JP3116369B2 - 多層レジストドライエッチング方法 - Google Patents
多層レジストドライエッチング方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造工程等における多層レジ
ストのドライエッチング方法に係わる。
ストのドライエッチング方法に係わる。
本発明は多層レジストドライエッチング方法に係わ
り、少なくとも下地材料層上に形成された下層有機レジ
スト層を有する多層レジストの、下層有機レジスト層を
選択的にエッチングするドライエッチング方法におい
て、エッチングガスとして少なくともO2ガスと、Cl系ま
たはBr系のハロゲンガスと、このO2ガスの解離を促進す
るガスとを含むガスを用いることによって、高ガス圧下
におけるエッチング異方性の向上及びエッチング速度の
高速化をはかる。
り、少なくとも下地材料層上に形成された下層有機レジ
スト層を有する多層レジストの、下層有機レジスト層を
選択的にエッチングするドライエッチング方法におい
て、エッチングガスとして少なくともO2ガスと、Cl系ま
たはBr系のハロゲンガスと、このO2ガスの解離を促進す
るガスとを含むガスを用いることによって、高ガス圧下
におけるエッチング異方性の向上及びエッチング速度の
高速化をはかる。
また本発明は、上述の多層レジストドライエッチング
方法において、O2ガスの解離を促進するガスに、N2,H2,
N2O,H2Oのうち一種または複数種組み合わせたガスを用
いることによって、高ガス圧下におけるエッチング異方
性の向上及びエッチング速度の高速化をはかる。
方法において、O2ガスの解離を促進するガスに、N2,H2,
N2O,H2Oのうち一種または複数種組み合わせたガスを用
いることによって、高ガス圧下におけるエッチング異方
性の向上及びエッチング速度の高速化をはかる。
多層レジストドライエッチング方法は、半導体装置等
の製造工程において、例えば基板上に下層の配線層を形
成した後、この下層の配線層により生じた段差部上に微
細な例えば0.35μｍピッチ程度の上層の配線層のパター
ンを形成する方法において適用せざるを得ない方向にあ
る。
の製造工程において、例えば基板上に下層の配線層を形
成した後、この下層の配線層により生じた段差部上に微
細な例えば0.35μｍピッチ程度の上層の配線層のパター
ンを形成する方法において適用せざるを得ない方向にあ
る。
この多層レジストドライエッチング方法については月
刊「Semiconductor World」1987年11月号101頁〜106頁
の記事に詳細が説明されているが、この方法によるパタ
ーニングの一例を第２図Ａ〜Ｄの製造工程図を参照して
説明する。
刊「Semiconductor World」1987年11月号101頁〜106頁
の記事に詳細が説明されているが、この方法によるパタ
ーニングの一例を第２図Ａ〜Ｄの製造工程図を参照して
説明する。
先ず第２図Ａに示すように、Si半導体等より成る基体
（１）上に例えば図示しないがゲート電極、ソース／ド
レイン領域等のトランジスタ等を形成した後、Al等より
なる配線層を例えば複数層積層して形成し、更に上面が
段差を有して成るこれら下地材料層（２）を覆って全面
的に、下層有機レジスト層（３）を被着する。このと
き、レジスト層（３）の上面が平坦化されるように、し
かも半導体基体（１）上の全ての場所において後述する
エッチング工程に耐えられる程度の厚さに被着形成す
る。
（１）上に例えば図示しないがゲート電極、ソース／ド
レイン領域等のトランジスタ等を形成した後、Al等より
なる配線層を例えば複数層積層して形成し、更に上面が
段差を有して成るこれら下地材料層（２）を覆って全面
的に、下層有機レジスト層（３）を被着する。このと
き、レジスト層（３）の上面が平坦化されるように、し
かも半導体基体（１）上の全ての場所において後述する
エッチング工程に耐えられる程度の厚さに被着形成す
る。
次に第２図Ｂに示すように、この下層有機レジスト層
（３）上に全面的に例えば回転塗布ガラスいわゆるSOG
（spin on glass）より成る中間層（４）を塗布し、更
