JP2002367804A - 抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】実質的に人体への悪影響が無い金属元素のみを
含む抵抗器を提供する。 【解決手段】抵抗器が含有する金属元素が、アルカリ金
属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、
Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから選ばれることとす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は膜抵抗器、セラミッ
ク抵抗器、金属板抵抗器等の抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、環境汚染物質排出量の削減に対す
る関心が高まっている。抵抗器に代表される電子部品に
もその要求があり、従来Ｐｂを含んでいたはんだについ
てはＰｂを含まないはんだへの代替が進んでいる。

【０００３】Ｐｂは両性元素であるためか、容易に種々
の化合物を形成する。当該化合物を人体が一定量を超え
て摂取すると、骨組織に沈着し、さらに血液中に遊離し
て毒性を現す。いわゆる鉛中毒の症状として現れるた
め、有害物質とされるのである。

【０００４】電子部品を構成する部材のうち、特にはん
だについてＰｂの削減が進んでいるのは、はんだは金属
としてＰｂを含んでいるためであると解される。廃棄さ
れ、屋外に放置された電子機器の中に金属Ｐｂが存在す
ると、酸性雨などが当該金属鉛を腐食（溶解）し、地中
に浸透することでＰｂ化合物存在地域を拡散してしまう
おそれがあるためである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、はんだ
中の金属Ｐｂの削減が進む一方で、電子部品を構成する
コーティング部材に用いられているホウケイ酸Ｐｂガラ
スについてはその削減が進行していない。これは当初か
ら化合物の状態で存在するＰｂが、比較的化学的に安定
しており、金属状態のＰｂに比してその存在地域が拡散
しにくいと考えられているためと解される。またそのＰ
ｂ含有量がはんだに比して少ないことにも起因すると解
される。

【０００６】しかしながらホウケイ酸Ｐｂガラスのよう
に、当初から化合物の状態で存在するＰｂであっても、
屋外に放置された状態でのＰｂ化合物存在地域を拡散さ
せる蓋然性は皆無ではない。長期間に亘り雨水等に曝さ
れる等の結果、前記拡散は確実に進行していくと考えら
れる。

【０００７】そこで本発明が解決しようとする課題は、
実質的に人体への悪影響が無い金属元素のみを含む電子
部品を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の抵抗器は、当該抵抗器が含有する金属元素
が、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから選ばれ
ることを特徴とする。

【０００９】上記列挙した元素には、Ｓｉ等のように厳
密には金属元素の範疇にないとされる場合がある元素が
含まれているが、それらを厳密に区別することが困難な
こと等の理由から、当該区別の厳密性を緩和して列挙し
ている。

【００１０】また上記金属元素には、Ｂｅ、Ｐｂ、Ｓ
ｅ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｈｇ、及びアクチノイドが含まれてい
ない。Ｂｅが含まれていない理由は、その酸化物である
ベリリアを呼吸器から摂取すると肺障害を起こすおそれ
があるためである。Ｐｂが含まれていない理由は前述の
通りである。Ｓｅ及びＡｓが含まれていない理由は、こ
れら両者とも人間の呼吸器、消化器、皮膚からの吸収に
よって中毒症状を引起し、最悪の事態としては循環器系
等人間の生命活動の中核をなす器官に致命的な障害を与
えるおそれがあるためである。Ｃｄが含まれていない理
由は、Ｃｄが人体内に摂取されると、骨を構成するＣａ
と置換して骨が脆くなるおそれがあるためである。Ｈｇ
が含まれていない理由は、Ｈｇは人体に摂取されるとい
わゆるＨｇ中毒を引起こすためである。またアクチノイ
ドが含まれていない理由は、言うまでもなくアクチノイ
ドがいわゆる放射性元素だからである。

【００１１】これらＢｅ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｈ
ｇ、及びアクチノイドは、その金属単体、若しくは特殊
な化学反応を経ずに大気、土壌、海水や雨水と触れるこ
とで容易に得られる金属化合物が人体に有害な物質とな
り得る金属である。またどんな金属又は金属化合物も一
定量を超える摂取は人体に悪影響を与える。その点Ｂ
ｅ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｈｇ、及びアクチノイド
又はこれらの化合物は、その量が比較的少量であっても
人体への悪影響が大きい金属元素である。

