JP2008078549A - パターニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。具体的には、ITO薄膜を約50nm残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。
【選択図】図1
Description
生じさせない利点がある。
C.H.Yi,Y.Shigesato,I.Yasui and S.Takaki:Jpn.J.Appl.Phys.34(1995)L244.
102・・・不純物ドープ酸化インジウム薄膜
103・・・レジストパターン
201・・・ドライエッチ
202・・・ウェットエッチ
301・・・上部(結晶質の成分が多い層)
302・・・下部(非晶質の成分が多い層)
Claims (7)
- 不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、
少なくとも、
ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と
を行うこと特徴とするパターニング方法。 - 請求項1に記載のパターニング方法であって、
ドライエッチング法として、スパッタエッチングを用いること
を特徴するパターニング方法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のパターニング方法であって、
不純物ドープ酸化インジウム薄膜として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いること
を特徴するパターニング方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載のパターニング方法であって、
不純物ドープ酸化インジウム薄膜が、室温成膜によって形成されたものであること
を特徴とするパターニング方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載のパターニング方法であって、
基板上に不純物ドープ酸化インジウム薄膜を形成し、
該基板がプラスチック基板であること
を特徴とするパターニング方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載のパターニング方法であって、
不純物ドープ酸化インジウム薄膜の膜厚が、200nm以上であること
を特徴とするパターニング方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載のパターニング方法であって、
ドライエッチング終了時の不純物ドープ酸化インジウム薄膜の残り膜厚が、1〜50nmの範囲にある様にドライエッチングを行うこと
を特徴とするパターニング方法。
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