JPH10208554A - 透明導電膜及びそれを用いた液晶素子 - Google Patents
透明導電膜及びそれを用いた液晶素子Info
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- JPH10208554A JPH10208554A JP9009971A JP997197A JPH10208554A JP H10208554 A JPH10208554 A JP H10208554A JP 9009971 A JP9009971 A JP 9009971A JP 997197 A JP997197 A JP 997197A JP H10208554 A JPH10208554 A JP H10208554A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜で電気抵抗が小さく可視領域での光線透
過率の高い透明導電膜を実現する。 【解決手段】 スズを添加した酸化インジウムからなる
第１の層、高導電性金属膜からなる第２の層、スズを添
加した酸化インジウムからなる第３の層、高導電性金属
膜からなる第４の層、及びスズを添加した酸化インジウ
ムからなる第５の層を順次積層してなる透明導電膜。 【効果】 液晶の配向異常に伴う表示欠陥の無い優れた
大面積液晶ディスプレイを実現できる。
過率の高い透明導電膜を実現する。 【解決手段】 スズを添加した酸化インジウムからなる
第１の層、高導電性金属膜からなる第２の層、スズを添
加した酸化インジウムからなる第３の層、高導電性金属
膜からなる第４の層、及びスズを添加した酸化インジウ
ムからなる第５の層を順次積層してなる透明導電膜。 【効果】 液晶の配向異常に伴う表示欠陥の無い優れた
大面積液晶ディスプレイを実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光波長領域で
の光線透過率が良好で、電気抵抗（以下単に「抵抗」と
いう）が小さく大電流電極として使用できる透明導電
膜、及びそれを用いた液晶素子に関するものである。
の光線透過率が良好で、電気抵抗（以下単に「抵抗」と
いう）が小さく大電流電極として使用できる透明導電
膜、及びそれを用いた液晶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜にはスズ添加酸化インジウム
膜（以下ＩＴＯ膜という）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 などがあ
るがその中でもＩＴＯ膜は、導電性でしかも可視光波長
領域での光線透過率が良好なため、従来から各種のディ
スプレイおよび太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防
曇、防水、帯電防止ガラス、電磁シールガラスなどに利
用されている。
膜（以下ＩＴＯ膜という）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 などがあ
るがその中でもＩＴＯ膜は、導電性でしかも可視光波長
領域での光線透過率が良好なため、従来から各種のディ
スプレイおよび太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防
曇、防水、帯電防止ガラス、電磁シールガラスなどに利
用されている。
【０００３】例えば表示用液晶ディスプレイにおいては
近年ますます大面積化が進むとともに、表示密度の向上
が図られるようになってきており、高い光線透過率と配
線抵抗の低い透明導電膜が要求されるようになってき
た。しかも、電極間距離はコントラストに大きく影響す
るので、透明導電膜の厚さは概ね１５０ｎｍ以下が求め
られる。このように表示用液晶ディスプレイでは表示品
質の向上および生産性向上のためにより薄膜でかつ低抵
抗な透明導電膜が求められるようになってきた。
近年ますます大面積化が進むとともに、表示密度の向上
が図られるようになってきており、高い光線透過率と配
線抵抗の低い透明導電膜が要求されるようになってき
た。しかも、電極間距離はコントラストに大きく影響す
るので、透明導電膜の厚さは概ね１５０ｎｍ以下が求め
られる。このように表示用液晶ディスプレイでは表示品
質の向上および生産性向上のためにより薄膜でかつ低抵
抗な透明導電膜が求められるようになってきた。
【０００４】低抵抗な透明導電膜の作成技術として、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯなどにＳｎ、Ａｌなどを添加したり、
あるいはＦなどを添加する試みが従来からなされてい
る。このような透明導電膜は一般的にスパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法などを用いて形成
される。そのなかでもＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 、ＺｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 などのターゲットまたは焼結ペレットを用い
たスパッタリング法が多く用いられている。
ｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯなどにＳｎ、Ａｌなどを添加したり、
あるいはＦなどを添加する試みが従来からなされてい
る。このような透明導電膜は一般的にスパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法などを用いて形成
される。そのなかでもＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 、ＺｎＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 などのターゲットまたは焼結ペレットを用い
たスパッタリング法が多く用いられている。
【０００５】添加成分のドナー効果を高め低抵抗率を実
現するためには、結晶化を高める必要があり、一般的に
は成膜中の基板温度を２００℃〜３００℃の高温にする
方法がとられている。しかし、最近注目されているカラ
ーＳＴＮ方式の液晶ディスプレイでは有機カラーフィル
ター上に透明導電膜を形成する必要があり、成膜温度は
２００℃以下という低温成膜が求められており、基板温
度を高温化することによる低抵抗化は採用できないのが
現状である。
現するためには、結晶化を高める必要があり、一般的に
は成膜中の基板温度を２００℃〜３００℃の高温にする
方法がとられている。しかし、最近注目されているカラ
ーＳＴＮ方式の液晶ディスプレイでは有機カラーフィル
ター上に透明導電膜を形成する必要があり、成膜温度は
２００℃以下という低温成膜が求められており、基板温
度を高温化することによる低抵抗化は採用できないのが
現状である。
【０００６】これらの問題を解決するために、特開平６
−６８７１３号公報にみられるように低抵抗な透明導電
