JP4760177B2 - 薄膜チップ形電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項3に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態3を用いて、本発明の特に請求項4,5に記載の発明について説明する。
2 上面電極
3 下面電極
4 薄膜抵抗体
5 金属酸化膜
6 中間電極
7 樹脂保護膜
8 端面電極
Claims (5)
- 基板と、前記基板の上面に設けられた上面電極と、前記上面電極と電気的に接続されるように前記基板に設けられた薄膜抵抗体とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させた薄膜チップ形電子部品。
- 基板の上面の両端部に上面電極を設ける工程と、前記上面電極と電気的に接続されるように前記基板に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程以降に、薄膜抵抗体を熱処理する工程を設けた薄膜チップ形電子部品の製造方法。
- 基板の上面の両端部に上面電極を設ける工程と、前記上面電極と電気的に接続されるように前記基板に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程は、基板に開口部を有するメタルマスクを固定し、かつこの状態で前記メタルマスクの開口部に薄膜抵抗体を形成する工程と、前記薄膜抵抗体を熱処理する工程とを含み、この熱処理工程の処理温度を260℃〜450℃の範囲とし、かつ処理時間を3時間以上とした薄膜チップ形電子部品の製造方法。
- 基板の上面の両端部に上面電極を設ける工程と、前記上面電極と電気的に接続されるように前記基板に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程は、フォトリソ工法により薄膜抵抗体をエッチングしてパターン形成を行うようにした薄膜チップ形電子部品の製造方法。
- 薄膜抵抗体のエッチングを行うエッチング液として、Ce4+イオンを0.05〜0.5mol/L含み、かつNO3 -イオンとSO4 2-イオンのいずれか一方、もしくは両方を含むエッチング液を用いた請求項4記載の薄膜チップ形電子部品の製造方法。
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