EP0293645A1 - Verfahren zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Indium-Zinn-Oxidschichten, insbesondere für Bildsensorzeilen auf der Basis von amorphem Silizium - Google Patents

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EP0293645A1
EP0293645A1 EP88107515A EP88107515A EP0293645A1 EP 0293645 A1 EP0293645 A1 EP 0293645A1 EP 88107515 A EP88107515 A EP 88107515A EP 88107515 A EP88107515 A EP 88107515A EP 0293645 A1 EP0293645 A1 EP 0293645A1
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Definitions

  • the invention relates to a process for the production of transparent, conductive indium tin oxide (ITO) layers, as are used in particular as electrodes for image sensor lines based on amorphous, hydrogen-containing silicon (a-Si: H), by vapor deposition or sputtering Starting metals or their oxides on the amorphous, hydrogen-containing silicon layer and subsequent annealing in an oxygen atmosphere.
  • ITO transparent, conductive indium tin oxide
  • the invention is based on the object of specifying a method for producing transparent, conductive electrode layers made of indium tin oxide (ITO) under the restricted conditions of low temperature stress, such as are present in image sensors made of amorphous silicon (a-Si: H).
  • ITO indium tin oxide
  • a-Si amorphous silicon
  • the top electrode of image sensor lines must have a high transparency for visible light of at least 85% and at the same time a small electrical surface resistance of less than 300 ohms / square.
  • Such specifications can only be achieved by ITO layers that have either been deposited at temperatures above 200 ° C or post-annealed at temperatures above 440 ° C (see report by I. Hamberg, CG Granqvist, J. Appl. Phys. 60 ( 11) (1986) R 123 to R 129).
  • the method according to the teaching of the invention can be used to produce ITO layers which have an electrical sheet resistance of 200 ohms per square (corresponds to a resistivity of 20 x 10 ⁇ 4 ohm cm) and a transparency for visible light of 90 percent.
  • the figure shows in a diagram shows the dependence of the transparency (percent) and the sheet resistance (Ohm per square) on the downtime (seconds), i.e. the oxygen interruption.
  • Curve I shows the transparency values
  • curve II the layer resistance values. As can be seen from the curve, the most optimal values for transparency and sheet resistance are obtained when the oxygen is switched off in the range from 150 to 345 seconds.
  • oxidic starting material In2O3 with 16 weight percent SnO2
  • an electron beam gun onto an unheated substrate (amorphous hydrogen-containing silicon layer).
  • the oxygen partial pressure in the recipient is set to 8 x 10 ⁇ 4 mbar at the beginning of the vapor deposition.
  • a vapor deposition rate of 0.1 nm / s is maintained by regulating the power of the electron beam gun.
  • the oxygen supply is switched off with continued vaporization, so that the oxygen pressure drops to less than 1 x 10 ⁇ 5 mbar.
  • the oxygen pressure is raised again to the original value of 8 x 10 ⁇ 4 mbar and the evaporation is continued until a layer thickness of approx. 100 nm is reached.
  • the layers are removed from the recipient and annealed in an oven under an oxygen flow at 200 ° C. for one hour.
  • ITO layers produced by the sputtering process show the same advantageous effect. The same applies to ITO Layers in the production of which metallic starting materials have been used.