にこの上に比較的薄くフォトレジスト等の上層レジスト
層（５）を被着形成する。
（３）上に全面的に例えば回転塗布ガラスいわゆるSOG
（spin on glass）より成る中間層（４）を塗布し、更
にこの上に比較的薄くフォトレジスト等の上層レジスト
層（５）を被着形成する。
次に第２図Ｃに示すように、上層レジスト層（５）に
対するパターン露光を行い、現像してパターニングした
後、この上層レジスト層（５）をマスクとして中間層
（４）に対してRIE（反応性イオンエッチング）等の異
方性エッチングを行ってパターニングを行う。このとき
上層レジスト層（５）はその厚さを小として、充分その
パターン露光が異方性をもってなされるようにすること
ができ、これにより明確なパターンのマスク層が得ら
れ、中間層（４）のパターニングも、その厚さを小とす
ることによって垂直方向のみにエッチングされた精確な
パターンエッチングを行うことができる。
対するパターン露光を行い、現像してパターニングした
後、この上層レジスト層（５）をマスクとして中間層
（４）に対してRIE（反応性イオンエッチング）等の異
方性エッチングを行ってパターニングを行う。このとき
上層レジスト層（５）はその厚さを小として、充分その
パターン露光が異方性をもってなされるようにすること
ができ、これにより明確なパターンのマスク層が得ら
れ、中間層（４）のパターニングも、その厚さを小とす
ることによって垂直方向のみにエッチングされた精確な
パターンエッチングを行うことができる。
そして第２図Ｄに示すように、この中間層（４）をマ
スクとして下層有機レジスト層（３）に対して、O2を用
いてRIEによって異方性エッチングを行い、目的とする
被エッチング層即ち下地材料層（２）に対するマスク層
を形成する。このとき上層レジスト層（５）は自然にエ
ッチングされて消滅する。
スクとして下層有機レジスト層（３）に対して、O2を用
いてRIEによって異方性エッチングを行い、目的とする
被エッチング層即ち下地材料層（２）に対するマスク層
を形成する。このとき上層レジスト層（５）は自然にエ
ッチングされて消滅する。
そして図示しないが、この下層有機レジスト層（３）
より成るマスク層をマスクとして下地材料層（２）をRI
E等の異方性エッチングによりパターニングして、目的
とする例えば配線パターンを得ることができる。
より成るマスク層をマスクとして下地材料層（２）をRI
E等の異方性エッチングによりパターニングして、目的
とする例えば配線パターンを得ることができる。
ところが、上述したように下層有機レジスト層（３）
に対するエッチングとしてはO2ガスによるRIEが一般に
用いられているが、このO2ガスによるエッチングはその
異方性加工を高速で、且つ制御性良く行うことは難し
い。すなわち、高速化を目指して高ガス圧下とし、ラジ
カルＯ＊を増加させてラジカル反応を主体とすると、マ
スク層の下部にＯ＊が入り込んでアンダーカット即ち基
部側がエッチングされて凹部状となり、異方性が低下し
てしまう。一方、異方性加工の向上をはかるために低ガ
ス圧・高電圧下でのO+イオンのスパッタリングによる物
理的エッチングを主体とすると、高速化が困難になるこ
とと、下地材料層（２）等のスパッタ物がエッチングし
たレジスト層（３）の側壁に付着して、これがレジスト
剥離を阻害して、半導体装置内に残留するという問題が
生じる場合がある。
に対するエッチングとしてはO2ガスによるRIEが一般に
用いられているが、このO2ガスによるエッチングはその
異方性加工を高速で、且つ制御性良く行うことは難し
い。すなわち、高速化を目指して高ガス圧下とし、ラジ
カルＯ＊を増加させてラジカル反応を主体とすると、マ
スク層の下部にＯ＊が入り込んでアンダーカット即ち基
部側がエッチングされて凹部状となり、異方性が低下し
てしまう。一方、異方性加工の向上をはかるために低ガ
ス圧・高電圧下でのO+イオンのスパッタリングによる物
理的エッチングを主体とすると、高速化が困難になるこ
とと、下地材料層（２）等のスパッタ物がエッチングし
たレジスト層（３）の側壁に付着して、これがレジスト