【００１２】このようなことを考慮して、抵抗器が含有
する金属元素を、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイ
ドから選ばれる元素に限定した。但し、Ｂｅ、Ｐｂ、Ｓ
ｅ、Ａｓ、Ｃｄ、Ｈｇ、及びアクチノイド単体又はその
化合物であっても、その存在が不純物程度の極微量で、
人体への影響が無視できる程度であれば、許容するもの
とする。

【００１３】例えば図１に示すような絶縁基板１、導体
としての電極２及びはんだ３、抵抗体４、コーティング
部材としての抵抗体４をコーティングするミドルコート
５及びオーバーコート６を有する膜抵抗器において、こ
れらの抵抗器構成部材が含有する金属元素を、アルカリ
金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、
Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから選ばれるものとす
る。このような構成により、実質的に人体への悪影響が
無い金属元素のみを含む膜抵抗器を提供することができ
る。

【００１４】図１に示す絶縁基板１には、例えばアルミ
ナ、窒化アルミニウム、炭化珪素を主成分とするセラミ
ック材料や、金属板表面をＰｂ等の有害金属を含まない
ガラスでコーティングした板や、Ｐｂ等の有害金属を含
まないガラス繊維を混入させたエポキシ樹脂成形体等を
使用できる。それに対してベリリアは、その基板への成
形過程において、粉体や蒸気としてベリリアを取り扱う
おそれがあること、ベリリア基板を用いた電子部品の廃
棄に際し粉砕処理などすると、ベリリアの粉体を発生し
得ることから本発明の膜抵抗器を構成する金属元素から
除外している。

【００１５】また図１に示す電極２には、例えばＡｇ−
Ｐｄ系合金粉末をガラスフリットによりペースト化した
メタルグレーズを焼成したものや、Ａｇ粉末をエポキシ
系、又はアクリル系等の樹脂ペーストに混入させた導電
性接着剤を熱硬化させたものを用いることができる。こ
こで前者のメタルグレーズに用いるガラスフリットに
は、ホウケイ酸Ｃａ系、ホウケイ酸Ｂａ系、又はホウケ
イ酸Ｍｇ系の低融点ガラスが好適に使用することができ
る。それに対して当該ガラスフリットにはホウケイ酸Ｐ
ｂガラスは含まれない。Ｐｂを含んでいるためである。

【００１６】また図１に示すはんだ３には、例えばＳｎ
単体、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系合金、Ｓ
ｎ−Ｂｉ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ
−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−
Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ
系合金、Ｓｎ−Ｓｂ系合金から選ばれる。それに対して
Ｐｂ−Ｓｎ系合金は含まれない。Ｐｂを含んでいるため
である。

【００１７】また図１に示す抵抗体４には、例えば酸化
Ｒｕ粉末をガラスフリットによりペースト化したメタル
グレーズを焼成したものを用いることができる。この場
合、メタルグレーズに用いるガラスフリットには、ホウ
ケイ酸Ｃａ系、ホウケイ酸Ｂａ系、ホウケイ酸Ｍｇ系の
低融点ガラスを好適に使用することができる。それに対
して当該ガラスフリットにはホウケイ酸Ｐｂガラスは含
まれない。Ｐｂを含んでいるためである。

【００１８】また図１に示すコーティング材としてのミ
ドルコート５及びオーバーコート６には、例えばホウケ
イ酸Ｃａ系、ホウケイ酸Ｂａ系、ホウケイ酸Ｍｇ系の低
融点ガラスからなるガラスペーストを焼成したものや、
エポキシ系等の樹脂ペーストを熱硬化させたものを用い
ることができる。それに対して前記ガラスフリットには
ホウケイ酸Ｐｂガラスは含まれない。Ｐｂを含んでいる
ためである。

