TWI746603B - 透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置，尤其關於一種如下透明電極，即：所述透明電極包括網格圖案，其中所述網格圖案包括依次層疊的第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層，所述透明電極於550奈米波長的反射率為5%至20%，所述透明電極具有高透過率和低反射率，從而具有改善的可見性，具有低面電阻和優秀的彎折特性，且因與基材的附著性強，適合適用於可撓性及大面積影像顯示裝置。

Description

透明電極、包括其的觸控感測器及影像顯示裝置
本發明關於一種透明電極、包括所述透明電極的觸控感測器及包括所述觸控感測器的影像顯示裝置。
當前，隨著資訊化社會的發展，對顯示領域的要求也正以多種形態增多，順應地，目前正在展開對具有薄型化、輕量化、低功耗化等特徵的諸多平板顯示裝置(Flat Panel Display device)，例如，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display device)、電漿平板顯示裝置(Plasma Display Panel device)，電致發光顯示裝置(Electro Luminescent Display device)等的研究。
此外，作為附著於所述顯示裝置上的能夠用人的手或物體選擇畫面中出現的指示內容來輸入使用者的命令的輸入裝置的觸控面板(touch panel)得到青睞。觸控面板具備於顯示裝置的前端(front face)來將直接接觸人的手或物體的接觸位置轉換為電信號。
從而，在接觸位置上選擇的指示內容被當做輸入信號接收。由於這種觸控面板可以代替如鍵盤和滑鼠等連接於影像顯示裝置來動作的另外的輸入裝置，其利用範圍呈逐漸擴大的趨勢。
由於這種觸控面板的電極需形成於顯示裝置的前端，作為眾 所周知的透明電極，通常使用ITO(indium doped Tin Oxide)。然而，ITO電極因脆性(brittleness)問題，不但難以適用於可撓性(flexible)觸控感測器，還因呈現出高電阻的特性，在實現大面積化方面具有局限性，故存在難以使用的問題。
一方面，在透明電極中，就金屬網格(metal mesh)結構而言，雖然因金屬的延展性和低電阻特性具有容易適用於可撓性觸控感測器和大面積觸控感測器的優點，但因其可見性薄弱的缺點，同樣存在難以適用於觸控感測器的問題。
韓國公開專利第2013-0116597號中公開了觸控式螢幕面板。
現有技術文獻
專利文獻
韓國公開專利第2013-0116597號
首先，本發明目的在於提供一種因具有高透過率和低反射率，使電極無法用肉眼可見的透明電極。
其次，本發明的目的在於提供一種因具有優秀的彎折特性，適合適用於可撓性顯示裝置的透明電極。
再次，本發明的目的在於提供一種因具有低面電阻，適合用於大面積影像顯示裝置的透明電極。
從次，本發明的目的在於提供一種與基材的附著力強的透明電極。
此外，本發明的目的在於提供一種包括前述透明電極的觸控感測器和包括所述觸控感測器的影像顯示裝置。
(1)一種透明電極，所述透明電極包括網格圖案，其中所述網格圖案包括依次層疊的第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層，所述透明電極於550奈米波長上的反射率為5%至20%。
(2)根據上述(1)所述的透明電極，所述透明電極於所述550奈米波長的反射率為5%至13%。
(3)根據上述(1)所述的透明電極，所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層於550奈米波長的折射率各自分別為1.7至2.2，所述金屬層於550奈米波長的折射率為0.1至1.0，所述金屬層的消光係數為2.0至7.0。
(4)根據上述(1)所述的透明電極，所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層的厚度各自分別為5奈米至140奈米，所述金屬層的厚度為5奈米至30奈米。
(5)根據上述(1)所述的透明電極，所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層的厚度各自分別為30奈米至50奈米，所述金屬層的厚度為8奈米至15奈米。
(6)根據上述(1)所述的透明電極，所述網格圖案的線寬為1微米至7微米。
(7)根據上述(1)所述的透明電極，所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層各自分別包括選自由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、銦鎵氧化物(IGO)、氧化錫(SnO2)以及氧化鋅(ZnO)組成的群組中的至少一個。