剥離を阻害して、半導体装置内に残留するという問題が
生じる場合がある。
このため、このような問題を生じさせない高速化及び
異方性の向上が望まれていた。
異方性の向上が望まれていた。
本発明は、上述した多層レジストに対するO2ガスを用
いたRIE等のドライエッチングにおいて、高速化及び異
方性加工の向上をはかる方法を提供するものである。
いたRIE等のドライエッチングにおいて、高速化及び異
方性加工の向上をはかる方法を提供するものである。
本発明は、第１図Ａ〜Ｅにその一例の製造工程図を示
すように、少なくとも下地材料層上（２）に形成された
下層有機レジスト層（３）を有する多層レジストの、下
層有機レジスト層（３）を選択的にエッチングするドラ
イエッチング方法において、エッチングガスとして少な
くともO2ガスとCl系またはBr系のハロゲンガスと、この
O2ガスの解離を促進するガスとを含むガスを含むガスを
用いる。
すように、少なくとも下地材料層上（２）に形成された
下層有機レジスト層（３）を有する多層レジストの、下
層有機レジスト層（３）を選択的にエッチングするドラ
イエッチング方法において、エッチングガスとして少な
くともO2ガスとCl系またはBr系のハロゲンガスと、この
O2ガスの解離を促進するガスとを含むガスを含むガスを
用いる。
また本発明は、上述の多層レジストドライエッチング
方法において、O2ガスの解離を促進するガスに、N2,H2,
N2O,H2Oのうち一種または複数種組み合わせたガスを用
いる。
方法において、O2ガスの解離を促進するガスに、N2,H2,
N2O,H2Oのうち一種または複数種組み合わせたガスを用
いる。
上述したように、本発明多層レジストドライエッチン
グ方法では、O2ガスに加えてCl系またはBr系のハロゲン
ガスを混入するものであるが、このようにハロゲンガス
を用いることによって、Cl系またはBr系ガスと有機レジ
スト層（３）との反応生成物CClxや、CBrxが、第１図Ｄ
に示すように、下層有機レジスト層（３）の側壁に形成
されて、この側壁保護膜（６）の形成と、ラジカルＯ＊
による側壁へのエッチングとが同時に進行することか
ら、下層有機レジスト層（３）の側壁の侵食が抑制され
てエッチングされ、エッチングマスク層のパターンを踏
襲した異方性をもってエッチングを行うことができるこ
ととなる。
グ方法では、O2ガスに加えてCl系またはBr系のハロゲン
ガスを混入するものであるが、このようにハロゲンガス
を用いることによって、Cl系またはBr系ガスと有機レジ
スト層（３）との反応生成物CClxや、CBrxが、第１図Ｄ
に示すように、下層有機レジスト層（３）の側壁に形成
されて、この側壁保護膜（６）の形成と、ラジカルＯ＊
による側壁へのエッチングとが同時に進行することか
ら、下層有機レジスト層（３）の側壁の侵食が抑制され
てエッチングされ、エッチングマスク層のパターンを踏
襲した異方性をもってエッチングを行うことができるこ
ととなる。
従って、前述したように高速化をはかるために高ガス
圧下でＯ＊によるエッチングを主体としても、異方性を
充分保持することができ、高速性、異方性共に良好な多
層レジストエッチング方法を得ることができる。
圧下でＯ＊によるエッチングを主体としても、異方性を
充分保持することができ、高速性、異方性共に良好な多
層レジストエッチング方法を得ることができる。
またこのとき、O2ガスの解離を促進するガスを加えて
混入することにより、有機レジスト層（３）とO2との反
応生成物COxを再分解し、Ｏ＊の発生を促進することが
でき、より高速化をはかることができる。更に、RIE等
におけるバイアス電圧の低減化をはかることができ、こ
れによって下地材料層（２）のスパッタリングを抑制す
ることができるため、材料層（２）のレジスト（３）側
壁への付着を低減化することが可能となる。
混入することにより、有機レジスト層（３）とO2との反
応生成物COxを再分解し、Ｏ＊の発生を促進することが
でき、より高速化をはかることができる。更に、RIE等
におけるバイアス電圧の低減化をはかることができ、こ
れによって下地材料層（２）のスパッタリングを抑制す