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Abstract

Während der Beschichtung der durch Aufdampfen oder Aufstäuben der Ausgangsmetalle oder deren Oxide auf die amorphe wasserstoffhaltige, auf einem unbeheizten Substrat befindlichen Siliziumschicht erzeugten Indium-Zinn-Oxidschicht wird vorübergehend durch Abschalten der Sauerstoffzufuhr der Sauerstoffpartialdruck im Rezipienten reduziert. Die Elektrodenstrukturen werden nach der Beschichtung geätzt; die Temperung erfolgt im Sauerstoffstrom oder Luft bei kleiner 250°C. Dadurch werden Schichten erhalten, welche eine Transparenz für sichtbares Licht von 90 Prozent und gleichzeitig einen elektrischen Flächenwiderstand von 200 Ohm pro square aufweisen. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von transparenten Elektroden für Bildsensorelemente.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von trans­parenten, leitfähigen Indium-Zinn-Oxidschichten (ITO), wie sie insbesondere als Elektroden für Bildsensorzeilen auf der Basis von amorphem, wasserstoffhaltigen Silizium (a-Si:H) verwendet werden, durch Aufdampfen oder Aufstäuben der Ausgangsmetalle oder deren Oxide auf die amorphe, wasserstoffhaltige Silizium­schicht und nachträgliches Tempern in Sauerstoffatmosphäre.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Her­stellung transparenter, leitfähiger Elektrodenschichten aus In­dium-Zinn-Oxid (ITO) unter den eingeschränkten Bedingungen nie­driger Temperaturbelastung, wie sie bei Bildsensoren aus amor­phem Silizium (a-Si:H) vorliegen, anzugeben.
  • Es ist bekannt, daß die Deckelektrode von Bildsensorzeilen eine hohe Transparenz für sichtbares Licht von mindestens 85 % und gleichzeitig einen kleinen elektrischen Flächenwiderstand von weniger als 300 Ohm/square aufweisen muß. Derartige Spezifika­tionen können nur durch ITO-Schichten erreicht werden, die ent­weder bei Temperaturen über 200°C niedergeschlagen worden sind oder bei Temperaturen über 440°C nachgetempert werden (siehe Be­richt von I. Hamberg, C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 60 (11) (1986) R 123 bis R 129).
  • Für die Erwärmung des Indium-Zinn-Oxids bei der Herstellung von Bildwandlern müssen folgende Punkte beim Schichtniederschlag und beim Tempern berücksichtigt werden:
    • 1. Um die ITO-Schicht nach ihrem Niederschlag photolithographisch strukturieren zu können, darf das niedergeschlagene Material keine höhere Temperatur als ca. 150°C annehmen. Eine höhere Behandlungstemperatur würde die chemische Löslichkeit des ITO so herabsetzen, daß ein rückstandsfreies Strukturätzen nicht mehr möglich ist. Bei der einzigen alternativen Metho­de zur Strukturierung, der sogenannten Abhebetechnik, muß das Substrat während der Beschichtung mit strukturiertem Photolack bedeckt sein, der nach Überschreitung einer Tempe­ratur von ca. 100°C nicht mehr weiterverarbeitet, das heißt durch organische Lösungsmittel nicht mehr abgehoben werden kann.
    • 2. Das unter dem ITO liegende photoleitende amorphe wasserstoff­haltige Silizium verliert oberhalb von 300°C den für seine halbleitenden Eigenschaften entscheidenden Gehalt an Wasser­stoff. Das Nachtempern bei 440°C, welches im Fall kalt nie­dergeschlagener und fertig strukturierter ITO-Schichten zu den geforderten Spezifikationen führen würde (siehe Bericht von Raviendraid et. al., physica status solidi (a) 88 (1985) K 83 bis K 86 und Bericht von Hamberg) ist daher hier nicht anwendbar.
