適に用いられる。イオンプレーティング効果により、高反応性成膜の実現と表面拡散効果による膜質の緻密性・平滑性を向上させることができる。
また、第１高屈折率層４Ａが所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１高屈折率層４Ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、レーザーエッチングやフォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
＜第１硫化防止層＞
本発明の透明導電体１は、第１高屈折率層４Ａと透明金属層６との間に、透明金属層６の硫化を防止する観点から、第１硫化防止層４Ｂを有することが好ましい。
第１硫化防止層４Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
本発明の透明導電体１は、第１高屈折率層４Ａと透明金属層６との間に、透明金属層６の硫化を防止する観点から、第１硫化防止層４Ｂを有することが好ましい。
第１硫化防止層４Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第１硫化防止層４Ｂの構成材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属フッ化物、金属又は半導体が使用でき、例えば、ＺｎＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＩＧＺＯ等の亜鉛成分を含有した層であることが好ましく、これらが１種のみ含まれてもよく、２種以上含まれてもよい。
金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＴＯ、ＩＣＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３、ＷＯ３、ＩＧＺＯ等が挙げられる。
金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が挙げられる。
金属窒化物としては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が挙げられる。
特に、ＺｎやＧａ金属が含有されていれば、耐湿性を劣化させず、また、銀との相互作用も強いため好ましい。
金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等が挙げられる。
金属窒化物としては、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ等が挙げられる。
特に、ＺｎやＧａ金属が含有されていれば、耐湿性を劣化させず、また、銀との相互作用も強いため好ましい。
第１硫化防止層４Ｂの層厚は、透明金属層６の成膜時に、透明金属層６が硫化されることを防止可能な厚さであれば、特に制限されない。ただし、第１高屈折率層４Ａに含まれる硫化亜鉛は、透明金属層６に含まれる金属との親和性が高いため、第１硫化防止層４Ｂの層厚が非常に薄いと、透明金属層６と第１高屈折率層４Ａとが接する部分が生じ、各層同士の密着性が高まりやすい。したがって、第１硫化防止層４Ｂは比較的薄いことが好ましく、その層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．１〜５ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
第１硫化防止層４Ｂの層厚は、エリプソメーターで測定される。
第１硫化防止層４Ｂの層厚は、エリプソメーターで測定される。
第１硫化防止層４Ｂは、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等、一般的な気相成膜法で成膜することができる。
第１硫化防止層４Ｂが、所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第１硫化防止層４Ｂは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被成膜面に配置して、気相成膜法でパターン状に成膜された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた層であってもよい。
≪透明金属層≫
本発明に係る透明金属層６は、銀を主成分として構成され、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層６は、図１〜３に示すように透明基板２上の全面に形成されていてもよいが、図４に示すように所定の形状にパターニングされていることが好ましい。
なお、本発明において、銀を主成分として含有するとは、銀の含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。銀の含有比率は、導電性の観点から、好ましくは９０ａｔ％以上であり、より好ましくは９５ａｔ％以上であり、更には透明金属層６が銀のみからなることが好ましい。
本発明に係る透明金属層６は、銀を主成分として構成され、透明導電体１において電気を導通させるための層である。透明金属層６は、図１〜３に示すように透明基板２上の全面に形成されていてもよいが、図４に示すように所定の形状にパターニングされていることが好ましい。
なお、本発明において、銀を主成分として含有するとは、銀の含有比率が６０ａｔ％（原子％）以上であることをいう。銀の含有比率は、導電性の観点から、好ましくは９０ａｔ％以上であり、より好ましくは９５ａｔ％以上であり、更には透明金属層６が銀のみからなることが好ましい。
銀と組み合わせて用いられる金属としては、亜鉛、金、銅、パラジウム、アルミニウム、マンガン、ビスマス、ネオジム、モリブデン、白金、チタン、クロム等が挙げられる。例えば、銀と亜鉛とが組み合わされると、透明金属層６の耐硫化性が高まり、銀と金とが組み合わされると、耐塩（ＮａＣｌ）性が高まり、銀と銅とが組み合わされると、耐酸化性が高まる。
透明金属層６のプラズモン吸収率は、波長４００〜８００ｎｍにわたって（全範囲で）１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。波長４００〜８００ｎｍの一部にプラズモン吸収率が大きい領域があると、透明導電体１の導通領域ａの透過光が着色しやすくなる。
本発明において、透明金属層６の波長４００〜８００ｎｍにおけるプラズモン吸収率は、以下の手順にて測定される。
（ｉ）ガラス基板上に、白金パラジウムをシンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置にて０．１ｎｍで形成する。白金パラジウムの平均厚さは、蒸着装置のメーカー公称値の形成速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上に、真空蒸着法にて金属からなる層を２０ｎｍの厚さで形成する。
（ii）次いで、得られた金属膜の表面の法線に対して、５°傾けた角度から測定光を入射させ、金属膜の透過率及び反射率を測定する。各波長における透過率及び反射率から、吸収率（％）（＝１００−（透過率＋反射率）（％））を算出し、これをリファレンスデータとする。透過率及び反射率は、分光光度計で測定する。
（iii）続いて、測定対象の透明金属層を同様のガラス基板上に形成し、同様に透過率及び反射率を測定する。得られた吸収率から上記リファレンスデータを差し引き、算出された値を、プラズモン吸収率とする。
透明金属層６の層厚は、１０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜９ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜８ｎｍの範囲内である。透明導電体１では、透明金属層６の層厚が１０ｎｍ以下の場合、透明金属層６に金属本来の反射が生じにくい。また、第１高屈折率層４Ａ及び後述する第２高屈折率層８Ａによって、透明導電体１の光学アドミッタンスが調整されやすく、導通領域ａ表面での光の反射が抑制されやすい。
透明金属層６の層厚は、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
透明金属層６の層厚は、エリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
透明金属層６は、いずれの形成方法で形成された層でもよいが、真空蒸着法又はスパッタ法で形成された層であることが好ましい。
真空蒸着法又はスパッタ法であれば、平面性の高い透明金属層を極めて速い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する第１高屈折率層４Ａ上に透明金属層６を成膜する際、層の形成速度が速ければ金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層６の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。透明金属層６の形成速度は、０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また、成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。成膜開始前の到達真空度は、３×１０−３Ｐａ以下が好ましく、７×１０−４Ｐａ以下がより好ましい。
対向スパッタ法による成膜は、銀の平滑性が高まり、また、透明性と導電性とが良好になるため好ましい。
真空蒸着法又はスパッタ法であれば、平面性の高い透明金属層を極めて速い形成速度で形成することができる。また、ＺｎＳを含有する第１高屈折率層４Ａ上に透明金属層６を成膜する際、層の形成速度が速ければ金属の硫化物が生成しにくいため、銀を主成分として含有する透明金属層６の形成速度は０．３ｎｍ／秒以上であることが好ましい。透明金属層６の形成速度は、０．５〜３０ｎｍ／秒の範囲内であることがより好ましく、特に好ましくは１．０〜１５ｎｍ／秒の範囲内である。また、成膜時の温度は、−２５〜２５℃の範囲内であることが好ましい。成膜開始前の到達真空度は、３×１０−３Ｐａ以下が好ましく、７×１０−４Ｐａ以下がより好ましい。
対向スパッタ法による成膜は、銀の平滑性が高まり、また、透明性と導電性とが良好になるため好ましい。
また、透明金属層６が所望の形状にパターニングされた膜である場合、パターニング方法は特に制限されない。透明金属層６は、例えば、所望のパターンを有するマスクを配置して形成された層であってもよく、公知のエッチング法によってパターニングされた膜であってもよい。
≪第２屈折率調整層群≫
本発明に係る第２屈折率調整層群８は、その少なくとも１層が誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層（第２高屈折率層８Ａ）である。
第２屈折率調整層群８には、透明金属層６中の銀が第２屈折率調整層群８に含まれる硫黄により硫化されることを防止するため、第２高屈折率層８Ａと透明金属層６との間に、第２硫化防止層８Ｂを設けてもよい。
本発明に係る第２屈折率調整層群８は、その少なくとも１層が誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層（第２高屈折率層８Ａ）である。
第２屈折率調整層群８には、透明金属層６中の銀が第２屈折率調整層群８に含まれる硫黄により硫化されることを防止するため、第２高屈折率層８Ａと透明金属層６との間に、第２硫化防止層８Ｂを設けてもよい。
第２屈折率調整層群８は、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。第２屈折率調整層群８の屈折率は、透明基板２の屈折率より０．１〜１．１大きいことが好ましく、０．４〜１．０大きいことがより好ましい。
なお、上記屈折率は、温度２５℃、相対湿度２５％における測定値である。
なお、上記屈折率は、温度２５℃、相対湿度２５％における測定値である。
このような屈折率の関係を透明導電体１が有することにより、透明金属層６に含有される銀による反射を相殺することができる。
具体的には、第２屈折率調整層群８の屈折率が高いほど、第２屈折率調整層群８表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって、第２屈折率調整層群８の屈折率は、透明基板２の屈折率より高いほど望ましい。
具体的には、第２屈折率調整層群８の屈折率が高いほど、第２屈折率調整層群８表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって、第２屈折率調整層群８の屈折率は、透明基板２の屈折率より高いほど望ましい。
＜第２高屈折率層＞
第２高屈折率層８Ａは、透明導電体１の導通領域ａ、すなわち、透明金属層６が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層８Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第２高屈折率層８Ａは、透明導電体１の導通領域ａ、すなわち、透明金属層６が形成されている領域の光透過性（光学アドミッタンス）を調整する層であり、少なくとも透明導電体１の導通領域ａに形成される。第１高屈折率層８Ａは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
第２高屈折率層８Ａに含有される誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、１．５より高いことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より高いと、第２高屈折率層８Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第２高屈折率層８Ａの屈折率は、第２高屈折率層８Ａに含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層８Ａに含まれる材料の密度で調整される。