【００１９】また例えば図２に示すような導体としての
電極２、金属キャップ７、はんだ３及びセラミックから
なる抵抗体４を有するセラミック抵抗器において、これ
らの抵抗器構成部材が含有する金属元素を、アルカリ金
属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、
Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから選ばれることとす
る。このような構成により、実質的に人体への悪影響が
無い金属元素のみを含むセラミック抵抗器を提供するこ
とができる。

【００２０】図２に示す抵抗体４には、例えばＭｇ及び
Ｓｉと、Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる少なくと
も１種と、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｇｅ
から選ばれる少なくとも１種及びＢｉ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる少なくとも１種の元素を主成
分とする化合物及び／又は複合化合物からなるセラミッ
クを用いる。当該セラミックを構成する金属元素にはＣ
ｄを含ませることもでき、そのことにより何ら抵抗体４
の特性に悪影響を与えることはないが、前述のようにＣ
ｄは有害金属元素であるため本発明から除外している。

【００２１】更に具体例を示すと、出発原料群として、
ＭｇＯ，ＳｉＯ_２及びＭｇとＳｉとの複合化合物の混合
物と、ＣａＣＯ_３と、ＢａＣＯ_３と、Ｓｎ_２Ｏ_３と、Ｓ
ｂ_２Ｏ_３とを所定配合比で混合し、焼成して得られたセ
ラミック、又はＭｇＯ，ＳｉＯ_２，ＭｇとＳｉとの複合
化合物の混合物と、ＣａＯと、ＢａＯと、ＳｎＯ_２と、
Ｓｂ_２Ｏ_３と、Ｂｉ_２Ｏ_３とを所定配合比で混合し、焼
成して得られたセラミックが抵抗体４として好適に使用
できる。ここで出発原料群としてＰｂＣＯ_３やＰｂＯを
含むセラミックは含まれない。Ｐｂを含んでいるためで
ある。

【００２２】この種のセラミック抵抗器、特に抵抗体４
材料がＭｇ及びＳｉを主成分とするセラミックからなる
セラミック抵抗器は、高圧パルスや大電力サージに対し
て耐久性があり、また主要な構成材料がセラミックであ
ることから、高温での使用に耐え得るなど、他の抵抗器
にはない利点を有している。

【００２３】また図２に示す電極２には、例えばＡｇ−
Ｐｄ系合金粉末をガラスフリットによりペースト化した
メタルグレーズを焼成したものや、Ａｇ粉末をエポキシ
系、又はアクリル系等の樹脂ペーストに混入させた導電
性接着剤を熱硬化させたものを用いることができる。こ
こで前者のメタルグレーズに用いるガラスフリットに
は、ホウケイ酸Ｃａ系、ホウケイ酸Ｂａ系、ホウケイ酸
Ｍｇ系の低融点ガラスが好適に使用することができる。
それに対して当該ガラスフリットにはホウケイ酸Ｐｂガ
ラスは含まれない。Ｐｂを含んでいるためである。

【００２４】また図２に示す金属キャップ７は、例えば
Ｎｉ板をカップ状に成形し、その表面（両面）にはんだ
３メッキをバレルメッキ法等により施したものである。
ここで、はんだ３には、例えばＳｎ単体、Ｓｎ−Ｂｉ系
合金、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｚｎ系合
金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ
−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、
Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系合
金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ｓｂ
系合金から選ばれる。それに対してＰｂ−Ｓｎ系合金は
含まれない。Ｐｂを含んでいるためである。

【００２５】また例えば図３に示すような導体としての
電極２及びはんだ３、金属板からなる抵抗体４を有する
金属板抵抗器において、この抵抗器構成部材が含有する
金属元素を、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから
選ばれることとする。ここで図３に示す抵抗体４と電極
２とは一体の金属板からなるが、抵抗体４と電極２とを
別部材とすることもできる。このような構成により、実
質的に人体への悪影響が無い金属元素のみを含む金属板
抵抗器を提供することができる。