    Außerdem stellt neben den genannten Einschränkungen eine Aufhei­zung und die anschließende Abkühlung von Substraten im Zuge eines Fabrikationsprozesses ein erhebliches Erschwernis hinsichtlich der Kosten und der Durchlaßzeiten dar.
  • Das Problem konnte bis jetzt noch nicht befriedigend gelöst wer­den. Indem die üblichen ITO-Herstellverfahren hinsichtlich der Probenerwärmung auf die genannten Einschränkungen abgeändert wurden, erhält man Spezifikationen des ITO, die deutlich schlech­ter sind. Dadurch ist die Leistungsfähigkeit der Bildsensoren spürbar verringert.
  • Ein Verfahren, welches sich auch mit diesem Problem befaßt, ist beispielsweise aus der europäischen Patentanmeldung 0 214 095 zu entnehmen. Bei diesem Verfahren wird zur Verbesserung der Wi­derstandswerte (300 Ohm pro square) bei gleichbleibender Trans­parenz (90 Prozent) die Temperung bei maximal 200°C in zwei Schritten durchgeführt, wobei zunächst zur Erreichung der Trans­ parenz in Sauerstoffatmosphäre und danach für die Einstellung des Schichtwiderstandes in einer plasmaaktivierten Formiergas­atmosphäre getempert wird.
  • Die Erfindung löst das Problem auf eine andere Weise und ist durch ein Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gekenn­zeichnet, daß
    • a) ein ungeheiztes Substrat für die Beschichtung verwendet wird,
    • b) während der Beschichtung vorübergehend der Sauerstoffpartial­druck im Rezipienten reduziert wird,
    • c) nach der Beschichtung die Elektrodenstrukturen geätzt werden und
    • d) die Temperung in Sauerstoffstrom oder Luft bei Temperaturen kleiner 250°C durchgeführt wird.
    Dabei liegt es im Rahmen der Erfindung, daß zu Beginn der Be­schichtung der Sauerstoffpartialdruck im Bereich von 10⁻⁴ bis 10⁻² mbar eingestellt wird und nach ca. einem Drittel der ge­wünschten Schichtdicke durch Abschalten der Sauerstoffzufuhr auf kleiner 1 x 10⁻⁵ mbar abgesenkt wird. Nach einem weiteren Drittel der gewünschten Schichtdicke wird durch erneutes Zuschal­ten von Sauerstoff wieder der ursprüngliche Sauerstoffpartial­druck eingestellt.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Un­teransprüchen.
  • Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung können ITO-­Schichten hergestellt werden, welche einen elektrischen Flächen­widerstand von 200 Ohm pro square (entspricht einem spezifischen Widerstand von 20 x 10⁻⁴ Ohm cm) und eine Transparenz für sicht­bares Licht von 90 Prozent zeigen.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben. Die Figur zeigt in einem Diagramm die Abhängigkeit der Transparenz (Prozent) und des Schichtwiderstandes (Ohm pro square) von der Ausfallzeit (Sekunden) das heißt der Sauerstoffunterbrechung. Die Kurve I gibt die Transparenzwerte, die Kurve II die Schichtwiderstands­werte wieder. Wie aus dem Kurvenverlauf zu entnehmen ist, wer­den bei einer Abschaltzeit des Sauerstoffs im Bereich von 150 bis 345 Sekunden die optimalsten Werte für Transparenz und Schichtwiderstand erhalten.
    • Ausführungsbeispiel:
  • In einem reaktiven Aufdampfprozeß wird oxidisches Ausgangsmate­rial (In₂ O₃ mit 16 Gewichtsprozent SnO₂ ) mit einer Elektronen­strahlkanone auf ein ungeheiztes Substrat (amorphe wassserstoff­haltige Siliziumschicht) gedampft. Der Sauerstoffpartialdruck im Rezipient wird zu Beginn der Bedampfung auf 8 x 10⁻⁴ mbar eingestellt. Durch Regelung der Leistung der Elektronenstrahl­kanone wird eine Aufdampfrate von 0,1 nm/s eingehalten. Nach dem Niederschlag von 30 nm auf dem Substrat wird bei fortgesetz­ter Bedampfung die Sauerstoffzufuhr abgeschaltet, so daß der Sauerstoffdruck auf kleiner 1 x 10⁻⁵ mbar absinkt. Nach einer Abschaltzeit von 300 Sekunden wird der Sauerstoffdruck wieder auf den ursprünglichen Wert von 8 x 10⁻⁴ mbar hochgeregelt und die Bedampfung bis zum Erreichen einer Schichtdicke von ca. 100 nm fortgesetzt. Die Schichten werden dem Rezipienten entnommen und in einem Ofen unter Sauerstoffströmung bei 200°C eine Stun­de lang getempert.
  • Mikroskopische Untersuchungen an Querschliffen erfindungsgemäß hergestellter Schichten aus ITO zeigen eine deutlich dichtere Struktur als Schichten, die ohne Unterbrechung der Sauerstoff­zufuhr hergestellt worden sind.
  • Die chemische Ätzbarkeit dieser Schichten zur photolithogra­phischen Strukturierung nach der Aufdampfung und vor der Tem­perung ist sehr gut; es wurden keine Ätzrückstände beobachtet.
  • Nach dem Sputterverfahren hergestellte ITO-Schichten zeigen den gleichen vorteilhaften Effekt. Das Gleiche gilt auch für ITO-­ Schichten, bei deren Herstellung metallische Ausgangsmaterialien verwendet worden sind.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung von transparenten, leitfähigen In­dium-Zinn-Oxid-Schichten (ITO), wie sie insbesondere als Elek­troden für Bildsensorzeilen auf der Basis von amorphem, wasser­stoffhaltigen Silizium (a-Si:H) verwendet werden, durch Auf­dampfen oder Aufstäuben der Ausgangsmetalle oder deren Oxide auf die amorphe, wasserstoffhaltige Siliziumschicht und nach­trägliches Tempern in Sauerstoffatmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß
a) ein ungeheiztes Substrat für die Beschichtung verwendet wird,
b) während der Beschichtung vorübergehend der Sauerstoffpartial­druck im Rezipienten reduziert wird,
c) nach der Beschichtung die Elektrodenstrukturen geätzt werden und
d) die Temperung in Sauerstoffstrom oder Luft bei Temperaturen kleiner 250°C durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn-­zeichnet, daß zu Beginn der Beschichtung der Sauer­stoffpartialdruck im Bereich von 10⁻⁴ bis 10⁻² mbar eingestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge-­kennzeichnet, daß zu Beginn der Beschichtung ein Sauerstoffpartialdruck im Rezipienten von 8 x 10⁻⁴ mbar einge­stellt wird, welcher nach ca. einem Drittel der gewünschten Schichtdicke durch Abschaltung der Sauerstoffzufuhr auf kleiner 1 x 10⁻⁵ mbar abgesenkt wird und nach einem weiteren Drittel der gewünschten Schichtdicke durch erneutes Zuschalten von Sauerstoff wieder auf den Ausgangswert eingeregelt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechung der Sauerstoffzufuhr im Bereich zwischen 75 und 450 Sekunden variiert wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer 100 nm dicken Indium-Zinn-Oxid-Schicht durch Elektronenstrahlbe­dampfung von oxidischen Ausgangsmaterial bei einer Abscheide­rate von 0,1 nm/sec nach Erreichen einer Schichtdicke von ca. 30 nm die Sauerstoffzufuhr bei fortgesetzter Bedampfung für ca. 300 Sekunden unterbrochen wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten in einem Ofen bei 200°C unter Sauerstoffströmung ca. 1 Stunde lang getempert werden.
EP88107515A 1987-06-04 1988-05-10 Verfahren zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Indium-Zinn-Oxidschichten, insbesondere für Bildsensorzeilen auf der Basis von amorphem Silizium Withdrawn EP0293645A1 (de)