(8)根據上述(1)所述的透明電極，所述第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層各自分別包括選自由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO) 組成的群組中的至少一個。
(9)根據上述(1)所述的透明電極，所述金屬層包括選自由銀、金、銅、鋁、鉑、鈀、鉻、鈦、鎢、鈮、鉭、釩、鈣、鐵、錳、鈷、鎳、鋅以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個。
(10)根據上述(1)所述的透明電極，所述金屬層包括選自由銀、金、銅、鈀、鋁以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個。
(11)根據上述(1)所述的透明電極，所述透明電極的霧度為-1%至+1%。
(12)根據上述(1)所述的透明電極，所述透明電極的色差值b*為-4至+4。
(13)根據上述(1)所述的透明電極，當以1毫米或以上的曲率半徑向180°方向折所述透明電極時，線電阻無變化。
(14)一種觸控感測器，其包括根據上述(1)至(13)中任一項所述的透明電極。
(15)根據上述(14)所述的觸控感測器，所述透明電極提供於包括選自由環烯烴聚合物(COP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(Polyarylate)、聚醯亞胺(PI)、醋酸丙酸纖維素(CAP)、聚醚碸(PES)、三乙酸纖維素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)組成的群組中的至少一個的基材上。
(16)根據上述(14)所述的觸控感測器，所述透明電極提供於包括環烯烴聚合物(COP)的基材上。
(17)根據上述(14)所述的觸控感測器，所述觸控感測器包括多個間隔開的感測圖案，所述感測圖案配置於同一面上，且由所述透明電極形 成。
(18)根據上述(17)所述的觸控感測器，所述觸控感測器包括向第一方向形成的第一感測圖案、向第二方向形成的第二感測圖案以及連接與所述第二感測圖案的分隔開的多個單位圖案的橋電極。
(19)根據上述(17)所述的觸控感測器，所述觸控感測器以本位電容(self-cap)方式形成。
(20)一種薄膜觸控感測器，其包括：分離層；以及形成於所述分離層上的根據上述(17)所述的觸控感測器。
(21)根據上述(20)所述的薄膜觸控感測器，其在所述觸控感測器和分離層之間還包括保護層。
(22)一種影像顯示裝置，其包括根據上述(14)所述的觸控感測器。
(23)一種影像顯示裝置，其包括根據上述(20)所述的薄膜觸控感測器。
首先，本發明的透明電極因具有高透過率和低反射率，具有顯著改善的可見性。
其次，本發明的透明電極具有適合用於可撓性顯示裝置的優秀的彎折特性。
再次，本發明的透明電極的面電阻低，以便適合用於大面積影像顯示裝置。
此外，本發明的透明電極與基材的附著力強。
從而，本發明的透明電極可以有效用於製造觸控感測器和影像顯示裝置。
100‧‧‧基材
200‧‧‧網格圖案
210‧‧‧第一金屬氧化物層
220‧‧‧金屬層
230‧‧‧第二金屬氧化物層
圖1示在本發明一實施例的基材上包括透明電極的結構。
圖2示出了本發明的一實施例的網格圖案的橫截面圖。
圖3概略性地示出本發明的彎折特性試驗方法的圖。
本發明關於一種透明電極，尤其關於一種如下透明電極，即：所述透明電極包括網格圖案，所述網格圖案包括依次層疊的第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層，所述透明電極於550奈米波長的反射率為5%至20%，所述透明電極具有高透過率和低反射率，從而具有改善的可見性，具有低面電阻和優秀的彎折特性，且因與基材的附著性強，適合用於可撓性及大面積影像顯示裝置。
圖1示出了本發明的一實施例的包括具備於基材上的透明電極的結構，圖2示出了本發明的一實施例的網格圖案的橫截面圖。
以下，為具體說明本發明，參照附圖進行詳細說明。
本發明的透明電極包括網格圖案200，所述網格圖案200包括依次層疊的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230。
本說明書中，“透明電極”所指的透明電極不只是實際上透明的電極，而是意指還包括雖然用非透明材料製造，但由於以窄線寬製造等以致於無法被使用者辨識，因而對使用者而言，實質上看似透明的電極。
本說明書中，網格圖案意指網狀圖案，本發明中，網格圖案具有電極的作用。
