JPS58119603A - 抵抗体 - Google Patents
抵抗体Info
- Publication number
- JPS58119603A JPS58119603A JP57001538A JP153882A JPS58119603A JP S58119603 A JPS58119603 A JP S58119603A JP 57001538 A JP57001538 A JP 57001538A JP 153882 A JP153882 A JP 153882A JP S58119603 A JPS58119603 A JP S58119603A
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- Japan
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- resistor
- point
- thin film
- less
- tcr
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は抵抗体に係シ、特にＮｌＣｒを主成分とする抵
抗温度係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗体に関する。
抗温度係数（ＴＣＲ）が小さい抵抗体に関する。
従来より、微小回路の製造に薄膜技術が利用されている
・従来の薄膜抵抗体としてよく知られているのは、Ｔａ
、 ＴａＮ ｅ Ｔａ−８１０１ｅ ＮｉＣｒ等であ
シ、なかでも広く用いられているのはＮｉＣｒ合金であ
る・ 通常、ＮｉＣｒ合金抵抗体はＮＩ ＩＪ 、チの組成で
使われることが多い・Ｃｒが多くなると、経時変化が大
きく安定性に欠けるようＫなシ、また機械的にもろくな
るためである。一般には、Ｎ１８０ｖｔ ｆｂ ｅ Ｃ
ｒ ２０ ｖｔ−を基調にした合金が用いられる。とこ
ろがヒの組成の合金をターグツトとしてＲＦＸＡ 、夕
によ如得られ九膜厚４００〜ｓ ｏ ｏ ＸＯ薄膜抵抗
体はＴＣＢが約１３０ ｐｐｍ／℃とやや大きい値を示
す・ 〔背景技術の問題点〕 従来の薄膜抵抗体１０ ’ｒＣＲは通常数百ｐｐｍ／’
Ｃ程度あ〉−これよシ小さくすることができないため高
精度を要する用途Ｋａ適−＠ない、環境温度が極端に変
化する用途や環境温度変化が小さくても高精度が要求さ
れるデバイスに使用するために杜、？Ｃ１Ｏ小さい薄膜
抵抗体が必要とされる・ ＴＣＩ ｉｃ関し厳しい性能が要求される用途の一つと
して、電子へカリに用いられる蒸着ｒ−ジがある。蒸着
ｒ−ジ紘第１図に示すように、ＲＩＲｌ ｅ ＩＩＩ
ｅ １４なる薄膜抵抗体からなるブリッジ回踏で構成さ
れる・ヒのブリッジ回路は第２図に示すように１ハ力リ
本体、即ち固定台１に固定され九Ｖ−ム２０表両に付着
形成されておよるＲ１−Ｒ４の抵抗値変化をブリッジバ
ランスによシ読み取り、これを荷重Ｗに換算するもので
ある。このときブリッジ回路には１電源ｖｍまうと正確
な測定ができなくなる。このような零点ドリフトを抑え
るためには、Ｒ１−Ｒ４としてＴＣＨの極めて小さいも
のが要求されることになる。
・従来の薄膜抵抗体としてよく知られているのは、Ｔａ
、 ＴａＮ ｅ Ｔａ−８１０１ｅ ＮｉＣｒ等であ