膜としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの高導電性金属を超薄膜
に形成する方法が考えられている。
−６８７１３号公報にみられるように低抵抗な透明導電
膜としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの高導電性金属を超薄膜
に形成する方法が考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】今日使用されている透
明導電膜は、１０インチクラスの液晶ディスプレイに対
してはその配線抵抗は大きな問題とはならないが、１５
インチクラスの大面積液晶ディスプレイにおいては配線
抵抗が大きくなるため、ＩＴＯ等の膜厚を増大させてこ
の問題を解決しようとしていた。しかしながら膜厚が増
大するとともに比抵抗は単調に増大するため大電流用電
極として使用することが困難である。また液晶ディスプ
レイ用透明電極においては膜厚が３００ｎｍ程度を上回
るとその段差の影響によって液晶の配向状態に異常が発
生し易く、表示欠陥の原因となる。そのため、できるだ
け薄膜（１５０ｎｍ程度）で大電流を流せる透明電極が
求められていた。
明導電膜は、１０インチクラスの液晶ディスプレイに対
してはその配線抵抗は大きな問題とはならないが、１５
インチクラスの大面積液晶ディスプレイにおいては配線
抵抗が大きくなるため、ＩＴＯ等の膜厚を増大させてこ
の問題を解決しようとしていた。しかしながら膜厚が増
大するとともに比抵抗は単調に増大するため大電流用電
極として使用することが困難である。また液晶ディスプ
レイ用透明電極においては膜厚が３００ｎｍ程度を上回
るとその段差の影響によって液晶の配向状態に異常が発
生し易く、表示欠陥の原因となる。そのため、できるだ
け薄膜（１５０ｎｍ程度）で大電流を流せる透明電極が
求められていた。
【０００８】また、従来は配線抵抗を下げるために、Ｉ
ＴＯ膜上の一部にメタル膜を形成する手法がとられてい
るが、この場合ＩＴＯ膜の成膜後にパターンニングを行
ない、しかる後に、メタル膜の成膜とパターンニングと
いう２回のパターンニング工程が必要となり、工数が多
くなるとともに非常にコスト高になっていた。
ＴＯ膜上の一部にメタル膜を形成する手法がとられてい
るが、この場合ＩＴＯ膜の成膜後にパターンニングを行
ない、しかる後に、メタル膜の成膜とパターンニングと
いう２回のパターンニング工程が必要となり、工数が多
くなるとともに非常にコスト高になっていた。
【０００９】また、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの高導電性金
属を超薄膜に形成することも試みられていたが、これら
の高導電性金属膜は透明性が劣る上に単体では耐候性が
著しく劣るため長期信頼性に欠けるという欠点があり実
用的ではなかった。そのため、これらの高導電性金属の
上下にＩＴＯ膜を形成し保護する方法も考案されている
が、１５インチクラスの大面積液晶ディスプレイにおい
て要求される可視領域での光線透過率と配線抵抗の双方
を満足する透明導電膜を実現することは困難であった。
属を超薄膜に形成することも試みられていたが、これら
の高導電性金属膜は透明性が劣る上に単体では耐候性が
著しく劣るため長期信頼性に欠けるという欠点があり実
用的ではなかった。そのため、これらの高導電性金属の
上下にＩＴＯ膜を形成し保護する方法も考案されている
が、１５インチクラスの大面積液晶ディスプレイにおい
て要求される可視領域での光線透過率と配線抵抗の双方
を満足する透明導電膜を実現することは困難であった。
【００１０】本発明の目的は、かかる従来の透明導電膜
の不具合を解消し、従来並みの膜厚で大面積液晶ディス
プレイにも適用可能な光線透過率と配線抵抗を有すると
ともに、１回のパターンニングで処理できる透明導電
膜、更には液晶の配向異常による表示欠陥を抑制しつつ
大面積化が可能な液晶素子を提供することにある。
の不具合を解消し、従来並みの膜厚で大面積液晶ディス
プレイにも適用可能な光線透過率と配線抵抗を有すると
ともに、１回のパターンニングで処理できる透明導電
膜、更には液晶の配向異常による表示欠陥を抑制しつつ
大面積化が可能な液晶素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は、以下の通りである。
された本発明の構成は、以下の通りである。
【００１２】即ち、本発明の第１は、基板上に、スズを
添加した酸化インジウムからなる第１の層、高導電性金
属膜からなる第２の層、スズを添加した酸化インジウム
からなる第３の層、高導電性金属膜からなる第４の層、
及びスズを添加した酸化インジウムからなる第５の層を
順次積層してなる透明導電膜にある。
添加した酸化インジウムからなる第１の層、高導電性金
属膜からなる第２の層、スズを添加した酸化インジウム
からなる第３の層、高導電性金属膜からなる第４の層、
及びスズを添加した酸化インジウムからなる第５の層を
順次積層してなる透明導電膜にある。
【００１３】また、本発明の第２は、上記本発明第１の
透明導電膜を有する液晶素子にある。
透明導電膜を有する液晶素子にある。
【００１４】本発明の透明導電膜によれば、１５０ｎｍ
程度の膜厚で配線抵抗が２０数ｋΩ程度の低抵抗配線を
可能とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での
光線透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電
膜が実現される。そして、かかる透明導電膜を液晶素子
の透明電極に適用すれば、その段差の影響によって液晶
の配向状態に異常が発生することも無く、且つ液晶素子
の大面積化にも耐え得る光線透過率と配線抵抗を有する
ため、表示欠陥の無い優れた大面積液晶ディスプレイを
実現することができる。
程度の膜厚で配線抵抗が２０数ｋΩ程度の低抵抗配線を
可能とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での
光線透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電
膜が実現される。そして、かかる透明導電膜を液晶素子
の透明電極に適用すれば、その段差の影響によって液晶
の配向状態に異常が発生することも無く、且つ液晶素子
の大面積化にも耐え得る光線透過率と配線抵抗を有する
ため、表示欠陥の無い優れた大面積液晶ディスプレイを
実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明において、第２、第４の層
を構成する高導電性金属膜材料としては、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ等を用いることができ、コスト、耐食性、導電性の
点で優れるＡｇが好ましい。
を構成する高導電性金属膜材料としては、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ等を用いることができ、コスト、耐食性、導電性の