本發明的透明電極因具有網格圖案200的結構，其彎折特性佳，因而折彎性和復原力佳，且能夠用於製造可撓性和伸縮性卓越的觸控 感測器。例如，當以1毫米或以上的曲率半徑，較佳以2毫米或以上的曲率半徑向180°方向折本發明的透明電極時，其線電阻有可能會無變化。經判斷，認為這是由於本發明的透明電極既具有網格圖案的結構，又具有三層結構，因而既能維持電極的特性，又具有優秀的彎折特性。
本發明中，對網格結構的具體形態不作特殊限定。例如可以是直角四邊形網格結構、菱形網格結構、六邊形網格結構等，但不限於此。在各種結構中，長邊的長度例如可以為2微米至500微米，且可以在所述範圍內根據導電性、透過率等適當調整。
本發明中，對網格圖案200的線寬不作特殊限定，例如，所述網格圖案200的線寬可以為1微米至7微米。現有的網格圖案電極在具有儘管1微米左右的線寬的情況下，其電極也能用肉眼可見，而本發明的網格圖案200即使是線上寬為1微米至7微米的情況下也不會被肉眼可見，且還可以具有最佳電阻值。
本發明中，所述網格圖案200包括依次層疊的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230。
本發明使用包括依次層疊的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230的網格圖案200的透明電極代替現有的ITO透明電極，因而既具有高透過率，又具有低反射率，從而其可見性可以得到顯著改善。不僅如此，本發明的網格圖案因彎折特性佳，折彎性和復原力佳，同時，還能夠確保低面電阻，故適合用作用於觸控感測器的透明電極。
本發明中，對第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230的厚度不作特殊限定，從確保高透過率和低反射率的同時，提高彎折特性的角度而言，例如，所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230的厚度可以各自分別為5奈米至140奈米，所述金屬層220的厚度 可以為5奈米至30奈米。更佳地所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230的厚度可以各自分別為30奈米至50奈米，所述金屬層220的厚度可以為8奈米至15奈米。
本發明中，對第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230的材料不作特殊限定，例如，所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230可以各自分別包括選自由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、銦鎵氧化物(IGO)、氧化錫(SnO2)以及氧化鋅(ZnO)組成的群組中的至少一個。從進一步改善可見性、進一步改善彎折特性的角度而言，較佳地，所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230可以各自分別包括選自由銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)組成的群組中的至少一個，更佳地，所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230可以包括銦鋅氧化物(IZO)。
本發明中，對金屬層220的材料不作特殊限定，例如，從既具有優秀的導電性又具有低面電阻的角度而言，可以包括選自由銀、金、銅、鋁、鉑、鈀、鉻、鈦、鎢、鈮、鉭、釩、鈣、鐵、錳、鈷、鎳、鋅以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個。從既具有前述優點又具有優秀的彎折特性的角度而言，更佳可以包括選自由銀、金、銅、鈀、鋁以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個，且更佳可以為銀、銅和鈀的合金Ag-Pd-Cu(APC)合金。
對形成本發明的第一金屬氧化物層210、金屬層220或第二金屬氧化物層230的方法不作特殊限定，例如，可以利用物理蒸鍍法(Physical Vapor Deposition，PVD)、化學蒸鍍法(Chemical VaporDeposition，CVD)等多種薄膜蒸鍍技術形成。例如，可以利用作為物理蒸鍍法的一例的反應 濺射法(reactive sputtering)形成。
對形成本發明的網格圖案200的方法不作特殊限定，例如可以利用光刻法形成。
對形成本發明的包括第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230的網格圖案200的方法不作特殊限定，例如可以利用依次形成第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230並層疊後，借由光刻法對所述各個層同時進行蝕刻或各個層別地分別進行蝕刻的方法形成。