シ、なかでも広く用いられているのはＮｉＣｒ合金であ
る・ 通常、ＮｉＣｒ合金抵抗体はＮＩ ＩＪ 、チの組成で
使われることが多い・Ｃｒが多くなると、経時変化が大
きく安定性に欠けるようＫなシ、また機械的にもろくな
るためである。一般には、Ｎ１８０ｖｔ ｆｂ ｅ Ｃ
ｒ ２０ ｖｔ−を基調にした合金が用いられる。とこ
ろがヒの組成の合金をターグツトとしてＲＦＸＡ 、夕
によ如得られ九膜厚４００〜ｓ ｏ ｏ ＸＯ薄膜抵抗
体はＴＣＢが約１３０ ｐｐｍ／℃とやや大きい値を示
す・ 〔背景技術の問題点〕 従来の薄膜抵抗体１０ ’ｒＣＲは通常数百ｐｐｍ／’
Ｃ程度あ〉−これよシ小さくすることができないため高
精度を要する用途Ｋａ適−＠ない、環境温度が極端に変
化する用途や環境温度変化が小さくても高精度が要求さ
れるデバイスに使用するために杜、？Ｃ１Ｏ小さい薄膜
抵抗体が必要とされる・ ＴＣＩ ｉｃ関し厳しい性能が要求される用途の一つと
して、電子へカリに用いられる蒸着ｒ−ジがある。蒸着
ｒ−ジ紘第１図に示すように、ＲＩＲｌ ｅ ＩＩＩ
ｅ １４なる薄膜抵抗体からなるブリッジ回踏で構成さ
れる・ヒのブリッジ回路は第２図に示すように１ハ力リ
本体、即ち固定台１に固定され九Ｖ−ム２０表両に付着
形成されておよるＲ１−Ｒ４の抵抗値変化をブリッジバ
ランスによシ読み取り、これを荷重Ｗに換算するもので
ある。このときブリッジ回路には１電源ｖｍまうと正確
な測定ができなくなる。このような零点ドリフトを抑え
るためには、Ｒ１−Ｒ４としてＴＣＨの極めて小さいも
のが要求されることになる。
ちなみに、ＴＣＲが１３０ ｐｐｍ／Ｃを有するＮ１８
０ ｖｔ ％ ｅ Ｃｒ ２０ ｖｔ ％の薄膜抵抗体
を用いて上記蒸着ゲージを構成し、零点ドリフトを測定
し九ところ、約１０μＶ／Ｖであった・〔発明の目的〕 本発明の目的は、ＮｌＣｒを主成分とする合金抵抗体で
あってＴＣＲの極めて小さい抵抗体を８することにある
。
０ ｖｔ ％ ｅ Ｃｒ ２０ ｖｔ ％の薄膜抵抗体
を用いて上記蒸着ゲージを構成し、零点ドリフトを測定
し九ところ、約１０μＶ／Ｖであった・〔発明の目的〕 本発明の目的は、ＮｌＣｒを主成分とする合金抵抗体で
あってＴＣＲの極めて小さい抵抗体を８することにある
。
本発明者らは、ＮｌＣｒ合金をベースにしてこれＫＧ・
を添加すると、特定の組成領域においてＴＣＩかはぼ零
の抵抗体が得られゐことを見出した・従りて本発明に係
る抵抗体は、Ｎ１ｃｅを主成分とし、これＫＧ・を添加
してなるヒとを特徴とする特に好ましい組成範囲は、Ｎ
１３０ｖｔ−以上、Ｃｒが７０ ｖｔ １１１以下％
Ｇｏが３ ！！ ｖｔ−以下である。ヒとで、Ｃｒ上７
０ｖｔ−以下に限定しているのは、Ｃｒを多くすゐこと
もＴＣＢを下げる上で効果があるが、余〉多いと抵抗値
の経時変化が大きくなり、を九機械的強度が低くなるた
めである。ま九Ｑ・を８ Ｓ ｖｔ−以下１／Ｃ＠定し
そいるのは、Ｇ・を余）多くするとＴＣＩＩが負方向に
大きくなｐすぎる九めであゐ。
を添加すると、特定の組成領域においてＴＣＩかはぼ零
の抵抗体が得られゐことを見出した・従りて本発明に係
る抵抗体は、Ｎ１ｃｅを主成分とし、これＫＧ・を添加
してなるヒとを特徴とする特に好ましい組成範囲は、Ｎ
１３０ｖｔ−以上、Ｃｒが７０ ｖｔ １１１以下％
