DE3039927A1 - Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung - Google Patents

Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung

Info

Publication number
DE3039927A1
DE3039927A1 DE19803039927 DE3039927A DE3039927A1 DE 3039927 A1 DE3039927 A1 DE 3039927A1 DE 19803039927 DE19803039927 DE 19803039927 DE 3039927 A DE3039927 A DE 3039927A DE 3039927 A1 DE3039927 A1 DE 3039927A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
chromium
nickel
consists essentially
coated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19803039927
Other languages
English (en)
Inventor
William Gurney Lindley N.Y. Dorfeld
Robert John Painted Post N.Y. Settzo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Glass Works
Original Assignee
Corning Glass Works
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Glass Works filed Critical Corning Glass Works
Publication of DE3039927A1 publication Critical patent/DE3039927A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/06Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C3/00Non-adjustable metal resistors made of wire or ribbon, e.g. coiled, woven or formed as grids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C19/00Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/03Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
    • C22C19/05Alloys based on nickel or cobalt based on nickel with chromium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C27/00Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C22C27/06Alloys based on chromium
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49099Coating resistive material on a base
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49101Applying terminal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Amnelderin: Corning G-lass Works
Corning, Έ.Ύ., USA
Elektrischer "Widerstand und Verfahren zur Herstellung
Die Erfindung "betrifft elektrische Widerstände großer Zeitbeständigkeit und verbessertem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
In elektrischen Widerständen, die aus dünnen Schichten aufgebaut sind und in hybriden Schaltungen werden weitgehend Nickel - Chrom-legierungen verwendet, weil sie gute Temperaturbeständigkeit zeigen, und so aufgebracht werden können, daß ein niedriger Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes erhalten wird.
Zeitbeständigkeit bezeichnet die zeitliche Widerstandsänderung der Zusammensetzung; der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes wird als die umkehrbare Veränderung
130020/0889
. S-
des Widerstandes der Zusammensetzung als Zeitfunktion definiert.
Den gesteigerten Anforderungen an die Zeifbeständigkeit und an den Temperaturkoeffizienten werden die üblichen Nickel Chrom-Legierungen nicht immer gerecht. So werden häufig (z.B. u.a. in der US-Military Spezification MIL 55182) Präzisionswiderstände hoher Qualität verlangt, welche eine Zeitbeständigkeit entsprechend einer Änderung des Widerstandes von weniger als 0,5 % nach 2000 Betriebsstunden bei 175°C an der Luft, und einen Temperaturkoeffizienten von 0 - (25x10" )° ~ , oder anders ausgedrückt, 25 ppm 0C ~ aufweisen.
Zwar läßt sich eine 0,5 % Änderung nach 2000 Betriebsstunden unterschreitende Zeitbeständigkeit in der binären Chrom - Nickel-Legierung erreichen, wenn z.B. die Zusammensetzung 80 Gew.-% Nickel und 20 % Chrom enthält. Dann wird aber der Temperaturkoeffizient zu hoch und beträgt etwa mehrere hundert ppm 0C ~ Durch Erhöhung des Chromanteils kann der Temperaturkoeffizient zwar bis an 0 herabgedrückt werden, jedoch geht dies auf Kosten der Zeitbeständigkeit, die zu stark verschlechtert wird.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung elektrischer Widerstände, die sowohl verbesserte Zeitbeständigkeit als auch günstige Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes aufweisen, sowie eines zu ihrer zuverlässigen Herstellung geeigneten Verfahrens.
130020/0689 - 3 -
Diese Aufgabe wird durch den. elektrischen Widerstand der Erfindung dadurch gelöst, daß er im wesentlichen, aus Nickel, Chrom und Silizium der Zusammensetzung des durch AB - 3D DO-GA-des Phasendiagramms der Zeichnung begrenzten Bereichs besteht.
Alle /-3-Angaben des Phasendiagramms und der Beschreibung sind dabei in Gewichtsprozent gemacht.
Es wurde überraschenderweise gefunden, daß die günstigen Eigenschaften durch Einführung eines dritten. Elements, und zwar Silizium, erhalten werden können, wenn der in dem Dreipliasendiagramm aufgezeigte Zusamraensetzungsbereich eingehalten wird.
In dem Dreiphasendiagramm der Zeichnung begrenzen A, B, C, D ein Yiereck der Zusammensetzungen, die überraschenderweise die angestrebte erhebliche Verbesserung der Zeitbeständigkeit und des Temperaturkoeffizienten des elektrischen ¥iderstandes zeigen. Es wurde gefunden, daß dies für Zusammensetzungen außerhalb dieses Bereichs im Regelfall nicht zutrifft.
Die überraschende günstige Wirkung des beanspruchten Bereichs A, B, C, D, konnte für Eckpunkte des Vierecks durch Versuche bestätigt werden.
So enthält die Zusammensetzung am Punkt A 38 % Uiekel, 57 % Chrom und 5 % Silizium. Ein hieraus im wesentlichen zusammen-
130020/0689
gesetzter elektrischer Widerstand zeigt weniger als 0,5 % Widerstandsänderung nacii 2l-00 3td; Betrieb bei 175°C an dei Luft, und einen durchschnittlichen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes von -16 ppm °C~ . Der durchschnittliche Plattenwiderstand war 130 Ohm/Quadrat.
Ein Widerstand der Zusammensetzung am Punkt B besteht im wesentlichen aus 37 % Nickel, 56 % Chrom und 7 % Silizium. Er zeigt nach 2000 Betriebsstunden bei 175°C an der Luft weniger als 5 % Widerstandsänderung und einen Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstands von -10 ppm 0C. Der durchschnittliche Plattenwiderstand war 1100 0hm/Quadrat,
Am Punkt 0 ist die Zusammensetzung 55 % Nickel, 37 % Chrom und 8 % Silizium. Auch hier war die Zeitbeständigkeit hoch, nämlich weniger als 5 % Änderung, und der durchschnittliche Temperaturkoeffizient des Widerstands war -20 ppm 0C"" . Der durchschnittliche Plattenwiderstand betrug 125 Ohm/Quadrat.
Das Entsprechende gilt für den Widerstand der Zusammensetzung D, enthaltend 55 % Nickel, 36 % Chrom und 9 % Silizium; dem durchschnittlichen Temperaturkoeffizienten -6 ppm 0C und dem durchschnittlichen Widerstand 2900 Ohm/Quadrat.
Weitere Versuche ergaben auch den gestellten Anforderungen entsprechende Ergebnisse für Widerstände mit Zusammensetzungen, die auf den Begrenzungslinien AB und CD lagen.
130020/0689 - 5 -
Zur Herstellung der Widerstände wurden folgendermaßen vorgegangen:
Zur Aufbringung des Metallfilms durch Sputtern wurde ein Zweilcathoden-Planarmagnetron üblicher Bauart verwendet. Sin erstes Target bestand aus hochreinem Silizium, das andere Target aus einer Chrom - Nickel-Legierung. Fach Anlegen eines elektrischen Potentials wurden Metallfilme durch Sputtern auf geeignete Trägersubstrate aufgebracht. Hierbei wurde die Zusammensetzung durch Einstellung der Sputterleistung der Targets geregelt, und elektronenspektroskopisch gemessen. In der Bahn der Sputterteilchen wurden zur Erzielung einer gleichmäßigen Beschichtung eine größere Anzahl von Keramiksubstraten aus Rosenthal-Thomit bewegt.
Das Sputterglas bestand aus einer Mischung von 1 % Sauerstoff in Argon. Es hatte einen Durchsatz von 50 ccin/Min.
Nach der Beschichtung der Substrate mit dem Metallfilm wurden diese in einen Vakuumverdampfer gegeben, mit Siliziummonoxid überzogen, und an der Luft warmbehandelt. In zwei Beispielsfällen von Widerständen enthaltend 5 % Silizium, 57 % Chrom und 38 % Nickel bzw. 7 % Silizium, 56 % Chrom und 37 0A Nickel wurde vier Stunden an der Luft bei 45O0C warmbehandelt. Beispiele für Widerstände mit hohem Nickelgehalt, z.B. 8 % Silizium, 37 % Chrom, 55 % Nickel oder 9 % Silizium, 36 '% Chrom, 55 % Nickel wurden 16 Std. bei 35O0C behandelt.
- 6 13 0 020/0689
J-
Die weite Fertigung entspricht der üblichen Praxis (Spiralisierung und Anbringung von Anschlüssen).
Als Erklärungsursache für die überraschend hohe Zeitbeständigkeit der erfindungsgemäßen Widerstände kann wohl auf die Oberflächenoxidation dünner Widerstandsschichten oder -filme zurückgegriffen werden.
Wahrscheinlich bedingt die Einführung eines dritten Elements in eine Nickel - Chrom-Schicht die chemische Beschaffenheit der Oberfläche, indem ein weiteres Oxid, oder wenigstens ein Mischoxid, mit günstigeren Passivationsmerkmalen gebildet wird, als es das in den üblichen, Nickel - Chrom-Schichten vorhandene Cr2O^ aufweist.
Durch Verbesserung der Passivation der Widerstandsschicht wird weniger Metall zum Oxid umgesetzt und die Einwirkung auf die Zusammensetzung der Metallschicht bleibt geringer. In den üblichen binären Ni-Cr-Schiehten wird Chrom bevorzugt oxidiert, sodaß das verbleibende Metall mit Nickel angereichert ist. Die verbesserte Passivation der erfindungsgemäß zusammengesetzten Widerstände begrenzt die positive Verschiebung des Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes bei der Wärmebehandlung, liefert aber gleichzeitig einen nicht zu stark negativen Anfangswert des Temperaturkoeffizienten. Der Temperaturkoeffizient des fertigen Widerstands liegt daher nahezu bei Null.
- 7 130020/0689
Leerseite

Claims (13)

Patentansprüche
1.!Elektrischer tfiderstand großer Zeitbeständigkeit und verbessertem Temperaturkoeffizienten des Widerstands, dadurch gekennzeichnet, daß er im wesentlichen aus Nickel, Chrom und Silizium der Zusammensetzung des durch AB - OC - CA 3D - des Phasendiagramms der Zeichnung begrenzten Bereichs besteht.
2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er im wesentlichen aus 7 % Silizium, 56 % Chrom und 37 % Nickel besteht.
3. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er im wesentlichen aus 3 % Silizium, 37 % Chrom und 55 % Nickel besteht.
4. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er im wesentlichen aus 9 % Silizium, 36 % Chrom und 55 % Nickel besteht.
5. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß.er im wesentlichen aus 5 % Silizium, 57 % Chrom und 38 % Nickel besteht.
6. Verfahren zur Herstellung des Widerstandes nach einem der Ansprüche 1 - 4» dadurch gekennzeichnet, daß ein Target aus
13 0020/0689 -8-
OR/GiNAL INSPECTED
Silizium hoher Reinheit und ein Target aus einer Chrom Nickel-Legierung einem Sputtergas ausgesetzt werden und unter Anlegung eines Potentialgefälles auf ein Substrat eine Legierung aus ETiekel, Chrom und Silizium aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Sputtergas 1 % Sauerstoff in Argon enthält.
8. Verfahren nach Ansprüchen 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck des Sputtergases 0,3 - 0,7 Pascal beträgt.
9. Verfahren nach Ansprüchen 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchsatz des Sputtergases 50 ccm/Min. beträgt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6-9, dadurch gekennzeichnet, daß die auf dem Substrat niedergeschlagene Legierung mit Siliziummonoxid überzogen oder beschichtet wird,
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat mit der überzogenen oder beschichteten Legierung einer Wärmebehandlung unterzogen wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung durch Erhitzen an der luft auf 35O°C während 16 Std. durchgeführt wird.
130Q20/0689
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung durch ErMtsen an der Luft auf 4-5O0C während 4 3td. durchgeführt wird.
130020/0689
DE19803039927 1979-11-05 1980-10-23 Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung Withdrawn DE3039927A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/091,375 US4298505A (en) 1979-11-05 1979-11-05 Resistor composition and method of manufacture thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3039927A1 true DE3039927A1 (de) 1981-05-14

Family

ID=22227440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803039927 Withdrawn DE3039927A1 (de) 1979-11-05 1980-10-23 Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4298505A (de)
JP (2) JPS606521B2 (de)
KR (1) KR830001873B1 (de)
CA (1) CA1157298A (de)
DE (1) DE3039927A1 (de)
FR (1) FR2468981A1 (de)
GB (1) GB2062676B (de)
NL (1) NL8006025A (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4298505A (en) * 1979-11-05 1981-11-03 Corning Glass Works Resistor composition and method of manufacture thereof
US4591821A (en) * 1981-06-30 1986-05-27 Motorola, Inc. Chromium-silicon-nitrogen thin film resistor and apparatus
US4392992A (en) * 1981-06-30 1983-07-12 Motorola, Inc. Chromium-silicon-nitrogen resistor material
US4510178A (en) * 1981-06-30 1985-04-09 Motorola, Inc. Thin film resistor material and method
JPS5884406A (ja) * 1981-11-13 1983-05-20 株式会社日立製作所 薄膜抵抗体の製造方法
JPS5884401A (ja) * 1981-11-13 1983-05-20 株式会社日立製作所 抵抗体
JPS58119601A (ja) * 1982-01-08 1983-07-16 株式会社東芝 抵抗体
JPS58153752A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 Takeshi Masumoto Ni−Cr系合金材料
JPS597234A (ja) * 1982-07-05 1984-01-14 Aisin Seiki Co Ltd 圧力センサ
US4433269A (en) * 1982-11-22 1984-02-21 Burroughs Corporation Air fireable ink
JPS6212325U (de) * 1985-07-08 1987-01-26
JPH03148945A (ja) * 1989-11-06 1991-06-25 Nitsuko Corp コードレス電話機
DE4207220A1 (de) * 1992-03-07 1993-09-09 Philips Patentverwaltung Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode
US5354509A (en) * 1993-10-26 1994-10-11 Cts Corporation Base metal resistors
US5518521A (en) * 1993-11-08 1996-05-21 Cts Corporation Process of producing a low TCR surge resistor using a nickel chromium alloy
EP0861492A1 (de) * 1996-09-13 1998-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dünnschichtwiderstand und widerstandsmaterial für einen dünnschichtwiderstand
DE10153217B4 (de) * 2001-10-31 2007-01-18 Heraeus Sensor Technology Gmbh Manteldraht, insbesondere Anschlussdraht für elektrische Temperatursensoren
US20040091255A1 (en) * 2002-11-11 2004-05-13 Eastman Kodak Company Camera flash circuit with adjustable flash illumination intensity
JP4760177B2 (ja) * 2005-07-14 2011-08-31 パナソニック株式会社 薄膜チップ形電子部品およびその製造方法
US10427277B2 (en) 2011-04-05 2019-10-01 Ingersoll-Rand Company Impact wrench having dynamically tuned drive components and method thereof
US9879339B2 (en) * 2012-03-20 2018-01-30 Southwest Research Institute Nickel-chromium-silicon based coatings
JP6219977B2 (ja) * 2014-08-18 2017-10-25 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2019091A1 (de) * 1969-05-08 1970-11-12 Ibm Verfahren zur Herstellung stabiler Duennfilmwiderstaende
DE1765091A1 (de) * 1968-04-01 1971-12-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines hochkonstanten Metallschichtwiderstandes
DE2204420B2 (de) * 1971-02-20 1980-02-14 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3462723A (en) * 1966-03-23 1969-08-19 Mallory & Co Inc P R Metal-alloy film resistor and method of making same
US3477935A (en) * 1966-06-07 1969-11-11 Union Carbide Corp Method of forming thin film resistors by cathodic sputtering
US4021277A (en) * 1972-12-07 1977-05-03 Sprague Electric Company Method of forming thin film resistor
US4073971A (en) * 1973-07-31 1978-02-14 Nobuo Yasujima Process of manufacturing terminals of a heat-proof metallic thin film resistor
US4204935A (en) * 1976-02-10 1980-05-27 Resista Fabrik Elektrischer Widerstande G.M.B.H. Thin-film resistor and process for the production thereof
US4100524A (en) * 1976-05-06 1978-07-11 Gould Inc. Electrical transducer and method of making
US4298505A (en) * 1979-11-05 1981-11-03 Corning Glass Works Resistor composition and method of manufacture thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1765091A1 (de) * 1968-04-01 1971-12-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines hochkonstanten Metallschichtwiderstandes
DE2019091A1 (de) * 1969-05-08 1970-11-12 Ibm Verfahren zur Herstellung stabiler Duennfilmwiderstaende
DE2204420B2 (de) * 1971-02-20 1980-02-14 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R. Kaneoya, "Studies of High-Accuracy Ni-Cr Thin-Film Resistors" in: Electronics and Communications in Japan, Vol 52-C, No. 11, 1969, S. 162-170 *

Also Published As

Publication number Publication date
NL8006025A (nl) 1981-06-01
KR830004650A (ko) 1983-07-16
JPS647483B2 (de) 1989-02-09
KR830001873B1 (ko) 1983-09-15
GB2062676B (en) 1983-11-09
JPS606521B2 (ja) 1985-02-19
JPS61179501A (ja) 1986-08-12
GB2062676A (en) 1981-05-28
JPS5693303A (en) 1981-07-28
FR2468981B1 (de) 1985-02-08
FR2468981A1 (fr) 1981-05-08
US4298505A (en) 1981-11-03
CA1157298A (en) 1983-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3039927A1 (de) Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung
DE2336581C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer transparenten Heizscheibe
DE69800287T2 (de) Kondensator mit einem verbesserten Dielektrikum auf Basis von TaOx
DE2912402C2 (de)
DE69219952T2 (de) Verdrahtungslage aus einer aluminiumlegierung, ihre herstellung, und aluminiumlegierungssputtertarget
DE3630393C2 (de) Widerstandsthermometer
DE2507731B2 (de) Messwiderstand fuer widerstandsthermometer und verfahren zu seiner herstellung
DE2609356A1 (de) Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung
DE2527739A1 (de) Elektrischer messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer
DE2946753A1 (de) Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben
DE1288174B (de) Metallischer UEberzug auf einer isolierenden Unterlage
DE2640316A1 (de) Material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zur herstellung eines widerstandes
DE2642161C2 (de) Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte
DE3247224A1 (de) Zusammensetzungen fuer widerstaende und daraus hergestellte widerstaende
DE2917791A1 (de) Elektrischer widerstand, der ein metallisches hexaborid enthaelt, sowie verfahren zur herstellung desselben
DE2403667B2 (de) Elektrische Widerstandsmasse aus elektrisch-leitfähigen, wismuthaltigen, polynären Oxiden pyrochlorverwandter Kristallstruktur und einem dielektrischen Feststoff und deren Verwendung zur Herstellung elektrischer Widerstände
EP0167213B1 (de) Verfahren zur Herstellung Wismut-substituierter ferrimagnetischer Granatschichten
DE69014373T2 (de) Widerstand-Zusammensetzung.
DE2835562C2 (de)
DE2204420C3 (de) Elektrischer Schichtwiderstand auf der Basis einer aluminiumhaltigen Ni-Cr-Legierung
DE69300503T2 (de) Zusammensetzung für einen Dickschichtwiderstand.
DE4447244A1 (de) Widerstandsschicht
DE2946679A1 (de) Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben
DE2421861C2 (de) Elektrischer Vanadium-Ruthenium-Widerstand
DE2217775B2 (de) Verfahren zum Abscheiden sabiler Tanal-Auminium-Dünnschichten

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8130 Withdrawal