点で優れるＡｇが好ましい。
【００１６】また、上記高導電性金属膜からなる第２、
第４の層の膜厚は、それらの合計が１０ｎｍ乃至１５ｎ
ｍの範囲にあることが好ましい。かかる膜厚の合計が１
０ｎｍ未満であると、１５インチクラスの大面積液晶デ
ィスプレイにおいて要求される配線抵抗（概ね３０ＫΩ
以下）を実現することは難しい。一方、かかる膜厚の合
計が１５ｎｍを超えると、１５インチクラスの大面積液
晶ディスプレイにおいて要求される可視領域の光線透過
率（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で概ね８０％以
上）を実現することは難しい。
第４の層の膜厚は、それらの合計が１０ｎｍ乃至１５ｎ
ｍの範囲にあることが好ましい。かかる膜厚の合計が１
０ｎｍ未満であると、１５インチクラスの大面積液晶デ
ィスプレイにおいて要求される配線抵抗（概ね３０ＫΩ
以下）を実現することは難しい。一方、かかる膜厚の合
計が１５ｎｍを超えると、１５インチクラスの大面積液
晶ディスプレイにおいて要求される可視領域の光線透過
率（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で概ね８０％以
上）を実現することは難しい。
【００１７】また、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲
での光線透過率の分布をフラットな望ましい分布にする
ためには、上記高導電性金属膜からなる第４の層の膜厚
は、第２の層の膜厚以下にすることが好ましい。
での光線透過率の分布をフラットな望ましい分布にする
ためには、上記高導電性金属膜からなる第４の層の膜厚
は、第２の層の膜厚以下にすることが好ましい。
【００１８】また、スズを添加した酸化インジウムから
なる第５の層の屈折率は、第１の層の屈折率以下である
ことが好ましい。これにより、１５インチクラスの大面
積液晶ディスプレイにおいて要求される可視領域の光線
透過率が得られる製造マージンが広くなる。具体的に
は、第５の層の屈折率を第１の層の屈折率以下に設定し
た場合、第５の層の膜厚を、第１の層の膜厚以下で且つ
概ね３０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲に設定すれば、上記の
光線透過率を実現することができる。
なる第５の層の屈折率は、第１の層の屈折率以下である
ことが好ましい。これにより、１５インチクラスの大面
積液晶ディスプレイにおいて要求される可視領域の光線
透過率が得られる製造マージンが広くなる。具体的に
は、第５の層の屈折率を第１の層の屈折率以下に設定し
た場合、第５の層の膜厚を、第１の層の膜厚以下で且つ
概ね３０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲に設定すれば、上記の
光線透過率を実現することができる。
【００１９】次に、本発明の透明導電膜の製造プロセス
の具体例を説明する。
の具体例を説明する。
【００２０】まずガラス基板を純水および超音波を用い
て洗浄し、慣用の成膜手段、例えばスパッタリング法、
イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの公知の成膜方
法を用いて、第１層としてＳｎを添加したＩｎ2 Ｏ3 膜
（ＩＴＯ膜）を所望の膜厚になるように形成する。第２
層はＡｇをターゲットとしてスパッタリング法で形成
し、第３層のＩＴＯ膜は第１層のＩＴＯ膜を形成するの
と同じ方法で形成する。第４層のＡｇ層は第２層のＡｇ
層と同じ方法で形成することができる。第５層のＩＴＯ
膜は第１層のＩＴＯ膜を形成するのと同じ方法で形成す
ることができる。
て洗浄し、慣用の成膜手段、例えばスパッタリング法、
イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの公知の成膜方
法を用いて、第１層としてＳｎを添加したＩｎ2 Ｏ3 膜
（ＩＴＯ膜）を所望の膜厚になるように形成する。第２
層はＡｇをターゲットとしてスパッタリング法で形成
し、第３層のＩＴＯ膜は第１層のＩＴＯ膜を形成するの
と同じ方法で形成する。第４層のＡｇ層は第２層のＡｇ
層と同じ方法で形成することができる。第５層のＩＴＯ
膜は第１層のＩＴＯ膜を形成するのと同じ方法で形成す
ることができる。
【００２１】各層の膜厚は投入するパワーと成膜時間を
変えることで制御することが可能である。屈折率につい
てはＩＴＯ膜の場合は酸素分圧または基板加熱温度を制
御することで可能であり、Ａｇの場合はできるだけ不純
ガスを混入させないような雰囲気でバルクの値に近い屈
折率を持った膜を形成する。
変えることで制御することが可能である。屈折率につい
てはＩＴＯ膜の場合は酸素分圧または基板加熱温度を制
御することで可能であり、Ａｇの場合はできるだけ不純
ガスを混入させないような雰囲気でバルクの値に近い屈
折率を持った膜を形成する。
【００２２】成膜装置としては汎用のスパッタ装置ある
いはＣＶＤ装置を使うことが可能であるが、一般的には
スパッタリング装置が用いられる。装置性能としては到
達真空度が２〜５×１０-5Ｐａ程度の真空度を有する成
膜装置を用いることができる。
いはＣＶＤ装置を使うことが可能であるが、一般的には
スパッタリング装置が用いられる。装置性能としては到
達真空度が２〜５×１０-5Ｐａ程度の真空度を有する成
膜装置を用いることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２４】（実施例１）本実施例では、ガラス基板上
に５層積層型の透明導電膜を形成した。図１はかかる透
明導電膜の模式図であり、０はガラス基板、１は第１の
層、２は第２の層、３は第３の層、４は第４の層、５は
第３の層である。
に５層積層型の透明導電膜を形成した。図１はかかる透
明導電膜の模式図であり、０はガラス基板、１は第１の
層、２は第２の層、３は第３の層、４は第４の層、５は
第３の層である。
【００２５】まず、４５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基
板を純水で洗浄し、しかる後に、第１の層としてＩＴＯ
膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、第２の層としてＡｇ
を表１に示すそれぞれの膜厚で形成し、第３の層として
ＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、第４の層とし
てＡｇを表１に示すそれぞれの膜厚で形成し、最後に第
５の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、
となるように順次成膜して透明導電膜を形成した。各層
の成膜条件は次の通りである。
板を純水で洗浄し、しかる後に、第１の層としてＩＴＯ
膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、第２の層としてＡｇ
