JPH06132262A - 薄膜のエッチング方法 - Google Patents
薄膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH06132262A JPH06132262A JP28416692A JP28416692A JPH06132262A JP H06132262 A JPH06132262 A JP H06132262A JP 28416692 A JP28416692 A JP 28416692A JP 28416692 A JP28416692 A JP 28416692A JP H06132262 A JPH06132262 A JP H06132262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- thin film
- film
- resist
- ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加工し難い薄膜のドライエッチングにおいて、
加工速度，選択性をあげること。 【構成】加工工程を、変質処理，エッチングの二つの工
程に分けて行う。 【効果】加工し難い薄膜を加工速度，選択性をあげてエ
ッチングできる。
加工速度，選択性をあげること。 【構成】加工工程を、変質処理，エッチングの二つの工
程に分けて行う。 【効果】加工し難い薄膜を加工速度，選択性をあげてエ
ッチングできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無機膜，有機膜等で、
特に半導体素子，液晶ディスプレイ素子等に使われる薄
膜の微細加工技術に関する。
特に半導体素子，液晶ディスプレイ素子等に使われる薄
膜の微細加工技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイス、例えば、液晶ディスプレ
イ素子の製造工程において、加工の難しい膜材料として
ＩＴＯ（indium tin oxide）がある。薬液を使うウエッ
トエッチングが現在主として用いられているが、他のメ
タル材料との選択性が少なく、基板が大きくなると薬液
の使用量が大きくなり廃液処理が大変になる。一方、ド
ライエッチングによる加工も試みられている。これには
二つの方法があり、ひとつは、J. Electrochem. Soc.
Ｖol.１３６，Ｎo.６，頁１８３９（１９８９，Z. Cala
horra）に述べられているＨＩのようなハロゲン化ガス
を使う方法で、もう一方はAbstractof Japan Display '
９１，頁ＰＤ１(１９８９，T. Kawaguchi)に述べられて
いるメチルアルコ−ルのような有機系ガスを使う方法で
ある。前者の場合加工速度は大きいが、レジスト，メタ
ル材料，ガラス基板との選択性が少ない。後者は、加工
速度は小さく、副生成物が付着し易い反面、選択性はよ
い。また単に膜の還元処理では、Proc. Jpn. Symp. Pla
sma Chem．頁４３(１９８８,M. Ishii）に水素によるメ
タル粒子化についてのべられているが完全なエッチング
処理ではない。以上の様に、従来の各加工技術は長所短
所をもつ。
イ素子の製造工程において、加工の難しい膜材料として
ＩＴＯ（indium tin oxide）がある。薬液を使うウエッ
トエッチングが現在主として用いられているが、他のメ
タル材料との選択性が少なく、基板が大きくなると薬液
の使用量が大きくなり廃液処理が大変になる。一方、ド
ライエッチングによる加工も試みられている。これには
二つの方法があり、ひとつは、J. Electrochem. Soc.
Ｖol.１３６，Ｎo.６，頁１８３９（１９８９，Z. Cala
horra）に述べられているＨＩのようなハロゲン化ガス
を使う方法で、もう一方はAbstractof Japan Display '
９１，頁ＰＤ１(１９８９，T. Kawaguchi)に述べられて
いるメチルアルコ−ルのような有機系ガスを使う方法で
ある。前者の場合加工速度は大きいが、レジスト，メタ
ル材料，ガラス基板との選択性が少ない。後者は、加工
速度は小さく、副生成物が付着し易い反面、選択性はよ
い。また単に膜の還元処理では、Proc. Jpn. Symp. Pla
sma Chem．頁４３(１９８８,M. Ishii）に水素によるメ
タル粒子化についてのべられているが完全なエッチング
処理ではない。以上の様に、従来の各加工技術は長所短
所をもつ。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大型
基板においてＩＴＯのように加工の難しい膜を、実用的
にエッチングすること、特にドライエッチング加工する
ことにある。
基板においてＩＴＯのように加工の難しい膜を、実用的
にエッチングすること、特にドライエッチング加工する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、膜の加工を複
数の工程に分け、加工し易い材料に変換したのち、エッ
チングすることを特徴とする。
数の工程に分け、加工し易い材料に変換したのち、エッ
チングすることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明では、例えばＩＴＯの様な酸化物薄膜に
水素イオンを照射し、還元して膜を変質させて、メタル
Ｉｎに変換することで、ウエット、またはドライエッチ
ングを助長することができる。
水素イオンを照射し、還元して膜を変質させて、メタル
Ｉｎに変換することで、ウエット、またはドライエッチ
ングを助長することができる。
【０００６】
【実施例】実施例１ 図１，図２に従い本発明の実施例を説明する。工程
（ａ）に於いて、ガラス基板１にスパッタ法でＩＴＯ膜
２を形成し、レジスト３のパターンを形成する。ここに
約５００Ｖで加速した水素イオンビーム４を照射する。
この処理で工程(ｂ)に示す様に、変質層５が生成する。
この場合、具体的にはメタルＩｎの粒子となる。次に工
程（ｃ）でエッチング処理する。例えば、ハロゲン系ガ
スで、Ａｌ等のメタルのエッチングに使われているＢＣ
ｌ3とＣｌ2の混合ガスのエッチングガスビーム６によ
り、１Ｗ／cm2，２０ｍ torrでリアクティブイオンエッ
チングする。工程（ｄ）はエッチング後の加工穴７、工
程（ｅ）はレジスト３を除去した後の加工穴７を示す。
本発明による工程（ａ）と工程（ｃ）の組合せでは、工
程（ｃ）のエッチング速度は、未処理のＩＴＯに工程
（ｃ）のエッチング処理のみをする場合の２.３ 倍とな
る。本発明によれば、レジスト損傷の多いハロゲン系ガ
スでのエッチング時間を短縮出来るためレジスト損傷を
低減出来る。また下地，他の材料との選択性も向上す
る。
（ａ）に於いて、ガラス基板１にスパッタ法でＩＴＯ膜
２を形成し、レジスト３のパターンを形成する。ここに
約５００Ｖで加速した水素イオンビーム４を照射する。