ることができるため、材料層（２）のレジスト（３）側
壁への付着を低減化することが可能となる。
従って、このような不純物の付着によるレジスト除去
工程でのレジスト残留を回避することができる。
工程でのレジスト残留を回避することができる。
以下、第１図Ａ〜Ｅを参照して本発明多層レジストド
ライエッチング方法の各例を詳細に説明する。
ライエッチング方法の各例を詳細に説明する。
この場合、例えばSi半導体等の基体（１）上に、ゲー
ト、ソース／ドレイン等のトランジスタを形成した後、
この上に多層配線層を形成する場合で、先ず第１図Ａに
示すように、基体（１）上に所要のゲート電極等を形成
した後、例えばSiO2等の絶縁層（21）を介して下層配線
層（22）を被着した後フォトリソグラフィ等の適用によ
ってパターニングし、この上に全面的にSiO2等の絶縁層
（23）を形成し、更にこの絶縁層（23）上に、パターニ
ングすべき配線層の材料のAl等より成り、爾後形成する
レジスト層（３）の下地となる下地材料層（２）をスパ
ッタリング等によって被着形成する。この下地材料層
（２）の上面には、例えば下層配線層（22）の存在によ
って段差即ち凹凸面が形成されている。
ト、ソース／ドレイン等のトランジスタを形成した後、
この上に多層配線層を形成する場合で、先ず第１図Ａに
示すように、基体（１）上に所要のゲート電極等を形成
した後、例えばSiO2等の絶縁層（21）を介して下層配線
層（22）を被着した後フォトリソグラフィ等の適用によ
ってパターニングし、この上に全面的にSiO2等の絶縁層
（23）を形成し、更にこの絶縁層（23）上に、パターニ
ングすべき配線層の材料のAl等より成り、爾後形成する
レジスト層（３）の下地となる下地材料層（２）をスパ
ッタリング等によって被着形成する。この下地材料層
（２）の上面には、例えば下層配線層（22）の存在によ
って段差即ち凹凸面が形成されている。
次に、第１図Ｂに示すように、この下地材料層（２）
上を覆って全面的に下層有機レジスト層（３）として例
えばノボラック樹脂系のポジレジストを厚く塗布して平
坦化した後、中間層（４）としてSOGを回転塗布し、更
にフォトレジスト等より成る上層レジスト層（５）を比
較的厚さを小として塗布する。
上を覆って全面的に下層有機レジスト層（３）として例
えばノボラック樹脂系のポジレジストを厚く塗布して平
坦化した後、中間層（４）としてSOGを回転塗布し、更
にフォトレジスト等より成る上層レジスト層（５）を比
較的厚さを小として塗布する。
その後第１図Ｃに示すように、上層レジスト層（５）
に対してエキシマレーザステッパー等によってパターン
露光した後、この上層レジスト層（５）をエッチングマ
スクとして中間層（４）に対してマグネトロンRIE装置
等による異方性エッチングを行って窓開けを行う。
に対してエキシマレーザステッパー等によってパターン
露光した後、この上層レジスト層（５）をエッチングマ
スクとして中間層（４）に対してマグネトロンRIE装置
等による異方性エッチングを行って窓開けを行う。
そして第１図Ｄに示すように、これに対して後述する
各実施例に示す反応ガスを導入して、O2ガスによる異方
性エッチングを行って、下層有機レジスト層（３）の側
壁に側壁保護膜（６）を形成しながら、またO2ガスの解
離を行ってＯ＊の生成を促進しつつエッチングを行う。
各実施例に示す反応ガスを導入して、O2ガスによる異方
性エッチングを行って、下層有機レジスト層（３）の側
壁に側壁保護膜（６）を形成しながら、またO2ガスの解
離を行ってＯ＊の生成を促進しつつエッチングを行う。
そして下層有機レジスト層（３）より成るエッチング
マスク層を形成した後、これをエッチングマスクとして
下地材料層（２）に対する異方性エッチングを行って第
１図Ｅに示す配線パターン（７）を得ることができる。
マスク層を形成した後、これをエッチングマスクとして
下地材料層（２）に対する異方性エッチングを行って第
１図Ｅに示す配線パターン（７）を得ることができる。
上述の方法により、第１図Ｄに示す下層レジスト層
（３）に対するエッチングガスとして以下の各実施例に