を表１に示すそれぞれの膜厚で形成し、第３の層として
ＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、第４の層とし
てＡｇを表１に示すそれぞれの膜厚で形成し、最後に第
５の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、
となるように順次成膜して透明導電膜を形成した。各層
の成膜条件は次の通りである。
【００２６】 ［第１の層、第３の層、第５の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝１．３ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2 ［第２の層、第４の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００２７】本実施例では、第２の層と第４の層のＡｇ
を同じ膜厚に設定し、これらの合計した膜厚が３０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍである５
種類の透明導電膜を形成した。かかる５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
を同じ膜厚に設定し、これらの合計した膜厚が３０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍである５
種類の透明導電膜を形成した。かかる５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
【００２８】上記５種類のサンプルの屈折率をエリプソ
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表１に示すように第２の層と第４の
層のＡｇの合計した膜厚が２０ｎｍ以上のものにあって
は十分な光線透過率（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範
囲での透過率）が得られていないが、第２の層と第４の
層のＡｇの合計した膜厚が１０ｎｍ〜１５ｎｍのものに
あっては透過率は８０％近く、配線抵抗もほぼ実用域の
透明導電膜を形成することができた。尚、第２の層と第
４の層のＡｇの合計した膜厚が１０ｎｍより薄くなると
配線抵抗が大きくなり過ぎる。
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表１に示すように第２の層と第４の
層のＡｇの合計した膜厚が２０ｎｍ以上のものにあって
は十分な光線透過率（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範
囲での透過率）が得られていないが、第２の層と第４の
層のＡｇの合計した膜厚が１０ｎｍ〜１５ｎｍのものに
あっては透過率は８０％近く、配線抵抗もほぼ実用域の
透明導電膜を形成することができた。尚、第２の層と第
４の層のＡｇの合計した膜厚が１０ｎｍより薄くなると
配線抵抗が大きくなり過ぎる。
【００２９】
【表１】
【００３０】（実施例２）実施例１と同様に４５０ｍｍ
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０
ｎｍ、第２の層としてＡｇを第５の層のＡｇとの合計し
た膜厚が１５ｎｍとなるようにして表２に示すそれぞれ
の膜厚で形成し、第３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．
９、膜厚５０ｎｍ、第４の層としてＡｇを第２の層のＡ
ｇとの合計した膜厚が１５ｎｍとなるようにして表２に
示すそれぞれの膜厚で形成し、最後に第５の層としてＩ
ＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、となるように順
次成膜して透明導電膜を形成した。各層の成膜条件は次
の通りである。
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０
ｎｍ、第２の層としてＡｇを第５の層のＡｇとの合計し
た膜厚が１５ｎｍとなるようにして表２に示すそれぞれ
の膜厚で形成し、第３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．
９、膜厚５０ｎｍ、第４の層としてＡｇを第２の層のＡ
ｇとの合計した膜厚が１５ｎｍとなるようにして表２に
示すそれぞれの膜厚で形成し、最後に第５の層としてＩ
ＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、となるように順
次成膜して透明導電膜を形成した。各層の成膜条件は次
の通りである。
【００３１】 ［第１の層、第３の層、第５の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝１．３ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2 ［第２の層、第４の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００３２】本実施例では、第２の層と第４の層のＡｇ
の合計した膜厚を１５ｎｍに設定し、これらの膜厚が異
なる組み合わせで５種類の透明導電膜を形成した。かか
る５種類の透明導電膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約
２５０ｍｍの配線パターンにパターンニングして１５イ
ンチクラスの液晶用パネルのサンプルを作成した。
の合計した膜厚を１５ｎｍに設定し、これらの膜厚が異
なる組み合わせで５種類の透明導電膜を形成した。かか
る５種類の透明導電膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約
２５０ｍｍの配線パターンにパターンニングして１５イ
ンチクラスの液晶用パネルのサンプルを作成した。
【００３３】上記５種類のサンプルの屈折率をエリプソ
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表２に示すように第４の層のＡｇが
第２の層のＡｇの膜厚よりも小さいものにあっては、波
長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光線透過率がほぼ
フラットな好ましい分布を示すことがわかった。また、
第４の層のＡｇと第２の層のＡｇの膜厚が等しい場合に
透過率が最も高く、第４の層のＡｇが第２の層のＡｇの
膜厚よりも大きくなると透過率が低下する傾向がある。
以上のことから、第４の層のＡｇの膜厚は第２の層のＡ
ｇの膜厚以下に設定するのが好ましい。
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表２に示すように第４の層のＡｇが
第２の層のＡｇの膜厚よりも小さいものにあっては、波