第２高屈折率層８Ａの屈折率も、透明基板２と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
なお、第２高屈折率層８Ａの屈折率は、第２高屈折率層８Ａに含まれる材料の屈折率や、第２高屈折率層８Ａに含まれる材料の密度で調整される。
第２高屈折率層８Ａの屈折率も、透明基板２と同様に、エリプソメーターを用い、２５℃の環境下で測定することにより求めることができる。
第２高屈折率層８Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物が挙げられ、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。中でも、第２高屈折率層８Ａには、亜鉛又はインジウムを含む酸化物が含有されていることが好ましく、また、硫黄が含有されていることが好ましい。
第２高屈折率層８Ａは、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料としては、以下の金属酸化物が挙げられ、例えば、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。中でも、第２高屈折率層８Ａには、亜鉛又はインジウムを含む酸化物が含有されていることが好ましく、また、硫黄が含有されていることが好ましい。
第２高屈折率層８Ａは、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
また、第２高屈折率層８Ａは、複数層から構成されていてもよい。
また、第２高屈折率層８Ａは、電気接続性を確保するために導電性をも有する層であることが好ましい。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この第２高屈折率層８Ａを通して外側に設けられた端子と、透明金属層６との電気接続性が得られ、透明金属層６を通して通電できるので、透明導電体１の導電性が格段に向上する。
第２高屈折率層８Ａの層厚は、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。第２高屈折率層８Ａの層厚が１０ｎｍ以上であると、第２高屈折率層８Ａによって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、第２高屈折率層８Ａの層厚が１５０ｎｍ以下であれば、第２高屈折率層８Ａが含まれる領域の光透過性が低下しにくくなる。第２高屈折率層８Ａの層厚は、エリプソメーターで測定される。
第２高屈折率層８Ａは、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
また、第２高屈折率層８Ａが所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。第２高屈折率層８Ａは、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
＜第２硫化防止層＞
本発明の透明導電体１は、第２高屈折率層８Ａと透明金属層６との間に、透明金属層６の硫化を防止する観点から、第２硫化防止層８Ｂを有することが好ましい。
第２硫化防止層８Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
その他、第２硫化防止層８Ｂの構成材料や形成方法等は、第１屈折率調整層群４の第１硫化防止層４Ｂと同様である。
本発明の透明導電体１は、第２高屈折率層８Ａと透明金属層６との間に、透明金属層６の硫化を防止する観点から、第２硫化防止層８Ｂを有することが好ましい。
第２硫化防止層８Ｂは、透明導電体１の絶縁領域ｂにも形成されていてもよいが、導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの視認性向上の観点から、図４に例示するように、導通領域ａのみに形成されていることが好ましい。
その他、第２硫化防止層８Ｂの構成材料や形成方法等は、第１屈折率調整層群４の第１硫化防止層４Ｂと同様である。
＜腐食防止層＞
本発明の透明導電体１は、透明金属層６又は第２硫化防止層８Ｂと、第２高屈折率層８Ａとの間に腐食防止層（図示せず。）を設けてもよい。これにより、透明金属層６の構成材料である銀と硫黄原子との親和性が強くなり、かつ、水の透過性を妨げるため、銀の腐食が防止され、透明導電体１の耐湿性を向上させることができる。
本発明の透明導電体１は、透明金属層６又は第２硫化防止層８Ｂと、第２高屈折率層８Ａとの間に腐食防止層（図示せず。）を設けてもよい。これにより、透明金属層６の構成材料である銀と硫黄原子との親和性が強くなり、かつ、水の透過性を妨げるため、銀の腐食が防止され、透明導電体１の耐湿性を向上させることができる。
腐食防止層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料を含有し、波長５７０ｎｍの光に対して、腐食防止層の屈折率が透明基板２の屈折率よりも高く、腐食防止層に硫黄が０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有されていることが好ましい。
腐食防止層が、当該範囲内で硫黄を含有することで、高い導電性と耐湿性とを両立させることが可能となる。腐食防止層に含有される硫黄を１０ａｔ％以下とすることで、外部回路と銀との電気的な接続不良を抑制することができる。また、０．１ａｔ％以上とすることで、高屈折率層と同様に、銀のマイグレーションを抑え込みやすくすることができる。
腐食防止層が、当該範囲内で硫黄を含有することで、高い導電性と耐湿性とを両立させることが可能となる。腐食防止層に含有される硫黄を１０ａｔ％以下とすることで、外部回路と銀との電気的な接続不良を抑制することができる。また、０．１ａｔ％以上とすることで、高屈折率層と同様に、銀のマイグレーションを抑え込みやすくすることができる。
腐食防止層に含有される硫黄としては、硫化亜鉛及び単体の硫黄に由来するものを用いることができるが、硫化亜鉛に由来するものであることが特に好ましい。硫化亜鉛に由来する硫黄が、腐食防止層中で安定して存在することができるため、硫黄が望まない場所に拡散し反応するのを防ぎやすい。
腐食防止層は、透明基板２の屈折率より高い屈折率を有する。腐食防止層には、透明基板２の屈折率及び後述の低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
腐食防止層に含まれる材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。材料の屈折率が１．５より大きいと、腐食防止層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、腐食防止層の屈折率は、腐食防止層に含まれる材料の屈折率や、腐食防止層に含まれる材料の密度で調整される。
腐食防止層に含まれる材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５であることがより好ましく、更に好ましくは１．８〜２．５である。材料の屈折率が１．５より大きいと、腐食防止層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。なお、腐食防止層の屈折率は、腐食防止層に含まれる材料の屈折率や、腐食防止層に含まれる材料の密度で調整される。
このような屈折率を透明導電体１が有することにより、透明金属層６に含有される銀による反射を相殺することができる。
具体的には、腐食防止層の屈折率が高いほど腐食防止層の表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって、腐食防止層の屈折率は透明基板２の屈折率より高いほど望ましい。
具体的には、腐食防止層の屈折率が高いほど腐食防止層の表面で発生する反射が高まり、銀の反射光を相殺させることが可能になる。したがって、腐食防止層の屈折率は透明基板２の屈折率より高いほど望ましい。
腐食防止層は、更に、電気接続性を確保するために導電性をも有する層である。本発明において、良好な電気接続性を確保するためには、比抵抗が１０００Ω・ｃｍ以下の材料であることが好ましい。さらに好ましくは０．１Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。このような構成とすることで、この腐食防止層を通して外側に設けられた端子と、透明金属層６との電気接続性が得られ、透明金属層６を通して通電できるので、透明導電体の導電性が格段に向上する。
腐食防止層に含まれる材料は、上記した高屈折率層に含まれる材料の中でも酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。中でも金属酸化物が好ましい。
金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５、Ｔｉ４Ｏ７、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＳｎＯ２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミニウム・亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ガリウム・亜鉛酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン・スズ酸化物）、ＩＣＯ（インジウム・セリウム酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）、Ｂｉ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ａ−ＧＩＯ（ガリウム・インジウム酸化物）等が挙げられる。腐食防止層は、当該金属酸化物が１種のみ含まれる層であってもよく、２種以上が含まれる層であってもよい。
腐食防止層の層厚は、１０〜１５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜８０ｎｍの範囲内である。腐食防止層の層厚が１０ｎｍ以上であると、腐食防止層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。一方、腐食防止層の層厚が１５０ｎｍ以下であれば、腐食防止層が含まれる領域の光透過性が低下しにくい。腐食防止層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
腐食防止層は、蒸着法又はスパッタ法により形成することが好ましい。本発明に適用可能な蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法等が含まれる。蒸着装置としては、例えば、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着機等を用いることができる。スパッタ法としてはマグネトロンスパッタや対向スパッタが含まれる。
また、腐食防止層が所望の形状にパターニングされた層である場合、パターニング方法は特に制限されない。腐食防止層は、例えば、所望のパターンを有するマスク等を被形成面に配置して、気相形成法でパターン状に形成された層であってもよく、公知のエッチング法、例えば、フォトリソグラフィー法によってパターニングされた層であってもよい。
本発明においては、腐食防止層が、硫黄を含有することが好ましい。具体的には、腐食防止層が、硫黄を０．１〜１０ａｔ％の範囲内で含有することが好ましい。当該範囲ないで硫黄を含有することにより、透明金属層６の湿気による劣化を好適に防ぐことができ、高い導電性を維持することができる。また、この層を設けることにより、銀と硫黄原子の親和性が強くなり、かつ水の透過性を妨げるため銀の腐食が防止され、透明導電体の耐湿性を向上させることができる。
また、腐食防止層には、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、セリウム（Ｃｅ）、タングステン（Ｗ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する金属酸化物が含有されていることが好ましい。
具体的には、腐食防止層には、上記金属酸化物を用いることができる。これにより、透明金属層６と外部回路を接続するに足る導電性を腐食防止層に確保することができるため好ましい。
また、金属フッ化物としては、ＬａＦ３、ＢａＦ２、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＣｅＦ３、ＮｄＦ３、ＹＦ３等を挙げることができる。
また、金属窒化物としては、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化クロム、窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化マグネシウム、窒化モリブデン、窒化リチウム、窒化チタン等を挙げることができる。
＜その他の高屈折率層＞
本発明に係る第２屈折率調整層群８は、第２高屈折率層８Ａ上に、更に透明導電体１の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３、第４、・・・、第ｎ高屈折率層（図示せず。）が適宜形成されていてもよい。これらの高屈折率層（以下、第ｎ高屈折率層ともいう。）は、透明導電体１の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
本発明に係る第２屈折率調整層群８は、第２高屈折率層８Ａ上に、更に透明導電体１の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する第３、第４、・・・、第ｎ高屈折率層（図示せず。）が適宜形成されていてもよい。これらの高屈折率層（以下、第ｎ高屈折率層ともいう。）は、透明導電体１の導通領域ａにのみ成膜されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に成膜されていてもよい。
第ｎ高屈折率層には、透明基板２の屈折率及び後述する低屈折率層の屈折率より高い屈折率を有する誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれることが好ましい。