示したエッチングガスを用いてエッチングを行った。
（３）に対するエッチングガスとして以下の各実施例に
示したエッチングガスを用いてエッチングを行った。
実施例１ この例ではエッチングガスとして、O2,N2,H2O,Cl2を
用いてその流量をそれぞれO272sccm,N218sccm,H2O10scc
m,Cl2108sccmとし、圧力10mTorr、マイクロ波250mA、RF
バイアス電圧400W、基体温度120℃とし、RFバイアス印
加型のマイクロ波エッチング装置によってドライエッチ
ングを行った。
用いてその流量をそれぞれO272sccm,N218sccm,H2O10scc
m,Cl2108sccmとし、圧力10mTorr、マイクロ波250mA、RF
バイアス電圧400W、基体温度120℃とし、RFバイアス印
加型のマイクロ波エッチング装置によってドライエッチ
ングを行った。
この場合、従来方法に比して約30％以上のエッチング
レートの増加をはかることができた。
レートの増加をはかることができた。
実施例２ この例ではエッチングガスとして、O2,N2,H2O,Cl2を
用いてその流量をそれぞれO272sccm,N218sccm,H2O10scc
m,Cl28sccmとし、圧力10mTorr、マイクロ波250mA、RFバ
イアス200W、基体温度−60℃として、RFバイアス印加型
のマイクロ波エッチング装置によってドライエッチング
を行った。
用いてその流量をそれぞれO272sccm,N218sccm,H2O10scc
m,Cl28sccmとし、圧力10mTorr、マイクロ波250mA、RFバ
イアス200W、基体温度−60℃として、RFバイアス印加型
のマイクロ波エッチング装置によってドライエッチング
を行った。
この場合、基体（１）を−60℃という低温としても、
従来方法に比して約20％以上のエッチングレートの増加
をはかることができた。
従来方法に比して約20％以上のエッチングレートの増加
をはかることができた。
このように、Ｎ系ガス及びＨ系ガス等のO2ガスの解離
を促進するガスを導入することにより、RFバイアス電圧
を比較的小とすることができるため、下層有機レジスト
層（３）への下地材料層（２）のスパッタリングによる
付着よりを抑制することができ、レジスト除去をより確
実に行うことができる。
を促進するガスを導入することにより、RFバイアス電圧
を比較的小とすることができるため、下層有機レジスト
層（３）への下地材料層（２）のスパッタリングによる
付着よりを抑制することができ、レジスト除去をより確
実に行うことができる。
また、全体の総ガス流量に対するハロゲンガスの流量
比を小とするために基体温度を低温としても、上述の実
施例２に示すようにO2ガスを解離するガスとしてＮ系ガ
ス及びＨ系ガスを混入することによってエッチングレー
トの低下を抑制することができる。このように低温とす
る場合、O2ガスを解離するガスとしては、Ｎ系ガス又は
Ｈ系ガスを単独で用いる場合に比して、両Ｎ系ガス及び
Ｈ系ガスを混入させた方がより良くO2ガスを解離するこ
とができ、よりエッチングレートの低減化を抑制するこ
とができる。
比を小とするために基体温度を低温としても、上述の実
施例２に示すようにO2ガスを解離するガスとしてＮ系ガ
ス及びＨ系ガスを混入することによってエッチングレー
トの低下を抑制することができる。このように低温とす
る場合、O2ガスを解離するガスとしては、Ｎ系ガス又は
Ｈ系ガスを単独で用いる場合に比して、両Ｎ系ガス及び
Ｈ系ガスを混入させた方がより良くO2ガスを解離するこ
とができ、よりエッチングレートの低減化を抑制するこ
とができる。
尚、上述の各例においては、エッチングガスとして
O2,N2,H2O,Cl2を用いた例を示したが、Cl系ガスとして
はその他HCl,CCl4,BCl3等の各種Cl系ガスを用いること
ができ、同様にBr系ガスとしても、Br2,HBr,CBr4,BBr3
等の各種Br系ガスを用いることができる。
O2,N2,H2O,Cl2を用いた例を示したが、Cl系ガスとして
はその他HCl,CCl4,BCl3等の各種Cl系ガスを用いること