長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光線透過率がほぼ
フラットな好ましい分布を示すことがわかった。また、
第４の層のＡｇと第２の層のＡｇの膜厚が等しい場合に
透過率が最も高く、第４の層のＡｇが第２の層のＡｇの
膜厚よりも大きくなると透過率が低下する傾向がある。
以上のことから、第４の層のＡｇの膜厚は第２の層のＡ
ｇの膜厚以下に設定するのが好ましい。
【００３４】
【表２】
【００３５】（実施例３）実施例１と同様に４５０ｍｍ
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０
ｎｍ、第２の層としてＡｇを膜厚１０ｎｍで形成し、第
３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、
第４の層としてＡｇを膜厚５ｎｍで形成し、最後に第５
の層として表３に示すようにＩＴＯ膜の屈折率を１．９
から１．７の範囲、膜厚５０ｎｍから１０ｎｍ（屈折率
を１．７としたものにあっては膜厚６０ｎｍから２０ｎ
ｍ）の範囲で、順次成膜して透明導電膜を形成した。各
層の成膜条件は次の通りである。
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０
ｎｍ、第２の層としてＡｇを膜厚１０ｎｍで形成し、第
３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚５０ｎｍ、
第４の層としてＡｇを膜厚５ｎｍで形成し、最後に第５
の層として表３に示すようにＩＴＯ膜の屈折率を１．９
から１．７の範囲、膜厚５０ｎｍから１０ｎｍ（屈折率
を１．７としたものにあっては膜厚６０ｎｍから２０ｎ
ｍ）の範囲で、順次成膜して透明導電膜を形成した。各
層の成膜条件は次の通りである。
【００３６】 ［第１の層、第３の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝１．３ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2 ［第２の層、第４の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整 ［第５の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝０．８〜４．０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００３７】本実施例では、第５の層のＩＴＯ膜の屈折
率を３種類、膜厚をそれぞれ５種類に設定し、計１５種
類の透明導電膜を形成した。かかる１５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
率を３種類、膜厚をそれぞれ５種類に設定し、計１５種
類の透明導電膜を形成した。かかる１５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
【００３８】上記１５種類のサンプルの屈折率をエリプ
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、表３に示すように第５の層の屈折
率を第１の層の屈折率以下に設定した本実施例において
は、大面積液晶ディスプレイで要求される１５０ｎｍ程
度の膜厚で配線抵抗が２５ｋΩ以下の低抵抗配線を可能
とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光線
透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電膜が
実現された。特に、第５の層のＩＴＯ膜の屈折率を１．
７に設定したものにあっては、上記要求を満足する範囲
が広く、具体的には、第５の層の膜厚を、第１の層の膜
厚以下で且つ概ね３０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲に設定す
れば、実用範囲の配線を実現できることがわかった。
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、表３に示すように第５の層の屈折
率を第１の層の屈折率以下に設定した本実施例において
は、大面積液晶ディスプレイで要求される１５０ｎｍ程
度の膜厚で配線抵抗が２５ｋΩ以下の低抵抗配線を可能
とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光線
透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電膜が
実現された。特に、第５の層のＩＴＯ膜の屈折率を１．
７に設定したものにあっては、上記要求を満足する範囲
が広く、具体的には、第５の層の膜厚を、第１の層の膜
厚以下で且つ概ね３０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲に設定す
れば、実用範囲の配線を実現できることがわかった。
【００３９】
【表３】
【００４０】（実施例４）実施例１と同様に４５０ｍｍ
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層として表４に示すようにＩＴＯ膜の屈折率
を１．９から１．７の範囲、膜厚を５０ｎｍから１０ｎ
ｍの範囲で形成し、第２の層としてＡｇを膜厚１０ｎｍ
で形成し、第３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜
厚５０ｎｍ、第４の層としてＡｇを膜厚５ｎｍで形成
し、最後に第５層の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、
膜厚５０ｎｍとなるように順次成膜して透明導電膜を形
成した。各層の成膜条件は次の通りである。
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層として表４に示すようにＩＴＯ膜の屈折率
を１．９から１．７の範囲、膜厚を５０ｎｍから１０ｎ
ｍの範囲で形成し、第２の層としてＡｇを膜厚１０ｎｍ
で形成し、第３の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜
厚５０ｎｍ、第４の層としてＡｇを膜厚５ｎｍで形成
し、最後に第５層の層としてＩＴＯ膜を屈折率１．９、
膜厚５０ｎｍとなるように順次成膜して透明導電膜を形
成した。各層の成膜条件は次の通りである。
【００４１】 ［第１の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝０．８〜４．０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整 ［第２の層、第４の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整 ［第３の層、第５の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝１．３ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2