本發明的透明電極於550奈米波長的反射率為5%至20%。本發明的透明電極具有低反射率，因而可以將對使用者可見的程度降到最低。具體而言，對本發明的透明電極的反射率影響較大的因素是金屬層220。為具備本發明的透明電極中所要求的最小導電性，使用金屬層220，而這可能會導致透明電極的反射率上升。因而，本發明的透明電極既具有前述三層結構，又由網格圖案200形成，因而可以降低反射率，且可以調整各個層的厚度和折射率值來達到前述反射率值。若本發明的透明電極200於550奈米波長的反射率小於5%，則需要顯著減少金屬層220的厚度，因而會存在電極的電阻值上升的問題，而若超過20%，則存在電極用肉眼可見的問題。為進一步改善可見性，更佳地，本發明的透明電極於550奈米波長的反射率可以為5%至13%。
此外，本發明的透明電極包括網格圖案200，所述網格圖案200包括依次層疊的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230，故不但具有低反射率，又具有高透過率，從而可以大幅改善可見性。具體而言，較佳地，本發明的透明電極於550奈米波長的透過率可以為60%至90%。
此外，第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230相對而言具有高折射率，金屬層220相對而言具有低折射率，故能夠形成依次具有高-低-高折射率的網格圖案200層，因而可以確保高透過率和低反射率來大幅改善可見性。例如，可以通過使所述第一金屬氧化物層210和第二金屬氧化物層230於550奈米波長的折射率各自分別為1.7至2.2，使所述金屬層220於550奈米波長的折射率為0.1至1.0，使消光係數為2.0至7.0的方式達成上述效果，但不限於此。所述消光係數可以利用由下面的數學式1、2表示的公式求出。
[數學式1]I=I0 e(-αT)
(公式中，α為吸收係數，T為厚度，I0為透過前的光強度，I為透過後的光強度)
[數學式2]α=4πk/λ0
(公式中，α為吸收係數，k為消光係數，λ0為波長)
本發明的透明電極包括前述網格圖案200和網格圖案200中包括的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230的層疊結構，故不但具有高透過率和低反射率，還能達到透明的色差值。具體而言，本發明的透明電極的色差值b*為-4至+4，從而可以降低圖案的可見性，且防止所表現的顏色的失真。
此外，本發明的透明電極包括前述網格圖案200和網格圖案200中包括的第一金屬氧化物層210、金屬層220以及第二金屬氧化物層230的層疊結構，故可以具有低霧度值。更具體而言，本發明的透明電極的霧度為-1%至+1%，從而可以具有優秀的光學特性。
此外，本發明提供一種包括前述透明電極的觸控感測器。
作為觸控感測，本發明的觸控感測器電極使用具有前述的顯著改善的可見性、具有優秀的彎折特性和低面電阻的前述透明電極，從而能夠製造高性能觸控感測器，尤其極其適合適用於可撓性顯示裝置。本發明的透明電極可以無特殊限定地適用於本領域周知的觸控感測器的感測電極。
本發明的觸控感測器中，前述的透明電極可以具備於基材100上，對所述基材100的材料不作特殊限定，例如，本發明的觸控感測器中，前述的透明電極可以提供於包括選自由環烯烴聚合物(COP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(Polyarylate)、聚醯亞胺(PI)、醋酸丙酸纖維素(CAP)、聚醚碸(PES)、三乙酸纖維素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)組成的群組中的至少一個的基材100上。本發明的觸控感測器中，較佳地，前述的透明電極具備於包括環烯烴聚合物(COP)的基材100上。
根據本發明的一實現例，本發明的觸控感測器可以包括多個間隔開的感測圖案。各感測圖案提供觸控位置的座標資訊資訊，具體而言，若人的手或物體接觸覆蓋窗基板，則通過該位置的圖案和與圖案連接的位置檢測線路傳遞接觸位置的靜電容量的變化，且通過該靜電容量的變化轉換為電信號，掌握接觸位置。
作為所述實現例的一方面，所述各個感測圖案可以通過本位電容(self-cap，self capacitance)方式形成。
作為所述實現例的另一方面，本發明的觸控感測器可以包括以第一方向形成的第一感測圖案、以第二方向形成的第二感測圖案和連接 與所述第二感測圖案的分隔開的多個單位圖案的橋電極。
第一感測圖案和第二感測圖案以不同的方向配置。例如，所述第一方向可以為X軸方向，第二方向可以為與其垂直交叉的Y軸方向，但不限於此。