ができ、同様にBr系ガスとしても、Br2,HBr,CBr4,BBr3
等の各種Br系ガスを用いることができる。
また、RIE等の異方性エッチング装置としては、マグ
ネトロン型、マイクロ波ECR（電子サイクロトロン共
鳴）型のエッチング装置等種々の反応性エッチング装置
を用いることができる。
ネトロン型、マイクロ波ECR（電子サイクロトロン共
鳴）型のエッチング装置等種々の反応性エッチング装置
を用いることができる。
尚、上述の各実施例においてハロゲン系ガスの流量比
は、側壁保護膜（６）が厚くなり過ぎるとエッチングレ
ートの低下を招くため、全体の50〜60％程度以内であれ
ばよい。
は、側壁保護膜（６）が厚くなり過ぎるとエッチングレ
ートの低下を招くため、全体の50〜60％程度以内であれ
ばよい。
また上述の各実施例においては、O2ガスの解離を促進
するガスとしてN2,H2Oを用いたが、その他N2,H2,N2O,H2
Oのうち一種または複数種組み合わせたガス即ち例えばN
2/H2,N2O/H2,N2/H2O,N2O/H2O等を用いることができる。
するガスとしてN2,H2Oを用いたが、その他N2,H2,N2O,H2
Oのうち一種または複数種組み合わせたガス即ち例えばN
2/H2,N2O/H2,N2/H2O,N2O/H2O等を用いることができる。
更に、この解離促進ガスの流量比は全体の１％程度以
上で効果があらわれ、また30％程度以上としても効果は
変わらないことから、解離促進ガスの流量比としては、
１〜30％程度に選定することが望ましい。
上で効果があらわれ、また30％程度以上としても効果は
変わらないことから、解離促進ガスの流量比としては、
１〜30％程度に選定することが望ましい。
上述したように、本発明多層レジストドライエッチン
グ方法によれば、高速化をはかるために高ガス圧下でＯ
＊ラジカルによるエッチングを主体としても、Cl系また
はBr系のハロゲンガスを混入することにより異方性を充
分保持することができ、高速性、異方性共に良好な多層
レジストエッチング方法を得ることができる。
グ方法によれば、高速化をはかるために高ガス圧下でＯ
＊ラジカルによるエッチングを主体としても、Cl系また
はBr系のハロゲンガスを混入することにより異方性を充
分保持することができ、高速性、異方性共に良好な多層
レジストエッチング方法を得ることができる。
また本発明は、Ｎ系ガス等をハロゲン系ガスに加えて
混入することにより、Ｏ＊の発生を促進することがで
き、より高速化をはかることができると共に、RIE等に
おけるバイアス電圧の低減化をはかることができ、これ
によって下地材料層（２）のスパッタリングを抑制する
ことができるため、材料層（２）のレジスト（３）側壁
へのスパッタリングによる付着を低減化することが可能
となる。
混入することにより、Ｏ＊の発生を促進することがで
き、より高速化をはかることができると共に、RIE等に
おけるバイアス電圧の低減化をはかることができ、これ
によって下地材料層（２）のスパッタリングを抑制する
ことができるため、材料層（２）のレジスト（３）側壁
へのスパッタリングによる付着を低減化することが可能
となる。
従って、このような不純物の付着によるレジスト除去
工程でのレジスト残留を回避することができ、特性の低
下を回避して、歩留りの向上をはかることができる。
工程でのレジスト残留を回避することができ、特性の低
下を回避して、歩留りの向上をはかることができる。
また更に、上述のハロゲンガスの流量を低減化するた
めに基本温度を低温とした場合においても上述のＮ系ガ
ス及びＨ系ガス等の、Ｏ＊の発生を促進するガスを混入
することによってエッチングレートの低減化を抑制する
ことができ、生産性の向上をはかることができる。
めに基本温度を低温とした場合においても上述のＮ系ガ
ス及びＨ系ガス等の、Ｏ＊の発生を促進するガスを混入
することによってエッチングレートの低減化を抑制する
ことができ、生産性の向上をはかることができる。
第１図Ａ〜Ｅは本発明多層レジストドライエッチング方
法を示す製造工程図、第２図Ａ〜Ｄは従来の多層レジス