【００４２】本実施例では、第１の層のＩＴＯ膜の屈折
率を３種類、膜厚をそれぞれ５種類に設定し、計１５種
類の透明導電膜を形成した。かかる１５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
率を３種類、膜厚をそれぞれ５種類に設定し、計１５種
類の透明導電膜を形成した。かかる１５種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
【００４３】上記１５種類のサンプルの屈折率をエリプ
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、実施例３とは逆に第１の層の屈折
率を第５の層の屈折率以下に設定した本実施例において
は、第１の層の膜厚を５０ｎｍから１０ｎｍの範囲で変
化させても、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で光線
透過率を双方とも同時に８０％以上にすることはできな
かった。このことからも、実施例３のように第５の層の
屈折率を第１の層の屈折率以下に設定することは大きな
意義があることが実証された。
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、実施例３とは逆に第１の層の屈折
率を第５の層の屈折率以下に設定した本実施例において
は、第１の層の膜厚を５０ｎｍから１０ｎｍの範囲で変
化させても、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で光線
透過率を双方とも同時に８０％以上にすることはできな
かった。このことからも、実施例３のように第５の層の
屈折率を第１の層の屈折率以下に設定することは大きな
意義があることが実証された。
【００４４】
【表４】
【００４５】（比較例１）本実施例では、ガラス基板上
に３層積層型の透明導電膜を形成した。図２はかかる透
明導電膜の模式図であり、１０はガラス基板、１１は第
１の層、１２は第２の層、１３は第３の層である。
に３層積層型の透明導電膜を形成した。図２はかかる透
明導電膜の模式図であり、１０はガラス基板、１１は第
１の層、１２は第２の層、１３は第３の層である。
【００４６】まず、４５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基
板を純水で洗浄し、しかる後に、第１の層としてＩＴＯ
膜を屈折率１．９、膜厚６０ｎｍ、第２の層としてＡｇ
を表５に示すそれぞれの膜厚で形成し、第３の層として
ＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚６０ｎｍ、となるように
順次成膜して透明導電膜を形成した。各層の成膜条件は
次の通りである。
板を純水で洗浄し、しかる後に、第１の層としてＩＴＯ
膜を屈折率１．９、膜厚６０ｎｍ、第２の層としてＡｇ
を表５に示すそれぞれの膜厚で形成し、第３の層として
ＩＴＯ膜を屈折率１．９、膜厚６０ｎｍ、となるように
順次成膜して透明導電膜を形成した。各層の成膜条件は
次の通りである。
【００４７】 ［第１の層、第３の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝１．３ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2 ［第２の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００４８】本比較例では、第２の層のＡｇの膜厚が３
０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍであ
る５種類の透明導電膜を形成した。かかる５種類の透明
導電膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配
線パターンにパターンニングして１５インチクラスの液
晶用パネルのサンプルを作成した。
０ｎｍ、２５ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍであ
る５種類の透明導電膜を形成した。かかる５種類の透明
導電膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配
線パターンにパターンニングして１５インチクラスの液
晶用パネルのサンプルを作成した。
【００４９】上記５種類のサンプルの屈折率をエリプソ
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、本比較例は、Ａｇの総膜厚が等しい
実施例１のものと比較して、ＩＴＯの総膜厚が薄いにも
かかわらず、波長７００ｎｍの光線透過率は同等である
ものの、波長４００ｎｍの光線透過率は極めて劣ってい
た。このことから、本発明のように透明導電膜を５層構
成とすることには大きな意義があることが実証された。
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、本比較例は、Ａｇの総膜厚が等しい
実施例１のものと比較して、ＩＴＯの総膜厚が薄いにも
かかわらず、波長７００ｎｍの光線透過率は同等である
ものの、波長４００ｎｍの光線透過率は極めて劣ってい
た。このことから、本発明のように透明導電膜を５層構
成とすることには大きな意義があることが実証された。
【００５０】
【表５】
【００５１】（比較例２）比較例１と同様に４５０ｍｍ
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を膜厚は６０ｎｍで屈折率
を１．９，１．８，１．７の３つのケースで形成し、第
２の層としてＡｇの膜厚を１０ｎｍと２０ｎｍの２つの
ケースで形成し、最後に第３の層としてＩＴＯ膜を膜厚
は６０ｎｍで屈折率は第１の層のＩＴＯ膜と同じ屈折率
で形成し、これらを順次成膜した３層構造の透明導電膜
を形成した。各層の成膜条件は次の通りである。
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を膜厚は６０ｎｍで屈折率
を１．９，１．８，１．７の３つのケースで形成し、第
２の層としてＡｇの膜厚を１０ｎｍと２０ｎｍの２つの
ケースで形成し、最後に第３の層としてＩＴＯ膜を膜厚
は６０ｎｍで屈折率は第１の層のＩＴＯ膜と同じ屈折率
で形成し、これらを順次成膜した３層構造の透明導電膜
を形成した。各層の成膜条件は次の通りである。
【００５２】 ［第１の層、第３の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝０．８〜４．０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：２．０Ｗ／ｃｍ2 ［第２の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：０．５〜１．２Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００５３】本実施例では、表６に示すようにＩＴＯ膜