第一感測圖案和第二感測圖案將提供對被觸控位置的X座標和Y座標的資訊。具體而言，若人的手或物體接觸覆蓋窗基板，則經由第一感測圖案、第二感測圖案和位置檢測線路向驅動電路側傳遞接觸位置的靜電容量的變化。此外，藉由X、Y輸入處理電路(未圖示)等使靜電容量的變化轉換為電信號來掌握接觸位置。
第一感測圖案、第二感測圖案可以為包括前述網格圖案的透明電極。
第一感測圖案和第二感測圖案可以配置於同一面上。
橋電極連接第二網格圖案的間隔開的多個單位圖案。此時，橋電極需與感測圖案中的第一感測圖案絕緣，為此，形成絕緣層。
絕緣層介於感測圖案和橋電極之間，使第一感測圖案與第二感測圖案絕緣的作用。
此外，本發明提供一種包括所述觸控感測器的薄膜觸控感測器。
本發明的薄膜觸控感測器可以包括分離層和形成於所述分離層上的觸控感測器。
本發明的分離層是在薄膜觸控感測器的製造程序中為了從載體基板剝離而形成的層，對本發明的分離層的材料不作特殊限定，例如，可以由聚醯亞胺(polyimide)系高分子、聚乙烯醇(poly vinyl alcohol)系高分子、聚醯胺酸(polyamic acid)系高分子、聚醯胺(polyamide)系高分 子、聚乙烯(polyethylene)系高分子、聚苯乙烯(polystylene)系高分子、聚降冰片烯(polynorbornene)系高分子、苯基馬來醯亞胺共聚物(phenylmaleimide copolymer)系高分子、聚偶氮苯(polyazobenzene)系高分子、聚亞苯基酞醯胺(polyphenylenephthalamide)系高分子、聚酯(polyester)系高分子、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate)系高分子、聚芳酯(polyarylate)系高分子、肉桂酸酯(cinnamate)系高分子、香豆素(coumarin)系高分子、鄰苯二甲醯亞胺(phthalimidine)系高分子、查耳酮(chalcone)系高分子、芳香族乙炔系高分子等高分子製造，且這些高分子可以單獨使用或混合兩種以上使用。
對本發明的分離層的剝離強度不作特殊限定，例如可以為0.01至1N/25毫米，較佳可以為0.01至0.2N/25毫米。若滿足上述範圍，形成薄膜觸控感測器時，可以無殘留地容易從載體基板剝離，從減少剝離時所發生的張力導致的捲曲(curl)和裂縫的角度而言較佳。
對本發明的分離層的厚度不作特殊限定，例如可以為10奈米至1000奈米，較佳地可以為50奈米至500奈米。若滿足上述範圍，從剝離強度穩定且能夠形成均勻的圖案的角度而言較佳。
此外，本發明的薄膜觸控感測器在所述觸控感測器和分離層之間還包括保護層。
與所述分離層相同，保護層包覆透明電極以保護透明電極，在本發明的薄膜觸控感測器的製造程序中，分離層係防止暴露於用於形成透明電極的蝕刻劑的作用。
作為保護層，可以不限定地使用本領域已知的高分子，例如可以由有機絕緣膜製造，其中，尤其可以由包括多元醇以及三聚氰胺硬化劑的硬化性組合物形成，但不限於此。
作為所述多元醇的具體種類，例如可以是聚醚多元醇衍生物，聚酯二醇衍生物，聚已內酯乙二醇衍生物等，但不限於此。
作為所述三聚氰胺硬化劑的具體種類，例如可以是甲氧甲基三聚氰胺衍生物，甲基三聚氰胺衍生物，丁基三聚氰胺衍生物，異丁氧基三聚氰胺衍生物以及丁氧基三聚氰胺衍生物等，但不限於此。
根據本發明的另一實施例，所述保護層可以由有機無機混合硬化性組合物形成，若同時使用有機化合物和無機化合物，在對於減少剝離時所發生的裂縫而言較佳。
作為有機化合物，可以使用前述成分。作為無機物，例如可以是二氧化矽系奈米顆粒、矽系奈米顆粒、玻璃奈米纖維等，但不限於此。
為確保可撓性，本發明的薄膜觸控感測器可以透過在載體基板上塗佈分離層形成組合物以形成分離層，並在所述分離層上形成具備前述透明電極的觸控感測器後，除去載體基板的工程製造。
以下具體說明上述各步驟。
首先，在載體基板上塗佈前述成分和滿足硬化後物性的分離層形成用組合物來形成分離層。
對所述分離層形成用組合物的塗佈方法不作特殊限定，只要是本領域中適用的通常方法即可，例如有利用噴塗法、輥式塗佈法、排出噴嘴式塗佈法等縫隙式噴嘴的塗佈法、中央荷載旋轉法等旋轉塗佈法、擠壓塗佈法、刮棒塗佈法等，可以組合其中兩種以上的塗佈方法塗佈，且塗佈後還可以執行乾燥程序，加熱乾燥(預烘乾)，或減壓乾燥後加熱來揮發溶媒等。加熱溫度通常可以為80℃至250℃。
所述載體基板起用於在上面形成分離層的基材的作用，可以使其上表面平坦以使分離層均勻地形成，只要具有足以穩定地執行形成於 分離層上表面的各層層疊程序的強度，則可以無特殊限定地使用，例如可以使用玻璃基板、塑膠基板等。
之後，可以將具備前述透明電極的觸控感測器形成於所述分離層上。對形成本發明的第一金屬氧化物層、金屬層或第二金屬氧化物層的方法不作特殊限定，例如可以利用物理蒸鍍法(Physical Vapor Deposition，PVD)，化學蒸鍍法(Chemical VaporDeposition，CVD)等多種薄膜蒸鍍技術形成。例如，可以利用作為物理蒸鍍法的一例的反應濺射法(reactive sputtering)形成。
