JPS58119601A - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
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- JPS58119601A JPS58119601A JP57001539A JP153982A JPS58119601A JP S58119601 A JPS58119601 A JP S58119601A JP 57001539 A JP57001539 A JP 57001539A JP 153982 A JP153982 A JP 153982A JP S58119601 A JPS58119601 A JP S58119601A
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- Japan
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- point
- tcr
- thin film
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は抵抗体に係り、特にＮｉＣｒを主成分とする抵
抗温度係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗体に関する。
抗温度係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗体に関する。
従来より、微小回路の製造に薄膜技術が利用されている
。従来の薄膜抵抗体としてよく知られているのは、Ｔａ
、ＴａＮ、Ｔａ−８１０２，ＮｉＣｒ等であり、なかで
も広く用いられているのはＮｉＣｒ合金である。
。従来の薄膜抵抗体としてよく知られているのは、Ｔａ
、ＴａＮ、Ｔａ−８１０２，ＮｉＣｒ等であり、なかで
も広く用いられているのはＮｉＣｒ合金である。
通常、ＮｉＣｒ合金抵抗体は、Ｎｉ１Ｊ、チの組成で使
われることが多い。Ｃｒが多くなると、経時変化が大き
く安定性に欠けるようになシ、また機械的にもろくなる
ためである。一般にはＮｉ ８０ ｖｔ引Ｃｒ ２０
ｗｔ％を基調曝した合金が用いられる。ところがこの
組成の合金をタープ。
われることが多い。Ｃｒが多くなると、経時変化が大き
く安定性に欠けるようになシ、また機械的にもろくなる
ためである。一般にはＮｉ ８０ ｖｔ引Ｃｒ ２０
ｗｔ％を基調曝した合金が用いられる。ところがこの
組成の合金をタープ。
トとしてＲＦスノ譬、夕により得られた膜厚４００〜５
００Ｘの薄膜抵抗体はＴＣＲが約１３０ ｐｐｍ／℃と
やや大きい値管示す。
００Ｘの薄膜抵抗体はＴＣＲが約１３０ ｐｐｍ／℃と
やや大きい値管示す。
従来の薄膜抵抗体のＴＣＲは通常数百ｐｐｍ／℃８！度
あり、これによシ小さくすることができないため高精度
を要する用途には適さない。環境温度が極端に変化する
用途や環境温度変化が小さくても高精度が要求されるデ
バイスに使用するためには、ＴＣＲの小さい薄膜抵抗体
が必要とされる。
あり、これによシ小さくすることができないため高精度
を要する用途には適さない。環境温度が極端に変化する
用途や環境温度変化が小さくても高精度が要求されるデ
バイスに使用するためには、ＴＣＲの小さい薄膜抵抗体
が必要とされる。
ＴＣぺに関し厳しい性能が要求される用途の一つとして
、電子ハカリに用いられる蒸着ゲージがある。蒸着ゲー
ジは第１図に示すように、ＲＩｅ Ｒ＊ ＋ Ｒｓ
＊ Ｒ４ｆｘ ’ｂ’１Ｍ１ａ抵抗体カラするブリ、
ノ回路で構成される。このブリ、ジ回路ＦｉｅＬ２図に
示すようにハヵり本体、即ち同定台１は固定されたビー
ム２のｔＩｅｉ！０に付着形成されており、荷’１ｗが
印加されたときビーム２０伸縮によるＲ１−Ｒ４の抵抗
値変化をブリ、ノ・量ランスによシ読取）、これを荷重
Ｗに換算するものである゛。このときブリッジ回路には
、電源しまうと正確な測定ができなくなる。このような
零点ドリフトを抑えるためには、Ｒ０〜Ｒ４としてＴＣ
Ｈの極めて小さいものが要求されることになる。
、電子ハカリに用いられる蒸着ゲージがある。蒸着ゲー
ジは第１図に示すように、ＲＩｅ Ｒ＊ ＋ Ｒｓ
＊ Ｒ４ｆｘ ’ｂ’１Ｍ１ａ抵抗体カラするブリ、
ノ回路で構成される。このブリ、ジ回路ＦｉｅＬ２図に
示すようにハヵり本体、即ち同定台１は固定されたビー