の屈折率とＡｇの膜厚の異なる計６種類の透明導電膜を
形成した。かかる６種類の透明導電膜を、配線幅１０μ
ｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パターンにパターンニ
ングして１５インチクラスの液晶用パネルのサンプルを
作成した。
の屈折率とＡｇの膜厚の異なる計６種類の透明導電膜を
形成した。かかる６種類の透明導電膜を、配線幅１０μ
ｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パターンにパターンニ
ングして１５インチクラスの液晶用パネルのサンプルを
作成した。
【００５４】上記６種類のサンプルの屈折率をエリプソ
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表６に示すように第２層のＡｇが２
０ｎｍのときは透過率が低く実用は不可能である。第２
層のＡｇが１５ｎｍのときで第１層と第３層のＩＴＯの
屈折率が１．９で膜厚が５０ｎｍに限り波長が４００ｎ
ｍから７００ｎｍの範囲で光線透過率がいずれも７８％
を超えており、やや可能性があるが非常に製造マージン
が狭く実用的ではない。このように、波長４００ｎｍか
ら７００ｎｍの範囲で光線透過率をいずれも８０％を超
えるためには３層構成の透明導電膜では非常に困難であ
ることがわかった。
メーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を測
定した。その結果、表６に示すように第２層のＡｇが２
０ｎｍのときは透過率が低く実用は不可能である。第２
層のＡｇが１５ｎｍのときで第１層と第３層のＩＴＯの
屈折率が１．９で膜厚が５０ｎｍに限り波長が４００ｎ
ｍから７００ｎｍの範囲で光線透過率がいずれも７８％
を超えており、やや可能性があるが非常に製造マージン
が狭く実用的ではない。このように、波長４００ｎｍか
ら７００ｎｍの範囲で光線透過率をいずれも８０％を超
えるためには３層構成の透明導電膜では非常に困難であ
ることがわかった。
【００５５】
【表６】
【００５６】（比較例３）比較例１と同様に４５０ｍｍ
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を膜厚は５０ｎｍで屈折率
は１．９と１．７の２つのケースで形成し、第２の層と
してＡｇの膜厚を１５ｎｍで形成し、最後に第３の層と
してＩＴＯ膜を屈折率１．９と１．７の２のケースで膜
厚を８０ｎｍから４０ｎｍの種々のケースで形成し、こ
れらを順次成膜した３層構造の透明導電膜を形成した。
各層の成膜条件は次の通りである。
×５５０ｍｍのガラス基板を純水で洗浄し、しかる後
に、第１の層としてＩＴＯ膜を膜厚は５０ｎｍで屈折率
は１．９と１．７の２つのケースで形成し、第２の層と
してＡｇの膜厚を１５ｎｍで形成し、最後に第３の層と
してＩＴＯ膜を屈折率１．９と１．７の２のケースで膜
厚を８０ｎｍから４０ｎｍの種々のケースで形成し、こ
れらを順次成膜した３層構造の透明導電膜を形成した。
各層の成膜条件は次の通りである。
【００５７】 ［第１の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝０．８〜４．０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：１．０〜２．０Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整 ［第２の層のＡｇ］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝２１０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．９Ｐａ 投入パワー ：１．０Ｗ／ｃｍ2 ［第３の層のＩＴＯ膜］ 到達真空度 ：５×１０-5Ｐａ ガス種類 ：Ａｒ＝３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ＝０．８〜４．０ｓｃｃｍ ガス圧力 ：０．６Ｐａ 投入パワー ：０．５〜２．０Ｗ／ｃｍ2 の範囲で各膜厚に合わせて調整
【００５８】本実施例では、表７に示すように計１２種
類の透明導電膜を形成した。かかる１２種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
類の透明導電膜を形成した。かかる１２種類の透明導電
膜を、配線幅１０μｍで配線長さ約２５０ｍｍの配線パ
ターンにパターンニングして１５インチクラスの液晶用
パネルのサンプルを作成した。
【００５９】上記１２種類のサンプルの屈折率をエリプ
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、表７に示すようにいずれのケース
も波長４００ｎｍと７００ｎｍで光線透過率を同時には
８０％以上にすることはできず、１５インチクラスの大
面積液晶ディスプレイで要求される光線透過率と配線抵
抗の両方を満足する透明導電膜は得られていない。
ソメーターで測定し、市販の抵抗値テスターで抵抗値を
測定した。その結果、表７に示すようにいずれのケース
も波長４００ｎｍと７００ｎｍで光線透過率を同時には
８０％以上にすることはできず、１５インチクラスの大
面積液晶ディスプレイで要求される光線透過率と配線抵
抗の両方を満足する透明導電膜は得られていない。
【００６０】
【表７】
【００６１】
【発明の効果】本発明の透明導電膜によれば、１５０ｎ
ｍ程度の膜厚で配線抵抗が２０数ｋΩの低抵抗配線を可
能とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光
線透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電膜
が実現される。また、本発明の５層構成の透明導電膜
は、１回のパターンニングで配線パターンを形成するこ
ともできる。したがって、本発明の透明導電膜を液晶素
子の透明電極に適用すれば、その段差の影響によって液
晶の配向状態に異常が発生することも無く、且つ配線の
パターンニング工程を削減できるため、表示欠陥の無い
優れた大面積液晶ディスプレイを低コストで実現するこ
とができる。
ｍ程度の膜厚で配線抵抗が２０数ｋΩの低抵抗配線を可
能とし、且つ波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲での光
線透過率が８０％以上の高い透明性を有する透明導電膜
が実現される。また、本発明の５層構成の透明導電膜
は、１回のパターンニングで配線パターンを形成するこ
ともできる。したがって、本発明の透明導電膜を液晶素
子の透明電極に適用すれば、その段差の影響によって液
晶の配向状態に異常が発生することも無く、且つ配線の