第ｎ高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は、１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、１．８〜２．５の範囲内であることが更に好ましい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第ｎ高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第ｎ高屈折率層の屈折率は、第ｎ高屈折率層に含まれる材料の屈折率や密度で調整される。
第ｎ高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する具体的な屈折率は、１．５より大きいことが好ましく、１．７〜２．５の範囲内であることがより好ましく、１．８〜２．５の範囲内であることが更に好ましい。
誘電性材料又は酸化物半導体材料の屈折率が１．５より大きいと、第ｎ高屈折率層によって、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。
なお、第ｎ高屈折率層の屈折率は、第ｎ高屈折率層に含まれる材料の屈折率や密度で調整される。
第ｎ高屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料は、絶縁性の材料であってもよく、導電性の材料であってもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。金属酸化物又は金属硫化物の例には、前述の第１高屈折率層４Ａ又は第２高屈折率層８Ａに含まれる金属酸化物又は金属硫化物等が含まれる。第ｎ高屈折率層には、当該金属酸化物又は金属硫化物が１種のみ含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。
第ｎ高屈折率層の層厚は特に制限されず、好ましくは１〜４０ｎｍの範囲内であり、より好ましくは５〜２０ｎｍの範囲内である。第ｎ高屈折率層の層厚が上記範囲であると、透明導電体１の導通領域ａの光学アドミッタンスが十分に調整される。第ｎ高屈折率層の層厚は、エリプソメーターで測定される。
第ｎ高屈折率層の成膜方法は特に制限されず、第１高屈折率層４Ａや第２高屈折率層８Ａと同様の方法で成膜することができる。
≪その他の構成層≫
＜密着層＞
本発明の透明導電体１には、透明基板２と第１屈折率調整層群４（第１高屈折率層４Ａ）との密着改善のために透明基板２上に密着層を形成してもよい（図１３参照。）。密着層は、第１高屈折率層４Ａが透明基板２としっかり密着するものであればよい。
密着層は、上記の高屈折率層や硫化防止層で例示した誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。中でも、亜鉛化合物が含有されていることがより好ましい。
密着層の屈折率は、特に限定されない。
＜密着層＞
本発明の透明導電体１には、透明基板２と第１屈折率調整層群４（第１高屈折率層４Ａ）との密着改善のために透明基板２上に密着層を形成してもよい（図１３参照。）。密着層は、第１高屈折率層４Ａが透明基板２としっかり密着するものであればよい。
密着層は、上記の高屈折率層や硫化防止層で例示した誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。中でも、亜鉛化合物が含有されていることがより好ましい。
密着層の屈折率は、特に限定されない。
なお、本発明において、第１高屈折率層４Ａと透明基板２とが「しっかりと密着」しているかどうかの判断は、第１高屈折率層の成膜時間と層厚とが比例関係にあるかどうかで行う。図１２には、その一例として、基板上にＺｎＳを蒸着した際の水晶振動子が示す層厚（横軸）と実際の層厚（縦軸）との関係を示している。このとき、横軸は、成膜時間に対応している。
図１２に示されるように、例えば、白板（図中、符号ｃ）上に第１高屈折率層を形成した場合、成膜時間と層厚とが比例関係にあり、基板上に正しく膜が付いていると判断できる。一方で、ＰＥＴ（図中、符号ｄ）を用いた場合には、しばらく膜が成膜されない時間がある。一定時間経過後、成膜がされ始めるが、これは密着層がないためにしばらく膜が付きづらい時間が存在することを示している。
図１２に示されるように、例えば、白板（図中、符号ｃ）上に第１高屈折率層を形成した場合、成膜時間と層厚とが比例関係にあり、基板上に正しく膜が付いていると判断できる。一方で、ＰＥＴ（図中、符号ｄ）を用いた場合には、しばらく膜が成膜されない時間がある。一定時間経過後、成膜がされ始めるが、これは密着層がないためにしばらく膜が付きづらい時間が存在することを示している。
特に、第１高屈折率層４Ａが蒸着法で成膜される場合、密着層があることが好ましい。これは、明確な作用機構は明らかになっていないが、スパッタ法で成膜した場合に比べて、蒸着法で成膜されるほうが成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が透明基板２及び第１高屈折率層４Ａの材質による相性に左右されると考えている。
密着層としては、具体的には、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＯ膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜、ＧＺＯ膜等が挙げられる。
密着層の層厚は特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、より好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
密着層としては、具体的には、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＯ膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜、ＧＺＯ膜等が挙げられる。
密着層の層厚は特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、より好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
＜低屈折率層＞
本発明の透明導電体１には、第２屈折率調整層群８上に、透明導電体１の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず。）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
本発明の透明導電体１には、第２屈折率調整層群８上に、透明導電体１の導通領域ａの光透過性（光学アドミッタンス）を調整する低屈折率層（図示せず。）を有していてもよい。低屈折率層は、透明導電体１の導通領域ａにのみ形成されていてもよく、透明導電体１の導通領域ａ及び絶縁領域ｂの両方に形成されていてもよい。
低屈折率層には、第１高屈折率層４Ａ及び第２高屈折率層８Ａに含まれる誘電性材料又は酸化物半導材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、屈折率が低い誘電性材料又は酸化物半導体材料が含まれる。低屈折率層に含まれる誘電性材料又は酸化物半導体材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率は、第１高屈折率層４Ａ及び第２高屈折率層８Ａに含まれる上記材料の波長５７０ｎｍの光に対する屈折率より、それぞれ０．２以上低いことが好ましく、０．４以上低いことがより好ましい。
≪透明導電体の物性≫
本発明の透明導電体１の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８８％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９３％以上である。波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率が８８％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも本発明の透明導電体１を適用することができる。
本発明の透明導電体１の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても８８％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９３％以上である。波長４００〜８００ｎｍの光の平均光透過率が８８％以上であると、広い波長範囲の光に対して光透過性が要求される用途、例えば、太陽電池用の透明導電膜等にも本発明の透明導電体１を適用することができる。
一方、透明導電体１の波長４００〜８００ｎｍの光の平均光吸収率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下であり、更に好ましくは７％以下である。また、透明導電体１の波長４５０〜８００ｎｍの光の吸収率の最大値は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても１５％以下であることが好ましく、より好ましくは１０％以下であり、更に好ましくは９％以下である。
透明導電体１の波長５００〜７００ｎｍの光の平均光反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、更に好ましくは１０％以下である。透明導電体１の平均光吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均光透過率が高まる。
透明導電体１の波長５００〜７００ｎｍの光の平均光反射率は、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれにおいても、２０％以下であることが好ましく、より好ましくは１５％以下であり、更に好ましくは１０％以下である。透明導電体１の平均光吸収率及び平均反射率が低いほど、前述の平均光透過率が高まる。
平均光透過率、平均光吸収率及び平均反射率は、透明導電体１の使用環境下で測定した平均光透過率、平均光吸収率及び平均反射率であることが好ましい。具体的には、透明導電体１が有機樹脂と貼り合わせて使用される場合には、透明導電体１上に有機樹脂からなる層を配置して平均光透過率及び平均反射率測定することが好ましい。一方、透明導電体１が大気中で使用される場合には、大気中での平均光透過率及び平均反射率を測定することが好ましい。
透過率及び反射率は、透明導電体１の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率（％）は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
透過率及び反射率は、透明導電体１の表面の法線に対して５°傾けた角度から測定光を入射させて分光光度計で測定する。吸収率（％）は、１００−（透過率＋反射率）の計算式より算出される。
また、透明導電体１が、図４に示すように導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、導通領域ａの反射率及び絶縁領域ｂの反射率がそれぞれ近似することが好ましい。具体的には、導通領域ａの視感反射率と、絶縁領域ｂの視感反射率との差ΔＲが５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましく、１％以下であることが更に好ましく、０．３％以下であることが特に好ましい。
一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下である。
視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
一方、導通領域ａ及び絶縁領域ｂの視感反射率は、それぞれ５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、更に好ましくは１％以下である。
視感反射率は、分光光度計（Ｕ４１００：日立ハイテクノロジーズ社製）で測定されるＹ値である。
また、透明導電体１が導通領域ａ及び絶縁領域ｂを有する場合、いずれの領域においても、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であることが好ましく、より好ましくは±５以内であり、更に好ましくは±３．０以内であり、特に好ましくは±２．０以内である。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値が±３０以内であれば、導通領域ａ及び絶縁領域ｂのいずれの領域も無色透明に観察される。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系におけるａ＊値及びｂ＊値は、分光光度計で測定される。
透明導電体１の導通領域ａの表面電気抵抗値は、５０Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは３０Ω／□以下である。導通領域ａの表面電気抵抗値が５０Ω／□以下であれば、静電容量方式のタッチパネル用の透明導電パネル等に適用できる。導通領域ａの表面電気抵抗値は、透明金属層６の層厚等によって調整される。導通領域ａの表面電気抵抗値は、例えば、ＪＩＳ Ｋ ７１９４、ＡＳＴＭ Ｄ２５７等に準拠して測定される。また、市販の表面電気抵抗率計によっても測定される。
≪パターニングされた電極を有する透明導電体の形成方法≫
本発明の透明導電体１に対し、図４で示すような導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの形成方法について説明する。パターンの形成にあたっては、市販のレーザーエッチング装置（武井電機）などを用いることができる。波長は１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ又は３５５ｎｍが特に望ましい。線幅は５〜３０μｍが望ましい。