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EP88107515A Withdrawn EP0293645A1 (de) 1987-06-04 1988-05-10 Verfahren zur Herstellung von transparenten, leitfähigen Indium-Zinn-Oxidschichten, insbesondere für Bildsensorzeilen auf der Basis von amorphem Silizium

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0403936A3 (de) * 1989-06-15 1991-03-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Struktur aus leitfähigem Oxyd
WO1993013239A1 (en) * 1991-12-28 1993-07-08 Higher Vacuum Ind Co., Ltd. Exothermic reflexible glass, exothermic transparent glass and process of manufacturing them
EP0595542A1 (de) * 1992-10-21 1994-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur Bildung eines transparenten leitfähigen Filmes
RU2181389C2 (ru) * 1999-06-29 2002-04-20 Омский научно-исследовательский институт приборостроения Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5264077A (en) * 1989-06-15 1993-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a conductive oxide pattern
JP3587537B2 (ja) 1992-12-09 2004-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE4323654C2 (de) * 1993-07-15 1995-04-20 Ver Glaswerke Gmbh Verfahren zur Herstellung einer wenigstens eine Schicht aus einem Metalloxid vom n-Halbleitertyp aufweisenden beschichteten Glasscheibe
US5473456A (en) * 1993-10-27 1995-12-05 At&T Corp. Method for growing transparent conductive gallium-indium-oxide films by sputtering
JPH07326783A (ja) * 1994-05-30 1995-12-12 Canon Inc 光起電力素子の形成方法及びそれに用いる薄膜製造装置
JPH0874034A (ja) * 1994-09-09 1996-03-19 Aneruba Kk Ｉｔｏ透明導電膜の作製方法
US6153271A (en) * 1999-12-30 2000-11-28 General Vacuum, Inc. Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide
WO2001055477A1 (fr) * 2000-01-27 2001-08-02 Nikon Corporation Procede de fabrication d'un film de materiau composite renfermant un element generateur de gaz
GB2361245A (en) * 2000-04-14 2001-10-17 Jk Microtechnology Ltd High conductivity indium-tin-oxide films
RU2241065C2 (ru) * 2003-01-27 2004-11-27 Институт солнечно-земной физики СО РАН Способ нанесения проводящего прозрачного покрытия
JP4807933B2 (ja) * 2003-12-17 2011-11-02 株式会社アルバック 透明導電膜の形成方法及び透明電極
CN112968076A (zh) * 2021-03-30 2021-06-15 深圳第三代半导体研究院 一种透明导电薄膜的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4361114A (en) * 1980-10-06 1982-11-30 Optical Coating Laboratory, Inc. Method and apparatus for forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD89766A (de) *
US2932590A (en) * 1956-05-31 1960-04-12 Battelle Development Corp Indium oxide coatings
US3655545A (en) * 1968-02-28 1972-04-11 Ppg Industries Inc Post heating of sputtered metal oxide films
FR2371009A1 (fr) * 1976-11-15 1978-06-09 Commissariat Energie Atomique Procede de controle du depot de couches par pulverisation reactive et dispositif de mise en oeuvre
US4201649A (en) * 1978-11-29 1980-05-06 Ppg Industries, Inc. Low resistance indium oxide coatings
EP0030732B1 (de) * 1979-12-15 1984-11-28 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Transparenter elektrisch leitender Film und Verfahren zu dessen Herstellung
US4412900A (en) * 1981-03-13 1983-11-01 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing photosensors
US4605565A (en) * 1982-12-09 1986-08-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing a highly conductive, highly transmissive film
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
EP0217095A3 (de) * 1985-09-03 1989-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen niederohmiger, transparenter Indium-Zinnoxid-Schichten, insbesondere für Bildsensorelemente

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4361114A (en) * 1980-10-06 1982-11-30 Optical Coating Laboratory, Inc. Method and apparatus for forming thin film oxide layers using reactive evaporation techniques

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, Unexamined Applications, C Field, Vol. 10, No. 136, 20. Mai 1986 The Patent Office Japanese Government seite 13 C 347 *Kokai-No. 60-258 460 (Sumitomo Kagaku Kogyo K.K.)* *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, Unexamined Applications, C Sektion, Vol. 2, No. 136, 11. November 1978 The Patent Office Japanese Government seite 2989 C 78 *Kokai-No. 53-102 881 (Teijin K.K.)* *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0403936A3 (de) * 1989-06-15 1991-03-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Struktur aus leitfähigem Oxyd
WO1993013239A1 (en) * 1991-12-28 1993-07-08 Higher Vacuum Ind Co., Ltd. Exothermic reflexible glass, exothermic transparent glass and process of manufacturing them
EP0595542A1 (de) * 1992-10-21 1994-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur Bildung eines transparenten leitfähigen Filmes
US5538905A (en) * 1992-10-21 1996-07-23 Sharp Kabushiki Kaisha Method for forming a transparent conductive ITO film
RU2181389C2 (ru) * 1999-06-29 2002-04-20 Омский научно-исследовательский институт приборостроения Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова

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