ム２のｔＩｅｉ！０に付着形成されており、荷’１ｗが
印加されたときビーム２０伸縮によるＲ１−Ｒ４の抵抗
値変化をブリ、ノ・量ランスによシ読取）、これを荷重
Ｗに換算するものである゛。このときブリッジ回路には
、電源しまうと正確な測定ができなくなる。このような
零点ドリフトを抑えるためには、Ｒ０〜Ｒ４としてＴＣ
Ｈの極めて小さいものが要求されることになる。
ちなみに、ＴＣＲが１３０ＰＰｍ／Ｃを有する、Ｎｉ
８０ｗｔ％ 、 Ｃｒ ２０ ｖｔ％の薄膜抵抗体を用
いて上記蒸着ゲージを構成し、零点ドリフトを測定した
ところＪＩＩＯμＶ／Ｖであった。
８０ｗｔ％ 、 Ｃｒ ２０ ｖｔ％の薄膜抵抗体を用
いて上記蒸着ゲージを構成し、零点ドリフトを測定した
ところＪＩＩＯμＶ／Ｖであった。
′〔発明の目的〕
本発明の目的は、ＮｉＣｒを主成分とする合金抵抗体で
あってＴＣＨの極めて小さい抵抗体を提供することにあ
る。
あってＴＣＨの極めて小さい抵抗体を提供することにあ
る。
本発明者らは、ＮｉＣｒ合金をペースにしてこれに８１
を添加すると、特定の組成領域においてＴＣＲがほぼ零
の抵抗体が得られることを見出した。
を添加すると、特定の組成領域においてＴＣＲがほぼ零
の抵抗体が得られることを見出した。
従って本発明に係る抵抗体は、ＮｉＣｒを主成分とし、
これにＳｔを添加してなることを基本とし、その組成範
囲をＮ１が５０ ｖｔ％以上、Ｃｒが５０ ｖｔ％以下
、Ｓｌが２３ ｖｔ％以Ｆとしたことを特徴とする。と
こで、Ｃｒを５０ ｖｔｓ以下、ＮＩを５０ ｖｔチ以
上に限定しているのは、Ｃｒを余シ多くすると、薄膜抵
抗体を作る場合に、真空装置の残留酸素の影響が大きく
なシ、再現性が悪くなるためである。即ちＣｒが多くな
るにつれて、真空装置、ペルジャーの大きさ、内部治具
の量や材質、排気速度や排気時間、基板温度轡の装置依
存性が大きくなる。またＣｒが多くなると、ターゲット
自体も表面酸化が大きくなり、機械的にも脆くなるなど
の問題が生ずる。
これにＳｔを添加してなることを基本とし、その組成範
囲をＮ１が５０ ｖｔ％以上、Ｃｒが５０ ｖｔ％以下
、Ｓｌが２３ ｖｔ％以Ｆとしたことを特徴とする。と
こで、Ｃｒを５０ ｖｔｓ以下、ＮＩを５０ ｖｔチ以
上に限定しているのは、Ｃｒを余シ多くすると、薄膜抵
抗体を作る場合に、真空装置の残留酸素の影響が大きく
なシ、再現性が悪くなるためである。即ちＣｒが多くな
るにつれて、真空装置、ペルジャーの大きさ、内部治具
の量や材質、排気速度や排気時間、基板温度轡の装置依
存性が大きくなる。またＣｒが多くなると、ターゲット
自体も表面酸化が大きくなり、機械的にも脆くなるなど
の問題が生ずる。
一方、本発明でＳｌを２３ ｖｔ％以下に限定している
のは、Ｓｉを余シ多くするとＴＣＲが負方向に大きくな
りすぎるためである。
のは、Ｓｉを余シ多くするとＴＣＲが負方向に大きくな
りすぎるためである。
上記組成範囲内で、ＴＣＲがｉｔ ｉｔ−零付近となる
好ましい範囲は、ＮＩ 、Ｃｒ、Ｇ・の３戒分比を示す
三角図表において、Ｗ点（Ｎｉ ５０．Ｃｒ ｓｏ、５
ｔｏ）。
好ましい範囲は、ＮＩ 、Ｃｒ、Ｇ・の３戒分比を示す
三角図表において、Ｗ点（Ｎｉ ５０．Ｃｒ ｓｏ、５
ｔｏ）。
Ｘ点（Ｎｉ ９０＝Ｃｒ ０１８１１０ ） ？ Ｙ点
（Ｎｉ７７゜Ｃｒ Ｏ，８１２３） 、 Ｚ点（Ｎｌ
５０．Ｃｒ ４０．５１１０ ）（但しカッコ内数字は
ｗｔｑＧ。以下同じ）を結ぶ四角形で囲まれた範囲であ
ることが実験的に確認されている。
（Ｎｉ７７゜Ｃｒ Ｏ，８１２３） 、 Ｚ点（Ｎｌ
５０．Ｃｒ ４０．５１１０ ）（但しカッコ内数字は
ｗｔｑＧ。以下同じ）を結ぶ四角形で囲まれた範囲であ
ることが実験的に確認されている。
不発Ｉ！ｉ４に係る抵抗体は特に、蒸着やスノ（、タリ
ング、イオンデレーティング等による薄膜抵抗体として
、高精度の要求されるデ／ぐイスに適用して大きな効果
が得られる。
ング、イオンデレーティング等による薄膜抵抗体として
、高精度の要求されるデ／ぐイスに適用して大きな効果
が得られる。
Ｎｉ ８０ ｗｔ％、Ｃｒ ２０ ｖｔ％の合金をペー
スにしてＳｌを添加した薄膜抵抗体を得るために、Ｎｌ
Ｃｒターゲットに８１を加えてＲＦス／母、夕を行った
。その結果、ｓｔが５，１３ ｅ ２ Ｑ ｗｔ−と増
加するにつれて薄膜抵抗体（ｊｌｌさは全て４００〜５
ｏｏｌ ）のＴＣＲは、８ Ｇ 、 ０ 、−８０ ｐ