對本發明形成透明電極中包括的網格圖案的方法不作特殊限定，例如可以利用光刻法形成。
對本發明形成包括第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層的網格圖案的方法不作特殊限定，例如可以利用依次形成第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層並層疊後，借由光刻法對所述各層同時進行蝕刻或各個層別地分別進行蝕刻的方法形成。
接著，執行從所述載體基板剝離包括分離層和所述透明電極的上表面層疊物的步驟。
本發明的薄膜觸控感測器中，其所包括的透明電極可以具有顯著改善的可見性、優秀的彎折特性和低面電阻。
此外，本發明提供一種包括所述觸控感測器或薄膜觸控感測器的影像顯示裝置。
除了通常的液晶顯示裝置外，本發明的觸控感測器或薄膜觸控感測器還可以適用於場致發光顯示裝置、電漿顯示裝置、場致發射顯示裝置等各種影像顯示裝置。
前述的透明電極具有顯著改善的可見性，且具有優秀的彎折 特性和低面電阻，故較佳可以適用於可撓性影像顯示裝置。
為便於理解本發明，以下將提示較佳實施例，而這些實施例僅用於例示本發明，並不用於限定所附申請專利範圍，本領域的一般的技術人員可以明白在本發明的範疇和技術領域範圍內可以對實施例實施多種變更和修改，顯然，這些變更和修改也落入所附申請專利範圍內。
實施例及比較例
實施例1．製造透明電極
為評估本發明的透明電極的光學特性，電場特性和彎折特性，製造了透明電極。第一金屬氧化物層和第二金屬氧化物層使用了銦鋅氧化物(IZO)，金屬層使用了銀-鈀-銅(APC)合金，並利用濺射法將第一金屬氧化物層、金屬層、第二金屬氧化物層依次層疊於環烯烴聚合物(COP)上後，同時利用光刻法進行蝕刻來形成了線寬為3微米的網格圖案。各層的厚度分別如下，即：第一金屬氧化物層為30奈米，金屬層為10奈米，第二金屬氧化物層為30奈米。
實施例2至12及比較例1至5
使各層的材料相同，且按照下表1僅依材料、線寬、厚度不同來按照實施例1的方法製造了實施例2至12及比較例1至5的透明電極。
實施例 1
1．測量反射率
利用分光光度計(CM-3600A，Konica Minolta)，在550奈米波長條件下測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的反射率。
2．測量透過率
利用分光光度計(CM-3600A，Konica Minolta)，在550奈米波長條件下測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的透過率。
3．測量面電阻
利用面電阻測量儀(RG-80，Napson)測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的面電阻。
4．測量色差值
利用分光光度計(CM-3600A，Konica Minolta)，在550奈米波長條件下測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的色差值。
5．測量霧度
利用霧度測量儀(hazemeter)(HM-150，Murasaki)測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的霧度。
6．測量附著力
利用ASTM D3359測量了通過實施例及比較例製造的透明電極的附著力，其評估基準如下。
5B：無剝離
4B：剝離小於5%
3B：剝離5%以上至15%之下
2B：剝離15%以上至35%之下
1B：剝離35%以上至65%之下
0B：剝離65%以上
參照實驗例可知，比較例的反射率和附著力下降，而實施例的反射率、透過率、b*、面電阻、霧度和附著性均優秀。
比較例1、2中，雖然透明電極未可見，但附著力相對於實施例顯著下降，比較例3不但其附著力顯著下降，透明電極也用肉眼可見。
比較例4雖然其透明電極未可見，但面電阻很高，因而無法用作電極，比較例5的透明電極用肉眼容易可見。
實驗例2：測量彎折特性
對通過實施例及比較例製造的透明電極，如圖3所示，以曲率半徑(R)=2mm向180°方向執行折下表3所記載的次數的彎折試驗(folding test)，測量折後線電阻(kΩ)，並將其結果記載於表3。
參照表3，可以確認到本發明的透明電極即使曲率半徑達到2毫米，彎折時線電阻依然無變化。
然而，比較例1至3及比較例5中確認到在彎折次數分別為10萬次和5萬次時線電阻急劇上升，雖然比較例4的線電阻無變化，但其線電阻本身很高，故無法作為電極。
因此，本發明的透明電極因可撓性優秀，可以有效利用於可撓性顯示裝置。
100‧‧‧基材