トドライエッチング方法を示す製造工程図である。 （１）は基体、（２）は下地材料層、（３）は下層有機
レジスト層、（４）は中間層、（５）は上層レジスト
層、（６）は側壁保護膜、（７）は配線パターン、（2
1）及び（23）は絶縁層、（22）は下層配線層である。
法を示す製造工程図、第２図Ａ〜Ｄは従来の多層レジス
トドライエッチング方法を示す製造工程図である。 （１）は基体、（２）は下地材料層、（３）は下層有機
レジスト層、（４）は中間層、（５）は上層レジスト
層、（６）は側壁保護膜、（７）は配線パターン、（2
1）及び（23）は絶縁層、（22）は下層配線層である。
Claims (1)
- 【請求項１】下地材料層上に、少なくとも下層有機レジ
スト層と、回転塗布ガラスより成る中間層とを有する多
層レジスト層を形成し、上記中間層をマスクとして上記
下層有機レジスト層を選択的にドライエッチングする多
層レジストドライエッチング方法であって、 少なくともO2ガスと、Cl系またはBr系ハロゲンガスと、
上記O2ガスの解離を促進するガスとを含むエッチングガ
スを用い、 上記O2ガスの解離を促進するガスとして、N2、N2Oのう
ちの１種と、H2、H2Oのうちの１種とを含む混合ガスを
用いてエッチングすることを特徴とする多層レジストド
ライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02298168A JP3116369B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 多層レジストドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02298168A JP3116369B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 多層レジストドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171723A JPH04171723A (ja) | 1992-06-18 |
| JP3116369B2 true JP3116369B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=17856081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02298168A Expired - Lifetime JP3116369B2 (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 多層レジストドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116369B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052135A1 (en) | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method for etching low k dielectrics |
| FR2789804B1 (fr) * | 1999-02-17 | 2002-08-23 | France Telecom | Procede de gravure anisotrope par plasma gazeux d'un materiau polymere dielectrique organique et application a la microelectronique |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP02298168A patent/JP3116369B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04171723A (ja) | 1992-06-18 |
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