Ｇｏが３ ！！ ｖｔ−以下である。ヒとで、Ｃｒ上７
０ｖｔ−以下に限定しているのは、Ｃｒを多くすゐこと
もＴＣＢを下げる上で効果があるが、余〉多いと抵抗値
の経時変化が大きくなり、を九機械的強度が低くなるた
めである。ま九Ｑ・を８ Ｓ ｖｔ−以下１／Ｃ＠定し
そいるのは、Ｇ・を余）多くするとＴＣＩＩが負方向に
大きくなｐすぎる九めであゐ。
上記組成範囲内で、ＴＣＩ１は零付近となる更に好まし
い範囲は、Ｎｔ ｅ Ｃｔ ＃ ’・の三虞分比を示す
三角図表において、Ｗ点（）ｉｌ ５０− Ｃｒ１ＬＧ
ｏ ｏ ） ａ ｘ点（Ｎｉ ７５ 、 Ｃｒ ０１
Ｇｅ ｉ ５ ） ｅ ７点０’ｉ ６ ！Ｓ ｅ Ｃ
ｒ Ｏ−Ｇｏ ３１！ ） ｍ １点（ＮｌｉＯＣｒ
７０ ｍ Ｇｅ ０ ） （但し力、コ内数字はｗｉｌ
ｌｓ以下同じ）を結ぶ四角形でａすれ九範−であること
が実験的に確認されている・ 本発明に係る抵抗体は特に、蒸着やス・中ツタリング、
イオンデレーティング等による薄膜抵抗体として、高精
度の要求されるデバイスに適用して大きな効果が得られ
る。
い範囲は、Ｎｔ ｅ Ｃｔ ＃ ’・の三虞分比を示す
三角図表において、Ｗ点（）ｉｌ ５０− Ｃｒ１ＬＧ
ｏ ｏ ） ａ ｘ点（Ｎｉ ７５ 、 Ｃｒ ０１
Ｇｅ ｉ ５ ） ｅ ７点０’ｉ ６ ！Ｓ ｅ Ｃ
ｒ Ｏ−Ｇｏ ３１！ ） ｍ １点（ＮｌｉＯＣｒ
７０ ｍ Ｇｅ ０ ） （但し力、コ内数字はｗｉｌ
ｌｓ以下同じ）を結ぶ四角形でａすれ九範−であること
が実験的に確認されている・ 本発明に係る抵抗体は特に、蒸着やス・中ツタリング、
イオンデレーティング等による薄膜抵抗体として、高精
度の要求されるデバイスに適用して大きな効果が得られ
る。
Ｎｉ ８０ ｖｔ Ｉｓ＊ Ｃｒ ２０ ｖｔ ’Ｊの
合金をペースにしてＧ・を添加し九薄膜抵抗体を得るた
めＫ。
合金をペースにしてＧ・を添加し九薄膜抵抗体を得るた
めＫ。
ＮｉＣｒターｒ、）にＧｅを加えてＲＦスノぐ、夕を行
った。その結果、偽が１２ｅ３０ｅ５０ｖｔｌと増加す
るにつれて薄膜抵抗体（厚さは全て４００〜ＳＯＯ芙）
のＴＣＲは８０ 、 Ｏ、−８０ｐｐｍ／Ｕと次第に減
少するこ゛とがわかった・一方、Ｇ・を含まないＮｉＣ
ｒ合金においても、Ｎｉとｃｒの比率を変えるとＴＣＲ
が変ることがわかった。
った。その結果、偽が１２ｅ３０ｅ５０ｖｔｌと増加す
るにつれて薄膜抵抗体（厚さは全て４００〜ＳＯＯ芙）
のＴＣＲは８０ 、 Ｏ、−８０ｐｐｍ／Ｕと次第に減
少するこ゛とがわかった・一方、Ｇ・を含まないＮｉＣ
ｒ合金においても、Ｎｉとｃｒの比率を変えるとＴＣＲ
が変ることがわかった。
即ち、ＮｉＣｒター’Ｉ’ｙトＯＣｒ成分比を２０．４
０６０ ｖｔ−と変えた時、ＲＦスパ、りによシ得られ
た薄膜抵抗体のＴＣＲは１３０ ｅ ７ Ｇ ＝ Ｏｐ
ｐｍ／℃と減少することがわが５九・これらの結果を示
したのが第３図及び第４図である・ 第４図において、Ｎｉｐ増量にりれて増大するＴＣＲを
、第３図のデータを考慮してＧ・を適量添加することに
よ）零にすることを試み九・即ちＮｉ ｅ Ｃｒ、ｔ
Ｇ＠ Ｏ組成比を、０点（Ｎｉ ４＋＋Ｑ ｅＣｒ ６
Ｇ ＝ Ｇ＠ Ｏ） ｅム点（Ｎｌｌｅ Ｃｒ ４０
ｅＧ＊ １ Ｇ ） ｅ ８点（Ｎｉ ６０ ｅ Ｃ
ｒ ２ Ｇ −Ｇ。