パターンニング工程を削減できるため、表示欠陥の無い
優れた大面積液晶ディスプレイを低コストで実現するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例に係る５層構成の透明導電膜を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】比較例に係る３層構成の透明導電膜を示す模式
図である。
図である。
０ ガラス基板 １ 第１の層のＩＴＯ膜 ２ 第２の層のＡｇ膜 ３ 第３の層のＩＴＯ膜 ４ 第４の層のＡｇ膜 ５ 第５の層のＩＴＯ膜 １０ ガラス基板 １１ 第１の層のＩＴＯ膜 １２ 第２の層のＡｇ膜 １３ 第３の層のＩＴＯ膜
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に、スズを添加した酸化インジウ
ムからなる第１の層、高導電性金属膜からなる第２の
層、スズを添加した酸化インジウムからなる第３の層、
高導電性金属膜からなる第４の層、及びスズを添加した
酸化インジウムからなる第５の層を順次積層してなる透
明導電膜。 - 【請求項２】 請求項１において、高導電性金属膜から
なる第２、第４の層がＡｇであることを特徴とする透明
導電膜。 - 【請求項３】 請求項１において、高導電性金属膜から
なる第２、第４の層の膜厚の合計が１０ｎｍ乃至１５ｎ
ｍの範囲にあることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項４】 請求項３において、高導電性金属膜から
なる第４の層の膜厚が、第２の層の膜厚以下であること
を特徴とする透明導電膜。 - 【請求項５】 請求項１において、スズを添加した酸化
インジウムからなる第５の層の屈折率が、第１の層の屈
折率以下であることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項６】 請求項１において、スズを添加した酸化
インジウムからなる第５の層の膜厚が、第１の層の膜厚
以下で且つ３０ｎｍ乃至５０ｎｍの範囲にあることを特
徴とする透明導電膜。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の透明
導電膜を有する液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009971A JPH10208554A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 透明導電膜及びそれを用いた液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009971A JPH10208554A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 透明導電膜及びそれを用いた液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208554A true JPH10208554A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11734814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9009971A Withdrawn JPH10208554A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 透明導電膜及びそれを用いた液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208554A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002277855A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-25 | Sharp Corp | Ａｇ合金薄膜の形成方法および情報表示素子 |
| KR100449791B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2004-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| US6825904B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, color filter substrate with vapor deposited metal oxide insulating layer under transparent conductor, method for manufacturing liquid crystal device, and method for manufacturing color filter substrate |
| JP2007163995A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
| JP2016157657A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-23 JP JP9009971A patent/JPH10208554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449791B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2004-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| US6825904B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-11-30 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, color filter substrate with vapor deposited metal oxide insulating layer under transparent conductor, method for manufacturing liquid crystal device, and method for manufacturing color filter substrate |
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| JP2007163995A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
| JP2016157657A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電部材、及び、透明導電部材の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |