JP2007027299A - 薄膜抵抗体およびそれを用いた電子部品ならびにその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成される薄膜抵抗体において、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ、前記Siを全重量の2〜6重量%含有させて薄膜抵抗体を構成したものである。
【選択図】図1
Description
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1,2に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項3,4に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態3を用いて、本発明の特に請求項5,6に記載の発明について説明する。
2 上面電極
3 下面電極
4 薄膜抵抗体
5 金属酸化膜
6 中間電極
7 保護膜
8 端面電極
9a Niめっき層
9b Snめっき層
Claims (6)
- Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成される薄膜抵抗体において、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させた薄膜抵抗体。
- 基体と、前記基体に設けられた電極と、前記電極と電気的に接続されるように前記基体に設けられた薄膜抵抗体とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させた電子部品。
- 基体に電極を設ける工程と、前記電極と電気的に接続されるように前記基体に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程以降に、薄膜抵抗体を熱処理する工程を設け、この熱処理は、処理温度を260℃〜450℃の範囲とし、かつ処理時間を3時間以上とした電子部品の製造方法。
- 基体に電極を設ける工程と、前記電極と電気的に接続されるように前記基体に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程は、基体に開口部を有するメタルマスクを固定し、かつこの状態で前記メタルマスクの開口部に薄膜抵抗体を形成するようにした電子部品の製造方法。
- 基体に電極を設ける工程と、前記電極と電気的に接続されるように前記基体に薄膜抵抗体を設ける工程とを備え、前記薄膜抵抗体は、Ni,Cr,Al,Siの4元素を主成分として構成し、前記Ni/Cr比を重量比で45/55〜55/45とし、前記Alを全重量の10〜18重量%含有させ、かつ前記Siを全重量の2〜6重量%含有させるとともに、前記薄膜抵抗体を設ける工程は、フォトリソ工法により薄膜抵抗体をエッチングしてパターン形成を行うようにした電子部品の製造方法。
- 薄膜抵抗体のエッチングを行うエッチング液として、Ce4+イオンを0.05〜0.5mol/L含み、かつNO3 -イオンとSO4 2-イオンのいずれか一方、もしくは両方を含むエッチング液を用いた請求項5記載の電子部品の製造方法。
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2005
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