【００２６】図３に示す抵抗体４及び電極２を構成する
金属板は、例えばＮｉ−Ｃｒ系合金、Ｃｕ−Ｎｉ系合
金、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｇｅ系合金、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｓｎ系合
金、又はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系合金等が好適に使用でき
る。

【００２７】また図３に示すはんだ３には、例えばＳｎ
単体、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系合金、Ｓ
ｎ−Ｂｉ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ
−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−
Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ
系合金、Ｓｎ−Ｓｂ系合金から選ばれる。これらに対し
てＰｂ−Ｓｎ系合金は含まれない。Ｐｂを含んでいるた
めである。

【００２８】また図３に示すモールド材８としては、液
晶ポリマー、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）、
またフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂等が好適に使用
できる。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の図１に示す膜抵抗器につ
いての実施の形態を、膜形成技術によるチップ抵抗器を
例に以下に説明する。個々のチップ抵抗器外形寸法を１
単位とし、それらが縦横に分割用の溝に仕切られて存在
する大型のアルミナ製の絶縁基板１上面及び下面にＡｇ
−Ｐｄ系メタルグレーズからなる導体ペーストをスクリ
ーン印刷し、焼成して電極５を形成する。その後抵抗体
４として酸化Ｒｕ系抵抗体メタルグレーズからなるペー
ストを絶縁基板１上面にある一対の電極２の双方に接触
するようスクリーン印刷し、焼成して抵抗体７を形成す
る。次いで抵抗体４全体を覆うようにガラスペーストを
スクリーン印刷し、焼成してミドルコート５を形成す
る。その後抵抗値調整のため、目標とする抵抗値になる
ようレーザー照射によるトリミング溝を形成する。そし
て抵抗体４及びミドルコート５を少なくとも覆い、絶縁
基板１上面の電極２がわずかに露出するよう、エポキシ
樹脂系のオーバーコート６ペーストをスクリーン印刷
し、当該ペーストを加熱硬化させる。ここで、前記メタ
ルグレーズ、ガラスペーストに含まれるガラス成分は、
ホウケイ酸Ｃａである。またオーバーコートペースト中
には金属元素は実質的に含有されていない。

【００３０】次に上記分割用の溝を開くように応力を加
え、当該分割溝に沿った絶縁基板１を分割して、個々の
チップ抵抗器単位とする。そして絶縁基板１上面及び下
面の電極２を導通させるよう、アクリル樹脂系Ａｇ電極
ペーストをローラ転写法により絶縁基板１端面（前記分
割によって初めて露出した面）に塗布し、それを熱硬化
させて電極２の一部とする。その後露出している電極２
表面にニッケルメッキ（図示しない）、はんだ３メッキ
をこの順に施し、本発明のチップ抵抗器を得る。ここで
のはんだ３はＳｎ単体とした。また、アクリル樹脂系Ａ
ｇ電極ペーストが含有する金属元素は実質的にＡｇのみ
である。

【００３１】ここで得られたチップ状の膜抵抗器が含有
する金属元素は、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｒ
ｕ、Ｎｉ、Ｓｎである。即ちここで得られたチップ抵抗
器が含有する金属元素は、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又は
ランタノイドから選ばれている。

【００３２】本発明の図２に示すセラミック抵抗器につ
いての実施の形態について以下に説明する。まず抵抗体
４の出発原料は、ＭｇＯ，ＳｉＯ_２及びＭｇとＳｉとの
複合化合物の混合物（ｉ）と、ＣａＣＯ_３（ｉｉ）と、
ＢａＣＯ_３（ｉｉｉ）と、Ｓｎ_２Ｏ _３と（ｉｖ）、Ｓｂ
_２Ｏ_３（ｖ）とする。これらの重量配合比を（ｉ）：
（ｉｉ）：（ｉｉｉ）：（ｉｖ）：（ｖ）＝１４：７
８：１：２：４とし、これら出発原料の総重量をを１０
０重量部とし、それにＣＭＣ（カルボキシメチルセルロ
ース）及び水、エチレングリコールをそれぞれ１重量
部、２１重量部、２重量部加え、これら出発原料群を混
合容器に入れ、攪拌後減圧して脱泡する。