０６０ ｖｔ−と変えた時、ＲＦスパ、りによシ得られ
た薄膜抵抗体のＴＣＲは１３０ ｅ ７ Ｇ ＝ Ｏｐ
ｐｍ／℃と減少することがわが５九・これらの結果を示
したのが第３図及び第４図である・ 第４図において、Ｎｉｐ増量にりれて増大するＴＣＲを
、第３図のデータを考慮してＧ・を適量添加することに
よ）零にすることを試み九・即ちＮｉ ｅ Ｃｒ、ｔ
Ｇ＠ Ｏ組成比を、０点（Ｎｉ ４＋＋Ｑ ｅＣｒ ６
Ｇ ＝ Ｇ＠ Ｏ） ｅム点（Ｎｌｌｅ Ｃｒ ４０
ｅＧ＊ １ Ｇ ） ｅ ８点（Ｎｉ ６０ ｅ Ｃ
ｒ ２ Ｇ −Ｇ。
２０）、Ｃ点（Ｎ１６．−２．ＣｔｌＢ−Ｇ＠２３）１
０点（Ｎｌ ７０ ｅ Ｃｒ Ｏ−Ｇ＠ ３０ ）の５
点に選んでターグットを作シ、以下Ｏ条件でＲＦ’スノ
臂、りを行った・ ６ 到達真空度 ２×１０ テｏｒｒ電源
ＲＦ Ｉ ＫＶ 基板 ガラス基板 基板温度 常温 得られた４００〜ｓ ｏ ｏ Ｘｏ薄膜抵抗体の丁ＣＲ
は、０．ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ点共はぼ零であった・この結果
杜、第８１１０ Ｎｔ ｅ Ｃｒ ｅ Ｇ＠ 、（１）
成分比を示す三角図表で０．ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ点を通る直
線上でＴＣＲが零の抵抗体が得られることを示している
。
０点（Ｎｌ ７０ ｅ Ｃｒ Ｏ−Ｇ＠ ３０ ）の５
点に選んでターグットを作シ、以下Ｏ条件でＲＦ’スノ
臂、りを行った・ ６ 到達真空度 ２×１０ テｏｒｒ電源
ＲＦ Ｉ ＫＶ 基板 ガラス基板 基板温度 常温 得られた４００〜ｓ ｏ ｏ Ｘｏ薄膜抵抗体の丁ＣＲ
は、０．ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ点共はぼ零であった・この結果
杜、第８１１０ Ｎｔ ｅ Ｃｒ ｅ Ｇ＠ 、（１）
成分比を示す三角図表で０．ム、Ｂ、Ｃ，Ｄ点を通る直
線上でＴＣＲが零の抵抗体が得られることを示している
。
実際には、多少の組成のずれ、不純物の含有等がおこる
が、実用的にはスノ譬ツタリング条件をコントロールす
る等により使用できる範囲は多少広がる。即ち、第５図
Ｂ′点（Ｎ１６０．Ｃｒ３０ ｅ Ｇ＠ １０ ） ＃
Ｃ’点（Ｎｌ ６０ 、 Ｃｒ １０ 。
が、実用的にはスノ譬ツタリング条件をコントロールす
る等により使用できる範囲は多少広がる。即ち、第５図
Ｂ′点（Ｎ１６０．Ｃｒ３０ ｅ Ｇ＠ １０ ） ＃
Ｃ’点（Ｎｌ ６０ 、 Ｃｒ １０ 。
Ｇ・３０）においても、Ｂ′点はわずかに酸素分圧の高
い雰囲気内で、また０２点はわずかに酸素分圧の低い雰
囲気内でスノク、タリングした場合、共にＴＣＲがほぼ
零のものが得られた・これに対し、Ｂ′点（Ｎｉ ８０
ｅ Ｃｒ ２０− Ｇ＠ｏ ） 、 ｃ’点（Ｎｉ
５３ 、Ｃｒ １３ 、 Ｇｏ ３４ ）のター１’
ｙ ）組成では、スノ々ツタ条件をコントルールしても
ＴＣＲが零のものは得られない。第３図、第４図から、
Ｂ“点は＋１３０ ｐｐｍ／’Ｃ、Ｃ’点は−８０ｐｐ
ｍ／’Ｃとなる。
い雰囲気内で、また０２点はわずかに酸素分圧の低い雰
囲気内でスノク、タリングした場合、共にＴＣＲがほぼ
零のものが得られた・これに対し、Ｂ′点（Ｎｉ ８０