本発明の透明導電体１に対し、図４で示すような導通領域ａ及び絶縁領域ｂからなるパターンの形成方法について説明する。パターンの形成にあたっては、市販のレーザーエッチング装置（武井電機）などを用いることができる。波長は１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ又は３５５ｎｍが特に望ましい。線幅は５〜３０μｍが望ましい。
本発明の透明導電体１においては、透明基板２上に、例えば、第１高屈折率層４Ａと、透明金属層６と、第２高屈折率層８Ａとをこの順で積層して製造した後、透明金属層６を所定の形状にパターニングした金属電極を形成することが好ましく、具体的には、フォトリソグラフィー法により、エッチング液を用いて、例えば、図１１に示すようなパターニングされた電極を形成することが好ましい。形成する電極の線幅としては、５０μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、２０μｍ以下である。
＜製造工程＞
以下、フォトリソグラフィー法による電極のパターニング方法について説明する。
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明金属層６を所望のパターンに加工する方法である。
以下、フォトリソグラフィー法による電極のパターニング方法について説明する。
本発明に適用するフォトリソグラフィー法とは、硬化性樹脂等のレジスト塗布、予備加熱、露光、現像（未硬化樹脂の除去）、リンス、エッチング液によるエッチング処理、レジスト剥離の各工程を経ることにより、透明金属層６を所望のパターンに加工する方法である。
本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型又はネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱又はプリベークを実施することができる。露光に際しては、所定のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線や電子線等を照射すればよい。
露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の高屈折率層の溶解及び透明金属層の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明導電体が得られる。
このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。
露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行う。現像後、水等のリンス液で現像を止めるとともに洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理又はポストベークを実施してから、有機溶媒を含むエッチング液によるエッチングで、レジストで保護されていない領域の高屈折率層の溶解及び透明金属層の除去を行う。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所定のパターンを有する透明導電体が得られる。
このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所定の目的に応じて容易に選定することができる。
以下、図５〜１０を参照しながら、本発明に適用可能な電極のパターニング方法について説明する。
第１ステップとして、図５に示すように、透明基板２上に、第１高屈折率層４Ａ、第１硫化防止層４Ｂ、透明金属層６、第２硫化防止層８Ｂ、第２高屈折率層８Ａをこの順で積層した透明導電体１を作製する。
次いで、図６で示されるレジスト膜１０を形成する前に、透明導電体１に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスルー ＫＳ−３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコータで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
次いで、図６で示されるレジスト膜１０を形成する前に、透明導電体１に超音波洗浄処理を施すことが好ましい。超音波洗浄としては、例えば、花王社製の洗剤クリンスルー ＫＳ−３０３０を用いて超音波洗浄と純水による水洗いを数回行った後、スピンコータで水を飛ばし、オーブンで乾燥させる。
次いで、図６に示すレジスト膜の形成工程で、透明導電体１上に感光性樹脂組成物等から構成されるレジスト膜１０を均一に塗設する。感光性樹脂組成物としては、ネガ型感光性樹脂組成物又はポジ型感光性樹脂組成物を用いることができる。レジストとしては、例えば、東京応化工業社製のＯＦＰＲ−８００ＬＢ等を用いることができる。
塗布方法としては、マイクログラビアコーティング、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、スリットコーティングなどの公知の方法によって、透明導電体１上に塗布し、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置でプリベークすることができる。プリベークは、例えば、ホットプレート等を用いて、５０〜１５０℃の範囲内で３０秒〜３０分間行うことができる。
次いで、図７に示す露光工程で、所定のパターニングにより作製したマスク１２を介して、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナーなどの露光機１４を用いて、１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）の光を、次工程で除去するレジスト膜１０Ａに照射する。露光光源に制限はなく、紫外線、電子線や、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）レーザー、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）レーザーなどを用いることができる。
次いで、図８に示す現像工程で、露光済みの透明導電体１を、現像液に浸漬して、光照射した領域のレジスト膜１０Ａを溶解する。現像液としては、例えば、レジストとしてポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、トクヤマ社製のポジ型フォトレジスト用現像液「トクソーＳＤ」シリーズ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用いることができる。
現像方法としては、シャワー、ディッピング、パドルなどの方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができる。具体例としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩などの無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、コリンなどの４級アンモニウム塩を１種又は２種以上含む水溶液などが挙げられる。現像後、水でリンスすることが好ましく、続いて５０〜１５０℃の範囲内で乾燥ベークを行ってもよい。
次いで、図９に示すように、エッチング液１６を用いたエッチング処理を行う。
本発明に適用可能なエッチング液１６としては、無機酸又は有機酸を含有する液が好ましく、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、塩酸、リン酸、硝酸等を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液１６としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ Ｅｔｃｈ ＤＥ１００（シュウ酸）、関東化学社製の「混液 ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）等を用いることができる。
本発明に適用可能なエッチング液１６としては、無機酸又は有機酸を含有する液が好ましく、ギ酸、酢酸、シュウ酸、クエン酸、塩酸、リン酸、硝酸等を挙げることができ、特に、シュウ酸、酢酸、リン酸が好ましい。また、エッチング液１６としては市販品を用いることもでき、例えば、林純薬工業社製のＰｕｒｅ Ｅｔｃｈ ＤＥ１００（シュウ酸）、関東化学社製の「混液 ＳＥＡ−５」（リン酸：５５質量％、酢酸：３０質量％、水その他の成分：１５質量％）等を用いることができる。
具体的には、例えば、有機酸等を含むエッチング液１６に、レジスト膜１０を有する透明導電体１を浸漬し、レジスト膜１０で保護されていない絶縁領域ｂ上の透明電極ユニットＥＵを溶解し、レジスト膜１２で保護されている導通領域ａの透明電極ユニットＥＵを所定のパターニングされた電極（以下、電極パターンともいう。）として形成する。エッチング時間は、適用する酸の種類により異なるが、３０〜１２０秒の範囲内で調整することが好ましい。
最後に、図１０に示すように、レジスト膜剥離液として、例えば、アセトン、水酸化ナトリウム液、市販品としては、ナガセケムテックス社製のＮ−３００等を用いて、エッチングした透明導電体１を浸漬して、レジスト膜１０除去して、パターニングされた電極を有する透明導電体１を作製することができる。
≪透明導電体の適用分野≫
上記構成からなる本発明の透明導電体１は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
上記構成からなる本発明の透明導電体１は、液晶方式、プラズマ方式、有機エレクトロルミネッセンス方式、フィールドエミッション方式など各種ディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
このとき、透明導電体１の表面（例えば、透明基板２と反対側の表面）は、接着層等を介して、他の部材と貼り合わせられてもよい。この場合には、透明導電体１の表面の等価アドミッタンス座標と、接着層のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体と接着層との界面での反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体１の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。接着剤の屈折率は一般的に、大きく調整することが難しいためである。
一方、透明導電体１の表面が空気と接するような構成で使用される場合には、透明導電体１の表面のアドミッタンス座標と、空気のアドミッタンス座標とがそれぞれ近似することが好ましい。これにより、透明導電体１と空気との界面での光の反射が抑制される。具体的には、波長５５０ｎｍの反射率が１％以下になるように透明導電体１の表面のアドミッタンス座標を調整するのが好ましい。
以下、本発明の透明導電体１をタッチパネルに適用した一例を示す。
図１１に示すタッチパネル２０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２０は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板２２で覆われている。
図１１に示すタッチパネル２０は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２０は、透明基板２−１及び２−２の一主面上に、第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２がこの順に配置され、この上部が前面板２２で覆われている。
第１の透明電極ユニットＥＵ−１及び第２の透明電極ユニットＥＵ−２は、それぞれが、図４及び図５〜１０を用いて説明したパターニングされた電極が形成された透明導電体１である。したがって、第１の透明電極ユニットＥＵ−１は、透明基板２−１上に、第１高屈折率層４Ａ、第１硫化防止層４Ｂ、透明金属層６、第２硫化防止層８Ｂ、第２高屈折率層８Ａをこの順で積層した構成である。第２の透明電極ユニットＥＵ−２も同様の構成である。
本発明の透明導電体１は、投影型静電容量式のタッチパネルに加え、種々の方式のタッチパネルのタッチセンサー（以下において、「タッチセンサー電極部」ともいう。）に適用され得る。例えば、表面型静電容量方式タッチパネル、抵抗膜式タッチパネルなどにおいても用いることができる。
［第２の実施形態］
第２の実施形態に係る透明導電体は、透明基板と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、透明金属層と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、をこの順に備え、第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層である点につき、上記第１の実施形態に係る透明導電体１と共通しており、第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫黄が含有された層であり、透明基板と第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されている点において異なっている。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
第２の実施形態に係る透明導電体は、透明基板と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、透明金属層と、波長５７０ｎｍの光に対し、透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、をこの順に備え、第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層である点につき、上記第１の実施形態に係る透明導電体１と共通しており、第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫黄が含有された層であり、透明基板と第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されている点において異なっている。