【００３３】混合工程終了後の上記ペースト状の出発原
料を一定の円筒形状に成形し、自然乾燥後、最大１３８
０℃で２時間維持させる、合計１６時間の大気中での焼
成に供する。するとエチレングリコール、ＣＭＣ及び水
分が完全に飛散し、金属化合物の焼結体、つまりセラミ
ックとなる。このセラミックを抵抗体として円筒の両端
に前述したＡｇ−Ｐｄ系メタルグレーズからなる導体ペ
ーストを塗布、焼成して電極２を得る。その後バレルメ
ッキにより予めはんだ（Ｓｎ単体）をその両面にメッキ
形成させておいた、キャップ状に成形したＮｉ（電極キ
ャップ７）を電極２部分に圧入して本発明のセラミック
抵抗器を得る。

【００３４】ここで得られたセラミック抵抗器が含有す
る金属元素は、Ｍｇ、Ｂａ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｃａ、
Ｓｂ、Ｎｉ、Ｓｎである。即ちここで得られたチップ抵
抗器が含有する金属元素は、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又は
ランタノイドから選ばれている。

【００３５】本発明の図３に示す金属板抵抗器について
の実施の形態について以下に説明する。まず幅２．４ｍ
ｍ、厚み１５０μｍのＣｕ：Ｎｉ＝１：１（重量比）の
合金リボン（金属板）の抵抗体となる部分の幅方向両端
を切除し、当該部分の幅が２．０ｍｍとなるようにす
る。そして合金リボンの長さ方向１０ｍｍの間隔（この
間に前記抵抗体となる部分が全て含まれる。）で抵抗値
測定しながら抵抗値が所望の値（１０ｍΩ）となるよう
前記抵抗体となる部分にシングルカットのトリミング線
を機械加工法（ディスクカッターを用いた金属片の部分
研削）により形成する。その後前記抵抗体となる部分が
絶縁被覆領域の中間となるように金属片をモールド材８
で被覆する。モールド材８には液晶ポリマーを用い、前
記被覆は、モールド成形による。その後長さ２ｍｍの金
属片を両側に露出させるよう金属片を切断する。

【００３６】前記露出した金属板（電極２）を抵抗器下
面となるモールド材８側に折り返し、その後電極２表面
に厚み４０〜５０μｍの銅メッキ及び厚み４〜６μｍの
はんだ３（Ｓｎ単体）メッキをこの順に施し、図３に示
すような本発明に係る電流検出用金属板チップ抵抗器を
得る。このときモールド材８により被覆された金属板の
抵抗体４にはメッキ液が接触しないため、上記銅及びは
んだは形成されなかった。

【００３７】ここで得られた電流検出用金属板チップ抵
抗器が含有する金属元素は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｓｎで
ある。即ちここで得られた金属板抵抗器が含有する金属
元素は、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒ
ａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイドから
選ばれている。

【００３８】本例では図１に代表される膜抵抗器の製造
に際し、スクリーン印刷技術やローラ転写による塗布技
術、メッキ技術等の膜形成技術を活用した。しかし本発
明の膜抵抗器はこれらの膜形成技術によるものに限定さ
れることはない。例えば蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ
等の薄膜技術等も使用することができることは言うまで
もない。

【００３９】また本例では図１に代表される膜抵抗器の
コーティング材を、スクリーン印刷により得られるミド
ルコート５及びオーバーコート６としている。しかし図
１に示す絶縁基板１面上に膜状の抵抗体４を形成し、電
極２にリード端子を溶接等の手段で接続し、当該リード
端子の外側端部が露出するように膜抵抗器全体を樹脂等
でモールドし、当該樹脂をコーティング材とする形態を
採用することができることは言うまでもない。

【００４０】また本発明の抵抗器、特に膜抵抗器にはい
わゆる多連チップ抵抗器やチップネットワーク抵抗器等
の、複数の抵抗素子を有する抵抗器が含まれることは言
うまでもない。