ｅ Ｃｒ ２０− Ｇ＠ｏ ） 、 ｃ’点（Ｎｉ
５３ 、Ｃｒ １３ 、 Ｇｏ ３４ ）のター１’
ｙ ）組成では、スノ々ツタ条件をコントルールしても
ＴＣＲが零のものは得られない。第３図、第４図から、
Ｂ“点は＋１３０ ｐｐｍ／’Ｃ、Ｃ’点は−８０ｐｐ
ｍ／’Ｃとなる。
以上の結果を総合すると、第５図の三角図表において、
実用上好ましい組成範囲として、Ｗ点（Ｎｌ ５０ 、
Ｃｒ ５０ 、 Ｇｏ Ｏ） ｅ Ｘ点（Ｎｉ７５
、 Ｃｒ Ｏａ Ｇｏ ２５ ） ｅ Ｙ点（Ｎ１６５
、 Ｃｒ０ ＝ Ｇ＠ ３ Ｓ ） ｅ Ｚ点（Ｎｌ
３０ ｅ Ｏｒ ７０ ＊ Ｇ＠０）を結ぶ四角形で
囲まれ九範囲が求まる。
実用上好ましい組成範囲として、Ｗ点（Ｎｌ ５０ 、
Ｃｒ ５０ 、 Ｇｏ Ｏ） ｅ Ｘ点（Ｎｉ７５
、 Ｃｒ Ｏａ Ｇｏ ２５ ） ｅ Ｙ点（Ｎ１６５
、 Ｃｒ０ ＝ Ｇ＠ ３ Ｓ ） ｅ Ｚ点（Ｎｌ
３０ ｅ Ｏｒ ７０ ＊ Ｇ＠０）を結ぶ四角形で
囲まれ九範囲が求まる。
ちなみに、第ｓｍｏｃ点の薄膜抵抗体を用いて第１図、
第２図で説明した電子ハカリの蒸着ｒ−ジを構成し九と
ころ一零点ドリフトが約１声Ｖ／Ｖ未満という高性能の
４のが実現でき九。
第２図で説明した電子ハカリの蒸着ｒ−ジを構成し九と
ころ一零点ドリフトが約１声Ｖ／Ｖ未満という高性能の
４のが実現でき九。
なお％ Ｎｉ ＃ Ｃｒ ｅ Ｇ・いずれの元素も単独
元素のみで添加することは実１１には困難であシ、工業
的には常識的な範囲で他種金属が混入する即ち、Ｆｅ
＊ Ｃｏ ｅ Ｍｍ ｔ Ｍｅ ｅ Ｗ ＃ Ｖ ｅ
Ｔ１ ｅ ＺｍＺｒ ＊ Ｈｆ ｅ テＩｋ
ｅ Ｗｂ ｍ ｌ ｍ ムＬ ｅ Ｍ
ｇ ｅ ａｎ ｅ １１１ 歩ｐｉ） 、
Ｃ−Ｐ ａ等が単独あるいは２種以上の組合せで少量添
加されても鴬それが約６マｉｎ未満であれば本質的性能
社変らない・ま九ｍ＆ｌａ加工性を向上させるために０
．０１〜０．１ ｖ＆ Ｓ程度、積極的に添加してもよ
い・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、 ＮｌＣｒを主成分とする会食を用い
てＴＣＢがほぼ零〇高精ＩＩ抵抗体が得られる。
元素のみで添加することは実１１には困難であシ、工業
的には常識的な範囲で他種金属が混入する即ち、Ｆｅ
＊ Ｃｏ ｅ Ｍｍ ｔ Ｍｅ ｅ Ｗ ＃ Ｖ ｅ
Ｔ１ ｅ ＺｍＺｒ ＊ Ｈｆ ｅ テＩｋ
ｅ Ｗｂ ｍ ｌ ｍ ムＬ ｅ Ｍ
ｇ ｅ ａｎ ｅ １１１ 歩ｐｉ） 、
Ｃ−Ｐ ａ等が単独あるいは２種以上の組合せで少量添
加されても鴬それが約６マｉｎ未満であれば本質的性能
社変らない・ま九ｍ＆ｌａ加工性を向上させるために０
．０１〜０．１ ｖ＆ Ｓ程度、積極的に添加してもよ
い・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、 ＮｌＣｒを主成分とする会食を用い
てＴＣＢがほぼ零〇高精ＩＩ抵抗体が得られる。
第１図および第２図は電子へカリの蒸着ｒ−ジを示す等
価回路図および要部構成図、第３図はＧ・添加によるＮ
ｉＣｒ合金薄膜抵抗体のＴＣＲ変化を示す図、第４図は
ＮｌＣｒ合金薄膜抵抗体のＣｒ比によるＴＣＲ変化を示
す図、第５図は本発明の好ましい組成範囲を説明するた
めのＮｔ ｅ Ｃｒ ｅＧ・の３成分組成図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｌｌ１１図 Ｒ１，Ｒ４ Ｗ 第３図 第４図
価回路図および要部構成図、第３図はＧ・添加によるＮ
ｉＣｒ合金薄膜抵抗体のＴＣＲ変化を示す図、第４図は
ＮｌＣｒ合金薄膜抵抗体のＣｒ比によるＴＣＲ変化を示
す図、第５図は本発明の好ましい組成範囲を説明するた
めのＮｔ ｅ Ｃｒ ｅＧ・の３成分組成図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ｌｌ１１図 Ｒ１，Ｒ４ Ｗ 第３図 第４図
Claims (5)
- （１） Ｎｉ ＃ Ｃｒを主成分とする合金にＧ・を
添加してなることを時機とすゐ抵抗体。 - （２） Ｎｌが３０ ｖｉ−以上、Ｃｒがγ＠ ｗｔ
ＩＧ以下、Ｇ・が３５ ｖｔ−以下からなる特許請求
の範囲第１項記載０＊抗体。 - （３） Ｎｊ ｔ Ｃｒ ＃ （ｂ（）３虞分比を示
す三角図表において、Ｚ点（Ｎｉ ５０ ＃ Ｃｒ Ｓ
Ｏ−Ｇ＠ Ｏ） ｅＸ点（Ｎｉ ？ Ｓ −Ｃｒ Ｏ
ａ Ｇ＠２５ ） Ｉ ７点（Ｎ１６５ 、 Ｃｖ ＠
、 Ｇ＠ ８ ｍ ） 、 Ｚ点（Ｎｉ ３０ ｅ
Ｃｒ７０ ｅ Ｇ＠ ０） （但し力、−：Ｉ内数字は
Ｗ口りを結ぶ四角形に囲まれ九範囲内の組成を有する特
許請求の範囲第１項記載Ｏ抵抗体・ - （４） ）ｉｉ 、 Ｃｒ 、 Ｇｏを主成分とし、
Ｆ＠ Ｂ Ｃｏ ＃＆ 、 Ｍｅ ｅ Ｗ ｅ Ｖ 、
Ｔｉ 、 Ｚｍ ＊ Ｚｒ ＊ Ｈｆ 、 Ｔａ ｔ
Ｎｂ ｐ Ｂ ＊ ＡＪＬｐ ”ｇ ｅ Ｉｌａ ＠
Ｉｔ ｇ Ｗｂ ＠ Ｃ＠ Ｐを単独あるい拡２１ｍ以
上の部会せでＳ ｖｔ−未満含有する特許請求の範囲第
１項記載の抵抗体。 - （５）抵抗体は真空蒸着、スノ臂ツタリングまえはイオ
ンフレーティングによシ形成された薄膜抵抗体である特
許請求の範囲第１項記載の抵抗体０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001538A JPS58119603A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001538A JPS58119603A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119603A true JPS58119603A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11504295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001538A Pending JPS58119603A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119603A (ja) |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001538A patent/JPS58119603A/ja active Pending
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