以下、図面を用いて詳細に説明する。
図１３に示すように、本発明の透明導電体３０は、少なくとも、透明基板２、密着層３２、第１屈折率調整層群４、透明金属層６及び第２屈折率調整層群８がこの順に積層され構成されている。
第１屈折率調整層群４は、少なくとも硫黄が含有された層（以下、第１高屈折率層４Ｃともいう。）を有している。
また、透明導電体３０が、硫化防止層等の各種機能性層を有してもよいことは、第１の実施形態と同様である。
第１屈折率調整層群４は、少なくとも硫黄が含有された層（以下、第１高屈折率層４Ｃともいう。）を有している。
また、透明導電体３０が、硫化防止層等の各種機能性層を有してもよいことは、第１の実施形態と同様である。
≪第１屈折率調整層群４≫
＜第１高屈折率層４Ｃ＞
本実施形態に係る第１高屈折率層４Ｃには、少なくとも硫黄が含有されている。
硫黄を含む材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−ＺｎＯ、ＺｎＳ−ＩＴＯ、ＺｎＳ−ＩＧＺＯ等が挙げられる。
その他、第１高屈折率層４Ｃの物性や製造方法等は、第１の実施形態に係る第１高屈折率層４Ａと同様である。
＜第１高屈折率層４Ｃ＞
本実施形態に係る第１高屈折率層４Ｃには、少なくとも硫黄が含有されている。
硫黄を含む材料としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＺｎＳ−ＺｎＯ、ＺｎＳ−ＩＴＯ、ＺｎＳ−ＩＧＺＯ等が挙げられる。
その他、第１高屈折率層４Ｃの物性や製造方法等は、第１の実施形態に係る第１高屈折率層４Ａと同様である。
≪密着層≫
本発明の透明導電体３０は、透明基板２と第１屈折率調整層群４（第１高屈折率層４Ｃ）との密着改善のために透明基板２上に密着層３２が形成されている。密着層３２は、第１高屈折率層４Ｃが透明基板２としっかり密着するものであればよい。
密着層３２は、上記の高屈折率層や硫化防止層で例示した誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。中でも、亜鉛化合物が含有されていることがより好ましい。
密着層の屈折率は、特に限定されない。
本発明の透明導電体３０は、透明基板２と第１屈折率調整層群４（第１高屈折率層４Ｃ）との密着改善のために透明基板２上に密着層３２が形成されている。密着層３２は、第１高屈折率層４Ｃが透明基板２としっかり密着するものであればよい。
密着層３２は、上記の高屈折率層や硫化防止層で例示した誘電性材料、酸化物半導体材料、絶縁性又は導電性の材料を含有してもよい。誘電性材料又は酸化物半導体材料は、金属酸化物、金属硫化物又は金属窒化物であることが好ましい。中でも、亜鉛化合物が含有されていることがより好ましい。
密着層の屈折率は、特に限定されない。
密着層３２は、特に、第１高屈折率層４Ｃを蒸着法で成膜する場合に有用である。明確な作用機構は明らかになっていないが、スパッタ法で成膜した場合に比べて、蒸着法で成膜されるほうが成膜にかかるエネルギーが小さいため、密着性が透明基板２及び第１高屈折率層４Ｃの材質による相性に左右されると考えられる。
密着層３２としては、具体的には、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＯ膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜、ＧＺＯ膜等が挙げられる。
密着層の層厚は特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、より好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
密着層３２としては、具体的には、ＳｉＯ２膜や、スパッタ法で成膜したＺｎＯ膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜、ＧＺＯ膜等が挙げられる。
密着層の層厚は特に制限されず、好ましくは０．０１〜１５ｎｍの範囲内であり、より好ましくは０．１〜３ｎｍの範囲内である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
また、本発明に用いる酸化物の組成比は、ＩＴＯが、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量％比）、ＧＺＯが、ＺｎＯにＧａ２Ｏ５が５．７質量％混ざったもの、ＡＺＯが、ＺｎＯ：Ａｌ２Ｏ３＝９８：２（質量％比）、ＩＺＯが、Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝９０：１０（質量％比）、ＺＴＯが、ＺｎＯ：ＳｎＯ２＝７０：３０（質量％比）である。
また、各層の層厚は、スパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
また、各層の層厚は、スパッタ時間又は蒸着時間を調整することで調節した。各層の層厚及び屈折率は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．製のＶＢ−２５０型ＶＡＳＥエリプソメーターで測定した。
また、第１高屈折率層に含有される亜鉛及び硫黄の含有率（ａｔ％）は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）を用いて測定した。
≪透明導電体の作製≫
（１）透明導電体１０１の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（１）透明導電体１０１の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＳｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で、ＳｉＯ２をＥＢ（電子ビーム）蒸着して、層厚１．０ｎｍの密着層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で、ＳｉＯ２をＥＢ（電子ビーム）蒸着して、層厚１．０ｎｍの密着層を形成した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合は、３４％とした（以下、単に「硫黄の含有率の割合」と称する。）。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合は、３４％とした（以下、単に「硫黄の含有率の割合」と称する。）。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０１を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０１を作製した。
（２）透明導電体１０２の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０２を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０２を作製した。
（３）透明導電体１０３の作製
透明導電体１０２の作製において、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１０３を作製した。
透明導電体１０２の作製において、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１０３を作製した。
（４）透明導電体１０４の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０４を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０４を作製した。
（５）透明導電体１０５の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚４５ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０５を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚４５ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０５を作製した。
（６）透明導電体１０６の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）／第３高屈折率層（ＧＺＯ）／第４高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）／第３高屈折率層（ＧＺＯ）／第４高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、Ａｒガスを導入して真空槽を２×１０−３Ｐａに設定した。次いで、３００ＷでＲＦプラズマを焚きながら、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３９％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１１ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１１ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第４高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第４高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０６を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第４高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１０６を作製した。
（７）透明導電体１０７〜１１１の作製
透明導電体１０２〜１０６の作製において、透明金属層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１０７〜１１１をそれぞれ作製した。
透明導電体１０２〜１０６の作製において、透明金属層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１０７〜１１１をそれぞれ作製した。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
（８）透明導電体１１２の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／腐食防止層（組成（１））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／腐食防止層（組成（１））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣ（直流）スパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣ（直流）スパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（１））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（１）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（１）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１２を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１２を作製した。
（９）透明導電体１１３の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／腐食防止層（組成（１））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／腐食防止層（組成（１））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（１））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（１）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（１）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１３を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１３を作製した。
（１０）透明導電体１１４の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１４を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１４を作製した。
（１１）透明導電体１１５の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１５を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１５を作製した。
