JP2008098642A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ゲートライン及び前記ゲートラインと連結されたゲート電極を含むゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜及び活性層を順次に形成する段階と、
   前記活性層上に第１金属層、第２金属層、及び第３金属層が連続して積層されたデータ用金属膜を形成する段階と、
   前記データ用金属膜上にチャンネル形成領域に対応する部分が前記チャンネル形成領域以外に対応する部分に対して相対的に薄い厚みを有する第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
   前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
   前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングしてデータラインを形成する段階と、
   前記第１フォトレジストパターンを利用して前記活性層をドライエッチングする段階と、
   前記第１フォトレジストパターンをエッチングして前記チャンネル形成領域に対応する部分が除去された第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
   前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングして前記データラインと連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔したドレイン電極を形成する段階と、
   を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
2. 前記第１金属層はモリブデンを含み、前記第２金属層はアルミニウムを含み、前記第３金属層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
3. 前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングする段階は、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）ガスと塩素（Ｃｌ_２）ガスを利用して進行することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
4. 前記三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）ガスと前記塩素（Ｃｌ_２）ガスの組成比は１：１〜１：５であることを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
5. 前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングする段階は、
   前記第２フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
   前記第２フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングする段階と、
   を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
6. 前記活性層は、非晶質シリコンからなるチャンネル層及びイオンがドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を含み、
   前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階後に、前記第２フォトレジストパターンを利用して前記チャンネル形成領域の前記オーミックコンタクト層を除去して薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
7. 前記薄膜トランジスタが形成された基板上に保護膜を形成する段階と、
   前記保護膜上に前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、
   を更に含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
8. ゲートライン及び前記ゲートラインと連結されたゲート電極を含むゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜及び活性層を順次に形成する段階と、
   前記活性層上に第１金属層、第２金属層、及び第３金属層が連続して積層されたデータ用金属膜を形成する段階と、
   前記データ用金属膜上にチャンネル形成領域に対応する部分が前記チャンネル形成領域以外に対応する部分に対して相対的に薄い厚みを有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
   前記フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
   前記フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層をドライエッチングする段階と、
   前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングしてデータラインを形成する段階と、
   前記フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングして前記データラインと連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔したドレイン電極を形成する段階と、
   を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
9. 前記第１金属層はモリブデンを含み、前記第２金属層はアルミニウムを含み、前記第３金属層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
10. 前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングする段階は、フッ素（Ｆ）系列ガスと塩素（Ｃｌ_２）ガスを利用して進行することを特徴とする請求項８または９記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
11. 前記フッ素（Ｆ）系列ガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスを含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
12. 前記六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスと前記塩素（Ｃｌ_２）ガスの組成比は、１：５〜１：７であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
13. 前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングする過程で前記チャンネル形成領域の前記第３金属層が同時にエッチングされることを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
14. 前記活性層は、非晶質シリコンからなるチャンネル層及びイオンがドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を含み、
    前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階後に、前記フォトレジストパターンを利用して前記チャンネル形成領域の前記オーミックコンタクト層を除去して薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項８から１３のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
15. 前記薄膜トランジスタが形成された基板上に保護膜を形成する段階と、
    前記保護膜上に前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、
    を更に含むことを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。