200‧‧‧網格圖案

Claims (22)

  1. 一種透明電極，其特徵在於，所述透明電極包括網格圖案，所述網格圖案包括依次層疊的第一金屬氧化物層、金屬層以及第二金屬氧化物層，所述透明電極於550nm波長的反射率為5%至20%，所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層於550奈米波長的折射率各自分別為1.7至2.2，所述金屬層於550奈米波長的折射率為0.1至1.0，所述金屬層的消光係數為2.0至7.0。
  2. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述透明電極於550奈米波長的反射率為5%至13%。
  3. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層的厚度各自分別為5至140奈米，所述金屬層的厚度為5奈米至30奈米。
  4. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層的厚度各自分別為30奈米至50奈米，所述金屬層的厚度為8奈米至15奈米。
  5. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述網格圖案的線寬為1微米至7微米。
  6. 根據請求項1透明電極，其中，所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層各自分別包括選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、 鋅錫氧化物、銦鎵氧化物、氧化錫以及氧化鋅組成的群組中的至少一個。
  7. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述第一金屬氧化物層和所述第二金屬氧化物層各自分別包括選自由銦錫氧化物和銦鋅氧化物組成的群組中的至少一個。
  8. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述金屬層包括選自由銀、金、銅、鋁、鉑、鈀、鉻、鈦、鎢、鈮、鉭、釩、鈣、鐵、錳、鈷、鎳、鋅以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個。
  9. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述金屬層包括選自由銀、金、銅、鈀、鋁以及其中兩種以上的合金組成的群組中的至少一個。
  10. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述透明電極的霧度為-1%至+1%。
  11. 根據請求項1所述的透明電極，其中，所述透明電極的色差值b*為-4至+4。
  12. 根據請求項1所述的透明電極，其中，當所述透明電極以1毫米或以上的曲率半徑向180°方向折時，線電阻無變化。
  13. 一種觸控感測器，其特徵在於，所述觸控感測器包括根據請求項1至12中任一項所述的透明電極。
  14. 根據請求項13所述的觸控感測器，其中，所述透明電極提供於包括選自由環烯烴聚合物、聚對苯二甲酸乙二醇 酯、聚丙烯酸酯、聚醚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、醋酸丙酸纖維素、聚醚碸、三乙酸纖維素、聚碳酸酯、環烯烴共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯組成的群組中的至少一個的基材上。
  15. 根據請求項13所述的觸控感測器，其中，所述透明電極提供於包括環烯烴聚合物的基材上。
  16. 根據請求項13所述的觸控感測器，其中，所述觸控感測器包括多個間隔開的感測圖案，所述感測圖案配置於同一平面上，且由所述透明電極形成。
  17. 根據請求項16所述的觸控感測器，其中，所述觸控感測器包括向第一方向形成的第一感測圖案、向第二方向形成的第二感測圖案、以及連接與所述第二感測圖案的分隔開的多個單位圖案的橋電極。
  18. 根據請求項16所述的觸控感測器，其中，所述觸控感測器以本位電容方式形成。
  19. 一種薄膜觸控感測器，其特徵在於，包括：分離層；以及形成於所述分離層上的根據請求項16所述的觸控感測器。
  20. 根據請求項19所述的薄膜觸控感測器，其中，在所述觸控感測器和分離層之間還包括保護層。
  21. 一種影像顯示裝置，其特徵在於，包括根據請求項13所述的觸控感測器。
  22. 一種影像顯示裝置，其特徵在於， 包括根據請求項19所述的薄膜觸控感測器。
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