（１２）透明導電体１１６の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（３））／第２高屈折率層（組成（４））をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（３））／第２高屈折率層（組成（４））をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦ（交流、周波数：１３．５６ＭＨｚ）スパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦ（交流、周波数：１３．５６ＭＨｚ）スパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（３））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（３）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（３）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（組成（４））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、表１に記載の組成（４）で層厚４３ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１６を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、表１に記載の組成（４）で層厚４３ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１６を作製した。
（１３）透明導電体１１７の作製
透明導電体１１６の作製において、第２高屈折率層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１１７を作製した。
透明導電体１１６の作製において、第２高屈折率層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１１７を作製した。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（１４）透明導電体１１８の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚３．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚３．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１８を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１８を作製した。
（１５）透明導電体１１９の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（５））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（５））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（５））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（５）で層厚５．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（５）で層厚５．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４１ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１９を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４１ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１１９を作製した。
（１６）透明導電体１２０の作製
透明導電体１１９の作製において、腐食防止層の層厚を２０ｎｍとし、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚２６ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１２０を作製した。
透明導電体１１９の作製において、腐食防止層の層厚を２０ｎｍとし、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚２６ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１２０を作製した。
（１７）透明導電体１２１の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２１を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２１を作製した。
（１８）透明導電体１２２の作製
透明導電体１２１の作製において、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１２２を作製した。
透明導電体１２１の作製において、第２高屈折率層を表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタして形成した以外は同様にして、透明導電体１２２を作製した。
（１９）透明導電体１２３の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２３を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２８ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２３を作製した。
（２０）透明導電体１２４の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚４５ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２４を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚４５ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２４を作製した。
（２１）透明導電体１２５の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）／第３高屈折率層（ＧＺＯ）／第４高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）／第３高屈折率層（ＧＺＯ）／第４高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ−ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯ−ＺｎＳをＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（ＡＰＣ−ＴＲ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡＰＣ−ＴＲ（株式会社フルヤ金属製）を層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１１ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１１ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１３ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第４高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第４高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２５を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚１２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第４高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１２５を作製した。
（２２）透明導電体１２６〜１３０の作製
透明導電体１２１〜１２５の作製において、透明金属層材料をＡＰＣ−ＴＲから銀（Ａｇ）に変更した以外は同様にして、透明導電体１２６〜１３０をそれぞれ作製した。
透明導電体１２１〜１２５の作製において、透明金属層材料をＡＰＣ−ＴＲから銀（Ａｇ）に変更した以外は同様にして、透明導電体１２６〜１３０をそれぞれ作製した。
（２３）透明導電体１３１の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＺｎＯ）／腐食防止層（組成（５））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＺｎＯ）／腐食防止層（組成（５））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４３％とした。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
（第２硫化防止層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚が１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（５））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（５）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（５）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３１を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３１を作製した。
（２４）透明導電体１３２の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＡＺＯ）／腐食防止層（組成（６））／第２高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＳｉＯ２）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＡＺＯ）／腐食防止層（組成（６））／第２高屈折率層（ＳｎＯ２）をこの順に積層した。
（密着層（ＳｉＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で、ＳｉＯ２をＥＢ（電子ビーム）蒸着して、層厚１．０ｎｍの密着層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で、ＳｉＯ２をＥＢ（電子ビーム）蒸着して、層厚１．０ｎｍの密着層を形成した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３５％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３５％とした。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
（第２硫化防止層（ＡＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＡＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＡＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（６））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（６）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（６）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＳｎＯ２）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＳｎＯ２をＥＢ蒸着して、層厚２７ｎｍの第２高屈折率層を形成した。
以上のようにして、透明導電体１３２を作製した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件でＳｎＯ２をＥＢ蒸着して、層厚２７ｎｍの第２高屈折率層を形成した。
以上のようにして、透明導電体１３２を作製した。
（２５）透明導電体１３３の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＺｎＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＺｎＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＺｎＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４１％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４１％とした。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３３を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４２ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３３を作製した。
（２６）透明導電体１３４の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＩＴＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（７））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、密着層（ＩＴＯ）／第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（７））／第２高屈折率層（ＧＺＯ）をこの順に積層した。