ｐｍ／ｌと次鎮に減少することがわかった。一方、ｓｌ
を含まないＮｉＣｒ合金においても、Ｎ１とｃｒの比率
を変えるとＴＣＲが変ることがわかった。即ち、ＮｉＣ
ｒターｒ、）のＣｒ成分比を２０ 、４０ 。
スにしてＳｌを添加した薄膜抵抗体を得るために、Ｎｌ
Ｃｒターゲットに８１を加えてＲＦス／母、夕を行った
。その結果、ｓｔが５，１３ ｅ ２ Ｑ ｗｔ−と増
加するにつれて薄膜抵抗体（ｊｌｌさは全て４００〜５
ｏｏｌ ）のＴＣＲは、８ Ｇ 、 ０ 、−８０ ｐ
ｐｍ／ｌと次鎮に減少することがわかった。一方、ｓｌ
を含まないＮｉＣｒ合金においても、Ｎ１とｃｒの比率
を変えるとＴＣＲが変ることがわかった。即ち、ＮｉＣ
ｒターｒ、）のＣｒ成分比を２０ 、４０ 。
６０ ｗｔ％と変えたとき、ＲＦス・譬、夕により得ら
れた薄膜抵抗体のＴＣＲは１３０，７０，０゜ｐｐｍ７
℃と減少することがわかった。これらの結果を示したの
が第３図および第４図である。
れた薄膜抵抗体のＴＣＲは１３０，７０，０゜ｐｐｍ７
℃と減少することがわかった。これらの結果を示したの
が第３図および第４図である。
！４図において、Ｎｉの増量につれて増大するＴＣＲを
、第３図のデータを考慮してＳｌを適量添加することＫ
よシ零にすることを試みた。即ち、Ｎｌ、Ｃｒ、Ｓｔの
組成比を、０点（Ｎｉ４０゜Ｃｒ ６０，８１０ ）
、 Ａ点（Ｎ％５０．Ｃｒ ４５．Ｓｌ ５）。
、第３図のデータを考慮してＳｌを適量添加することＫ
よシ零にすることを試みた。即ち、Ｎｌ、Ｃｒ、Ｓｔの
組成比を、０点（Ｎｉ４０゜Ｃｒ ６０，８１０ ）
、 Ａ点（Ｎ％５０．Ｃｒ ４５．Ｓｌ ５）。
Ｂ点（ＮＳ ６０．Ｃｒ ３２．Ｓｌ ８ ） 、 ０
点（Ｎｉ７１゜Ｃｒ １８ｅＳ１１１ ） 、Ｄ点（Ｎ
ｉ ８３．Ｃｒ ０，８１１７）の５点に選んでターグ
ツトを作シ、以下の条件でＲＦスノ譬フッタ行った。
点（Ｎｉ７１゜Ｃｒ １８ｅＳ１１１ ） 、Ｄ点（Ｎ
ｉ ８３．Ｃｒ ０，８１１７）の５点に選んでターグ
ツトを作シ、以下の条件でＲＦスノ譬フッタ行った。
到達真空ｆ ２Ｘ１０ ＴｏｒｒＡｒ分圧
９ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ電源 ＲＦ
ｌｋＶ 基板 ガラス基板 基板温度 常温 得られた４００〜５００Ｘの薄膜抵抗体のＴＣＲは、’
Ｏｅ Ａ ｅ ” ｅ Ｃｅ Ｄ点共はぼ零であった
。
９ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ電源 ＲＦ
ｌｋＶ 基板 ガラス基板 基板温度 常温 得られた４００〜５００Ｘの薄膜抵抗体のＴＣＲは、’
Ｏｅ Ａ ｅ ” ｅ Ｃｅ Ｄ点共はぼ零であった
。
この結果は、第５図のＮｉ、Ｃｒ、８１の成分比を示す
三角図表で０．Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ点を通る直線上でＴＣＲ
が零の抵抗体が得られることを示している。ただし、０
点は前述のように再現性が悪く、＋５０ ｐｐｍ／Ｃ程
度の大きいばらつきを示した。
三角図表で０．Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ点を通る直線上でＴＣＲ
が零の抵抗体が得られることを示している。ただし、０
点は前述のように再現性が悪く、＋５０ ｐｐｍ／Ｃ程
度の大きいばらつきを示した。
実際には、多少の組成のずれ、不純物の含有等がおこる
が、実用的にはスノ量、タリング条件をコントロールす
る等によ〕使用できる範囲は多少広がる。即ち、第５図
の８１点（Ｎ１６５゜Ｃｒ ３２，８１５ ） 、 Ｃ
’点（Ｎｉ ７０．Ｃｒ １０．Ｇ＠２Ｇ ）において
も、８１点はわずかに酸素分圧の高い雰囲気内で、を九
Ｃ１点わずかに酸素分圧の低い雰囲気内でスノタ、タリ
ングした場合、共にＴＣＲがほぼ零のものが得られた。
が、実用的にはスノ量、タリング条件をコントロールす
る等によ〕使用できる範囲は多少広がる。即ち、第５図
の８１点（Ｎ１６５゜Ｃｒ ３２，８１５ ） 、 Ｃ
’点（Ｎｉ ７０．Ｃｒ １０．Ｇ＠２Ｇ ）において
も、８１点はわずかに酸素分圧の高い雰囲気内で、を九
Ｃ１点わずかに酸素分圧の低い雰囲気内でスノタ、タリ
ングした場合、共にＴＣＲがほぼ零のものが得られた。
これに対し、Ｂ１点（Ｎｉ ７０．ＣＴ ３０．Ｓｉ
Ｏ） 。
Ｏ） 。
０点（Ｎｌ ６Ｑ、Ｃｒ １８，８１２２ ）のターグ