【００４１】また本例で使用したガラス（メタルグレー
ズ、コーティング材となるガラスペースト）に代えてこ
れらを全て樹脂系材料とすることが好ましい場合もあ
る。樹脂系材料はＰｂのような有害金属元素を含みにく
いからである。またメタルグレーズやガラスペーストは
その焼成温度が４００〜８００℃程度と高いため、抵抗
器の製造に際し大きなエネルギーを要する。その点樹脂
系材料は２００℃程度で硬化するので、製造設備を構成
する材料選択の自由度が増す利点がある。またこのよう
に製造工程において抵抗器が受ける最高温度が下がるこ
とにより、前記樹脂系材料以外（例えば絶縁基板１）の
材料選択の自由度も大きくなる利点がある。そのため絶
縁基板１をも樹脂系材料とすることもできる。同様の理
由からＰｂ等の有害物質を含まないはんだ３の融点は１
３０〜１８０℃程度に低い方が好ましい。当該融点の下
限を１３０℃とした理由は、はんだ３を構成する合金組
成の自由度の高さの維持を考慮したためである。

【００４２】

【発明の効果】本発明により、実質的に人体への悪影響
が無い金属元素のみを含む電子部品を提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の抵抗器の断面を示す図である。

【図２】本発明の抵抗器の断面を示す図である。

【図３】本発明の抵抗器の断面を示す図である。

【符号の説明】

１．絶縁基板 ２．電極 ３．はんだ ４．抵抗体 ５．ミドルコート ６．オーバーコート ７．電極キャップ ８．モールド材

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板、導体、膜抵抗体、及びコーティ
   ング部材を有する膜抵抗器において、当該抵抗器が含有
   する金属元素が、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
   ａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
   Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
   ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉ
   ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
   Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイ
   ドから選ばれることを特徴とする膜抵抗器。
2. 【請求項２】絶縁基板、導体、抵抗体、及びコーティン
   グ部材の少なくとも一つがガラスを構成材料とし、当該
   ガラスがホウケイ酸Ｂａ系、ホウケイ酸Ｃａ系又はホウ
   ケイ酸Ｍｇ系であることを特徴とする請求項１記載の膜
   抵抗器。
3. 【請求項３】ガラスに代えて樹脂系材料とすることを特
   徴とする請求項２記載の膜抵抗器。
4. 【請求項４】導体、及びセラミックからなる抵抗体を有
   するセラミック抵抗器において、当該抵抗器を構成する
   材料が含有する金属元素が、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃ
   ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、
   Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇ
   ｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
   Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
   ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又は
   ランタノイドから選ばれることを特徴とするセラミック
   抵抗器。
5. 【請求項５】セラミックがＭｇ及びＳｉを必須とするこ
   とを特徴とする請求項４記載のセラミック抵抗器。
6. 【請求項６】導体、金属板からなる抵抗体を有する金属
   板抵抗器において、当該抵抗器を構成する材料が含有す
   る金属元素が、アルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
   ａ、Ｒａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
   Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
   ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉ
   ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
   Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、Ｐｏ、又はランタノイ
   ドから選ばれることを特徴とする金属板抵抗器。
7. 【請求項７】金属板からなる抵抗体が、Ｎｉ−Ｃｒ系合
   金、Ｃｕ−Ｎｉ系合金、Ｃｕ−Ｍｎ−Ｇｅ系合金、Ｃｕ
   −Ｍｎ−Ｓｎ系合金、又はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｕ系合金から
   なることを特徴とする請求項６記載の金属板抵抗器。
8. 【請求項８】導体がはんだを含み、当該はんだがＳｎ単
   体、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ
   −Ｂｉ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−
   Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａ
   ｇ−Ｃｕ系合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ａｇ
   −Ｃｕ−Ｓｂ系合金、Ｓｎ−Ａｇ系合金、Ｓｎ−Ｃｕ系
   合金、Ｓｎ−Ｓｂ系合金から選ばれることを特徴とする
   請求項１〜７のいずれかに記載の抵抗器。