（密着層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚１．０ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚１．０ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３７％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３７％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＡｇを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度１．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚６．３ｎｍの透明金属層を形成した。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（７））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（７）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（７）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４２ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３４を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４２ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１３４を作製した。
（２７）透明導電体１３５〜１３９の作製
透明導電体１２１〜１２５の作製において、密着層を層厚１．０ｎｍとなるようにＺｎＯをＤＣパルススパッタして形成し、第１高屈折率層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１３５〜１３９をそれぞれ作製した。
透明導電体１２１〜１２５の作製において、密着層を層厚１．０ｎｍとなるようにＺｎＯをＤＣパルススパッタして形成し、第１高屈折率層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１３５〜１３９をそれぞれ作製した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚３６ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４０％とした。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚３６ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４０％とした。
（２８）透明導電体１４０〜１４４の作製
透明導電体１２６〜１３０の作製において、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルムの厚さを５０μｍとし、密着層及び第１高屈折率層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１４０〜１４４をそれぞれ作製した。
透明導電体１２６〜１３０の作製において、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルムの厚さを５０μｍとし、密着層及び第１高屈折率層を以下のように形成した以外は同様にして、透明導電体１４０〜１４４をそれぞれ作製した。
（密着層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚３６ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４０％とした。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚３６ｎｍとなるようＺｎＳをＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、４０％とした。
（２９）透明導電体１４５〜１４７の作製
透明導電体１２２の作製において、透明基板をそれぞれシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（厚さ５０μｍ）、ポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルム（厚さ１２５μｍ）、コニカミノルタ株式会社製クリアハードコート付きトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム（厚さ４０μｍ）に変更し、密着層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１４５〜１４７を作製した。
透明導電体１２２の作製において、透明基板をそれぞれシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（厚さ５０μｍ）、ポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルム（厚さ１２５μｍ）、コニカミノルタ株式会社製クリアハードコート付きトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム（厚さ４０μｍ）に変更し、密着層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１４５〜１４７を作製した。
（密着層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（３０）透明導電体１４８〜１５０の作製
透明導電体１２７の作製において、透明基板をそれぞれシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（厚さ５０μｍ）、ポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルム（厚さ１２５μｍ）、コニカミノルタ株式会社製クリアハードコート付きトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム（厚さ４０μｍ）に変更し、密着層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１４８〜１５０を作製した。
透明導電体１２７の作製において、透明基板をそれぞれシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（厚さ５０μｍ）、ポリカーボネートポリマー（ＰＣ）フィルム（厚さ１２５μｍ）、コニカミノルタ株式会社製クリアハードコート付きトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム（厚さ４０μｍ）に変更し、密着層を以下のようにして形成した以外は同様にして、透明導電体１４８〜１５０を作製した。
（密着層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、密着層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（３１）透明導電体１５１の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ）／第１硫化防止層（ＧＺＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２硫化防止層（ＧＺＯ）／腐食防止層（組成（２））／第２高屈折率層／第３高屈折率層（ＩＴＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ）の形成）
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３２％とした。
真空蒸着装置として、シンクロン社製のＢＭＣ−８００Ｔ蒸着装置を用い、モリブデン製抵抗加熱ボートにＺｎＳを装填し、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートに通電加熱し、抵抗加熱ボートの通電加熱条件を調整して、形成速度２．０ｎｍ／秒の条件で蒸着して、層厚３６ｎｍの第１高屈折率層を形成した。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３２％とした。
（第１硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．０６ｎｍ／秒で、層厚０．５ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第１硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚６．０ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２硫化防止層（ＧＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／秒で、層厚１．０ｎｍとなるようＧＺＯをＤＣパルススパッタし、第２硫化防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（腐食防止層（組成（２））の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．２ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚３．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、腐食防止層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／ｓで、表１に記載の組成（２）で層厚７．０ｎｍとなるようにＤＣパルススパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第３高屈折率層（ＩＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５１を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚２３ｎｍとなるようＩＴＯをＤＣパルススパッタし、第３高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５１を作製した。
（３２）透明導電体１５２の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、第１高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３４％とした。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、第１高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。第１高屈折率層に含有される硫黄の含有率の割合は、３４％とした。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚１２ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚１２ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５２を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦスパッタし、第２高屈折率層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５２を作製した。
（３３）透明導電体１５３の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＺＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＩＺＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（Ｎｂ２Ｏ５）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚２７．７ｎｍとなるようＮｂ２Ｏ５（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚２７．７ｎｍとなるようＮｂ２Ｏ５（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚７．７ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚７．７ｎｍとなるようにＤＣスパッタし、透明金属層を形成した。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＩＺＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚３６ｎｍとなるようにＩＺＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５３を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚３６ｎｍとなるようにＩＺＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。成膜した膜厚はターゲット−基板間距離は８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５３を作製した。
（３４）透明導電体１５４の作製
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺＴＯ）をこの順に積層した。
透明基板として、株式会社きもと製クリアハードコート付きＰＥＴフィルム（Ｇ１ＳＢＦ、「ＰＥＴ／ＣＨＣ」と称する。厚さ１２５μｍ）を用い、ＰＥＴ／ＣＨＣフィルム上に、下記の方法に従って、第１高屈折率層（ＺＴＯ）／透明金属層（Ａｇ）／第２高屈折率層（ＺＴＯ）をこの順に積層した。