ツト組成では、ス・臂ツタ条件をコントロールしてもＴ
ＣＲが零のものは得られない。第３図、第４図から明ら
かなとおり、８１点は＋１００ ＰＰｍ／℃。
ツト組成では、ス・臂ツタ条件をコントロールしてもＴ
ＣＲが零のものは得られない。第３図、第４図から明ら
かなとおり、８１点は＋１００ ＰＰｍ／℃。
０点は−１００ｐｐｍ７℃ となる。
以上の結果を総合するζ、第５図の三角図表において、
実用上好ましい組成範囲として、Ｗ点（Ｎｉ ５０．Ｃ
ｒ ５０，８１０ ） 、 Ｘ点（Ｎｉ９０＊Ｃｒ ０
＝Ｓｉ １０ ） ｅ ７点（Ｎｉ ７７、Ｃｒ Ｏ，
８１２３）−２点（Ｎｉ ５０．Ｃｒ ４０，８１１０
）を結ぶ四角形で囲まれた範囲が求まる。
実用上好ましい組成範囲として、Ｗ点（Ｎｉ ５０．Ｃ
ｒ ５０，８１０ ） 、 Ｘ点（Ｎｉ９０＊Ｃｒ ０
＝Ｓｉ １０ ） ｅ ７点（Ｎｉ ７７、Ｃｒ Ｏ，
８１２３）−２点（Ｎｉ ５０．Ｃｒ ４０，８１１０
）を結ぶ四角形で囲まれた範囲が求まる。
ちなみに、第５図の０点の薄膜抵抗体を用いて第１図、
第２図で説明した電子・・カリの蒸着ゲージを構成した
ところ、零点ドリフトが約１μＶ／Ｖ未満という高性能
のものが実現できた。
第２図で説明した電子・・カリの蒸着ゲージを構成した
ところ、零点ドリフトが約１μＶ／Ｖ未満という高性能
のものが実現できた。
なお、Ｎ１．Ｃｒ、８１いずれの元素も単独元素のみで
添加することは実際には困難であり、工業的には常識的
な範囲で他種金属が混入する。即ち、Ｆ＠、Ｃｏ、Ｍｎ
、Ｍｅ、ＷｅＶ、Ｔｉ 、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎ
ｂ。
添加することは実際には困難であり、工業的には常識的
な範囲で他種金属が混入する。即ち、Ｆ＠、Ｃｏ、Ｍｎ
、Ｍｅ、ＷｅＶ、Ｔｉ 、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎ
ｂ。
Ｂ、Ａｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｏ、Ｐｂ、Ｃ，Ｐ等が単独あ
るいは２種以上の組合せで少量添加されても、それが約
５ ｗｔ−未満であれに本質的性能は変らない。またＭ
ｎ等は加工性を向上させるために０．Ｏ１〜０．１ｗｔ
％程度、積極的に添加してもよい。
るいは２種以上の組合せで少量添加されても、それが約
５ ｗｔ−未満であれに本質的性能は変らない。またＭ
ｎ等は加工性を向上させるために０．Ｏ１〜０．１ｗｔ
％程度、積極的に添加してもよい。
本発明によれば、ＮｉＣｒを主成分とする合金を用いて
ＴＣＲがほぼ零の高精度抵抗体が得られる。
ＴＣＲがほぼ零の高精度抵抗体が得られる。
第１図および第２図は電子ＪＳカリの蒸着ゲージを示す
等価回路図および要部構成図、第３図は８１添加による
ＮｉＣｒ合金薄膜抵抗体のＴＣＲ変化を示す図、第４図
はＮｌＣｒ合金薄膜抵抗体のＣｒ比によるＴＣＲ変化を
示す図、第５図は本発明の好ましい組成範囲を説明する
ためのＮｌ。 Ｃｒ、Ｓｉの３成分組成図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３１！１ −４− 第５図 １
等価回路図および要部構成図、第３図は８１添加による
ＮｉＣｒ合金薄膜抵抗体のＴＣＲ変化を示す図、第４図
はＮｌＣｒ合金薄膜抵抗体のＣｒ比によるＴＣＲ変化を
示す図、第５図は本発明の好ましい組成範囲を説明する
ためのＮｌ。 Ｃｒ、Ｓｉの３成分組成図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３１！１ −４− 第５図 １
Claims (4)
- （１） ＮｉＣｒを主成分とじＳｌを含む合金であっ
て、Ｎｉが５０ ｗｔ−以上、Ｃｒが５０ ｖｔ％以下
、Ｓｌが２３ ｖｔ９！以下からなることを特徴とする
抵抗体。 - （２） Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉの３成分比を示す三角図表
において、Ｗ点（Ｎｌ ５０＝Ｃｒ ５０．Ｓｔ Ｏ）
ｐ Ｘ点（Ｎｉ ９０．Ｃｒ ０，８１１０ ） 、
Ｙ点（Ｎｉ ７７、Ｃｒｙ。 Ｓｉ ２３ ） 、 Ｚ点（Ｎｉ ５０．Ｃｒ ４０，
８１１０ ）（但しカッコ内数字はｖｔ％）を結ぶ四角
形に囲まれた範囲内の組成を有する特許請求の範囲第１
項記載の抵抗体。 - （３） Ｎｉ、Ｃｒ、８ｆ ｔ−主成分とし、Ｆ＠
、 Ｃｏ 、Ｍｎ 。 ＭＯ，ＷＩＶ、’ｒｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ
、ＢＩＡ４．Ｍｇ１Ｇ＠ＩＳｎ、ＰｂｔＣ＋Ｐを単独あ
るいけ２１１１以上の組合せで５ ｖｔ％未満含有する
特許請求の範囲第１項記載の抵抗体。 - （４） 抵抗体は真空蒸着、スフ９．タリングまたは
イ・オンシレーティングによシ形成された薄膜抵抗体で
ある特許請求の範囲第１項記載の抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001539A JPS58119601A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001539A JPS58119601A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119601A true JPS58119601A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11504323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001539A Pending JPS58119601A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119601A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027103A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | 株式会社タイセー | 金属薄膜抵抗体 |
| JP2002141201A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Koa Corp | 薄膜抵抗器及びその製造方法 |
| JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136851A (ja) * | 1974-09-25 | 1976-03-27 | Nippon Electric Co | Maikurohafuiruta |
| JPS5693303A (en) * | 1979-11-05 | 1981-07-28 | Corning Glass Works | Resistor composition and method of manufacturing same |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001539A patent/JPS58119601A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136851A (ja) * | 1974-09-25 | 1976-03-27 | Nippon Electric Co | Maikurohafuiruta |
| JPS5693303A (en) * | 1979-11-05 | 1981-07-28 | Corning Glass Works | Resistor composition and method of manufacturing same |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027103A (ja) * | 1983-07-25 | 1985-02-12 | 株式会社タイセー | 金属薄膜抵抗体 |
| JPH045241B2 (ja) * | 1983-07-25 | 1992-01-30 | ||
| JP2002141201A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Koa Corp | 薄膜抵抗器及びその製造方法 |
| JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
| JP4622946B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
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