この処理で工程(ｂ)に示す様に、変質層５が生成する。
この場合、具体的にはメタルＩｎの粒子となる。次に工
程（ｃ）でエッチング処理する。例えば、ハロゲン系ガ
スで、Ａｌ等のメタルのエッチングに使われているＢＣ
ｌ3とＣｌ2の混合ガスのエッチングガスビーム６によ
り、１Ｗ／cm2，２０ｍ torrでリアクティブイオンエッ
チングする。工程（ｄ）はエッチング後の加工穴７、工
程（ｅ）はレジスト３を除去した後の加工穴７を示す。
本発明による工程（ａ）と工程（ｃ）の組合せでは、工
程（ｃ）のエッチング速度は、未処理のＩＴＯに工程
（ｃ）のエッチング処理のみをする場合の２.３ 倍とな
る。本発明によれば、レジスト損傷の多いハロゲン系ガ
スでのエッチング時間を短縮出来るためレジスト損傷を
低減出来る。また下地，他の材料との選択性も向上す
る。
【０００７】実施例２ 実施例１において、工程（ｂ）で変質層５を生成した
後、工程（ｃ）でエッチング処理する場合、Ａｒとエチ
ルアルコールの混合ガスを使い１Ｗ／cm2，２０ｍ torr
でリアクティブイオンエッチングする。やはり工程
（ｂ）の処理をしない場合の１.８ 倍のエッチング速度
を得られる。この場合、レジストのエッチング速度はＩ
ＴＯの２倍程度と遅くでき、かつレジスト損傷の少ない
加工ができる。また下地のガラス基板１に対して１０以
上の大きな選択比で加工が可能である。
後、工程（ｃ）でエッチング処理する場合、Ａｒとエチ
ルアルコールの混合ガスを使い１Ｗ／cm2，２０ｍ torr
でリアクティブイオンエッチングする。やはり工程
（ｂ）の処理をしない場合の１.８ 倍のエッチング速度
を得られる。この場合、レジストのエッチング速度はＩ
ＴＯの２倍程度と遅くでき、かつレジスト損傷の少ない
加工ができる。また下地のガラス基板１に対して１０以
上の大きな選択比で加工が可能である。
【０００８】実施例３ 実施例１，２において示されたエッチングガス以外に、
ＨＣｌ，ＨＩ，ＨＢｒ等のハロゲン系の単独または混合
ガス，メタン，アセトン，アルコール等の有機系の単独
または混合ガスについても同様な効果が得られる。また
工程（ｂ）で変質層５を生成するための処理として水素
イオンを使ったが、水素イオンとＡｒ等他のイオンとの
混合イオンによる処理が可能で、還元処理以外に、非晶
質化等の変質処理も有効である。また変質層の形成にイ
オンビーム装置を使ったが、エッチング工程にも使うこ
とができる。また個別の装置をそれぞれの工程に個別に
使わなくても、同一装置でガスを替えて連続処理するこ
ともできる。またエッチング工程は、ウエット工程と組
み合わせることができる。加工材料として、ＩＴＯ以外
に、固くて加工の難しいＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5
等の加工にも効果がある。
ＨＣｌ，ＨＩ，ＨＢｒ等のハロゲン系の単独または混合
ガス，メタン，アセトン，アルコール等の有機系の単独
または混合ガスについても同様な効果が得られる。また
工程（ｂ）で変質層５を生成するための処理として水素
イオンを使ったが、水素イオンとＡｒ等他のイオンとの
混合イオンによる処理が可能で、還元処理以外に、非晶
質化等の変質処理も有効である。また変質層の形成にイ
オンビーム装置を使ったが、エッチング工程にも使うこ
とができる。また個別の装置をそれぞれの工程に個別に
使わなくても、同一装置でガスを替えて連続処理するこ
ともできる。またエッチング工程は、ウエット工程と組
み合わせることができる。加工材料として、ＩＴＯ以外
に、固くて加工の難しいＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5
等の加工にも効果がある。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、加工の難しい薄膜を、
レジスト，下地，他の材料に対して高速でかつ高い選択
比で、加工することができる。
レジスト，下地，他の材料に対して高速でかつ高い選択
比で、加工することができる。
【図１】本発明を説明するための、基板断面図である。
【図２】同じく膜加工工程を示す基板断面図である。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ膜、３…レジスト、４…水
素イオンビーム、５…変質層、６…エッチングガスビー
ム、７…加工穴。
素イオンビーム、５…変質層、６…エッチングガスビー
ム、７…加工穴。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高畠 勝 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小西 信武 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 折付 良二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】薄膜を変質させる工程，変質した薄膜をエ
ッチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜のエッ
チング方法。 - 【請求項２】請求項１において、薄膜が酸化膜であるこ
とを特徴とする薄膜のエッチング方法。 - 【請求項３】請求項１において、変質処理が還元である
ことを特徴とする薄膜のエッチング方法。 - 【請求項４】請求項１において、変質した薄膜をエッチ
ングする工程は、ウエットまたはドライエッチングであ
ることを特徴とする薄膜のエッチング方法。 - 【請求項５】請求項１において、薄膜がＩＴＯであるこ
とを特徴とする薄膜のエッチング方法。 - 【請求項６】請求項５において、変質処理が水素還元で
あり、エッチングがハロゲン系または有機系ガスを使う
ドライエッチングであることを特徴とする薄膜のエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28416692A JPH06132262A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28416692A JPH06132262A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 薄膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132262A true JPH06132262A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17675040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28416692A Pending JPH06132262A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 薄膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132262A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2849269A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-06-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de cavites dans une plaque de silicium |
| WO2004059725A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Procede de realisation de cavites dans une plaque de silicium |
| WO2006085367A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
| CN111384184A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的电极制备方法 |
| US11380753B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-07-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
-
1992
- 1992-10-22 JP JP28416692A patent/JPH06132262A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2849269A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-06-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de realisation de cavites dans une plaque de silicium |
| WO2004059725A1 (fr) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Procede de realisation de cavites dans une plaque de silicium |
| US6987051B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-01-17 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Method of making cavities in a semiconductor wafer |
| JP4942343B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2012-05-30 | ソワテク | シリコン板にキャビティーを形成する方法 |
| WO2006085367A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008078549A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | パターニング方法 |
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
| CN111384184A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的电极制备方法 |
| US11380753B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-07-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7491647B2 (en) | Etch with striation control | |
| US8124540B2 (en) | Hardmask trim method | |
| JPH0722339A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0258221A (ja) | 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法 | |
| JP2008505490A5 (ja) | ||
| JP4165916B2 (ja) | テーパプロファイルエッチング方法 | |
| JPH06132262A (ja) | 薄膜のエッチング方法 | |
| JPH04286117A (ja) | 金層内にパターンをエッチングする方法 | |
| CN107170679B (zh) | 一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板 | |
| JPS61273546A (ja) | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 | |
| US7341953B2 (en) | Mask profile control for controlling feature profile | |
| JP2746494B2 (ja) | レジスト除去方法 | |
| JP2001257156A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07130751A (ja) | アルミ系金属膜のパターニング方法 | |
| JP3116369B2 (ja) | 多層レジストドライエッチング方法 | |
| US20010054599A1 (en) | Etching method | |
| JPH07135198A (ja) | エッチング方法 | |
| US20060011578A1 (en) | Low-k dielectric etch | |
| JP2001257192A (ja) | エッチング装置およびエッチング方法 | |
| JP2003045860A (ja) | Ｉｒ−Ｔａ−Ｏ電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 | |
| JPH01274430A (ja) | 薄膜のパターニング方法 | |
| TW434825B (en) | Method for forming an opening | |
| JP3286425B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH1083984A (ja) | Ｉｔｏのパターニング方法 | |
| JP2003273068A (ja) | 基板処理方法 |