（第１高屈折率層（ＺＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．１５ｎｍ／ｓで、層厚４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（透明金属層（Ａｇ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚１０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、背圧５×１０−４Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度０．７ｎｍ／ｓでＡｇを層厚１０ｎｍとなるようＲＦスパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
（第２高屈折率層（ＺＴＯ）の形成）
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５４を作製した。
アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度１．０ｎｍ／秒で、層厚４０ｎｍとなるようＺＴＯ（株式会社豊島製作所製）をＤＣパルススパッタした。ターゲット−基板間距離は、８６ｍｍであった。
以上のようにして、透明導電体１５４を作製した。
≪透明導電体の評価≫
以下に示す評価方法に従って、上記で作製した各透明導電体の評価を行った。
評価結果を表２〜５に示す。
以下に示す評価方法に従って、上記で作製した各透明導電体の評価を行った。
評価結果を表２〜５に示す。
＜腐食耐性の評価＞
作製した各透明導電体について、得られた透明導電体２個ずつを８５℃、８５％ＲＨ中に２４０時間保存した後、下記評価基準に従って評価した。
作製した各透明導電体について、得られた透明導電体２個ずつを８５℃、８５％ＲＨ中に２４０時間保存した後、下記評価基準に従って評価した。
◎：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が０個
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上
○：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１個以上１０個未満
×：３０ｍｍ×３０ｍｍの領域において、サイズ２０μｍ以上の腐食箇所が１０個以上
＜光透過率の測定＞
作製した各透明導電体について、パターン状に形成された透明導電体を用いて、導通領域における平均光透過率を以下の方法に従って測定した。
作製した各透明導電体について、パターン状に形成された透明導電体を用いて、導通領域における平均光透過率を以下の方法に従って測定した。
パターン状に形成された透明導電体における第２高屈折率層側の表面に、マッチングオイル（ニコン社製 屈折率＝１．５１５）を塗布し、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ（厚さ７ｍｍ×縦３０ｍｍ×横３０ｍｍ）とを貼り合わせた。この状態で、無アルカリガラス基板側から透明導電体の４５０〜８００ｎｍの波長範囲における平均光透過率（％）を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して５°傾けた角度から導通領域に測定光を入射させ、株式会社日立ハイテクノロジーズ製：分光光度計 Ｕ−４１００にて、光の透過率及び反射率を測定した。
平均光透過率は、下記評価基準に従って評価した。
平均光透過率は、下記評価基準に従って評価した。
◎：平均光透過率が９０％以上である
○：平均光透過率が８８％以上９０％未満である
△：平均光透過率が８３％以上８８％未満である
×：平均光透過率が８３％未満である
○：平均光透過率が８８％以上９０％未満である
△：平均光透過率が８３％以上８８％未満である
×：平均光透過率が８３％未満である
表２〜５から明らかなように、本発明の透明導電体は、比較例の透明導電体と比較して、腐食耐性及び光透過率の点において優れていることが確認された。
１、３０ 透明導電体
２、２−１、２−２ 透明基板
４ 第１屈折率調整層群
４Ａ、４Ｃ 第１高屈折率層
４Ｂ 第１硫化防止層
６ 透明金属層
８ 第２屈折率調整層群
８Ａ 第２高屈折率層
８Ｂ 第２硫化防止層
１０ レジスト膜
１０Ａ 除去するレジスト膜
１２ マスク
１４ 露光機
１６ エッチング液
２０ タッチパネル
２２ 前面板
３２ 密着層
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域
ｃ 白板
ｄ ＰＥＴ
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２ 透明電極ユニット
２、２−１、２−２ 透明基板
４ 第１屈折率調整層群
４Ａ、４Ｃ 第１高屈折率層
４Ｂ 第１硫化防止層
６ 透明金属層
８ 第２屈折率調整層群
８Ａ 第２高屈折率層
８Ｂ 第２硫化防止層
１０ レジスト膜
１０Ａ 除去するレジスト膜
１２ マスク
１４ 露光機
１６ エッチング液
２０ タッチパネル
２２ 前面板
３２ 密着層
ａ 導通領域
ｂ 絶縁領域
ｃ 白板
ｄ ＰＥＴ
ＥＵ、ＥＵ−１、ＥＵ−２ 透明電極ユニット
Claims (9)
- 透明基板と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群の少なくとも１層は、硫化亜鉛が含有された層であり、かつ、該層における亜鉛の含有率（ａｔ％）と硫黄の含有率（ａｔ％）との総和に対する硫黄の含有率（ａｔ％）の割合が、３５％以上であることを特徴とする透明導電体。 - 前記硫化亜鉛が含有された層が、プラズマアシスト又はイオンアシストを用いた蒸着法により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電体。
- 前記透明基板と前記第１屈折率調整層群との間に、密着層が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の透明導電体。
- 透明基板と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第１屈折率調整層群と、
透明金属層と、
波長５７０ｎｍの光に対し、前記透明基板の屈折率よりも高い屈折率を有する第２屈折率調整層群と、
をこの順に備える透明導電体であって、
前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層は、誘電性材料又は酸化物半導体材料が含有された層であり、
前記第１屈折率調整層群は、少なくとも、高屈折率層と、前記高屈折率層と前記透明金属層との間に形成された硫化防止層と、を有し、
前記高屈折率層は、硫黄が含有された層であり、
前記硫化防止層の層厚は、０．１〜１０ｎｍの範囲内であり、
前記透明基板と前記第１屈折率調整層群との間には、密着層が形成されていることを特徴とする透明導電体。 - 前記密着層には、亜鉛化合物が含有されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の透明導電体。
- 前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層には、亜鉛又はインジウムを含む酸化物が含有されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の透明導電体。
- 前記第２屈折率調整層群の少なくとも１層には、硫黄が含有されていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の透明導電体。
- 前記透明金属層が、パターニングされていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の透明導電体。
- 請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の透明導電体が具備されていることを特徴とするタッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014168945A JP6256253B2 (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 透明導電体及びタッチパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014168945A JP6256253B2 (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 透明導電体及びタッチパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016045671A JP2016045671A (ja) | 2016-04-04 |
| JP6256253B2 true JP6256253B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=55636198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014168945A Expired - Fee Related JP6256253B2 (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 透明導電体及びタッチパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6256253B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015623A (ja) * | 2000-04-27 | 2002-01-18 | Mitsui Chemicals Inc | 透明電極 |
| JP4376474B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2009-12-02 | グンゼ株式会社 | 透明導電性フィルム |
-
2014
- 2014-08-22 JP JP2014168945A patent/JP6256253B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016045671A (ja) | 2016-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6314463B2 (ja) | 透明導電体 | |
| JP2016081318A (ja) | 透明導電体及びタッチパネル | |
| TWI554410B (zh) | Transparent conductive film | |
| JP6292225B2 (ja) | 透明導電体 | |
| JP6536575B2 (ja) | 透明導電体及びタッチパネル | |
| JP6344095B2 (ja) | 透明導電体及びタッチパネル | |
| JP6206262B2 (ja) | 透明導電体、その製造方法及び導電性ペースト | |
| JP2015156270A (ja) | 透明電極パターンの形成方法 | |
| WO2015068738A1 (ja) | 透明導電体 | |
| JP2016152182A (ja) | 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、及び、電子機器 | |
| JP6256253B2 (ja) | 透明導電体及びタッチパネル | |
| WO2015125677A1 (ja) | 透明導電体 | |
| WO2015107968A1 (ja) | 透明導電体の製造方法及び透明導電体 | |
| WO2015087895A1 (ja) | 透明導電体 | |
| WO2015190227A1 (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
| JP6493225B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JP2016146052A (ja) | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル | |
| JPWO2016052158A1 (ja) | 透明導電体及びこれを含むタッチパネル | |
| WO2015151677A1 (ja) | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 | |
| JP2016091071A (ja) | 透明導電性フィルムとその製造方法 | |
| JP6586738B2 (ja) | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 | |
| JP2016177940A (ja) | 透明導電体の製造方法 | |
| JP2015173050A (ja) | 透明導電体の製造方法及びパターニングされた透明導電体 | |
| JP2018079599A (ja) | 光学シート | |
| JP2016171226A (ja) | エッチング液及び透明導電体のパターニング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170911 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170919 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171019 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171120 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6256253 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |